KR101855942B1 - Method for manufacturing a nano pattern having high slenderness ratio - Google Patents

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Abstract

고세장비 나노패턴 제조방법에서 몰드 패턴이 형성된 전사 기판 상에 에치 마스크를 증착한다. 상기 몰드 패턴에 대하여 측벽 식각을 수행한다. 상기 몰드 패턴의 상면에 금속을 증착한다. 타겟 기판 상에 전사용 접착층을 도포한다. 상기 몰드 패턴에 증착된 금속을 상기 전사용 접착층으로 전사한다. In an advanced nano pattern manufacturing method, an etch mask is deposited on a transfer substrate on which a mold pattern is formed. And sidewall etching is performed on the mold pattern. A metal is deposited on the upper surface of the mold pattern. And a transferable adhesive layer is applied on the target substrate. The metal deposited on the mold pattern is transferred to the transfer adhesive layer.

Description

고세장비 나노패턴 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING A NANO PATTERN HAVING HIGH SLENDERNESS RATIO}METHOD FOR MANUFACTURING A NANO PATTERN HAVING HIGH SLENDERNESS RATIO BACKGROUND OF THE INVENTION [0001]

본 발명은 고세장비 나노패턴 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 임프린트(imprint) 공정을 이용하여 고세장비의 나노패턴을 제작할 수 있는 고세장비 나노패턴 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a nano pattern manufacturing method, and more particularly, to a nano pattern manufacturing method capable of manufacturing a nano pattern of a high-end equipment by using an imprint process.

일반적으로 전사 임프린트 공정의 경우, 몰드 패턴 상에 금속 박막을 증착시킨 후, 상기 금속 박막을 타겟 기판으로 전사하여 타겟 기판 상에 소정 형상의 나노 패턴을 형성하는 공정으로 수행된다. Generally, in the case of a transfer imprint process, a metal thin film is deposited on a mold pattern, and then the metal thin film is transferred to a target substrate to form a nanopattern of a predetermined shape on a target substrate.

그러나, 종래 전사 임프린트 공정의 경우, 몰드 패턴 상에 증착되는 금속 박막의 두께가 증가함에 따라 상기 몰드 패턴의 모서리는 물론 측벽에도 금속 박막이 증착되며, 이에 따라 몰드 패턴의 트렌치(trench)에 증착된 금속 박막과 몰드 패턴의 상면에 증착된 금속 박막이 서로 연결되어 몰드 패턴 상에 증착되는 금속 박막이 전체적으로 서로 연결되는 문제가 야기된다. However, in the conventional transfer imprint process, as the thickness of the metal thin film deposited on the mold pattern increases, the metal thin film is deposited on the side wall as well as the corner of the mold pattern, and thus, the metal thin film deposited on the trench of the mold pattern The metal thin film and the metal thin film deposited on the upper surface of the mold pattern are connected to each other, so that the metal thin film deposited on the mold pattern is entirely connected to each other.

그리하여, 상기 금속 박막을 타겟 기판으로 전사하는 것이 어려우며, 원하는 형상의 나노 패턴을 형성하는 것이 불가능한 문제가 있다. 이에 따라, 특히, 고세장비(高細長比)를 갖는 나노패턴을 형성하는 것은 매우 어려운 문제가 있다. Thus, it is difficult to transfer the metal thin film to a target substrate, and it is impossible to form a nano pattern having a desired shape. Accordingly, it is very difficult to form a nano pattern having a high aspect ratio (high aspect ratio), in particular.

한편, 고세장비를 갖는 나노구조의 형성 방법과 관련하여, 일본국 공개특허 특개2007-5377호에서는 식각 공정을 반복적으로 수행하는 기술을 개시하고는 있으나, 현재까지 임프린트 공정을 통해 고세장비의 나노구조를 형성하는 기술은 개발이 미흡한 상황이다. Meanwhile, Japanese Patent Laid-Open No. 2007-5377 discloses a technique for repeatedly performing the etching process in connection with a method of forming a nanostructure having high-grade equipment. However, until now, Has not been developed sufficiently.

일본국 공개특허공보 특개2007-5377호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-5377

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 전사 임프린트 공정을 이용하여 몰드 패턴에 증착되는 금속 패턴의 두께가 증가하더라도 효과적으로 타겟 기판으로 고세장비의 나노패턴을 전사할 수 있는 고세장비 나노패턴 제조방법에 관한 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for transferring a nano pattern of a high-altitude equipment to a target substrate even if the thickness of a metal pattern deposited on the mold pattern is increased by using a transfer imprint process 0001] The present invention relates to a nano pattern manufacturing method and a nano pattern manufacturing method.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 고세장비 나노패턴 제조방법에서 몰드 패턴이 형성된 전사 기판 상에 에치 마스크를 증착한다. 상기 몰드 패턴에 대하여 측벽 식각을 수행한다. 상기 몰드 패턴의 상면에 금속을 증착한다. 타겟 기판 상에 전사용 접착층을 도포한다. 상기 몰드 패턴에 증착된 금속을 상기 전사용 접착층으로 전사한다. In order to accomplish the object of the present invention, an etch mask is deposited on a transfer substrate having a mold pattern formed therein. And sidewall etching is performed on the mold pattern. A metal is deposited on the upper surface of the mold pattern. And a transferable adhesive layer is applied on the target substrate. The metal deposited on the mold pattern is transferred to the transfer adhesive layer.

일 실시예에서, 상기 몰드 패턴의 상면에 금속을 증착하기 전에, 상기 몰드 패턴의 상면을 표면 개질하는 단계를 더 포함할 수 있다. In one embodiment, before depositing the metal on the upper surface of the mold pattern, the step of surface modification of the upper surface of the mold pattern may be further included.

일 실시예에서, 상기 몰드 패턴의 상면을 표면 개질하는 단계에서, 소수성 자기조립막으로 표면 개질할 수 있다. In one embodiment, in the step of modifying the top surface of the mold pattern, the surface may be modified with a hydrophobic self-assembling film.

일 실시예에서, 상기 몰드 패턴에 대하여 측벽 식각을 수행하는 단계에서, 플라즈마 건식 에칭이 수행될 수 있다. In one embodiment, in performing the sidewall etch for the mold pattern, a plasma dry etch may be performed.

일 실시예에서, 상기 몰드 패턴은, 상부로 돌출된 돌출 패턴들, 및 상기 돌출 패턴들 사이의 트렌치들을 포함할 수 있다. In one embodiment, the mold pattern may include protruding patterns protruding upward, and trenches between the protruding patterns.

일 실시예에서, 상기 몰드 패턴에 대하여 측벽 식각을 수행하는 단계에서, 상기 몰드 패턴은 상기 에치 마스크가 증착되지 않은 측벽이 선택적으로 식각되어, 상기 돌출 패턴들 각각이 역마름꼴 형상으로 형성될 수 있다. In one embodiment, in the step of performing sidewall etching on the mold pattern, the mold pattern may be formed by selectively etching the sidewalls on which the etch mask is not deposited, such that each of the protruded patterns is formed in an inverted- have.

일 실시예에서, 상기 몰드 패턴의 상면에 금속을 증착하는 단계에서, 상기 금속은 상기 돌출 패턴들 및 상기 트렌치들에 서로 분리되어 상부 금속층 및 하부 금속층으로 증착될 수 있다. In one embodiment, in the step of depositing a metal on the top surface of the mold pattern, the metal may be deposited as a top metal layer and a bottom metal layer separated from each other by the protruding patterns and the trenches.

일 실시예에서, 상기 몰드 패턴의 상면에 금속을 증착하는 단계에서, 금속 및 산화물(oxide)을 서로 다른 복수의 층들로 증착될 수 있다. In one embodiment, in the step of depositing the metal on the top surface of the mold pattern, the metal and oxide may be deposited with a plurality of different layers.

일 실시예에서, 상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 전사하는 단계에서, 상기 돌출 패턴들에 증착된 상기 상부 금속층이 상기 전사용 접착층으로 전사될 수 있다. In one embodiment, in transferring the metal to the transferable adhesive layer, the upper metal layer deposited on the protruding patterns may be transferred to the transferable adhesive layer.

일 실시예에서, 상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 전사하는 단계는, 상기 전사 기판을 상기 타겟 기판 상에서 가압하는 단계, 상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 접합하는 단계, 및 상기 전사 기판을 상기 타겟 기판으로부터 이형하는 단계를 포함할 수 있다. In one embodiment, the step of transferring the metal to the transfer adhesive layer comprises: pressing the transfer substrate onto the target substrate; bonding the metal with the transfer adhesive layer; and transferring the transfer substrate to the target substrate As shown in FIG.

일 실시예에서, 상기 전사용 접착층은 UV 경화성 또는 열 경화성이며, 상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 접합하는 단계에서는 UV를 조사하거나 열을 인가할 수 있다. In one embodiment, the transferable adhesive layer is UV curable or thermally curable, and in the step of bonding the metal with the transferable adhesive layer, UV irradiation or heat may be applied.

일 실시예에서, 상기 전사용 접착층은 자기조립박막 또는 액상의 레지스트 접합증진용 코팅액일 수 있다. In one embodiment, the transferable adhesive layer may be a self-assembled thin film or a coating solution for promoting liquid junction of the resist.

일 실시예에서, 상기 전사용 접착층은 나노임프린트 레진일 수 있다. In one embodiment, the transfer adhesive layer may be a nanoimprint resin.

일 실시예에서, 상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 접합하는 단계에서, 상기 전사 기판에 인가하는 압력을 제어하여, 상기 금속이 상기 전사용 접착층으로 접합되는 깊이를 변화시킬 수 있다. In one embodiment, in the step of bonding the metal with the transferable adhesive layer, the pressure applied to the transfer substrate may be controlled to change the depth at which the metal is bonded to the transferable adhesive layer.

본 발명의 실시예들에 의하면, 몰드 패턴의 측벽을 식각함에 따라, 상기 몰드 패턴 중 돌출 패턴에 형성된 금속과 트렌치에 형성된 금속이 상대적으로 두꺼운 두께로 증착되더라도 서로 분리되어 증착되며, 결과적으로 돌출 패턴에 형성된 금속만이 타겟 기판 상으로 전사되어, 타겟 기판 상에 고세장비를 갖는 나노패턴을 형성할 수 있다. According to the embodiments of the present invention, as the sidewalls of the mold pattern are etched, the metal formed on the protruding pattern and the metal formed on the trench are separately deposited and deposited as a relatively thick thickness, Only the metal formed on the target substrate is transferred onto the target substrate to form a nano pattern having high-quality equipment on the target substrate.

또한, 상기 몰드 패턴의 측벽을 제외하고 에치 마스크를 형성함으로써, 상기 몰드 패턴의 측벽만 식각을 수행하여, 상기 몰드 패턴을 역마름꼴 형상으로 형성할 수 있다. In addition, by etching the sidewall of the mold pattern, the mold pattern can be formed in an inverted shape by forming the etch mask except for the side wall of the mold pattern.

또한, 상기 몰드 패턴의 상면에 상대적으로 두꺼운 두께로 증착이 가능하고 이에 대한 전사가 가능함에 따라, 상기 몰드 패턴의 상면에 다양한 금속 및 산화물 층을 복수의 층으로 적층할 수 있으며, 이를 통해 다양한 고세장비 나노패턴을 형성할 수 있다. In addition, since the metal layer and the oxide layer can be deposited on the upper surface of the mold pattern with a relatively thick thickness and can be transferred to the upper surface of the mold pattern, various metal and oxide layers can be stacked on the upper surface of the mold pattern, The equipment can form a nanopattern.

또한, 전사용 접착층을 자기조립박막 또는 액상의 레지스트 접합증진용 코팅액을 사용함으로써, 전사를 통해 상기 금속층과의 화학적 결합을 유도하여 결합력을 높일 수 있다. In addition, by using a self-assembled thin film or a liquid coating solution for promoting resist junction, the transfer bonding layer can be chemically bonded to the metal layer through transfer, thereby enhancing the bonding force.

이와 달리, 상기 전사용 접착층을 나노임프린트 레진을 사용함으로써, 전사 기판에 인가되는 압력에 따라 금속이 상기 전사용 접착층으로 접합되는 깊이를 다양하게 조절할 수 있어, 다양한 나노패턴을 형성할 수 있다. Alternatively, by using the nanoimprint resin for the transferable adhesive layer, the depth of bonding of the metal to the transferable adhesive layer can be variously adjusted according to the pressure applied to the transfer substrate, and various nano patterns can be formed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 고세장비 나노패턴 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2e는 도 1의 고세장비 나노패턴 제조방법을 도시한 공정도들이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 고세장비 나노패턴 제조방법으로 형성되는 나노패턴의 예들을 도시한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 고세장비 나노패턴 제조방법에서의 전사공정을 도시한 공정도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4의 고세장비 나노패턴 제조방법으로 형성되는 나노패턴의 예들을 도시한 단면도들이다. 1 is a flowchart illustrating a method of fabricating a high-tech equipment nano pattern according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A to 2E are process diagrams illustrating a method of fabricating a high-tech equipment nanopattern in FIG.
FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views illustrating examples of nanopatterns formed by the high-tech equipment nanopattern fabrication method of FIG.
FIG. 4 is a process diagram showing a transfer process in a method of manufacturing a high-tech equipment nano pattern according to another embodiment of the present invention.
5A and 5B are cross-sectional views illustrating examples of nanopatterns formed by the method of manufacturing a high-tech equipment nanopattern in FIG.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms.

상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In the present application, the term "comprises" or "comprising ", etc. is intended to specify that there is a stated feature, figure, step, operation, component, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 고세장비 나노패턴 제조방법을 도시한 흐름도이다. 도 2a 내지 도 2e는 도 1의 고세장비 나노패턴 제조방법을 도시한 공정도들이다. 1 is a flowchart illustrating a method of fabricating a high-tech equipment nano pattern according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2A to 2E are process diagrams illustrating a method of fabricating a high-tech equipment nanopattern in FIG.

도 1 및 도 2a를 참조하면, 본 실시예에 의한 고세장비 나노패턴 제조방법에서는 우선, 전사 기판을 제작한다(단계 S100). Referring to FIGS. 1 and 2A, in a method of manufacturing a high-tech equipment nano pattern according to this embodiment, a transfer substrate is first manufactured (step S100).

이 경우, 상기 전사 기판의 제작은 보다 구체적으로, 우선 몰드 패턴(20)이 형성된 전사 기판(10) 상에 에치 마스크(30)를 증착한다(단계 S110). More specifically, first, the etch mask 30 is deposited on the transfer substrate 10 on which the mold pattern 20 is formed (step S110).

상기 전사 기판(10)은 예를 들어, 폴리머 필름(polymer film)일 수 있다. 상기 몰드 패턴(20)은 상기 전사 기판(10) 상에 최종적으로 형성될 나노패턴의 형상을 고려하여 형성된다. The transfer substrate 10 may be, for example, a polymer film. The mold pattern 20 is formed in consideration of the shape of a nano pattern to be finally formed on the transfer substrate 10.

이 경우, 상기 몰드 패턴(20)은 상대적으로 돌출된 돌출패턴들(21), 및 상기 돌출패턴들(21) 사이에 함입된 트렌치들(22)을 포함한다. In this case, the mold pattern 20 includes relatively protruding protruding patterns 21, and trenches 22 embedded between the protruding patterns 21.

그리하여, 추후 전사 공정을 통해 상기 몰드 패턴(20)의 돌출패턴들(21) 상에 형성된 패턴이 전사된다. Thus, the pattern formed on the protruding patterns 21 of the mold pattern 20 is transferred through a subsequent transfer process.

상기 에치 마스크(30)는 금속 또는 산화물(oxide)을 포함하며, 상기 몰드 패턴(20)의 상면에 증착된다. 즉, 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 돌출패턴들(21)의 상면 및 상기 트렌치들(22)의 상면에 증착된다. The etch mask 30 includes a metal or an oxide and is deposited on the upper surface of the mold pattern 20. That is, as shown in FIG. 2A, the upper surface of the protruding patterns 21 and the upper surface of the trenches 22 are deposited.

이 경우, 상기 에치 마스크(30)는 5~20nm 범위의 두께로 증착될 수 있다. In this case, the etch mask 30 may be deposited to a thickness ranging from 5 to 20 nm.

그리하여, 상기 돌출패턴들(21)의 측벽 또는 측면에는 상기 에치 마스크(30)는 증착되지 않는다. Thus, the etch mask 30 is not deposited on the sidewalls or side surfaces of the protruding patterns 21. [

이 후, 도 1 및 도 2b를 참조하면, 상기 몰드 패턴(20)에 대하여 측벽 식각을 수행한다(단계 S120). 1 and 2B, sidewall etching is performed on the mold pattern 20 (step S120).

즉, 상기 몰드 패턴(20)에 대하여 식각을 수행하되, 상기 몰드 패턴(20)에서 상기 돌출패턴들(21)의 상면 및 상기 트렌치들(22)의 상면에는 상기 에치 마스크(30)가 증착되므로 상기 식각 공정을 통해 식각되지 않고, 상기 에치 마스크(30)가 증착되지 않은 상기 돌출패턴들(21)의 측벽만 식각될 수 있다. That is, the etch mask 30 is deposited on the upper surface of the protruding patterns 21 and the upper surfaces of the trenches 22 in the mold pattern 20, Only the sidewalls of the protruding patterns 21 on which the etch mask 30 is not deposited can be etched through the etching process.

그리하여, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 돌출패턴들(21)은 측벽이 식각되어 전체적으로 역마름모꼴 형상, 즉 중앙부가 오목하게 함입된 형상을 갖도록 형성된다. Thus, as shown in FIG. 2B, the protruding patterns 21 are formed such that the sidewalls thereof are etched to have an inverted rhomboid shape, that is, a shape in which the central portion is recessed.

이 경우, 상기 식각 공정은, 예를 들어 플라즈마 건식 에칭일 수 있으며, 상기 식각 공정을 통해 상기 에치 마스크(30)의 식각을 통제할 수 있다. In this case, the etching process may be, for example, plasma dry etching, and the etching of the etch mask 30 may be controlled through the etching process.

이 후, 도 1을 참조하면, 상기 식각 공정 후에, 상기 에치 마스크(30)가 형성된 상기 몰드 패턴(20)의 상면을 소수성 자기조립막으로 표면 개질할 수 있다(단계 S130). Referring to FIG. 1, after the etching process, the top surface of the mold pattern 20 on which the etch mask 30 is formed may be surface-modified with a hydrophobic self-assembled film (step S130).

보다 구체적으로, 플루오르가 함유된(fluorine-based) 실란용액을 사용하여, 섭씨 50~100도의 범위에서 10분 이상 기상 증착을 수행하거나, 액상 증착을 수행함으로써, 후술되는 전사 공정에서 상기 에치 마스크(30)와 상기 에치 마스크(30) 상에 증착된 금속이 전사되는 것을 용이하게 유도할 수 있다. More specifically, vapor deposition is performed for 10 minutes or more at a temperature in the range of 50 to 100 degrees centigrade using a fluorine-based silane solution, or liquid deposition is performed to form the etch mask And the metal deposited on the etch mask 30 can be easily transferred.

이 후, 도 1 및 도 2c를 참조하면, 상기 몰드 패턴(20)의 상면에 금속을 증착하여 금속층(40)을 형성한다(단계 S140). 1 and 2C, metal is deposited on the upper surface of the mold pattern 20 to form a metal layer 40 (step S140).

즉, 상기 금속은 상기 에치 마스크(30) 상에 증착되며, 이에 따라 상기 금속층(40)은 상기 돌출패턴(21) 상에 형성되는 상부 금속층(41), 및 상기 트렌치(22) 상에 형성되는 하부 금속층(42)로 구분된다. That is, the metal is deposited on the etch mask 30 such that the metal layer 40 includes an upper metal layer 41 formed on the protruding pattern 21, And a lower metal layer 42.

나아가, 상기 상부 금속층(41)과 상기 하부 금속층(42)은 서로 연결되지 않으며, 이는 상기 돌출패턴(21)의 측부 또는 측벽이 역마름모꼴의 형상으로 식각되었기 때문에 발생된, 상기 상부 금속층(41)과 상기 하부 금속층(42)이 서로 분리될 수 있는 공간적인 여유 때문이다. The upper metal layer 41 and the lower metal layer 42 are not connected to each other because the side or walls of the protruding pattern 21 are etched in an inverted rhombic shape, And the lower metal layer 42 can be separated from each other.

종래에는 상기 돌출패턴(21)의 측부 또는 측벽이 본 실시예에서와 같은 역마름모꼴이 아닌 수직한 격벽의 형상을 가졌는바, 상기 상부 금속층(41) 및 상기 하부 금속층(42)이 서로 연결되는 문제가 야기되었고, 이에 따라 후술되는 전사공정에서 나노패턴이 설계된 바와 같이 정밀하게 제작되지 못하는 문제가 있었다. The side or side wall of the protruding pattern 21 has a shape of a vertical partition wall which is not an inverse rhombus as in the present embodiment and the upper metal layer 41 and the lower metal layer 42 are connected to each other And thus there is a problem that the nano pattern can not be manufactured precisely as designed in the transfer process to be described later.

한편, 본 실시예에서는 상기 상부 금속층(41) 및 상기 하부 금속층(42) 각각은 상기 돌출 패턴(21)의 높이보다 작은 범위에서 상대적으로 높은 두께로 증착될 수 있다. Meanwhile, in the present embodiment, the upper metal layer 41 and the lower metal layer 42 may be deposited with a relatively high thickness in a range smaller than the height of the protruding pattern 21.

이상과 같은 공정으로 전사 기판(10) 상에 금속층(40)이 증착된 몰드 패턴(20)을 완성한다(단계 S100). The mold pattern 20 in which the metal layer 40 is deposited on the transfer substrate 10 is completed by the above-described process (step S100).

한편, 도 1 및 도 2d를 참조하면, 타겟 기판(50) 상에 전사용 접착층(60)을 도포함으로써 전사 공정을 통해 나노패턴을 형성할 타겟 기판을 완성한다(단계 S200). 1 and 2D, a transfer substrate 60 is coated on a target substrate 50 to complete a target substrate on which a nano pattern is to be formed through a transfer process (step S200).

이 경우, 상기 전사용 접착층(60)은 UV 경화성 또는 열 경화성 재료를 포함하며, 전사공정에서 UV 경화 또는 열의 인가를 통해 경화된다. In this case, the transferable adhesive layer 60 includes a UV curable or thermosetting material and is cured by UV curing or heat application in the transfer process.

나아가, 상기 전사용 접착층(60)은 예를 들어, 기상증착 방식의 자기조립박막 또는 액상의 레지스트 접합증진용 코팅액(adhesion promotor)이거나, 나노임프린트 레진일 수 있다. Further, the transferable adhesive layer 60 may be, for example, a self-assembled thin film of vapor deposition type or a liquid adhesion promoter for resist junction enhancement, or may be a nanoimprint resin.

상기 전사용 접착층(60)이 기상증착 방식의 자기조립박막 또는 액상의 레지스트 접합증진용 코팅액인 경우, 두께를 약 1~10nm의 범위로 형성할 수 있으며, 상기 전사용 접착층(60)이 나노임프린트 레진인 경우, 두께를 50~200nm의 범위로 형성할 수 있다. When the transfer adhesive layer 60 is a self-assembled thin film of a vapor deposition type or a coating solution for enhancing a resist junction of a liquid, the thickness can be set in a range of about 1 to 10 nm, and the transfer adhesive layer 60 is a nanoimprint In the case of a resin, the thickness can be set in a range of 50 to 200 nm.

이 후, 도 1 및 도 2e를 참조하면, 상기 몰드 패턴(20) 상에 증착된 금속층(40)을 전사 공정을 통해 상기 전사용 접착층(60)으로 전사한다(단계 S300). 1 and 2E, the metal layer 40 deposited on the mold pattern 20 is transferred to the transfer adhesive layer 60 through a transfer process (step S300).

이 경우, 상기 전사 공정은 임프린트 공정으로 수행된다. In this case, the transferring step is carried out by an imprinting step.

즉, 상기 전사 기판(10)을 상기 타겟 기판(50)에 마주하도록 배치한 상태에서, 상기 전사 기판(10)을 가압하여 상기 타겟 기판(50)으로 압착한다. That is, the transfer substrate 10 is pressed against the target substrate 50 while the transfer substrate 10 is disposed to face the target substrate 50.

그리하여, 상기 전사 기판(10)의 몰드 패턴(20) 상에 증착된 금속층(40)은 상기 임프린트 공정을 통해 상기 타겟 기판(50) 상의 전사용 접착층(60)으로 전사된다. Thus, the metal layer 40 deposited on the mold pattern 20 of the transfer substrate 10 is transferred to the transferable adhesive layer 60 on the target substrate 50 through the imprint process.

이 경우, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 몰드 패턴(20) 상에 증착된 금속층(40) 중 상부 금속층(41) 만이 상기 전사용 접착층(60)으로 전사되며, 하부 금속층(42)은 상기 몰드 패턴(20) 상에 잔류하게 된다. In this case, only the upper metal layer 41 of the metal layer 40 deposited on the mold pattern 20 is transferred to the transfer adhesive layer 60, and the lower metal layer 42 And remains on the mold pattern 20.

또한, 상기 몰드 패턴(20)의 표면은 소수성 자기조립막으로 표면개질이 되었으므로, 상기 임프린트 전사 공정을 통해서 상기 몰드 패턴(20) 상의 상부 금속층(41)은 상대적으로 용이하게 이형되어 상기 전사용 접착층(60)으로 전사될 수 있다. In addition, since the surface of the mold pattern 20 is surface-modified with the hydrophobic self-assembled film, the upper metal layer 41 on the mold pattern 20 is relatively easily released through the imprint transfer process, (60).

보다 구체적으로, 상기 임프린트 전사 공정에서는, 상기 전사용 접착층(60)이 UV 경화성 또는 열 경화성 소재를 포함하므로, 상기 전사 기판(10)을 상기 타겟 기판(50)으로 가압한 상태에서 UV를 조사하거나 또는 열을 인가하여 상기 상부 금속층(41)을 상기 전사용 접착층(60)으로 접합되도록 한다. More specifically, in the imprint transfer process, since the transfer adhesive layer 60 includes UV curable or heat curable materials, the transfer substrate 10 is irradiated with UV light while being pressed by the target substrate 50 Or heat is applied to bond the upper metal layer 41 to the transfer adhesive layer 60.

그리하여, 상기 전사용 접착층(60) 상에는 상기 상부 금속층(41)이 전사되며, 상기 상부 금속층(41)은 고세장비를 가지는 구조로서 상기 타겟 기판(50) 상에 고세장비 나노 패턴이 형성될 수 있다. Thus, the upper metal layer 41 is transferred onto the transfer adhesive layer 60, and the upper metal layer 41 has high-quality equipment, and a high-grade equipment nano pattern can be formed on the target substrate 50 .

한편, 도 2e에 도시된 상기 전사용 접착층(60)은 자기조립박막 또는 액상의 레지스트 접합증진용 코팅액으로서, 1~10nm 범위의 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 상부 금속층(41)은 상기 전사용 접착층(60)의 상면 상에 돌출되는 형태로 화학적 결합을 이루며 전사가 수행될 수 있다. On the other hand, the transferable adhesive layer 60 shown in FIG. 2E is a self-assembled thin film or liquid phase coating solution for resist junction enhancement, and may have a thickness in the range of 1 to 10 nm. Accordingly, the upper metal layer 41 is chemically bonded to the upper surface of the transfer adhesive layer 60 so as to be transferred.

도 3a 및 도 3b는 도 1의 고세장비 나노패턴 제조방법으로 형성되는 나노패턴의 예들을 도시한 단면도들이다. FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views illustrating examples of nanopatterns formed by the high-tech equipment nanopattern fabrication method of FIG.

상기 전사용 접착층(60)이 나노임프린트 레진인 경우, 상기 전사용 접착층(60)은 100~200nm 범위의 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 전사용 접착층(60)으로 전사되는 상기 상부 금속층(41)의 돌출 또는 함몰 깊이를 다양하게 제어할 수 있다. When the transferable adhesive layer 60 is a nanoimprinted resin, the transferable adhesive layer 60 may have a thickness in the range of 100 to 200 nm. Accordingly, the projecting or recessing depth of the upper metal layer 41 transferred to the transfer adhesive layer 60 can be variously controlled.

즉, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 전사 기판(10)에 인가되는 압력을 상대적으로 낮게 유지하면 도 3a에 도시된 바와 같이 상기 상부 금속층(41)이 상기 전사용 접착층(60)으로 상대적으로 돌출되도록 전사되며, 상기 전사 기판(10)에 인가되는 압력을 상대적으로 높게 유지하면 도 3b에 도시된 바와 같이 상기 상부 금속층(41)이 상기 전사용 접착층(60)으로 상대적으로 함입되도록 전사될 수 있다. 3A and 3B, when the pressure applied to the transfer substrate 10 is kept relatively low, the upper metal layer 41 is relatively moved to the transfer adhesive layer 60 as shown in FIG. 3A When the pressure applied to the transfer substrate 10 is maintained at a relatively high level, the upper metal layer 41 is transferred so as to be relatively embedded in the transfer adhesive layer 60 as shown in FIG. 3B .

이 경우, 나노임프린트 레진인 상기 전사용 접착층(60)은 상기 상부 금속층(41)과 물리적, 화학적 접합을 통해 접합될 수 있다. In this case, the transfer adhesive layer 60, which is a nanoimprint resin, may be bonded to the upper metal layer 41 through physical or chemical bonding.

이와 같이, 상기 전사용 접착층(60)으로 전사되는 금속층의 돌출 또는 함몰 깊이를 제어함으로써, 다양한 세장비를 갖는 나노패턴을 형성할 수 있다. By controlling the protruding or depressing depth of the metal layer transferred to the transfer adhesive layer 60, a nanopattern having various slenderness ratios can be formed.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 고세장비 나노패턴 제조방법에서의 전사공정을 도시한 공정도이다. FIG. 4 is a process diagram showing a transfer process in a method of manufacturing a high-tech equipment nano pattern according to another embodiment of the present invention.

본 실시예에 의한 고세장비 나노패턴 제조방법은 몰드 패턴의 상면에 금속을 증착하는 단계를 제외하고는 도 1 내지 도 3b를 참조하여 설명한 고세장비 나노패턴과 실질적으로 동일하므로, 동일한 참조번호를 사용하고 중복되는 설명은 생략한다. The method of manufacturing a high-tech equipment nano pattern according to this embodiment is substantially the same as the high-tech equipment nano pattern described with reference to Figs. 1 to 3B except for the step of depositing metal on the top surface of the mold pattern. And redundant explanations are omitted.

도 4를 참조하면, 상기 몰드 패턴(20)의 상면을 표면 개질한(단계 S130) 이후, 상기 몰드 패턴(20)의 상면에 금속을 증착하는데, 상기 금속의 증착시 금속 및 산화물(oxide)을 서로 다른 복수의 층들로 증착한다(단계 S140). Referring to FIG. 4, a metal is deposited on the upper surface of the mold pattern 20 after surface modification of the upper surface of the mold pattern 20 (step S 130). In the deposition of the metal, And is deposited with a plurality of different layers (step S140).

예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 금속 재질의 제1 층, 산화물 제2 층 및 금속 재질의 제3 층이 중첩되며 상기 몰드 패턴(20)의 상면에 증착될 수 있다. For example, as shown in FIG. 4, a first layer of a metal material, a second layer of an oxide, and a third layer of a metal material are superposed and deposited on the upper surface of the mold pattern 20.

이 경우, 상기 금속 및 산화물의 증착은 E-beam 또는 열 증발증착 등의 증착 방법으로 증착될 수 있다. In this case, the deposition of the metal and the oxide may be performed by an evaporation method such as E-beam or thermal evaporation.

한편, 상기 몰드 패턴(20)의 상면에 증착되는 금속층은 돌출 패턴(41)의 상면과 트렌치(42)의 상면에 서로 분리되어 상부 금속층(70) 및 하부 금속층(80)으로 서로 분리되어 형성됨은 이미 설명한 바와 같다. The metal layer deposited on the upper surface of the mold pattern 20 is separated from the upper surface of the protrusion pattern 41 and the upper surface of the trench 42 by the upper metal layer 70 and the lower metal layer 80, As already explained.

이에 따라, 상기 상부 금속층(70)은 금속 재질의 제1 상부층, 산화물 재질의 제2 상부층 및 금속 재질의 제3 상부층을 포함하며, 상기 하부 금속층(80)은 금속 재질의 제1 하부층, 산화물 재질의 제2 하부층 및 금속 재질의 제3 하부층을 포함한다. Accordingly, the upper metal layer 70 includes a first upper layer of a metal material, a second upper layer of an oxide material, and a third upper layer of a metal material. The lower metal layer 80 includes a first lower layer of a metal material, And a third lower layer of a metal material.

상기에서 예시한 것 외에, 상기 몰드 패턴(20) 상에는 다양한 종류의 금속 또는 산화물이 교차하며 증착될 수 있으며, 금속의 종류 및 산화물의 종류도 다양하게 선택될 수 있고, 증착되는 층들의 개수도 다양하게 선택될 수 있다. In addition to the above examples, various kinds of metals or oxides can be cross-deposited on the mold pattern 20, and various kinds of metals and oxides can be selected. Also, the number of layers to be deposited varies . ≪ / RTI >

이와 같이, 상기 몰드 패턴(20)의 상면에 복수의 층들로 증착된 경우, 상기 임프린트 전사 공정을 통해 상기 복수의 층들이 상기 전사용 접착층(60)으로 전사되면, 상기 타겟 기판(50) 상에 다양한 재질을 포함하는 나노패턴을 고세장비로 형성할 수 있게 된다. When a plurality of layers are deposited on the upper surface of the mold pattern 20 and the plurality of layers are transferred to the transfer adhesive layer 60 through the imprint transfer process, It is possible to form a nano pattern including various materials into high-tech equipment.

도 5a 및 도 5b는 도 4의 고세장비 나노패턴 제조방법으로 형성되는 나노패턴의 예들을 도시한 단면도들이다. 5A and 5B are cross-sectional views illustrating examples of nanopatterns formed by the method of manufacturing a high-tech equipment nanopattern in FIG.

도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 전사용 접착층(60)이 나노임프린트 레진인 경우, 상기 전사용 접착층(60)으로 전사되는 상기 상부 금속층(70)은 다양한 깊이로 돌출 또는 함몰될 수 있다. 3A and 3B, when the transfer adhesive layer 60 is a nanoimprint resin, the upper metal layer 70 transferred to the transfer adhesive layer 60 may protrude or sink into various depths .

즉, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 전사 기판(10)에 인가되는 압력을 상대적으로 낮게 유지하면 도 5a에 도시된 바와 같이 상기 상부 금속층(70)이 상기 전사용 접착층(60)으로 상대적으로 돌출되도록 전사되며, 상기 전사 기판(10)에 인가되는 압력을 상대적으로 높게 유지하면 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 상부 금속층(70)이 상기 전사용 접착층(60)으로 상대적으로 함입되도록 전사될 수 있다. 5A and 5B, when the pressure applied to the transfer substrate 10 is kept relatively low, the upper metal layer 70 is relatively moved to the transfer adhesive layer 60 as shown in FIG. 5A When the pressure applied to the transfer substrate 10 is maintained at a relatively high level, the upper metal layer 70 is transferred so as to be relatively embedded in the transfer adhesive layer 60 as shown in FIG. 5B .

이 경우, 나노임프린트 레진인 상기 전사용 접착층(60)은 상기 상부 금속층(70)과 물리적, 화학적 접합을 통해 접합될 수 있다. In this case, the transfer adhesive layer 60, which is a nanoimprint resin, may be bonded to the upper metal layer 70 through physical and chemical bonding.

이와 같이, 상기 전사용 접착층(60)으로 전사되는 금속층의 돌출 또는 함몰 깊이를 제어함으로써, 다양한 세장비를 갖는 나노패턴을 형성할 수 있다. By controlling the protruding or depressing depth of the metal layer transferred to the transfer adhesive layer 60, a nanopattern having various slenderness ratios can be formed.

상기와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 몰드 패턴의 측벽을 식각함에 따라, 상기 몰드 패턴 중 돌출 패턴에 형성된 금속과 트렌치에 형성된 금속이 상대적으로 두꺼운 두께로 증착되더라도 서로 분리되어 증착되며, 결과적으로 돌출 패턴에 형성된 금속만이 타겟 기판 상으로 전사되어, 타겟 기판 상에 고세장비를 갖는 나노패턴을 형성할 수 있다. According to embodiments of the present invention as described above, as the sidewalls of the mold pattern are etched, the metal formed on the protruding pattern and the metal formed on the trench are separately deposited and deposited as a relatively thick thickness, Only the metal formed on the protruding pattern is transferred onto the target substrate to form a nano pattern having high-quality equipment on the target substrate.

또한, 상기 몰드 패턴의 측벽을 제외하고 에치 마스크를 형성함으로써, 상기 몰드 패턴의 측벽만 식각을 수행하여, 상기 몰드 패턴을 역마름꼴 형상으로 형성할 수 있다. In addition, by etching the sidewall of the mold pattern, the mold pattern can be formed in an inverted shape by forming the etch mask except for the side wall of the mold pattern.

또한, 상기 몰드 패턴의 상면에 상대적으로 두꺼운 두께로 증착이 가능하고 이에 대한 전사가 가능함에 따라, 상기 몰드 패턴의 상면에 다양한 금속 및 산화물 층을 복수의 층으로 적층할 수 있으며, 이를 통해 다양한 고세장비 나노패턴을 형성할 수 있다. In addition, since the metal layer and the oxide layer can be deposited on the upper surface of the mold pattern with a relatively thick thickness and can be transferred to the upper surface of the mold pattern, various metal and oxide layers can be stacked on the upper surface of the mold pattern, The equipment can form a nanopattern.

또한, 전사용 접착층을 자기조립박막 또는 액상의 레지스트 접합증진용 코팅액을 사용함으로써, 전사를 통해 상기 금속층과의 화학적 결합을 유도하여 결합력을 높일 수 있다. In addition, by using a self-assembled thin film or a liquid coating solution for promoting resist junction, the transfer bonding layer can be chemically bonded to the metal layer through transfer, thereby enhancing the bonding force.

이와 달리, 상기 전사용 접착층을 나노임프린트 레진을 사용함으로써, 전사 기판에 인가되는 압력에 따라 금속이 상기 전사용 접착층으로 접합되는 깊이를 다양하게 조절할 수 있어, 다양한 나노패턴을 형성할 수 있다. Alternatively, by using the nanoimprint resin for the transferable adhesive layer, the depth of bonding of the metal to the transferable adhesive layer can be variously adjusted according to the pressure applied to the transfer substrate, and various nano patterns can be formed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

본 발명에 따른 고세장비 나노패턴 제조방법은 나노패턴의 제작에 사용될 수 있는 산업상 이용 가능성을 갖는다. The method for fabricating high-tech equipment nanopattern according to the present invention has industrial applicability that can be used for manufacturing nanopatterns.

10 : 전사기판 20 : 몰드패턴
21 : 돌출패턴 22 : 트렌치
30 : 에치마스크 40 : 금속층
50 : 타겟기판 60 : 전사용 접착층
41, 70 : 상부 금속층 42, 80 : 하부 금속층10: transfer substrate 20: mold pattern
21: protrusion pattern 22: trench
30: etch mask 40: metal layer
50: target substrate 60: transferring adhesive layer
41, 70: upper metal layer 42, 80: lower metal layer

Claims (14)

돌출패턴들 및 상기 돌출패턴들 사이의 트렌치들을 포함하는 몰드 패턴이 형성된 전사 기판 상에, 에치 마스크를 상기 돌출패턴들의 상면 및 상기 트렌치들의 상면에 증착하는 단계;
상기 돌출패턴들의 상면 및 상기 트렌치들의 상면은 식각되지 않고, 상기 에치 마스크가 증착되지 않은 상기 돌출패턴들의 측벽만 식각되는 단계;
상기 돌출패턴들 및 상기 트렌치들의 상면에 금속을 증착하는 단계;
타겟 기판 상에 전사용 접착층을 도포하는 단계; 및
상기 전사 기판을 상기 타겟 기판 상에 가압하여 상기 돌출패턴들의 상면에 증착된 금속을 상기 전사용 접착층으로 전사하는 단계를 포함하고,
상기 돌출패턴들의 측벽만 식각되어 상기 돌출 패턴들 각각이 역마름모꼴 형상으로 형성되고,
상기 전사 기판에 인가되는 압력을 제어하여 상기 전사용 접착층으로 전사되는 상기 금속의 돌출 또는 함몰 깊이를 제어하는 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. Depositing an etch mask on an upper surface of the protruding patterns and an upper surface of the trenches, on a transfer substrate on which a mold pattern including protruding patterns and trenches between the protruding patterns is formed;
The top surface of the protruding patterns and the top surface of the trenches are not etched and only the sidewalls of the protruding patterns where the etch mask is not deposited are etched;
Depositing a metal on the top surfaces of the protruding patterns and the trenches;
Applying a transferable adhesive layer onto a target substrate; And
And pressing the transfer substrate onto the target substrate to transfer the deposited metal on the upper surface of the protruding patterns to the transfer bonding layer,
Only the side walls of the protruding patterns are etched so that each of the protruding patterns is formed in an inverted rhombic shape,
And controlling the pressure applied to the transfer substrate to control the projecting or recessing depth of the metal transferred to the transfer adhesive layer. 제1항에 있어서, 상기 몰드 패턴의 상면에 금속을 증착하기 전에,
상기 몰드 패턴의 상면을 표면 개질하는 단계를 더 포함하는 고세장비 나노패턴 제조방법. The method according to claim 1, wherein before depositing a metal on the upper surface of the mold pattern,
Further comprising the step of modifying the top surface of the mold pattern. 제2항에 있어서, 상기 몰드 패턴의 상면을 표면 개질하는 단계에서,
소수성 자기조립막으로 표면 개질하는 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. The method according to claim 2, wherein in the step of modifying the upper surface of the mold pattern,
Wherein the hydrophobic self-assembled membrane is surface-modified with a hydrophobic self-assembled membrane. 제1항에 있어서, 상기 몰드 패턴에 대하여 측벽 식각을 수행하는 단계에서,
플라즈마 건식 에칭이 수행되는 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. 2. The method of claim 1, wherein in performing the sidewall etching for the mold pattern,
Wherein the plasma dry etching is performed. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 몰드 패턴의 상면에 금속을 증착하는 단계에서,
상기 금속은 상기 돌출 패턴들 및 상기 트렌치들에 서로 분리되어 상부 금속층 및 하부 금속층으로 증착되는 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. The method according to claim 1, wherein in the step of depositing a metal on the upper surface of the mold pattern,
Wherein the metal is deposited on the protruding patterns and the trenches as a top metal layer and a bottom metal layer. 제7항에 있어서, 상기 몰드 패턴의 상면에 금속을 증착하는 단계에서,
금속 및 산화물(oxide)을 서로 다른 복수의 층들로 증착하는 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. The method according to claim 7, wherein, in the step of depositing a metal on the upper surface of the mold pattern,
Wherein the metal and the oxide are deposited in a plurality of different layers. 제7항에 있어서, 상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 전사하는 단계에서,
상기 돌출 패턴들에 증착된 상기 상부 금속층이 상기 전사용 접착층으로 전사되는 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. 8. The method of claim 7, wherein in transferring the metal to the transferable adhesive layer,
Wherein the upper metal layer deposited on the protruding patterns is transferred to the transfer adhesive layer. 제1항에 있어서, 상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 전사하는 단계는,
상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 접합하는 단계; 및
상기 전사 기판을 상기 타겟 기판으로부터 이형하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. The method of claim 1, wherein the step of transferring the metal to the transferable adhesive layer comprises:
Bonding the metal to the transferable adhesive layer; And
Further comprising the step of releasing the transfer substrate from the target substrate. 제10항에 있어서,
상기 전사용 접착층은 UV 경화성 또는 열 경화성이며,
상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 접합하는 단계에서는 UV를 조사하거나 열을 인가하는 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. 11. The method of claim 10,
The transferable adhesive layer is UV curable or heat curable,
Wherein the step of bonding the metal with the transferable adhesive layer comprises irradiating UV light or applying heat. 제10항에 있어서,
상기 전사용 접착층은 자기조립박막 또는 액상의 레지스트 접합증진용 코팅액인 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. 11. The method of claim 10,
Wherein the transfer adhesive layer is a self-assembled thin film or a liquid-phase coating solution for enhancing resist junction. 제10항에 있어서,
상기 전사용 접착층은 나노임프린트 레진인 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법. 11. The method of claim 10,
Wherein the transfer adhesive layer is a nanoimprint resin. 제13항에 있어서, 상기 금속을 상기 전사용 접착층으로 접합하는 단계에서,
상기 전사 기판에 인가하는 압력을 제어하여, 상기 금속이 상기 전사용 접착층으로 접합되는 깊이를 변화시키는 것을 특징으로 하는 고세장비 나노패턴 제조방법.14. The method of claim 13, wherein in the step of bonding the metal to the transferable adhesive layer,
Wherein the pressure applied to the transfer substrate is controlled to change a depth at which the metal is bonded to the transferable adhesive layer.
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