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Description
201 検出用素子(光電変換素子、第1光電変換素子)
202 参照用素子(光電変換素子、第2光電変換素子)
204 光シールド
266a 電源電圧発生素子(第3光電変換素子)
413 PINフォトダイオード(光電変換素子エレメント)
516 第1シールド電極(シールド電極)
521 第2シールド電極(シールド電極)
507 第3シールド電極(シールド電極)
601 第4シールド電極(シールド電極)
1.なお、表示装置としては以下のようなものも可能である。
(1)
表示パネルに配置された光電変換素子を用いて表示面側の周囲光の強度を光電変換して検出する周囲光センサを備え、前記周囲光センサによって検出された周囲光の強度に応じて前記表示面での表示の輝度を調節する表示装置であって、前記光電変換素子に対して前記表示パネルの背面側に、導電体からなる、迷光に対する光シールドを備え、前記迷光に対する光シールドに所定の電位が与えられることを特徴とする表示装置。
(2)
前記周囲光センサにおいて、前記光電変換素子の2つの電流出力端子のうちの一方の前記電流出力端子は基準電位の電源に接続されており、前記所定の電位は、他方の前記電流出力端子の電位と同じに設定されていることを特徴とする表示装置。
(3)
前記周囲光センサは、前記光電変換素子として、周囲光が照射される第1光電変換素子と、基準の明るさの環境下に置かれた、前記第1光電変換素子と同じ構成の第2光電変換素子とを備えており、前記第1光電変換素子に、前記第2光電変換素子が発生する開放電圧がバイアス電圧として印加され、前記第1光電変換素子の出力電流から、周囲光の強度を検出することを特徴とする表示装置。
(4)
前記光電変換素子は、少なくとも、複数の同じ光電変換素子エレメントが直列に接続された構成であることを特徴とする表示装置。
(5)
前記光電変換素子は、同じ光電変換素子エレメントが1つ以上の同じ数だけ直列接続された直列回路が複数並列に接続された構成であることを特徴とする表示装置。
(6)
前記光電変換素子は、PINフォトダイオードからなる光電変換素子エレメントを1つ以上組み合わせた構成であることを特徴とする表示装置。
(7)
前記PINフォトダイオードはラテラルPINフォトダイオードであることを特徴とする表示装置。
(8)
前記光電変換素子は、フォトトランジスタからなる光電変換素子エレメントを1つ以上組み合わせた構成であることを特徴とする表示装置。
(9)
前記表示パネルはTFT液晶パネルであり、前記光電変換素子はTFT基板の額縁領域に、TFTの活性層と同じ層を用いて形成されていることを特徴とする表示装置。
(10)
前記迷光に対する光シールドは、前記額縁領域にTFTのゲート電極の層よりも積層方向下方に形成されており、前記迷光に対する光シールドに接続されているとともに、前記額縁領域に前記ゲート電極と同じ層から形成された第1接続電極と、前記第1接続電極に接続されているとともに、前記額縁領域にTFTのソース電極と同じ層から形成された第2接続電極とを備えており、前記第2接続電極は、前記所定の電位を与える電源に接続されていることを特徴とする表示装置。
(11)
前記光電変換素子に対して、前記表示パネルの表示面側に、電界に対するシールドを備えていることを特徴とする表示装置。
(12)
前記光電変換素子に対して、前記表示パネルの表示面側に、画素電極と同じ層から形成した電界に対するシールドを備えていることを特徴とする表示装置。
(13)
前記周囲光センサによって検出された前記周囲光の強度に応じて、バックライト光源の輝度を調節することにより、前記表示面での表示の輝度を調節することを特徴とする表示装置。
(14)
前記所定の電位は、他方の前記電流出力端子から与えられることを特徴とする表示装置。
2.また、表示装置として、さらに以下のようなものが可能である。
(1)
表示パネルに配置された光電変換素子を用いて表示面側の周囲光の強度を光電変換して検出する周囲光センサを備え、前記周囲光センサによって検出された周囲光の強度に応じて前記表示面での表示の輝度を調節する表示装置であって、前記周囲光センサは、前記光電変換素子として、周囲光が照射される第1光電変換素子と、基準の明るさの環境下に置かれた、前記第1光電変換素子と同じ構成の第2光電変換素子とを備えているとともに、前記第2光電変換素子の出力を基準に用いて前記第1光電変換素子の出力から前記周囲光の強度を検出し、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域が、前記表示パネル面内で交互に繰り返して並ぶように分割配置されていることを特徴とする表示装置。
(2)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域が、前記表示パネルの額縁領域で額縁に沿って交互に繰り返して並ぶように分割配置されていることを特徴とする表示装置。
(3)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域が、前記表示パネルの額縁領域で額縁に直交する方向に沿って交互に繰り返して並ぶように分割配置されていることを特徴とする表示装置。
(4)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域において、額縁に直交する方向は、複数の同じ光電変換素子エレメントが直列に接続された1つの直列回路からなり、前記第1光電変換素子の各形成領域間と前記第2光電変換素子の各形成領域間とのそれぞれで、前記直列回路が並列に接続されていることを特徴とする表示装置。
(5)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域において、額縁に直交する方向は、複数の同じ光電変換素子エレメントが直列に接続された複数の直列回路からなるとともに、額縁に沿う方向は、前記複数の直列回路が互いに並列に接続された並列回路からなり、前記第1光電変換素子の各形成領域間と前記第2光電変換素子の各形成領域間とのそれぞれで、前記並列回路が互いに並列に接続されていることを特徴とする表示装置。
(6)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域において、額縁に沿う方向は、複数の同じ光電変換素子エレメントが直列に接続された1つの直列回路からなり、前記第1光電変換素子の各形成領域間と前記第2光電変換素子の各形成領域間とのそれぞれで、前記直列回路どうしが直列に接続されていることを特徴とする表示装置。
(7)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域において、額縁に沿う方向は、複数の同じ光電変換素子エレメントが直列に接続された複数の直列回路からなるとともに、額縁に直交する方向は、前記複数の直列回路が互いに並列に接続された並列回路からなり、前記第1光電変換素子の各形成領域間と前記第2光電変換素子の各形成領域間とのそれぞれで。前記並列回路どうしが直列に接続されていることを特徴とする表示装置。
(8)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域において、額縁に沿う方向は、複数の同じ光電変換素子エレメントが並列に接続された1つの並列回路からなり、前記第1光電変換素子の各形成領域間と前記第2光電変換素子の各形成領域間とのそれぞれで、前記並列回路が直列に接続されていることを特徴とする表示装置。
(9)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域において、額縁に直交する方向は、複数の同じ光電変換素子エレメントが直列に接続された複数の直列回路からなるとともに、額縁に沿う方向は、前記複数の直列回路が互いに並列に接続された並列回路からなり、前記第1光電変換素子の各形成領域間と前記第2光電変換素子の各形成領域間とのそれぞれで、前記並列回路が互いに直列に接続されていることを特徴とする表示装置。
(10)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域において、額縁に沿う方向に、複数の同じ光電変換素子エレメントが直列に接続された1つの直列回路からなり、前記第1光電変換素子の各形成領域間と前記第2光電変換素子の各形成領域間とのそれぞれで、前記直列回路どうしが並列に接続されていることを特徴とする表示装置。
(11)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれの形成領域において、額縁に沿う方向は、複数の同じ光電変換素子エレメントが直列に接続された複数の直列回路からなるとともに、額縁に直交する方向は、前記複数の直列回路が互いに並列に接続された並列回路からなり、前記第1光電変換素子の各形成領域間と前記第2光電変換素子の各形成領域間とのそれぞれで。前記並列回路どうしが並列に接続されていることを特徴とする表示装置。
(12)
前記周囲光センサは、前記第1光電変換素子に、前記第2光電変換素子が発生する開放電圧がバイアス電圧として印加され、前記第1光電変換素子の出力電流から周囲光の強度を検出することにより、前記第2光電変換素子の出力を基準に用いて前記第1光電変換素子の出力から前記周囲光の強度を検出することを特徴とする表示装置。
(13)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とが形成された前記表示パネルの額縁辺において、レーザアニール方向が前記表示パネルの額縁に沿う方向に設定されていることを特徴とする表示装置。
(14)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とが形成された前記表示パネルの額縁辺において、レーザアニール方向が前記表示パネルの額縁に直交する方向に設定されていることを特徴とする表示装置。
(15)
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれのチャネル方向が、レーザアニール方向と平行になるように、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とが前記表示パネルの額縁辺に配置されていることを特徴とする表示装置。
(16)
前記第1光電変換素子の各形成領域と前記第2光電変換素子の各形成領域との間で、それぞれのバックライトからの平均距離が互いに等しいことを特徴とする表示装置。
(17)
前記第1光電変換素子に複数の光電変換素子エレメントが直列接続された箇所と、前記第2光電変換素子に前記第1光電変換素子の前記光電変換素子エレメントと同数の前記光電変換素子エレメントが直列接続された箇所とが、それぞれ形成されており、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれについて、前記直列接続された箇所のそれぞれにおける初段から最終段までの各前記光電変換素子エレメントのバックライトからの距離が互いに等しいことを特徴とする表示装置。
(18)
前記第1光電変換素子に複数の光電変換素子エレメントが並列接続された箇所と、前記第2光電変換素子に前記第1光電変換素子の前記光電変換素子エレメントと同数の前記光電変換素子エレメントが並列接続された箇所とが、それぞれ形成されており、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子とのそれぞれについて、前記並列接続された箇所のそれぞれにおける初段から最終段までの各前記光電変換素子エレメントのバックライトからの距離が互いに等しいことを特徴とする表示装置。
(19)
前記光電変換素子は、PINフォトダイオードからなる光電変換素子エレメントを1つ以上組み合わせた構成であることを特徴とする表示装置。
(20)
前記PINフォトダイオードはラテラルPINフォトダイオードであることを特徴とする表示装置。
(21)
前記光電変換素子は、フォトトランジスタからなる光電変換素子エレメントを1つ以上組み合わせた構成であることを特徴とする表示装置。
(22)
前記表示パネルは液晶パネルであり、前記周囲光センサによって検出された前記周囲光の強度に応じて、バックライト光源の輝度を調節することにより、前記表示面での表示の輝度を調節することを特徴とする表示装置。
Claims (17)
- 表示パネルに配置された光電変換素子を用いて表示面側の周囲光の強度を光電変換して検出する周囲光センサを備え、前記周囲光センサによって検出された周囲光の強度に応じて前記表示面での表示の輝度を調節する表示装置であって、
前記光電変換素子の出力を伝達する配線に対して前記表示パネルの背面側に、電界に対するシールドとしての第1シールド電極を備えていることを特徴とする表示装置。 - 前記配線の両側方に、電界に対するシールドとしての第2シールド電極を備えていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の表示装置。
- 前記配線に対して前記表示面側に、電界に対するシールドとしての第3シールド電極を備えていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の表示装置。
- 前記配線の両側方に設けられるとともに、前記第1シールド電極に接続された第2シールド電極と、
前記配線に対して前記表示面側に設けられるとともに、前記第2シールド電極に接続された第3シールド電極とを備えていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の表示装置。 - 前記周囲光センサにおいて、
前記光電変換素子の2つの電流出力端子のうちの一方の前記電流出力端子は基準電位の電源に接続されており、
前記第1シールド電極に、他方の前記電流出力端子の電位と同じ電位が与えられることを特徴とする請求の範囲第1項から第4項までのいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記周囲光センサは、
前記光電変換素子として、周囲光が照射される第1光電変換素子と、基準の明るさの環境下に置かれた、前記第1光電変換素子と同じ構成の第2光電変換素子とを備えており、
前記第1光電変換素子に、前記第2光電変換素子が発生する開放電圧がバイアス電圧として印加され、前記第1光電変換素子の出力電流から、周囲光の強度を検出することを特徴とする請求の範囲第5項に記載の表示装置。 - 前記光電変換素子は、少なくとも、複数の同じ光電変換素子エレメントが直列に接続された構成であることを特徴とする請求の範囲第6項に記載の表示装置。
- 前記光電変換素子は、同じ光電変換素子エレメントが1つ以上の同じ数だけ直列接続された直列回路が複数並列に接続された構成であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の表示装置。
- 前記光電変換素子は、PINフォトダイオードからなる光電変換素子エレメントを1つ以上組み合わせた構成であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の表示装置。
- 前記PINフォトダイオードはラテラルPINフォトダイオードであることを特徴とする請求の範囲第9項に記載の表示装置。
- 前記光電変換素子は、フォトトランジスタからなる光電変換素子エレメントを1つ以上組み合わせた構成であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の表示装置。
- 前記表示パネルはTFT液晶パネルであり、
前記配線は、TFT基板の額縁領域にTFTのソース電極と同じ層を用いて形成されており、
前記第1シールド電極は、前記額縁領域にTFTのゲート電極と同じ層を用いて形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の表示装置。 - 前記表示パネルはTFT液晶パネルであり、
前記配線および前記第2シールド電極は、TFT基板の額縁領域にTFTのソース電極と同じ層を用いて形成されていることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の表示装置。 - 前記表示パネルはTFT液晶パネルであり、
前記配線は、TFT基板の額縁領域にTFTのソース電極と同じ層を用いて形成されており、
前記第3シールド電極は、前記額縁領域に画素電極と同じ層を用いて形成されていることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の表示装置。 - 前記表示パネルはTFT液晶パネルであり、
前記配線は、TFT基板の額縁領域にTFTのソース電極と同じ層を用いて形成されており、
前記第1シールド電極は、前記額縁領域にTFTのゲート電極と同じ層を用いて形成されており、
前記第2シールド電極は、前記額縁領域にTFTのソース電極と同じ層を用いて形成されており、
前記第3シールド電極は、前記額縁領域に画素電極と同じ層を用いて形成されていることを特徴とする請求の範囲第4項に記載の表示装置。 - 前記表示パネルは、前記画素電極上に直接積層された、反射型表示用の反射電極を備えており、
前記第3シールド電極上に、前記反射電極と同じ層を用いて形成された第4シールド電極が設けられていることを特徴とする請求の範囲第15項に記載の表示装置。 - 前記周囲光センサによって検出された前記周囲光の強度に応じて、バックライト光源の輝度を調節することにより、前記表示面での表示の輝度を調節することを特徴とする請求の範囲第12項から第16項までのいずれか1項に記載の表示装置。
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TW201305998A (zh) * | 2011-07-20 | 2013-02-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 調整背光亮度的電子裝置及其背光亮度調整方法 |
KR20140133053A (ko) * | 2013-05-09 | 2014-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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KR102476767B1 (ko) * | 2021-03-17 | 2022-12-09 | 피에스케이홀딩스 (주) | 플라즈마 감지 장치 |
CN114944128A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-08-26 | 武汉天马微电子有限公司上海分公司 | 显示面板及显示装置 |
CN115132146B (zh) * | 2022-07-04 | 2024-06-21 | Tcl华星光电技术有限公司 | 发光器件驱动芯片、背光模组及显示面板 |
US11886666B1 (en) * | 2022-08-08 | 2024-01-30 | Himax Technologies Limited | Fingerprint detection system and a detection circuit adaptable thereto |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS649655A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Nec Corp | Photodetector built-in type semiconductor integrated circuit |
JPH07335932A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Sony Corp | 光学装置 |
JP2003273361A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004054281A (ja) * | 2003-08-28 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2006003857A (ja) * | 2003-08-25 | 2006-01-05 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置および光電変換素子 |
WO2006117956A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4704024A (en) * | 1983-12-09 | 1987-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Photometric circuit for camera |
US4746620A (en) * | 1985-01-09 | 1988-05-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Lateral P-I-N photodetector |
JPS63207183A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Sony Corp | フオトセンサ |
JP4739467B2 (ja) * | 1997-04-03 | 2011-08-03 | ローム株式会社 | 光電気変換ic |
JP4271268B2 (ja) * | 1997-09-20 | 2009-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置 |
US6255784B1 (en) * | 1999-12-02 | 2001-07-03 | Visteon Global Technologies, Inc. | Photopic brightness controller for fluorescent backlights |
US6724012B2 (en) * | 2000-12-14 | 2004-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display matrix with pixels having sensor and light emitting portions |
JP2003075869A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 平面表示素子 |
US7388569B2 (en) * | 2001-12-10 | 2008-06-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Reflection liquid crystal display apparatus |
US6734472B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-05-11 | Synplicity, Inc. | Power and ground shield mesh to remove both capacitive and inductive signal coupling effects of routing in integrated circuit device |
US7943436B2 (en) * | 2002-07-29 | 2011-05-17 | Synopsys, Inc. | Integrated circuit devices and methods and apparatuses for designing integrated circuit devices |
JP2004119719A (ja) | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 光センサ用ダイオード、これを用いた画像入力回路、および画像入力回路の駆動方法 |
US7265740B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-09-04 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Suppression of leakage current in image acquisition |
US6779166B2 (en) * | 2002-09-10 | 2004-08-17 | Sun Microsystems, Inc. | Optimal alternating power and ground shield assignment algorithm |
TWI229764B (en) * | 2003-05-14 | 2005-03-21 | Au Optronics Corp | A transflective liquid crystal display device |
KR100669270B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2007-01-16 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 표시 장치 및 광전 변환 소자 |
JP2005250454A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-09-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光センサ付きディスプレイおよびその製造方法 |
US7468722B2 (en) * | 2004-02-09 | 2008-12-23 | Microsemi Corporation | Method and apparatus to control display brightness with ambient light correction |
JP4612406B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2011-01-12 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP4394479B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2010-01-06 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
EP1605342A3 (en) * | 2004-06-10 | 2010-01-20 | Samsung Electronics Co, Ltd | Display device and driving method thereof |
WO2006104204A1 (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置およびこれを備えた電子機器 |
JP2006284936A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
WO2006118044A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置およびこれを備えた電子機器 |
JPWO2006129428A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2008-12-25 | シャープ株式会社 | フォトダイオード及び表示装置 |
JP4813857B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-11-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 共通電極印加電圧調整機能付き表示装置及びその調整方法 |
JP4039440B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2008-01-30 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶装置及び電気光学装置並びに電子機器 |
US7427735B2 (en) * | 2005-12-14 | 2008-09-23 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for setting black level in an imager using both optically black and tied pixels |
JP5008017B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2012-08-22 | ソニーモバイルディスプレイ株式会社 | 表示装置 |
JP2008040488A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-02-21 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
GB2448869A (en) * | 2007-04-20 | 2008-11-05 | Sharp Kk | Stray light compensation in ambient light sensor |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS649655A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Nec Corp | Photodetector built-in type semiconductor integrated circuit |
JPH07335932A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Sony Corp | 光学装置 |
JP2003273361A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006003857A (ja) * | 2003-08-25 | 2006-01-05 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置および光電変換素子 |
JP2004054281A (ja) * | 2003-08-28 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
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