JP5071643B2 - Manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Description
本発明は、電子装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device manufacturing method.
各種デバイスの製造工程において、配線パターンなどを製造するときに、マイクロコンタクトプリント法（μＣＰ法）と称する印刷技術が用いられることがある。μＣＰ法は、版に配線等の原料を塗布し、これを目的の基板等に転写する方法で、精細なパターンを繰り返し精度良く転写することができる（例えば、非特許文献１を参照）。 In manufacturing processes of various devices, when manufacturing a wiring pattern or the like, a printing technique called a micro contact printing method (μCP method) may be used. The μCP method is a method in which a raw material such as wiring is applied to a plate and transferred to a target substrate or the like, and a fine pattern can be transferred repeatedly with high accuracy (see, for example, Non-Patent Document 1).
ところが最近では、デバイスに要求されるパターンサイズは、非常に小さくなっており、μＣＰ法においても、より高精細な版を作成する必要が生じている。
しかし、μＣＰ法において、パターンサイズの小さい高精細な版は、転写の際に歩留まりが低下し、また版そのものの製作コストが増大してしまう。したがって、パターンサイズを小さくする方法として、版を高精細化する方法以外の方法が求められている。 However, in the μCP method, a high-definition plate having a small pattern size decreases the yield during transfer, and increases the manufacturing cost of the plate itself. Therefore, a method other than a method for increasing the definition of a plate is required as a method for reducing the pattern size.
本発明にかかる目的の１つは、マイクロコンタクトプリント法において、版のパターンサイズよりも細いパターンを形成することのできる、電子装置の製造方法を提供することにある。 One object of the present invention is to provide an electronic device manufacturing method capable of forming a pattern thinner than the pattern size of a plate in the microcontact printing method.
本発明にかかる電子装置の製造方法は、
凸部を有する版を形成する第１工程と、
前記凸部の上に液体層を形成する第２工程と、
前記液体層の一部を除去して前記凸部の上面の一部を露出させる第３工程と、
前記液体層を基板に転写する第４工程と、
を含む。
An electronic device manufacturing method according to the present invention includes:
A first step of forming a plate having convex portions;
A second step of forming a liquid layer on the convex portion;
A third step of removing a part of the liquid layer and exposing a part of the upper surface of the convex part;
A fourth step of transferring the liquid layer to the substrate;
including.
このようにすれば、版のパターンサイズよりも細いパターンを形成することができる。 In this way, a pattern thinner than the pattern size of the plate can be formed.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、
前記第３工程で露出する前記凸部の上面は、前記凸部の上面の周縁部であることができる。
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
The upper surface of the convex portion exposed in the third step may be a peripheral portion of the upper surface of the convex portion.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、前記第３工程は、前記液体層の体積を減少させて行われることができる。 In the electronic device manufacturing method according to the present invention, the third step may be performed by reducing the volume of the liquid layer.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、前記第３工程は、前記版を加熱して行われることができる。 In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention, the third step may be performed by heating the plate.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、前記第３工程は、前記液体層の成分を気化させて行われることができる。 In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention, the third step can be performed by vaporizing components of the liquid layer.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、前記第２工程の前に、前記凸部の上方から紫外線および真空紫外線の少なくとも一方を照射する工程を含むことができる。 The electronic device manufacturing method according to the present invention may include a step of irradiating at least one of ultraviolet rays and vacuum ultraviolet rays from above the convex portion before the second step.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、前記液体層の成分は、エタノール、クロロホルム、イソプロピルアルコール、および水のいずれか１種を含むことができる。 In the method of manufacturing an electronic device according to the present invention, the component of the liquid layer can include any one of ethanol, chloroform, isopropyl alcohol, and water.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、前記第２工程の前に、前記凸部の上に表面制御層を形成する工程を含むことができる。 In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention, a step of forming a surface control layer on the convex portion can be included before the second step.
本発明にかかる電子装置の製造方法において、前記凸部の上面には、前記電子装置に形成される回路パターンに沿って凹部が形成され、前記凹部の上に、電導方向の異方性を有する高分子膜が形成されることができる。 In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention, a concave portion is formed on the upper surface of the convex portion along a circuit pattern formed on the electronic device, and the conductive direction has anisotropy on the concave portion. A polymer film can be formed.
以下に本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本発明の一例として説明するものである。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following embodiment will be described as an example of the present invention.
１．電子装置の製造方法
図１ないし図５は、本実施形態の電子装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
1. Manufacturing Method of Electronic Device FIGS. 1 to 5 are cross-sectional views schematically showing manufacturing steps of the electronic device of this embodiment.
本実施形態の電子装置の製造方法は、第１ないし第４工程を含む。 The method for manufacturing an electronic device according to this embodiment includes first to fourth steps.
第１工程は、図１に示すように、マスター版１０を作成し、マスター版１０の形状を転写して凸部２２を有する版２０を形成する工程である。マスター版１０は、電子装置に形成されるパターンの原版となる。マスター版１０は、凹部１２の形状が最終的に電子装置に形成されるパターンの原型となる。マスター版１０の凹部１２の底面１４と、マスター版１０の凹部１２の側面１６とがなす角度（図１のθ）は、後の工程でパターンの制御を行いやすくするために、８０°以上とすることが好ましい。マスター版１０となる板の材質は、パターンを形成しやすいものが望ましく、たとえば、シリコン基板、ガラス基板を用いることができる。マスター版１０は、該基板を、たとえば、フォトリソグラフィ法によって、パターニングおよびエッチングして、形成されることができる。 As shown in FIG. 1, the first step is a step of forming the master plate 10 and transferring the shape of the master plate 10 to form the plate 20 having the convex portions 22. The master plate 10 is an original plate of a pattern formed on the electronic device. In the master plate 10, the shape of the concave portion 12 is a prototype of a pattern that is finally formed in the electronic device. The angle (θ in FIG. 1) formed by the bottom surface 14 of the recess 12 of the master plate 10 and the side surface 16 of the recess 12 of the master plate 10 is 80 ° or more so that the pattern can be easily controlled in a later step. It is preferable to do. The material of the plate to be the master plate 10 is preferably a material that can easily form a pattern. For example, a silicon substrate or a glass substrate can be used. The master plate 10 can be formed by patterning and etching the substrate by, for example, photolithography.
次に、マスター版１０の形状をパターン形成に使用する版２０に転写する。転写方法としては、一般的にナノインプリント法と称される方法を用いることができる。これにより、マスター版１０に形成された凹部１２の形状が、版２０における凸部２２の形状に転写される。上述の角度θは、版２０の凸部２２の上面２４と凸部２２の側面とがなす角に対応し、上記と同様に、後の工程でパターンの制御を行いやすくするために、８０°以上とすることが好ましい。版２０の材質としては、マスター版１０の形状の転写性に優れるものであればよいが、後の工程で、効率よく版２０の凸部２２の上面の一部を露出させるために、表面自由エネルギーの低い材料がより好ましい。このような表面自由エネルギーの低い材料としては、たとえば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）がある。また、版２０の材質として、ガラス等の表面自由エネルギーの高い材料を用いる場合でも、自己組織化単分子膜や、フッ化アルキルシラン等の表面制御層を版２０の凸部２２の上面に形成すれば、後の工程で、効率よく版２０の凸部２２の上面の一部を露出させることができる。 Next, the shape of the master plate 10 is transferred to the plate 20 used for pattern formation. As a transfer method, a method generally called a nanoimprint method can be used. Thereby, the shape of the concave portion 12 formed in the master plate 10 is transferred to the shape of the convex portion 22 in the plate 20. The angle θ described above corresponds to the angle formed by the upper surface 24 of the convex portion 22 of the plate 20 and the side surface of the convex portion 22, and in the same manner as described above, in order to facilitate control of the pattern in a later step, the angle θ is 80 °. The above is preferable. Any material may be used for the plate 20 as long as it is excellent in the transferability of the shape of the master plate 10. However, in order to efficiently expose a part of the upper surface of the convex portion 22 of the plate 20 in a later step, the surface is free. A material with low energy is more preferable. An example of such a material having a low surface free energy is polydimethylsiloxane (PDMS). Further, even when a material having a high surface free energy such as glass is used as the material of the plate 20, a surface control layer such as a self-assembled monomolecular film or a fluorinated alkylsilane is formed on the upper surface of the convex portion 22 of the plate 20. Then, a part of the upper surface of the convex portion 22 of the plate 20 can be efficiently exposed in a later process.
第２工程は、図２に示すように、版２０の凸部２２の上に液体層３０ａを形成する工程である。液体層３０ａは、形成したいパターンの原料溶液で形成される。たとえば、半導体のパターンを形成する場合は、ポリチオフェンのクロロホルム溶液を用いることができる。また、たとえば、電極パターンを形成する場合は、銀のナノ粒子をエタノールに分散させた分散液を用いることができる。また、たとえば、誘電体パターンを形成する場合は、チタン酸ジルコン酸鉛の原料溶液を用いることができる。版２０に液体層３０ａを形成する方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ダイコート法、バーコート法、スプレーコート法、ディッピング法、インクジェット法などを用いることができる。本工程により、液体層３０ａは、版２０の少なくとも凸部２２の上面全体に形成される。 The second step is a step of forming a liquid layer 30a on the convex portion 22 of the plate 20, as shown in FIG. The liquid layer 30a is formed of a raw material solution having a pattern to be formed. For example, when forming a semiconductor pattern, a chloroform solution of polythiophene can be used. For example, when forming an electrode pattern, a dispersion liquid in which silver nanoparticles are dispersed in ethanol can be used. Further, for example, when forming a dielectric pattern, a raw material solution of lead zirconate titanate can be used. As a method for forming the liquid layer 30a on the plate 20, a spin coating method, a slit coating method, a die coating method, a bar coating method, a spray coating method, a dipping method, an ink jet method, or the like can be used. By this step, the liquid layer 30 a is formed on the entire upper surface of at least the convex portion 22 of the plate 20.
第３工程は、図３に示すように、液体層３０ａの一部を除去して凸部２２の上面の一部を露出させる工程である。本工程により露出する凸部２２の上面は、図３に示すように、凸部２２の上面の周縁部２５である。これは、液体層３０ａの一部が除去された結果、液体層３０ａの体積が小さくなり、液体層３０ａの端部が版２０の凸部２２の上面の端部から後退することによる。液体層３０ａの一部を除去する方法としては、たとえば、液体層３０ａを構成する溶液の溶媒を気化させる方法がある。これにより、液体層３０ａの一部が除去され、液体層３０ａの体積が減少して、図３に示すような液体層３０が形成される。液体層３０ａの一部を除去するためには、液体層３０ａを構成する成分に、気化しやすい溶媒が含まれることが好ましい。このような溶媒としては、たとえば、エタノール、クロロホルム、イソプロピルアルコール、水などが挙げられる。 As shown in FIG. 3, the third step is a step of removing a part of the liquid layer 30 a and exposing a part of the upper surface of the convex portion 22. The upper surface of the convex part 22 exposed by this process is the peripheral part 25 of the upper surface of the convex part 22, as shown in FIG. This is because part of the liquid layer 30a is removed, so that the volume of the liquid layer 30a is reduced and the end of the liquid layer 30a is retracted from the end of the upper surface of the convex portion 22 of the plate 20. As a method of removing a part of the liquid layer 30a, for example, there is a method of vaporizing a solvent of a solution constituting the liquid layer 30a. Thereby, a part of the liquid layer 30a is removed, the volume of the liquid layer 30a is reduced, and the liquid layer 30 as shown in FIG. 3 is formed. In order to remove a part of the liquid layer 30a, it is preferable that a solvent that easily vaporizes is contained in the components constituting the liquid layer 30a. Examples of such a solvent include ethanol, chloroform, isopropyl alcohol, and water.
本工程において、液体層３０ａの一部が除去される際、版２０の凸部２２の上面の一部を効率よく露出させるために、液体層３０ａを構成する溶液の性質と、凸部２２の上面の表面自由エネルギーの大きさを適切に選ぶことができる。版２０のパターンサイズよりもより細いパターンを形成したい場合には、たとえば、上述のように、凸部２２の材質を表面自由エネルギーの小さいものにする方法や、凸部２２の上に表面自由エネルギーを小さくするための表面制御層を形成する方法がある。表面自由エネルギーを小さくすれば、溶液の後退接触角が大きくなり、液体層３０ａの端部が版２０の凸部２２の上面の端部から後退しやすくなる。また、版２０のパターンサイズよりもより細いパターンを形成したい場合には、上述のように、液体層３０ａを構成する溶液の溶媒として気化しやすい（沸点の低い）ものを選ぶ方法がある。このようにすれば、液体層３０ａの体積がより減少しやすくなり、パターンのサイズが細くなりやすい。 In this step, when part of the liquid layer 30a is removed, in order to efficiently expose a part of the upper surface of the convex portion 22 of the plate 20, the properties of the solution constituting the liquid layer 30a and the convex portion 22 The magnitude of the surface free energy on the upper surface can be appropriately selected. When it is desired to form a pattern thinner than the pattern size of the plate 20, for example, as described above, a method of making the material of the convex portion 22 have a small surface free energy, or a surface free energy on the convex portion 22 There is a method of forming a surface control layer for reducing the thickness. If the surface free energy is reduced, the receding contact angle of the solution is increased, and the end of the liquid layer 30a is likely to recede from the end of the upper surface of the convex portion 22 of the plate 20. Further, when it is desired to form a pattern that is thinner than the pattern size of the plate 20, as described above, there is a method of selecting a solvent that is easy to vaporize (low boiling point) as a solvent of the solution constituting the liquid layer 30a. In this way, the volume of the liquid layer 30a is more likely to be reduced, and the pattern size is likely to be reduced.
版２０のパターンサイズよりも細いパターンを形成する範囲において、逆に、形成されるパターンの細さを細くなりすぎないように調節する方法として、液体層３０ａを構成する溶液に比較的高沸点の、たとえば、酢酸ブチル、キシレン、デカリン、トリクロロベンゼンなどの溶媒を配合する方法がある。同様に、形成されるパターンの細さを細くなりすぎないように調節する方法として、凸部２２の上面の表面自由エネルギーを大きくする方法がある。凸部２２の上面の表面自由エネルギーを大きくする方法としては、たとえば、凸部２２の上方から紫外線および真空紫外線の少なくとも一方を照射する方法がある。 On the contrary, as a method of adjusting the fineness of the pattern to be formed so as not to become too thin in the range in which a pattern thinner than the pattern size of the plate 20 is formed, the solution constituting the liquid layer 30a has a relatively high boiling point. For example, there is a method of blending a solvent such as butyl acetate, xylene, decalin, or trichlorobenzene. Similarly, there is a method of increasing the surface free energy of the upper surface of the convex portion 22 as a method of adjusting the fineness of the pattern to be formed so as not to be too thin. As a method of increasing the surface free energy on the upper surface of the convex portion 22, for example, there is a method of irradiating at least one of ultraviolet rays and vacuum ultraviolet rays from above the convex portion 22.
また、本工程において、液体層３０ａの一部を除去するときに、版２０を、液体層３０ａに含まれる溶媒の沸点以下の温度に加熱することができる。このようにすると、溶媒の蒸発が促進され、凸部２２の上面の一部を露出させるために要する時間を短縮することができる。 In this step, when part of the liquid layer 30a is removed, the plate 20 can be heated to a temperature not higher than the boiling point of the solvent contained in the liquid layer 30a. If it does in this way, evaporation of a solvent will be accelerated | stimulated and the time required in order to expose a part of upper surface of the convex part 22 can be shortened.
第４工程は、液体層３０を基板４０に転写する工程である。本工程は、マイクロコンタクトプリント（μＣＰ）法で一般的に行われる方法により行うことができる。本工程は、図４に示すように、版２０の凸部２２の下に形成された液体層３０を基板４０に接触させ、版２０を剥離することにより行われる。なお図４では、版２０の上下が逆に描いてある。この工程によって、図５に示すような基板４０の上に、版２０に形成されたパターンのサイズよりも細いパターンとなっている液体層３０が形成される。基板４０は、特に限定されない。この工程の後、必要に応じて、乾燥・加熱等を行い、半導体パターン、電極パターン、配線パターン、誘電体パターンなどの電子装置１００が得られる。 The fourth step is a step of transferring the liquid layer 30 to the substrate 40. This step can be performed by a method generally performed by a micro contact printing (μCP) method. This step is performed by bringing the liquid layer 30 formed under the convex portion 22 of the plate 20 into contact with the substrate 40 and peeling the plate 20 as shown in FIG. In FIG. 4, the upper and lower sides of the plate 20 are drawn upside down. By this step, the liquid layer 30 having a pattern thinner than the size of the pattern formed on the plate 20 is formed on the substrate 40 as shown in FIG. The substrate 40 is not particularly limited. After this step, if necessary, drying and heating are performed to obtain the electronic device 100 such as a semiconductor pattern, an electrode pattern, a wiring pattern, and a dielectric pattern.
以上のように版２０のパターンサイズよりも細いパターンサイズを形成する電子装置の製造方法を説明したが、本実施形態において多くの変形実施が可能である。たとえば、上述の第１工程において、図６に示すように、マスター版１０の凹部１２の底面１４に、製造する電子装置に形成される回路パターンに沿って小凸部１８を形成することができる。次いで、このようなマスター版１０の形状を転写して凸部２２の上面２４に小凹部２６を有する版２０を形成する。そして、第２工程において、液体層３０ａの成分に、電導方向の異方性を有する高分子を含む溶液（高分子インク）を用い、第３工程において、該溶液中の溶媒を気化させて凸部２２の上面２４の小凹部２６に対応した電導方向を有する高分子膜を形成することができる。高分子インクとしては、ポリチオフェンをキシレンに溶解させたものや、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を水に溶解させたものを用いることができる。本変形実施の高分子膜は、版２０のパターンサイズよりも細いパターンサイズを有することができる。 As described above, the method for manufacturing an electronic device that forms a pattern size thinner than the pattern size of the plate 20 has been described. However, many modifications can be made in this embodiment. For example, in the first step described above, as shown in FIG. 6, small convex portions 18 can be formed on the bottom surface 14 of the concave portion 12 of the master plate 10 along the circuit pattern formed in the electronic device to be manufactured. . Next, the shape of the master plate 10 is transferred to form a plate 20 having a small recess 26 on the upper surface 24 of the protrusion 22. Then, in the second step, a solution (polymer ink) containing a polymer having anisotropy in the conduction direction is used as a component of the liquid layer 30a, and in the third step, the solvent in the solution is vaporized and protruded. A polymer film having a conduction direction corresponding to the small concave portion 26 on the upper surface 24 of the portion 22 can be formed. As the polymer ink, one obtained by dissolving polythiophene in xylene or one obtained by dissolving polyethylene dioxythiophene (PEDOT) in water can be used. The polymer film according to this modification can have a pattern size thinner than that of the plate 20.
２．実験例
以下に実験例を記し、上述の実施形態をさらに具体的に説明する。
2. Experimental Example An experimental example will be described below, and the above-described embodiment will be described more specifically.
２．１．実験例１
まず、縞状のパターンの凸部２２を形成した版２０をナノインプリント法にて形成した。版２０の材質にはＰＤＭＳを選んだ。次に、版２０の凸部２２の上に液体層３０ａをスピンコート法により形成した。液体層３０ａの成分として、ポリ３ヒドロキシチオフェン（Ｐ３ＨＴ）をクロロホルムに溶解したものを用いた。その後、酸化シリコン膜が形成されたシリコン基板に液体層３０を転写した。ここでシリコン基板に転写する前の状態すなわち、版２０に液体層３０が形成されている状態を顕微鏡で観察した結果を図７に示す。図７の右側には、観察した版２０の断面を模式的に示した説明図を描いた。液体層３０の縞状のパターンが転写されたシリコン基板を観察した結果を図８に示す。図８の右側には、観察した試料を形成するために使用した版２０の断面を模式的に示した説明図を描いた。なお、本実験例１の版２０の表面自由エネルギーおよび後退接触角を測定した結果、それぞれ、２３．１ｍＮ／ｍおよび４１°であった。
2.1. Experimental example 1
First, the plate 20 on which the stripe-shaped convex portions 22 were formed was formed by a nanoimprint method. PDMS was selected as the material of the plate 20. Next, the liquid layer 30a was formed on the convex part 22 of the plate 20 by spin coating. As a component of the liquid layer 30a, a solution obtained by dissolving poly-3hydroxythiophene (P3HT) in chloroform was used. Thereafter, the liquid layer 30 was transferred to the silicon substrate on which the silicon oxide film was formed. Here, FIG. 7 shows the result of observing the state before transfer to the silicon substrate, that is, the state in which the liquid layer 30 is formed on the plate 20 with a microscope. On the right side of FIG. 7, an explanatory view schematically showing a cross section of the observed plate 20 is drawn. FIG. 8 shows the result of observing the silicon substrate onto which the striped pattern of the liquid layer 30 has been transferred. On the right side of FIG. 8, an explanatory diagram schematically showing a cross section of the plate 20 used for forming the observed sample is drawn. In addition, as a result of measuring the surface free energy and receding contact angle of the plate 20 of Experimental Example 1, they were 23.1 mN / m and 41 °, respectively.
２．２．実験例２
版２０の上に液体層３０ａを形成する前に、紫外線を照射した以外は、実験例１と同様に試料を作成した。本実験例２では、シリコン基板に転写する前の状態すなわち、版２０に液体層３０が形成されている状態を顕微鏡で観察した結果を図９に示す。図９の右側には、観察した版２０の断面を模式的に示した説明図を描いた。なお、本実験例２の版２０の表面自由エネルギーおよび後退接触角を測定した結果、それぞれ、７１．１ｍＮ／ｍおよび１０°以下であった。
2.2. Experimental example 2
A sample was prepared in the same manner as in Experimental Example 1 except that ultraviolet rays were irradiated before the liquid layer 30a was formed on the plate 20. In Experimental Example 2, FIG. 9 shows the result of observation with a microscope of the state before the transfer to the silicon substrate, that is, the state in which the liquid layer 30 is formed on the plate 20. On the right side of FIG. 9, an explanatory diagram schematically showing a cross section of the observed plate 20 is drawn. In addition, as a result of measuring the surface free energy and receding contact angle of the plate 20 of Experimental Example 2, they were 71.1 mN / m and 10 ° or less, respectively.
２．３．実験例３
液体層３０ａの成分として、ポリ３ヒドロキシチオフェン（Ｐ３ＨＴ）をキシレンに溶解したものを用いた以外は、実験例１と同様に試料を作成した。液体層３０の縞状のパターンが転写されたシリコン基板を観察した結果を図１０に示す。図１０の右側には、観察した試料を形成するために使用した版２０の断面を模式的に示した説明図を描いた。
2.3. Experimental example 3
A sample was prepared in the same manner as in Experimental Example 1, except that poly-3hydroxythiophene (P3HT) dissolved in xylene was used as a component of the liquid layer 30a. The result of observing the silicon substrate to which the striped pattern of the liquid layer 30 is transferred is shown in FIG. On the right side of FIG. 10, an explanatory view schematically showing a cross section of the plate 20 used for forming the observed sample is drawn.
以上の実験例から、次のことが明らかである。図７を見ると、版２０の凸部２２の上面の端部が、広く露出しており、液体層３０の線幅が凸部２２の幅よりも細くなっていることがわかる。図８を見ると、転写された液体層３０の線幅が、版２０のパターンよりも顕著に細くなっていることがわかる。図９を見ると、版２０の凸部２２の上面の端部が、露出しており、液体層３０の線幅が凸部２２の幅よりも細くなっていることがわかる。図１０を見ると、転写された液体層３０の線幅が、版２０のパターンよりも少し細くなっていることがわかる。 From the above experimental example, the following is clear. As can be seen from FIG. 7, the end portion of the upper surface of the convex portion 22 of the plate 20 is widely exposed, and the line width of the liquid layer 30 is narrower than the width of the convex portion 22. As can be seen from FIG. 8, the line width of the transferred liquid layer 30 is significantly narrower than the pattern of the plate 20. As can be seen from FIG. 9, the end of the upper surface of the convex portion 22 of the plate 20 is exposed, and the line width of the liquid layer 30 is narrower than the width of the convex portion 22. As can be seen from FIG. 10, the line width of the transferred liquid layer 30 is slightly narrower than the pattern of the plate 20.
３．作用効果
本実施形態の電子装置の製造方法は、液体層３０ａの一部を除去して版２０の凸部２２の上面の一部を露出させることにより、版２０のパターンサイズよりも細いパターンを基板４０上に形成することができる。本実施形態の電子装置の製造方法は、このような細いパターンを有する電子装置１００を製造することができる。よって、上述した本発明の実施形態にかかる電子装置の製造方法は、たとえば、表示素子、半導体素子、光学素子、有機トランジスタ素子、有機配線を有する素子、圧電素子などの高精細なパターンを形成するデバイスの製造に適用されることができる。
3. The effect of the manufacturing method of the electronic device according to the present embodiment is to remove a part of the liquid layer 30a and expose a part of the upper surface of the convex portion 22 of the plate 20, thereby forming a pattern thinner than the pattern size of the plate 20. It can be formed on the substrate 40. The electronic device manufacturing method of this embodiment can manufacture the electronic device 100 having such a thin pattern. Therefore, the electronic device manufacturing method according to the above-described embodiment of the present invention forms a high-definition pattern such as a display element, a semiconductor element, an optical element, an organic transistor element, an element having organic wiring, and a piezoelectric element. It can be applied to the manufacture of devices.
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that achieves the same effect as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. In addition, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
１０ マスター版、１２ 凹部、１４ 凹部の底面、１６ 凹部の側面、１８ 小凸部、
２０ 版、２２ 凸部、２４ 凸部の上面、２５ 周縁部、２６ 小凹部、
３０ａ，３０ 液体層、４０ 基板、１００ 電子装置
10 master plate, 12 recess, 14 bottom surface of recess, 16 side surface of recess, 18 small protrusion,
20 plates, 22 convex portions, 24 top surfaces of convex portions, 25 peripheral portions, 26 small concave portions,
30a, 30 liquid layer, 40 substrate, 100 electronic device
Claims (8)
前記凸部の上に液体層を形成する第２工程と、
前記液体層の一部を除去して前記凸部の上面の一部を露出させる第３工程と、
前記液体層を基板に転写する第４工程と、
を含み、
前記第３工程は、前記液体層の成分を気化させて行われる、電子装置の製造方法。 A first step of forming a plate having convex portions;
A second step of forming a liquid layer on the convex portion;
A third step of removing a part of the liquid layer and exposing a part of the upper surface of the convex part;
A fourth step of transferring the liquid layer to the substrate;
Only including,
The method of manufacturing an electronic device, wherein the third step is performed by vaporizing components of the liquid layer .
前記第３工程で露出する前記凸部の上面は、前記凸部の上面の周縁部である、電子装置の製造方法。 In claim 1,
The method for manufacturing an electronic device, wherein the upper surface of the convex portion exposed in the third step is a peripheral portion of the upper surface of the convex portion.
前記第３工程は、前記液体層の体積を減少させて行われる、電子装置の製造方法。 In claim 1 or claim 2,
The method of manufacturing an electronic device, wherein the third step is performed by reducing the volume of the liquid layer.
前記第３工程は、前記版を加熱して行われる、電子装置の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The third step is a method for manufacturing an electronic device, which is performed by heating the plate.
前記第２工程の前に、前記凸部の上方から紫外線および真空紫外線の少なくとも一方を照射する工程を含む、電子装置の製造方法。 In any one of Claim 1 thru | or 4 ,
An electronic device manufacturing method including a step of irradiating at least one of ultraviolet rays and vacuum ultraviolet rays from above the convex portion before the second step.
前記液体層の成分は、エタノール、クロロホルム、イソプロピルアルコール、および水のいずれか１種を含む、電子装置の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 5 ,
The component of the said liquid layer is a manufacturing method of an electronic device containing any 1 type of ethanol, chloroform, isopropyl alcohol, and water.
前記第２工程の前に、前記凸部の上に表面制御層を形成する工程を含む、電子装置の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 6 ,
A method for manufacturing an electronic device, comprising a step of forming a surface control layer on the convex portion before the second step.
前記凸部の上面には、前記電子装置に形成される回路パターンに沿って凹部が形成され、
前記凹部の上に、電導方向の異方性を有する高分子膜が形成される、電子装置の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 7 ,
On the upper surface of the convex portion, a concave portion is formed along a circuit pattern formed in the electronic device,
A method of manufacturing an electronic device, wherein a polymer film having anisotropy in a conduction direction is formed on the recess.
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