JP2006301593A - バイアス点直流電圧ドリフトおよび熱偏移抑制式の電気光学導波路素子とその製造方法 - Google Patents
バイアス点直流電圧ドリフトおよび熱偏移抑制式の電気光学導波路素子とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006301593A JP2006301593A JP2006034027A JP2006034027A JP2006301593A JP 2006301593 A JP2006301593 A JP 2006301593A JP 2006034027 A JP2006034027 A JP 2006034027A JP 2006034027 A JP2006034027 A JP 2006034027A JP 2006301593 A JP2006301593 A JP 2006301593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- buffer layer
- electro
- waveguide element
- drift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/07—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 buffer layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/21—Thermal instability, i.e. DC drift, of an optical modulator; Arrangements or methods for the reduction thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】光導波路が電気光学基板内の表面または近傍に設けられ、バッファ層がこの基板の表面に形成されている。バッファ層の表面には、この種の素子では新規の要素であるブロック層が形成され、該表面また近傍で無用な化学反応が生起することを抑制ないし低減すべく機能する。当該素子の表面部または内部で発生する電荷は、ブロック層の上に設けられ適度の導電度を有した電荷散逸層を介し所望方向に伝播する。電荷散逸層の表面に設けた複数の電極は、バッファ、ブロック、電荷散逸の各層を通じ電気信号を光導波路へ送る。
【選択図】 図11
Description
その内部かつその表面近傍に形成された1個または複数個の光導波路を有する電気光学基板と;
この電気光学基板の上記表面に担持されたバッファ層と;
このバッファ層に支持され且つ該層よりも高い電気抵抗値を有したブロック層であって、当該電気光学導波路素子の経時的または熱的ドリフトを低減させる作用、もしくはバッファ層の表面または近傍における望ましからざる化学反応を抑制または低減させる作用をなすものと;
このブロック層に支持され且つ当該電気光学導波路素子の表面ないし内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層と;
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ導く電極、とを備えている。
a) 電気光学基板を準備する工程と;
b) この電気光学基板の表面近傍に光導波路を形成する工程と;
c) ドープ処理酸化ケイ素からなる複合素材を用い電気光学基板の表面にバッファ 層を形成する工程と;
d) バッファ層の表面に、該層よりも電気抵抗値が高く、バッファ層の表面または 近傍における化学反応を抑制または低減させ、またはドリフト電流を低減させ得 るブロック層を形成する工程と;
e) ブロック層の表面にケイ素系素材、または非化学量論的窒化ケイ素系素材、ま たは非化学量論的酸化ケイ素系素材、からなる電荷散逸層を形成する工程;およ び
f) 電荷散逸層の表面に電極を形成する工程、からなる。
次の各層よりなる4層構造、すなわち:
a: その表面近傍に1個または複数個の光導波路を有した電気光学基板と;
b: 電気光学基板の表面に直接設けられたバッファ層と;
c: バッファ層に支持され且つこの層に接していて、この層の表面または近傍での望 ましからざる化学反応を抑制しまたは低減させる作用をなすべきブロック層;およ び
d: ブロック層に支持され且つ該層に接していて、当該電気光学導波路素子の表面な いし内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層、から なる4層構造と、
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ供給する電極、とを備えている。
152a、152b 光導波路
153 ブロック層
154 バッファ層
156 電荷散逸層
157a、157b、157c 電極
Claims (12)
- 電気光学導波路素子であって、次の各部、すなわち:
その内部かつその表面近傍に形成された1個または複数個の光導波路を有する電気光学基板と;
この電気光学基板の上記表面に担持されたバッファ層と;
このバッファ層に支持され且つ該層よりも高い電気抵抗値を有したブロック層であって、当該電気光学導波路素子の経時的または熱的ドリフトを低減させる作用、もしくはバッファ層の表面または近傍における望ましからざる化学反応を抑制または低減させる作用をなすものと;
このブロック層に支持され且つ当該電気光学導波路素子の表面ないし内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層と;
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ導く電極、
とを備えた導波路素子。 - 前記バッファ層が電気光学基板の表面に形成され、前記ブロック層がこのバッファ層の表面に形成され、前記電荷散逸層がこのブロック層の表面に形成されている請求項1に記載の導波路素子。
- 前記バッファ層がドープ処理酸化ケイ素化合物素材で形成され、この化合物素材の大部分の構成要素が酸化ケイ素であり、純酸化ケイ素よりも比較的高い導電度を呈するべく当該バッファ層に対し適宜のドープ剤を含有させてなる請求項2に記載の導波路素子。
- 前記のブロック層が、化学量論的組成の酸化ケイ素または実質上化学量論的組成の酸化ケイ素からなる化合物SiO2xで形成され、かつ電気絶縁性を呈するべく数値‘x’が式0.9≦x≦1の範囲内に含まれる請求項2または3に記載の導波路素子。
- 前記ブロック層が、化学量論的組成の窒化ケイ素または実質上化学量論的組成の窒化ケイ素からなる化合物SiN(4/3)xで形成され、かつ電気絶縁性を呈するべく数値‘x’が式0.9≦x≦1の範囲内に含まれる請求項2または3に記載の導波路素子。
- 電気光学導波路素子の製造方法であって、下記の各工程、すなわち:
a) 電気光学基板を準備する工程;
b) この電気光学基板の表面近傍に光導波路を形成する工程;
c) ドープ処理酸化ケイ素からなる複合素材を用い電気光学基板の表面にバッファ層を 形成する工程;
d) バッファ層の表面に、該層よりも電気抵抗値が高く、バッファ層の表面または近傍 における化学反応を抑制または低減させ、またはドリフト電流を低減させ得るブロック 層を形成する工程;
e) ブロック層の表面にケイ素系素材、または非化学量論的窒化ケイ素系素材、または 非化学量論的酸化ケイ素系素材、からなる電荷散逸層を形成する工
程;および
f) 電荷散逸層の表面に電極を形成する工程、からなる導波路素子の製造方法。 - 前記ブロック層が、SiO2x、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料またはSiN(4/3)x、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料で形成される請求項6に記載の導波路素子の製造方法。
- 前記ブロック層の形成工程が反応型被膜沈積工程であり、ケイ素系材料をAr/N2ないしはAr/O2等の反応性混合ガスを用いた反応型スパッタリングにより該層を形成する請求項6または7に記載の導波路素子の製造方法。
- 前記ブロック層の形成工程が、所定場所でケイ素系被膜を前記バッファ層の表面に沈積形成させる段階と、別の場所で当該被膜に熱反応を生起させる段階とからなる請求項6または7に記載の導波路素子の製造方法。
- 電気光学導波路素子であって、次の各部、すなわち:
次の各層、すなわち:
a: その表面近傍に1個または複数個の光導波路を有した電気光学基板;
b: 電気光学基板の表面に直接設けられたバッファ層;
c: バッファ層に支持され且つこの層に接していて、この層の表面または近傍での望ま しからざる化学反応を抑制しまたは低減させる作用をなすべきブロック層;および
d: ブロック層に支持され且つ該層に接していて、当該電気光学導波路素子の表面ない し内部に発生する電荷を取出すに適した強さの導電度を有した電荷散逸層、からなる 4層構造、ならびに
この電荷散逸層の表面に設けられ、電気信号を上記バッファ層、ブロック層および電荷散逸層を通じて上記光導波路へ供給する電極、
からなる導波路素子。 - 前記ブロック層が、SiO2x、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料またはSiN(4/3)x、ただし0.9≦x≦1、の組成を有した材料で形成されたものである請求項10に記載の導波路素子。
- 前記ブロック層の厚さが5〜30nmの範囲内にある請求項10に記載の導波路素子。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US67234305P | 2005-04-18 | 2005-04-18 | |
US60/672343 | 2005-04-18 | ||
US11/131634 | 2005-05-18 | ||
US11/131,634 US7231101B2 (en) | 2005-04-18 | 2005-05-18 | Electro-optic waveguide device capable of suppressing bias point DC drift and thermal bias point shift |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006301593A true JP2006301593A (ja) | 2006-11-02 |
JP5072232B2 JP5072232B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=37108555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006034027A Active JP5072232B2 (ja) | 2005-04-18 | 2006-02-10 | バイアス点直流電圧ドリフトおよび熱偏移抑制式の電気光学導波路素子とその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7231101B2 (ja) |
JP (1) | JP5072232B2 (ja) |
CA (1) | CA2521874A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009042529A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Sony Corp | 光制御装置及びその製造方法 |
WO2016158650A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型光素子 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007322599A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Fujitsu Ltd | 光デバイス |
WO2009119093A1 (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | パナソニック株式会社 | リチウム二次電池用電極およびその製造方法 |
US7856156B2 (en) * | 2008-08-22 | 2010-12-21 | The Boeing Company | Lithium niobate modulator having a doped semiconductor structure for the mitigation of DC bias drift |
US9020306B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-04-28 | The Aerospace Corporation | Stable lithium niobate waveguide devices, and methods of making and using same |
US10295844B2 (en) | 2015-04-06 | 2019-05-21 | Lumentum Operations Llc | Electrode structures for optical modulators |
US10502987B2 (en) | 2015-04-07 | 2019-12-10 | Lumentum Operations Llc | High bandwidth RF or microwave interconnects for optical modulators |
CN110029315B (zh) * | 2019-04-29 | 2020-01-31 | 电子科技大学 | 一种超晶格材料及其制备方法和应用 |
CN113917712B (zh) * | 2021-10-18 | 2023-05-16 | 北京邮电大学 | 一种消除铌酸锂热电效应的d型光纤m-z电光调制器及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05257105A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 光導波路デバイス |
JP2001133743A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-05-18 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 電気光学素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3628342B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2005-03-09 | 富士通株式会社 | 誘電体光導波路デバイス |
CA2133300C (en) | 1993-11-01 | 1999-04-27 | Hirotoshi Nagata | Optical waveguide device |
US5949944A (en) | 1997-10-02 | 1999-09-07 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for dissipating charge from lithium niobate devices |
US6654512B2 (en) | 2002-01-04 | 2003-11-25 | Codeon Corporation | Buffer layer structures for stabilization of a lithium niobate device |
-
2005
- 2005-05-18 US US11/131,634 patent/US7231101B2/en active Active
- 2005-09-30 CA CA002521874A patent/CA2521874A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-02-10 JP JP2006034027A patent/JP5072232B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05257105A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 光導波路デバイス |
JP2001133743A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-05-18 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 電気光学素子およびその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009042529A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Sony Corp | 光制御装置及びその製造方法 |
WO2016158650A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型光素子 |
JP2016191798A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型光素子 |
US9946100B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-04-17 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Waveguide type optical element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2521874A1 (en) | 2006-10-18 |
US20060233494A1 (en) | 2006-10-19 |
JP5072232B2 (ja) | 2012-11-14 |
US7231101B2 (en) | 2007-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5072232B2 (ja) | バイアス点直流電圧ドリフトおよび熱偏移抑制式の電気光学導波路素子とその製造方法 | |
JP3001027B2 (ja) | 光導波路デバイス | |
US8774565B2 (en) | Electro-optic device | |
ITMO20080009A1 (it) | Dispositivo elettro - ottico resistente all'umidita' | |
US11573435B2 (en) | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same | |
US7856156B2 (en) | Lithium niobate modulator having a doped semiconductor structure for the mitigation of DC bias drift | |
US11543688B2 (en) | Waveguide component | |
US6195191B1 (en) | Optical devices having improved temperature stability | |
US6156483A (en) | Integrated optical devices | |
JP5464260B1 (ja) | 電気光学素子 | |
JP2007199500A (ja) | 光変調器 | |
JP2000352700A (ja) | 光学導波路デバイス | |
US6583480B1 (en) | Electro-optical element having protective film on top and side surfaces of buffer layer | |
JP3710686B2 (ja) | 電気光学素子 | |
JP3153110B2 (ja) | 導波路型低dcドリフト性光変調器の製造方法 | |
JP2008233513A (ja) | 光変調器 | |
US20030133637A1 (en) | Lithium niobate waveguide device incorporating Li-trapping layers | |
EP1174753B1 (en) | Method for forming an optical waveguide device | |
JP7052487B2 (ja) | 光素子 | |
WO2013015294A1 (ja) | 光導波路素子 | |
Nagata | Reliability of Lithium Niobate Modulators | |
Richter et al. | Electrically Tunable Optical Metasurfaces with Barium Titanate Nanoparticles | |
JPH06160788A (ja) | 光変調器 | |
JP5282809B2 (ja) | 光導波路素子及びその製造方法 | |
JP2003066257A (ja) | 光導波路型素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090114 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090904 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5072232 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |