JP5066476B2 - 撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第一実施形態である撮像装置に搭載される撮像素子の部分平面模式図である。
図1に示す固体撮像素子5は、半導体基板上の水平方向とこれに直交する垂直方向とに正方格子状に配列されたR光を検出する光電変換素子51R(図中に“R”の文字を付してある)、G光を検出する光電変換素子51G(図中に“G”の文字を付してある)、B光を検出する光電変換素子51B(図中に“B”の文字を付してある)からなる第1の光電変換素子群と、半導体基板上の水平方向とこれに直交する垂直方向とに正方格子状に配列された光の輝度成分を検出する光電変換素子51W(図中に“W”の文字を付してある)からなる第2の光電変換素子群とを備え、これらが、それぞれの光電変換素子配列ピッチの略1/2だけ、水平方向及び垂直方向にずれた位置に配置されている。尚、第1の光電変換素子群の各光電変換素子と第2の光電変換素子群の各光電変換素子の配列ピッチは同じである。
図示するデジタルカメラの撮像系は、撮影レンズ1と、図1に示す固体撮像素子5と、この両者の間に設けられた絞り2と、赤外線カットフィルタ3と、光学ローパスフィルタ4とを備える。
尚、光電変換素子を露光する露光期間は、フレーム期間毎に終了させなくても良い。例えば、隣接するフレーム期間で露光期間を重複させても良い。この場合、露光期間が長くなり、電荷量の増加が期待できる。
図3に示すように、撮像素子駆動部10の駆動によって固体撮像素子5から1フレーム期間毎に出力されてくる撮像信号はメインメモリ16に一旦記憶される。図4には、動画撮影によって固体撮像素子5から出力されてくる撮像信号が、通し番号を付けて図示されている。図4の例では、1回目のフィールドで得られた撮像信号(1)、2回目のフィールドで得られた撮像信号(2)、3回目のフィールドで得られた撮像信号(3)、4回目のフィールドで得られた撮像信号(4)、5回目のフィールドで得られた撮像信号(5)、6回目のフィールドで得られた撮像信号(6)がこの順にメインメモリ16に記憶されていくことを示している。
図6は、本発明の第二実施形態であるデジタルカメラに搭載される撮像素子の部分平面模式図である。
図6に示す固体撮像素子は、図1に示す固体撮像素子5の第2の光電変換素子群を、第1の光電変換素子群と同じ素子配列に変更した構成となっている。図6に示す固体撮像素子を搭載するデジタルカメラの構成は図2と同じであるため、説明を省略する。尚、メインメモリ16に記憶される情報は図4に示した通りとする。
図8は、本発明の第三実施形態であるデジタルカメラに搭載される撮像素子の部分平面模式図である。
図8に示す固体撮像素子は、半導体基板上の垂直方向とこれに直交する水平方向に正方格子状に配列された多数の光電変換素子を含む。
図10は、本発明の第四実施形態であるデジタルカメラに搭載される撮像素子の部分平面模式図である。
図10に示す固体撮像素子5は、図8に示す固体撮像素子の第2の光電変換素子群の各光電変換素子を、第一実施形態で説明した光電変換素子51Wに置換した構成となっている。図10に示す固体撮像素子を搭載するデジタルカメラの構成は図2と同じであるため、説明を省略する。尚、メインメモリ16に記憶される情報は図4に示した通りとする。
図12は、本発明の第五実施形態であるデジタルカメラに搭載される撮像素子の部分平面模式図である。
図12に示す固体撮像素子は、半導体基板上の垂直方向とこれに直交する水平方向に正方格子状に配列された多数の光電変換素子を含む。
本実施形態では、図1に示す固体撮像素子を搭載する第一実施形態で説明したデジタルカメラと、図10に示す固体撮像素子を搭載する第四実施形態で説明したデジタルカメラにおいて、より好ましい形態について説明する。
例えば、第2の光電変換素子群の露光時間を第1の光電変換素子群の露光時間よりも短くすることにより、光電変換素子51R,51G,51Bと光電変換素子51Wそれぞれのダイナミックレンジに最適な露光とすることができる。
光電変換素子51Wは、それ自体で輝度情報を取得できるが、光電変換素子51R,51G,51Bは、それぞれ1つの色情報しか得られない。このため、色当たりの素子ピッチは、光電変換素子51R,51G,51Bの方が光電変換素子51Wよりも広くなる。そこで、第1の光電変換素子群の露光時と第2の光電変換素子群の露光時とにそれぞれ適した光学ローパスフィルタ処理を施して光を固体撮像素子5に入射させることで、サンプリング特性の最適化を図ることが可能となる。
撮像信号のダイナミックレンジは、A/D変換での量子化によっても変化する。このため、撮像信号をA/D変換する前のアナログゲインを制御することで、量子化を最適化することができる。
51R,51G,51B,51W 光電変換素子
10 撮像素子駆動部
17 デジタル信号処理部
19 フィールド合成部
Claims (15)
- 基板上の垂直方向とこれに直交する水平方向に二次元状に配列された多数の光電変換素子を含む撮像素子を有する撮像装置であって、
前記多数の光電変換素子が、第1の光電変換素子からなる第1の光電変換素子群と、第2の光電変換素子からなる第2の光電変換素子群とに分けられ、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とは互いに隣接して配置され、
前記第1の光電変換素子群と前記第2の光電変換素子群は、それぞれ独立に信号を読み出すことが可能であり、
前記第1の光電変換素子群から読み出された第1の信号と前記第2の光電変換素子群から読み出された第2の信号は、それぞれ、それだけで被写体の輝度情報を得ることが可能な信号となっており、
更に、前記第1の信号と前記第2の信号の少なくとも一方は、それだけでR(赤色)、G(緑色)、及びB(青色)の原色のカラー情報を得ることが可能な信号となっており、
動画撮影時、前記第1の光電変換素子群のみから信号を読み出すフィールドと前記第2の光電変換素子群のみから信号を読み出すフィールドとを、1フレーム期間毎に交互に繰り返して前記固体撮像素子を駆動する駆動手段と、
任意のフィールドで前記撮像素子から得られた撮像信号と、前記任意のフィールドの隣接フィールドで前記撮像素子から得られた撮像信号とを組み合わせて、前記光電変換素子の総数と同じ数の信号からなる全画素信号を生成する全画素信号生成手段と、
前記全画素信号に基づいて画像データを生成する画像データ生成手段と、
前記画像データに対し、前記第1の光電変換素子と、それに隣接する前記第2の光電変換素子との間隔に対する応答がゼロとなるフィルタ処理を行うフィルタ処理手段と、を備える撮像装置。 - 請求項1記載の撮像装置であって、
前記全画素信号生成手段が、前記任意のフィールドで前記撮像素子から得られた撮像信号と、前記任意のフィールドの直前のフィールドで前記撮像素子から得られた撮像信号とを組み合わせて前記全画素信号を生成し、
前記画像データ生成手段が、前記全画素信号に基づいて、前記任意のフィールドが実施されたフレーム期間に対応するフレーム分の画像データを生成する撮像装置。 - 請求項1又は2記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子群の各光電変換素子の上方に設けられるフィルタ配列が等方的になっている撮像装置。 - 請求項1又は2記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子群の各光電変換素子の上方に設けられるフィルタ配列及び前記第2の光電変換素子群の各光電変換素子の上方に設けられるフィルタ配列がそれぞれ等方的になっている撮像装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子の配列と前記第2の光電変換素子の配列がそれぞれ同一配列ピッチの正方配列であり、
前記第1の光電変換素子群と前記第2の光電変換素子群とが、それぞれに含まれる光電変換素子配列ピッチの1/2だけ前記垂直方向及び前記水平方向にずれて配置されている撮像装置。 - 請求項5記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子群が、R光を検出するR光電変換素子と、G光を検出するG光電変換素子と、B光を検出するB光電変換素子とで構成され、
前記第2の光電変換素子群が、光の輝度成分を検出するW光電変換素子で構成されている撮像装置。 - 請求項5記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子群と前記第2の光電変換素子群が、それぞれ、R光を検出するR光電変換素子と、G光を検出するG光電変換素子と、B光を検出するB光電変換素子で構成されている撮像装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項記載の撮像装置であって、
前記多数の光電変換素子の配列が正方配列であり、
前記第1の光電変換素子と前記第2の光電変換素子とが互いに市松状に配置されている撮像装置。 - 請求項8記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子群が、R光を検出するR光電変換素子と、G光を検出するG光電変換素子と、B光を検出するB光電変換素子とで構成され、
前記第2の光電変換素子群が、光の輝度成分を検出するW光電変換素子で構成されている撮像装置。 - 請求項8記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子群と前記第2の光電変換素子群が、それぞれ、R光を検出するR光電変換素子と、G光を検出するG光電変換素子と、B光を検出するB光電変換素子とで構成されている撮像装置。 - 請求項1、2、及び3のいずれか1項記載の撮像装置であって、
前記多数の光電変換素子の配列が正方配列であり、
奇数行にある光電変換素子が前記第1の光電変換素子群であり、
偶数行にある光電変換素子が前記第2の光電変換素子群となっている撮像装置。 - 請求項11記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子群と前記第2の光電変換素子群が、それぞれ、R光を検出するR光電変換素子と、G光を検出するG光電変換素子と、B光を検出するB光電変換素子と、光の輝度成分を検出するW光電変換素子とで構成されている撮像装置。 - 請求項6又は9記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子群の露光時と前記第2の光電変換素子群の露光時とで、露光条件を変更する露光制御手段を備える撮像装置。 - 請求項6又は9記載の撮像装置であって、
前記第1の光電変換素子群の露光時と前記第2の光電変換素子群の露光時とで、前記撮像素子に入射させる光の成分を変化させる手段を備える撮像装置。 - 請求項6又は9記載の撮像装置であって、
前記撮像素子から出力される信号を増幅する信号増幅手段と、
前記第1の光電変換素子群から出力される信号と、前記第2の光電変換素子群から出力される信号とで、前記信号増幅手段による信号の増幅率を変更する増幅率制御手段とを備える撮像装置。
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