JP5072232B2 - バイアス点直流電圧ドリフトおよび熱偏移抑制式の電気光学導波路素子とその製造方法 - Google Patents
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Description
その内部且つその表面近傍に形成された1個または複数個の光導波路を有する電気光学基板と;
この電気光学基板の上記表面に形成されたバッファ層と;
このバッファ層の表面に形成され且つ該層よりも高い電気抵抗値を有したブロック層と;
このブロック層の表面に形成され、且つ当該電気光学導波路素子の表面ないし内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層と;
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ導く電極、とを備え、
上記ブロック層が、化学量論的組成の酸化ケイ素または実質上化学量論的組成の酸化ケイ素からなる化合物SiO 2x で形成され、且つ電気絶縁性を呈するべく数値‘x’が式0.9≦x≦1の範囲内に含まれ、
上記バッファ層と上記電荷散逸層との間に生起する化学反応を抑制または低減させるようにしている。
また、本発明にいうところの電気光学導波路素子の他の構成は:
その内部且つその表面近傍に形成された1個または複数個の光導波路を有する電気光学基板と;
この電気光学基板の上記表面に形成されたバッファ層と;
このバッファ層の表面に形成され且つ該層よりも高い電気抵抗値を有したブロック層と;
このブロック層の表面に形成され、且つ当該電気光学導波路素子の表面ないし内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層と;
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ導く電極、
とを備えた導波路素子であって、
上記ブロック層が、化学量論的組成の窒化ケイ素または実質上化学量論的組成の窒化ケイ素からなる化合物SiN (4/3)x で形成され、且つ電気絶縁性を呈するべく数値‘x’が式0.9≦x≦1の範囲内に含まれ、
上記バッファ層と上記電荷散逸層との間に生起する化学反応を抑制または低減させるようにしている。
a) 電気光学基板を準備する工程と;
b) この電気光学基板の表面近傍に光導波路を形成する工程と;
c) ドープ処理酸化ケイ素からなる複合素材を用い電気光学基板の表面にバッファ層を形成する工程と;
d) バッファ層の表面に、該層よりも高い電気抵抗値を有するブロック層を形成する工程と;
e) ブロック層の表面にケイ素系素材、または非化学量論的窒化ケイ素系素材、または非化学量論的酸化ケイ素系素材、からなる電荷散逸層を形成する工程;および、
f) 電荷散逸層の表面に電極を形成する工程、からなり、
上記ブロック層が、SiO 2x 、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料、または、SiN (4/3)x 、0.9≦x≦1、の組成を有した材料で形成され、上記バッファ層と上記電荷散逸層との間に生起する化学反応を抑制または低減させるようにしている。
次の各層よりなる4層構造、すなわち:
a: その表面近傍に1個または複数個の光導波路を有した電気光学基板と;
b: 電気光学基板の表面に直接設けられたバッファ層と;
c: バッファ層の表面に形成され且つ該層よりも高い電気抵抗値を有したるブロック層;および、
d: ブロック層の表面に形成され且つ該層に接していて、当該電気光学導波路素子の表面ないし内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層、からなる4層構造と、
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ供給する電極、とを備え、
上記ブロック層が、SiO 2x 、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料、または、SiN (4/3)x 、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料で形成され、上記バッファ層と上記電荷散逸層との間に生起する化学反応を抑制または低減させるようにしている。
152a、152b 光導波路
153 ブロック層
154 バッファ層
156 電荷散逸層
157a、157b、157c 電極
Claims (8)
- 電気光学導波路素子であって、次の各部、すなわち:
その内部且つその表面近傍に形成された1個または複数個の光導波路を有する電気光学基板と;
この電気光学基板の上記表面に形成されたバッファ層と;
このバッファ層の表面に形成され且つ該層よりも高い電気抵抗値を有したブロック層と;
このブロック層の表面に形成され、且つ当該電気光学導波路素子の表面ないし内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層と;
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ導く電極、
とを備えた導波路素子であって、
上記ブロック層が、化学量論的組成の酸化ケイ素または実質上化学量論的組成の酸化ケイ素からなる化合物SiO 2x で形成され、且つ電気絶縁性を呈するべく数値‘x’が式0.9≦x≦1の範囲内に含まれ、
上記バッファ層と上記電荷散逸層との間に生起する化学反応を抑制または低減させる導波路素子。 - 電気光学導波路素子であって、次の各部、すなわち:
その内部且つその表面近傍に形成された1個または複数個の光導波路を有する電気光学基板と;
この電気光学基板の上記表面に形成されたバッファ層と;
このバッファ層の表面に形成され且つ該層よりも高い電気抵抗値を有したブロック層と;
このブロック層の表面に形成され、且つ当該電気光学導波路素子の表面ないし内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層と;
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ導く電極、
とを備えた導波路素子であって、
上記ブロック層が、化学量論的組成の窒化ケイ素または実質上化学量論的組成の窒化ケイ素からなる化合物SiN (4/3)x で形成され、且つ電気絶縁性を呈するべく数値‘x’が式0.9≦x≦1の範囲内に含まれ、
上記バッファ層と上記電荷散逸層との間に生起する化学反応を抑制または低減させる導波路素子。 - 前記バッファ層がドープ処理酸化ケイ素化合物素材で形成され、この化合物素材の大部分の構成要素が酸化ケイ素であり、純酸化ケイ素よりも比較的高い導電度を呈するべく当該バッファ層に対し適宜のドープ剤を含有させてなる請求項1または請求項2に記載の導波路素子。
- 電気光学導波路素子の製造方法であって、下記の各工程、すなわち:
a) 電気光学基板を準備する工程;
b) この電気光学基板の表面近傍に光導波路を形成する工程;
c) ドープ処理酸化ケイ素からなる複合素材を用い電気光学基板の表面にバッファ層を形成する工程;
d) バッファ層の表面に、該層よりも高い電気抵抗値を有したブロック層を形成する工程;
e) ブロック層の表面にケイ素系素材、または非化学量論的窒化ケイ素系素材、または非化学量論的酸化ケイ素系素材、からなる電荷散逸層を形成する工程;および、
f) 電荷散逸層の表面に電極を形成する工程、からなり、
上記ブロック層が、SiO 2x 、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料またはSiN (4/3)x 、0.9≦x≦1、の組成を有した材料で形成され、上記バッファ層と上記電荷散逸層との間に生起する化学反応を抑制または低減させる導波路素子の製造方法。 - 前記ブロック層の形成工程が反応型被膜沈積工程であり、ケイ素系材料をAr/N2ないしはAr/O2等の反応性混合ガスを用いた反応型スパッタリングにより該層を形成する請求項4に記載の導波路素子の製造方法。
- 前記ブロック層の形成工程が、所定場所でケイ素系被膜を前記バッファ層の表面に沈積形成させる段階と、別の場所で当該被膜に熱反応を生起させる段階とからなる請求項4に記載の導波路素子の製造方法。
- 電気光学導波路素子であって、次の各部、すなわち:
次の各層、すなわち:
a: その表面近傍に1個または複数個の光導波路を有した電気光学基板;
b: 電気光学基板の表面に直接設けられたバッファ層;
c: バッファ層の表面に形成され且つ該層よりも高い電気抵抗値を有したブロック層;および、
d: ブロック層の表面に形成され且つ該層に接していて、当該電気光学導波路素子の表面ないし内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層、からなる4層構造、ならびに、
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ供給する電極、
からなり、
上記ブロック層が、SiO 2x 、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料またはSiN (4/3)x 、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料で形成され、上記バッファ層と上記電荷散逸層との間に生起する化学反応を抑制または低減させるものである導波路素子。 - 前記ブロック層の厚さが5〜30nmの範囲内にある請求項7に記載の導波路素子。
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