JP5063539B2 - 半導体装置及びそれを用いたモジュール、電気器具 - Google Patents
半導体装置及びそれを用いたモジュール、電気器具 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5063539B2 JP5063539B2 JP2008234123A JP2008234123A JP5063539B2 JP 5063539 B2 JP5063539 B2 JP 5063539B2 JP 2008234123 A JP2008234123 A JP 2008234123A JP 2008234123 A JP2008234123 A JP 2008234123A JP 5063539 B2 JP5063539 B2 JP 5063539B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- light emitting
- impurity
- light
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 98
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 96
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 162
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 description 52
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 38
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 9
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 2
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicyclohexylthiophene Chemical compound C1CCCCC1C1=CSC=C1C1CCCCC1 LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)-2-thiophen-2-ylthiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=C(C=2SC=CC=2)SC=C1 YEWTUGLUENRXFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CSC=C1 CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009500 colour coating Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
をはじめテレビ、モニターなど、幅広い用途が見込まれ、次世代ディスプレイとして注目されている。
に比例するとされる。この比例定数をc(V)とすれば、L=c(V)I(V)
のような関係が成り立っている。ここで、Vは輝度Lで発光させるのに必要なOLED素子への印加電圧である。
の両方の減少がLの減少に反映される。他方OLED素子の定電流駆動の場合には、c(V)のみの減少がLの減少に反映される。したがってLの減少の大きさを比較すれば、定電圧駆動の場合の方が定電流駆動の場合よりも大きくなる。
本発明の発光装置における電流記憶機能つき画素回路の例を図2に示す。
有機発光層におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)があるが、本発明にはどちらも適用することができる。
また図4(A)は、書込み期間Ta時の画素201における、電流の流れ方を示した図であり、図4(B)は表示期間Td時の画素201における、電流の流れ方を示した図である。画素201内に示す矢印が、電流の流れる向きである。
そして、ソース信号線駆動回路202から画素201に入力されるビデオ信号に基づき、書込み用素子101と駆動用素子102を介して、ソース信号線S1〜Sxと電源線V1〜Vxとの間に電流が流れる。
を用いてもう少し詳しく述べる。書込み用ゲート信号線P1が選択されると、書込み用素子101のゲートが開いて、書込み用素子101がオンになる。すると駆動用素子102は、ゲートと第1ドレインが短絡され、その結果ソースチャネルと第一ドレインチャネルを合わせた部分がダイオードとして動作する。
そうなるように予め、画素へ書込むビデオ信号電流Ivdや対向電極電圧は、適切に設定されておく必要がある。
例外は、ビデオ信号の内容が最暗階調「非点灯」の場合である。この場合には、ビデオ信号は駆動用素子102の要素トランジスタがオフとなるようにすればよいので、電圧値のデータでよい。
すると、駆動用素子102はオフになって、発光素子105に電流が供給されなくなり、その結果、発光素子105は発光しなくなる。
実施の形態1では、本発明の半導体素子マルチドレイントランジスタ、該マルチドレイントランジスタを使用した電流記憶回路、該電流記憶回路を画素に用いた発光装置、の各々につき一例を説明した。もっとも実施の形態1で説明した発光装置は、ビデオ信号がアナログ電流値の場合(以下、アナログ駆動と称する)
であった。しかし、ビデオ信号をデジタルにして用い駆動させること(以下、デジタル駆動と称する)も可能である。
その後ゲート信号線駆動回路の一例について図7を用いて説明する。
を元に、シフトレジスタ402aは順次、ビデオ信号をサンプリングするタイミング信号を生成していく。この各タイミング信号に基づいて、ラッチ(A)302bは、ビデオ信号線からビデオ信号を読込み、記憶する。
を元に、シフトレジスタ402aは順次、ビデオ信号をサンプリングするためのタイミング信号を生成していく。
なお図6(B)では、電流変換回路402dはサンプリング回路402cが有するスイッチ411の1つに接続されている電流変換回路だけを示しているが、各スイッチ411の後段に、図6(B)に示したような電流変換回路402dが接続されている。
本発明の発光装置を駆動するソース信号線駆動回路、書込み用ゲート信号線駆動回路及び初期化用ゲート信号線駆動回路は、本実施例で示す構成に限定されるわけではない。
しかし本発明では一つのマルチドレイントランジスタを用いることで、トランジスタ等の半導体素子が占有する総面積を小さく抑えることができる。その結果、表示装置の画素回路に適用すれば、画素の開口率を下げずに、高精細化あるいは高機能化させることができる。
は、本発明の半導体素子の上面図であり、図10(B)は、図10(A)の破線A−A’における断面図に相当し、図10(C)は、図10(A)の破線B−B’における断面図に相当する。
本実施例では下地膜5002を2層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造として形成しても良い。
ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10〜20[%]程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。W膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は2〜4(代表的には3)であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は20〜50[nm]程度エッチングされることになる。こうして、第1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1の形状の導電層5013、5014(第1の導電層5013a、5014aと第2の導電層5013b、5014b)を形成する。このとき、ゲート絶縁膜5007においては、第1の形状の導電層5013、5014で覆われない領域は20〜50[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
ドーピングの方法はイオンドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×1014[atoms/cm2]とし、加速電圧を60〜100[keV]として行う。n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではリン(P)を用いる。この場合、導電層5013、5014がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第1の不純物領域5017、5018が形成される。第1の不純物領域5017、5018には1×1020〜1×1021[atoms/cm3]の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。(図11(B))
熱アニール法では酸素濃度が1[ppm]以下、好ましくは0.1[ppm]以下の窒素雰囲気中で400〜700[℃]、代表的には500〜600[℃]で行うものであり、本実施例では500[℃]で4時間の熱処理を行う。ただし、第3の形状の導電層5039、5040に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜(シリコンを主成分とする)を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
4201及び画素部4002に含まれる駆動用素子4202を図示した。
フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
[POPT]、ポリ[3−(4−オクチルフェニル)−2,2ビチオフェン][PTOPT]等が挙げられる。
例えば、発光素子としてOLEDを用いた発光装置は、液晶ディスプレイに比べ、明暗のコントラストが強いため視認性に優れる点、また視野角が広い点は、モニター用途に有利である。さらに高速応答性がある点は、動画表示装置に、かなり有利である。薄型軽量という点は、携帯機器向けに有利である。
Claims (9)
- 半導体素子を有し、
前記半導体素子は、島状半導体層と、導電層とを有し、
前記島状半導体層は第1の領域と第2の領域とを有し、
前記第1の領域は、一方向に延在して設けられた領域であり、
前記第2の領域は、前記第1の領域の中央部から前記一方向と垂直な方向に延在して設けられた領域であり、
前記第1の領域は第1の不純物領域と第2の不純物領域とを有し、
前記第2の領域は第3の不純物領域を有し、
前記第1乃至第3の不純物領域は、同一の導電型であり、
前記第3の不純物領域に、発光素子が電気的に接続され、
前記導電層は、前記第1の領域の中央部と、前記第2の領域の一部とに重なるように配置される領域を有し、
前記導電層は、ゲート電極として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子を有し、
前記半導体素子は、導電層と島状半導体層とを有し、
前記島状半導体層は、一方向に延在して設けられた第1の形状と、前記一方向に延在した第1の形状の中央部から前記一方向と垂直な方向に延在して設けられた第2の形状とを有し、
前記島状半導体層は、第1乃至第3の端部と、第1乃至第3の不純物領域とを有し、
前記第1の不純物領域は、前記第1の端部を含む領域に設けられ、
前記第2の不純物領域は、前記第2の端部を含む領域に設けられ、
前記第3の不純物領域は、前記第3の端部を含む領域に設けられ、
前記第1乃至第3の不純物領域は、同一の導電型であり、
前記第3の不純物領域に、発光素子が電気的に接続され、
前記導電層は前記第1の形状の中央部と、前記第2の形状の一部に重なるように配置される領域を有し、
前記導電層は、ゲート電極として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子を有し、
前記半導体素子は、T型の島状半導体層と、導電層とを有し、
T型の前記島状半導体層は、第1乃至第3の端部と、第1乃至第3の不純物領域とを有し、
前記第1の不純物領域は、前記第1の端部を含む領域に設けられ、
前記第2の不純物領域は、前記第2の端部を含む領域に設けられ、
前記第3の不純物領域は、前記第3の端部を含む領域に設けられ、
前記第1乃至第3の不純物領域は、同一の導電型であり、
前記第3の不純物領域に、発光素子が電気的に接続され、
前記導電層は、前記島状半導体層のT型の交点を含む領域に重なるように配置され、
前記導電層は、ゲート電極として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記第1の領域の前記一方向と平行な方向の幅と前記第2の領域の前記一方向と垂直な方向の幅が異なることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、前記一方向に延在する前記第1の領域の幅は前記一方向と垂直な方向に延在する前記第2の領域の幅と異なることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2において、前記第1の形状の前記一方向と平行な方向の幅と前記第2の形状の前記一方向と垂直な方向の幅が異なることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2において、前記一方向に延在する前記第1の形状の幅は前記一方向と垂直な方向に延在する前記第2の形状の幅と異なることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置を有するモジュールであって、
ソース信号線駆動回路、FPC、又はシール材を有することを特徴とするモジュール。 - 請求項8に記載のモジュールを有する電子機器であって、
スピーカー部、操作キー、又はアンテナを有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008234123A JP5063539B2 (ja) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | 半導体装置及びそれを用いたモジュール、電気器具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008234123A JP5063539B2 (ja) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | 半導体装置及びそれを用いたモジュール、電気器具 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001345273A Division JP4202012B2 (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 発光装置及び電流記憶回路 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011248455A Division JP5526108B2 (ja) | 2011-11-14 | 2011-11-14 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009048201A JP2009048201A (ja) | 2009-03-05 |
JP5063539B2 true JP5063539B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=40500402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008234123A Expired - Fee Related JP5063539B2 (ja) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | 半導体装置及びそれを用いたモジュール、電気器具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5063539B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101550837B1 (ko) | 2009-09-18 | 2015-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69029226T2 (de) * | 1989-06-15 | 1997-05-15 | Matsushita Electronics Corp | Halbleiteranordnung |
JPH04118964A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜トランジスタ |
JP2001296553A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Advanced Display Inc | 表示装置および表示装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-09-12 JP JP2008234123A patent/JP5063539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009048201A (ja) | 2009-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4202012B2 (ja) | 発光装置及び電流記憶回路 | |
JP5030993B2 (ja) | 発光装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器 | |
JP4827883B2 (ja) | 半導体装置及び発光装置 | |
JP5005020B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7102161B2 (en) | Switching element, display device using the switching element, and light emitting device | |
JP3813555B2 (ja) | 発光装置及び電子機器 | |
JP3810724B2 (ja) | 発光装置及び電子機器 | |
JP5752295B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4447202B2 (ja) | 発光装置 | |
JP3917494B2 (ja) | 発光装置の駆動方法 | |
JP2006338042A (ja) | 発光装置、発光装置の駆動方法 | |
JP5063539B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いたモジュール、電気器具 | |
JP4163225B2 (ja) | 半導体装置及び発光装置 | |
JP4451477B2 (ja) | 半導体装置の駆動方法 | |
JP5659270B2 (ja) | 表示装置 | |
JP3583413B2 (ja) | スイッチ素子、それを用いた表示装置及び半導体装置 | |
JP5526108B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4159844B2 (ja) | 発光装置並びに発光素子を用いた表示部を備えた情報端末、携帯電話、デジタルスチルカメラ及びビデオカメラ | |
JP4039930B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4164048B2 (ja) | スイッチ素子、それを用いた表示装置及び半導体装置 | |
JP4043494B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2004128374A6 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5063539 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |