JP5069924B2 - 結合装置を有するコンパクトなパワー半導体モジュール - Google Patents
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Description
5 基板
6 結合装置
7 プリント回路基板
30 ガイド部分
32 エッジ
36 形成部
54 導体路
58a パワー半導体構成要素
58b パワー半導体構成要素
60 第1の導電層
62 絶縁層
64 第2の導電層
66 結合部
68a 第1の曲げ箇所
68b 第2の曲げ箇所
68c 第1の曲げ箇所
68d 第2の曲げ箇所
70 負荷結合部
72 制御結合部
580 パワー接続面
582 制御接続面
584 エポキシ樹脂
600 第1の接触装置
602 第2の接触装置
604 第3の接触装置
606 第4の接触装置
620a 突出部
620b 突出部
Claims (10)
- ハウジング(3)と、導体路(54)及び回路に適切なように該導体路に配置されたパワー半導体構成要素(58a/b)を有する少なくとも1つの基板(5)と、結合装置(6)とを有するパワー半導体モジュール(1)であって、
前記結合装置(6)が、それぞれ構造化されて導体路を形成する第1及び第2の導電層(60,64)と、該第1及び第2の導電層の間に配置された絶縁層(62)とを有するフィルム結合体から構成され、
前記第1の導電層(60)が、パワー半導体構成要素(58a/b)のパワー接続面(580)に対するスポット溶接結合部として形成された第1の接触装置(600)と、パワー半導体構成要素(58a)の制御接続面(582)に対する第2の接触装置(602)と、プリント回路基板(7)への負荷結合部(70)に対する第3の接触装置(604)とを備え、
前記第2の導電層(64)が、前記第1の導電層(60)への結合部(66)と、プリント回路基板(7)への制御結合部(72)に対する第4の接触装置(606)とを備え、
前記フィルム結合体が、前記第1及び第4の接触装置(600、606)の間にフィルム部分を備え、前記第2及び第3の接触装置(602、604)の間にフィルム部分を備え、該フィルム部分は前記ハウジング(3)のガイド部分(30)に配置され、かつ前記第3及び第4の接触装置(604、606)が前記プリント回路基板(7)と平行の平面を有する、パワー半導体モジュール。 - 前記第3の接触装置(604)に対するフィルム部分が、同一の曲げ方向を有する第1の曲げ箇所(68a)及び第2の曲げ箇所(68b)を備え、前記第4の接触装置(606)に対するフィルム部分が、第1の曲げ方向を有する第1の曲げ箇所(68a)と、その後の推移において、反対の第2の曲げ方向を有する第2の曲げ箇所(68b)とを備える、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記第3の接触装置(604)に対するフィルム部分が、第1の曲げ方向を有する曲げ箇所(68c)を備え、かつ前記第4の接触装置(606)に対するフィルム部分が、第2の曲げ方向を有する第2の曲げ箇所(68d)を備える、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記曲げ箇所(68a/b/c/d)が、前記ハウジング(3)のガイド部(30)の付随したエッジ(32)に配置される、請求項2又は3に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記第3の接触装置(604)が、前記第1の導電層(60)の導体路の部分として、かつ前記第4の接触装置(606)が、前記第2の導電層(64)の導体路の部分として形成される、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記第3の接触装置(604)及び前記第4の接触装置(606)が、前記平面の法線の方向に前記ハウジング(3)から突出する、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記第3の接触装置(604)及び前記第4の接触装置(606)が、基板平面に対して平行な平面に配置される、請求項2に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記第3の接触装置(604)及び前記第4の接触装置(606)が、基板平面に対して垂直な平面に配置される、請求項3に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記パワー半導体構成要素(58)を有する前記基板(5)と、前記第1の導電層(60)との間の体積が、絶縁材料によって充填される、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記絶縁材料が、シリコーンジェル又はエポキシ樹脂(584)である、請求項9に記載のパワー半導体モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006013078A DE102006013078B4 (de) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | Kompaktes Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtung |
DE102006013078.2 | 2006-03-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007258711A JP2007258711A (ja) | 2007-10-04 |
JP5069924B2 true JP5069924B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=38258830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007064973A Expired - Fee Related JP5069924B2 (ja) | 2006-03-22 | 2007-03-14 | 結合装置を有するコンパクトなパワー半導体モジュール |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7626256B2 (ja) |
EP (1) | EP1855318A1 (ja) |
JP (1) | JP5069924B2 (ja) |
KR (1) | KR101118871B1 (ja) |
CN (1) | CN101047172B (ja) |
DE (1) | DE102006013078B4 (ja) |
MY (1) | MY143173A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006013078B4 (de) | 2006-03-22 | 2008-01-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Kompaktes Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtung |
DE102006027482B3 (de) | 2006-06-14 | 2007-08-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Gehauste Halbleiterschaltungsanordnung mit Kontakteinrichtung |
DE102008034468B4 (de) * | 2008-07-24 | 2013-03-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
DE102008034467B4 (de) | 2008-07-24 | 2014-04-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und mit einer Verbindungseinrichtung |
DE102009000888B4 (de) * | 2009-02-16 | 2011-03-24 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Halbleiteranordnung |
DE102009017733B4 (de) | 2009-04-11 | 2011-12-08 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung und mit als Kontaktfeder ausgebildeten internen Anschlusselementen |
DE102009024385B4 (de) * | 2009-06-09 | 2011-03-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung |
DE102009046403B4 (de) * | 2009-11-04 | 2015-05-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontakttechnik |
DE102011076324B4 (de) * | 2011-05-24 | 2014-04-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronisches System mit Verbindungseinrichtung erster und zweiter Subsysteme |
US9431311B1 (en) | 2015-02-19 | 2016-08-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor package with elastic coupler and related methods |
DE102019126623B4 (de) * | 2019-10-02 | 2024-03-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Patentabteilung | Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Vergussmasse |
CN110690208A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-14 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 一种功率混合集成电路封装结构 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61121449A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lsiチツプ実装構造及び実装方法 |
US4939570A (en) * | 1988-07-25 | 1990-07-03 | International Business Machines, Corp. | High power, pluggable tape automated bonding package |
US5105536A (en) * | 1989-07-03 | 1992-04-21 | General Electric Company | Method of packaging a semiconductor chip in a low inductance package |
DE4130637A1 (de) * | 1990-10-11 | 1992-04-16 | Abb Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung eines verbindungselements fuer eine verwendung in leistungshalbleitermodulen |
JP3139788B2 (ja) * | 1991-09-04 | 2001-03-05 | 日本板硝子株式会社 | 板ガラスの曲げ成形装置及び曲げ成形方法 |
US5639990A (en) * | 1992-06-05 | 1997-06-17 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Solid printed substrate and electronic circuit package using the same |
JPH07221264A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール及びそれを用いたインバータ装置 |
JP3279842B2 (ja) * | 1994-09-29 | 2002-04-30 | オリジン電気株式会社 | 電力用半導体装置 |
US5684326A (en) * | 1995-02-24 | 1997-11-04 | Telefonaktiebolaget L.M. Ericsson | Emitter ballast bypass for radio frequency power transistors |
DE19617055C1 (de) | 1996-04-29 | 1997-06-26 | Semikron Elektronik Gmbh | Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise |
US6060772A (en) * | 1997-06-30 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips |
DE10121970B4 (de) * | 2001-05-05 | 2004-05-27 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung |
DE10258570B4 (de) * | 2002-12-14 | 2005-11-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
DE10355925B4 (de) * | 2003-11-29 | 2006-07-06 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul und Verfahren seiner Herstellung |
DE102004025609B4 (de) * | 2004-05-25 | 2010-12-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul |
DE102006013078B4 (de) | 2006-03-22 | 2008-01-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Kompaktes Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtung |
-
2006
- 2006-03-22 DE DE102006013078A patent/DE102006013078B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-16 MY MYPI20070243A patent/MY143173A/en unknown
- 2007-03-14 JP JP2007064973A patent/JP5069924B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-14 KR KR1020070025016A patent/KR101118871B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-03-15 EP EP07005339A patent/EP1855318A1/de not_active Withdrawn
- 2007-03-22 CN CN200710088798XA patent/CN101047172B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-22 US US11/726,641 patent/US7626256B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7626256B2 (en) | 2009-12-01 |
KR101118871B1 (ko) | 2012-03-19 |
US20070222060A1 (en) | 2007-09-27 |
CN101047172A (zh) | 2007-10-03 |
CN101047172B (zh) | 2010-05-26 |
EP1855318A1 (de) | 2007-11-14 |
MY143173A (en) | 2011-03-31 |
DE102006013078B4 (de) | 2008-01-03 |
JP2007258711A (ja) | 2007-10-04 |
KR20070095780A (ko) | 2007-10-01 |
DE102006013078A1 (de) | 2007-10-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A602 | Written permission of extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |