JP5060249B2 - Inspection adhesive sheet - Google Patents

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Abstract

Disclosed is an adhesive sheet wherein an adhesive layer is formed on a base film. This adhesive sheet is characterized in that the base film is composed of conductive fibers and a path for electrical conduction is formed between the adhesive layer and the base film. Consequently, an inspection for electrical conduction can be performed even when the adhesive sheet is bonded to a semiconductor wafer or a semiconductor chip obtained by dicing a semiconductor wafer. In addition, this adhesive sheet makes it possible to prevent deformation (warping) or breakage of a semiconductor wafer or generation of cracks or scratches on the back surface of the semiconductor wafer during the inspection.

Description

本発明は、検査用粘着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。本発明の検査用粘着シートは、半導体ウェハ又は半導体チップを貼り合わせた状態で導通検査をするための粘着シートであり、ダイシング工程及びピックアップ工程を一貫して行うことが可能なものとして特に有用である。   The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet for inspection and a method for manufacturing a semiconductor device using the same. The pressure-sensitive adhesive sheet for inspection of the present invention is a pressure-sensitive adhesive sheet for conducting a continuity test in a state in which a semiconductor wafer or a semiconductor chip is bonded, and is particularly useful as a material capable of consistently performing a dicing process and a pickup process. is there.

従来、シリコン、ガリウム、砒素などを材料とする半導体ウェハは、大径の状態で製造された後、検査工程により半導体ウェハの導通検査が行われる。その後、半導体ウェハはダイシング用粘着シートに貼付され、ダイシング工程、洗浄工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウント工程の各工程が施される。前記ダイシング用粘着シートとしては、例えば、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤等からなる粘着剤層が塗布、形成されたものが挙げられる（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, or the like is manufactured in a large diameter state, and then the semiconductor wafer is inspected for continuity by an inspection process. Thereafter, the semiconductor wafer is affixed to a pressure-sensitive adhesive sheet for dicing, and each process of a dicing process, a cleaning process, an expanding process, a pick-up process, and a mounting process is performed. Examples of the dicing pressure-sensitive adhesive sheet include those obtained by applying and forming a pressure-sensitive adhesive layer made of an acrylic pressure-sensitive adhesive or the like on a base material made of a plastic film (for example, see Patent Document 1).

しかしながら、近年、ＩＣカードなどの普及に伴って半導体ウェハの薄型化が進んでおり、その為、検査工程やダイシング用粘着シートへの貼り合せ工程において半導体ウェハが変形（反り）したり破損する問題がある。その結果、これらの工程において安定してハンドリングすることが難しくなっている。また、薄型の半導体ウェハを導通検査用のステージに載置する場合、ステージ上の異物やパーティクルなどにより半導体ウェハ裏面にキズやスクラッチが発生したり、半導体ウェハが破損（クラック）するなどの問題もある。   However, in recent years, the thinning of semiconductor wafers has progressed with the spread of IC cards and the like, and therefore, the problem that the semiconductor wafer is deformed (warped) or damaged in the inspection process or the bonding process to the adhesive sheet for dicing. There is. As a result, it is difficult to handle stably in these steps. In addition, when a thin semiconductor wafer is placed on a stage for continuity inspection, there are problems such as scratches and scratches on the back of the semiconductor wafer due to foreign matters and particles on the stage, and damage (cracking) of the semiconductor wafer. is there.

特公平４−７０９３７号Japanese Patent Publication No. 4-70937

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体ウェハ、又は半導体ウェハのダイシングにより形成された半導体チップを貼り合わせた状態でも電気的な導通検査を行うことができ、その検査における半導体ウェハの変形（反り）や破損、裏面のキズやスクラッチの発生を防止することが可能な検査用粘着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to perform an electrical continuity test even in a state where semiconductor chips or semiconductor chips formed by dicing a semiconductor wafer are bonded together. An object of the present invention is to provide an inspection pressure-sensitive adhesive sheet capable of preventing the deformation (warpage) or breakage of a semiconductor wafer in inspection, the generation of scratches or scratches on the back surface, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、検査用粘着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法について検討した。その結果、導電性を有する基材フィルム及び粘着剤層を備えた検査用粘着シートを用いることにより、当該粘着シートに固定された状態で半導体ウェハ又は半導体チップの導通検査を行うことが可能になることを見出し、本発明を完成するに至った。   The inventors of the present application have examined a pressure-sensitive adhesive sheet for inspection and a method for manufacturing a semiconductor device using the same in order to solve the conventional problems. As a result, by using an inspection adhesive sheet provided with a conductive base film and an adhesive layer, it becomes possible to conduct a continuity inspection of a semiconductor wafer or a semiconductor chip while being fixed to the adhesive sheet. As a result, the present invention has been completed.

すなわち、本発明に係る検査用粘着シートは、前記の課題を解決する為に、支持体上に、基材フィルム及び粘着剤層が順次積層された検査用粘着シートであって、前記支持体の２３℃における引張弾性率は５００ＭＰａ以下であり、前記基材フィルムは導電性繊維からなり、前記粘着剤層と基材フィルムとの間には電気的な導通経路が設けられていることを特徴とする。   That is, the pressure-sensitive adhesive sheet for inspection according to the present invention is a pressure-sensitive adhesive sheet for inspection in which a base film and a pressure-sensitive adhesive layer are sequentially laminated on a support in order to solve the above-described problems. The tensile elastic modulus at 23 ° C. is 500 MPa or less, the base film is made of conductive fiber, and an electrical conduction path is provided between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film. To do.

前記構成の検査用粘着シートであると、粘着剤層と基材フィルムとの間で電気的な導通経路が設けられているので、半導体ウェハ、又はダイシングにより形成された半導体チップを固定（一時的な仮固定を含む。）した状態で、導通性に関する検査を実施することが可能になる。すなわち、従来の検査用粘着シートであると、当該粘着シートを貼り合わせた状態で半導体ウェハの導通検査を行うことは想定されていないため、導通経路が確保されていない。その為、半導体ウェハの導通検査を行うことは困難であった。しかし、本発明の検査用粘着シートでは、粘着剤層と基材フィルムの間に導通経路が確保されているため、半導体ウェハを貼り合わせた状態での導通検査が可能となる。また、本発明の検査用粘着シートは、粘着剤層が半導体ウェハを固定することができるので、ダイシング用粘着シートとしても機能する。また、ダイシングの際は半導体ウェハだけでなく粘着剤層をも切断分離することがあるが、そのような場合にも、本発明の検査用粘着シートは粘着剤層と基材フィルムとの間に電気的な導通経路が確保されているため、ダイシング後の半導体チップに対し導通検査が可能となる。   In the inspection pressure-sensitive adhesive sheet having the above-described configuration, since an electrical conduction path is provided between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film, a semiconductor wafer or a semiconductor chip formed by dicing is fixed (temporarily). In this state, it is possible to carry out a test concerning conductivity. That is, in the case of the conventional pressure-sensitive adhesive sheet for inspection, it is not assumed that the semiconductor wafer is subjected to a continuity test in a state in which the pressure-sensitive adhesive sheet is bonded, and therefore a conduction path is not secured. For this reason, it has been difficult to conduct a continuity test on a semiconductor wafer. However, in the pressure-sensitive adhesive sheet for inspection according to the present invention, since a conduction path is ensured between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film, it is possible to conduct a conduction test in a state where the semiconductor wafer is bonded. Moreover, since the adhesive layer can fix a semiconductor wafer, the adhesive sheet for a test | inspection of this invention functions also as an adhesive sheet for dicing. Further, when dicing, not only the semiconductor wafer but also the adhesive layer may be cut and separated. In such a case, the inspection adhesive sheet of the present invention is interposed between the adhesive layer and the base film. Since an electrical conduction path is secured, a conduction test can be performed on the semiconductor chip after dicing.

また、支持体の引張弾性率（２３℃）は５００ＭＰａ以下であり、導電性繊維からなる基材フィルムと比較して柔軟性に優れる。その結果、エキスパンドや、半導体チップのピックアップの際のニードルによる突き上げに対しても優れた伸長性を示す。これにより、本発明の検査用粘着シートはエキスパンド工程やピックアップ工程においても使用可能であり、良好なエキスパンド性及びピックアップ性を示す。   Moreover, the tensile elasticity modulus (23 degreeC) of a support body is 500 Mpa or less, and is excellent in a softness | flexibility compared with the base film which consists of conductive fibers. As a result, it exhibits excellent extensibility with respect to expanding and pushing up with a needle when picking up a semiconductor chip. Thereby, the adhesive sheet for a test | inspection of this invention can be used also in an expansion process or a pick-up process, and shows favorable expandability and pick-up property.

前記粘着剤層中には導電性粒子が含まれていることが好ましい。前記構成であると、粘着剤層中には導電性粒子が含まれていることから、面内の任意の方向や厚さ方向等に対し導電性を示すことができる。また、基材フィルムも導電性繊維からなるため、面内の任意の方向及び厚さ方向等に導電性を示す。これにより、粘着剤層と基材フィルムとの間で電気的な導通経路の形成が可能になる。   The pressure-sensitive adhesive layer preferably contains conductive particles. Since the conductive layer is contained in the pressure-sensitive adhesive layer with the above-described configuration, it is possible to exhibit conductivity in an in-plane arbitrary direction, a thickness direction, and the like. In addition, since the base film is also made of conductive fibers, it exhibits conductivity in an in-plane arbitrary direction and thickness direction. Thereby, formation of an electrical conduction path is possible between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film.

前記粘着剤層の表面から前記導電性繊維の一部が露出していることを特徴とすることが好ましい。前記構成であると、基材フィルムを構成する導電性繊維の一部が粘着剤層表面から露出していることから、非導電性の粘着剤層により電流の導通が阻害されない。その結果、粘着剤層表面と基材フィルムとの間で電気的な導通経路の確保が可能になる。   It is preferable that a part of the conductive fiber is exposed from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. Since the conductive fiber which comprises a base film is exposed from the adhesive layer surface as it is the said structure, conduction | electrical_connection of an electric current is not inhibited by a nonelectroconductive adhesive layer. As a result, it is possible to ensure an electrical conduction path between the pressure-sensitive adhesive layer surface and the base film.

前記構成においては、前記支持体と基材フィルムとの間に他の粘着剤層が設けられていてもよい   In the above configuration, another pressure-sensitive adhesive layer may be provided between the support and the base film.

また、前記構成においては、前記支持体が基材上に他の粘着剤層が設けられた構成であってもよい。   Moreover, in the said structure, the structure by which the said support body provided the other adhesive layer on the base material may be sufficient.

更に、前記構成においては、前記支持体の最大伸度が１００％以上であることが好ましい。   Furthermore, in the said structure, it is preferable that the maximum elongation of the said support body is 100% or more.

本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記の課題を解決する為に、前記に記載の検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハを貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハが固定された状態で、導通可能な検査ステージ上に前記検査用粘着シートを載置し、前記半導体ウェハにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体ウェハの導通検査をする工程と、前記半導体ウェハを回路形成面側からダイシングし、少なくとも前記基材フィルムの一部を残した状態で半導体チップを形成する工程と、前記半導体チップを前記検査用粘着シートからピックアップする工程とを有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention has a surface opposite to the circuit forming surface as a bonding surface on the pressure-sensitive adhesive layer in the inspection pressure-sensitive adhesive sheet described above. Bonding the semiconductor wafer and placing the inspection adhesive sheet on a conductive inspection stage in a state where the semiconductor wafer is fixed, and abutting one connection terminal on the circuit forming surface of the semiconductor wafer And a step of inspecting the continuity of the semiconductor wafer by bringing the other connection terminal into contact with the pressure-sensitive adhesive layer to achieve electrical connection, and dicing the semiconductor wafer from the circuit forming surface side, and at least the base material A step of forming a semiconductor chip in a state where a part of the film is left, and a step of picking up the semiconductor chip from the pressure-sensitive adhesive sheet for inspection. To.

前記の検査用粘着シートにおいては、粘着剤層と基材フィルムとの間で電気的な導通経路が形成されていることから、半導体ウェハに検査用粘着シートを貼り付けた状態でも導通検査が可能になる。従来の検査工程では、半導体ウェハを直接検査ステージ上に載置して行っていたため、ステージ上に存在する異物やパーティクルなどにより半導体ウェハの裏面にキズやスクラッチが生じたり、半導体ウェハの破損（クラック）が生じていた。しかし、前記の方法であると、検査用粘着シートに半導体ウェハが固定（一時的な仮固定を含む。）された状態で検査ステージ上に載置されるため、当該検査用粘着シートが保護シートとしての機能も果たすことが可能になる。その結果、半導体ウェハの裏面にキズやスクラッチ、破損が発生するのを防止することができる。   In the above-mentioned pressure-sensitive adhesive sheet for inspection, an electrical conduction path is formed between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film, so that continuity inspection is possible even when the pressure-sensitive adhesive sheet for inspection is attached to a semiconductor wafer. become. In the conventional inspection process, the semiconductor wafer is directly placed on the inspection stage, so that foreign matter or particles existing on the stage may cause scratches or scratches on the back surface of the semiconductor wafer, or damage (cracking) of the semiconductor wafer. ) Has occurred. However, in the above-described method, the semiconductor wafer is placed on the inspection stage in a state where the semiconductor wafer is fixed (including temporary temporary fixing) to the inspection pressure-sensitive adhesive sheet. It is also possible to fulfill the function as As a result, it is possible to prevent the back surface of the semiconductor wafer from being scratched, scratched or damaged.

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記の課題を解決する為に、前記に記載の検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハを貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハを回路形成面側からダイシングし、少なくとも前記基材フィルムの一部を残した状態で半導体チップを形成する工程と、ダイシング直後の半導体チップがそれぞれ固定された状態で、導通可能な検査ステージ上に前記検査用粘着シートを載置し、前記半導体チップにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体チップの導通検査をする工程と、前記半導体チップを前記検査用粘着シートからピックアップする工程とを有することを特徴とする。   Moreover, in order to solve the above-described problem, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention bonds a surface opposite to the circuit forming surface on the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive sheet for inspection described above. A step of bonding a semiconductor wafer as a surface, a step of dicing the semiconductor wafer from the circuit forming surface side, forming a semiconductor chip with at least a portion of the base film left, and a semiconductor chip immediately after dicing, In a fixed state, the inspection adhesive sheet is placed on a conductive inspection stage, and one connection terminal is brought into contact with a circuit forming surface of the semiconductor chip, and the other connection terminal is disposed on the adhesive layer. A process of conducting a continuity test of the semiconductor chip by contacting and electrically connecting, and picking up the semiconductor chip from the test adhesive sheet Characterized by a step.

前記の検査用粘着シートにおいては、粘着剤層と基材フィルムとの間で電気的な導通経路が形成されていることから、ダイシング直後の半導体チップに対し、その回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、各々の半導体チップの導通検査が可能になる。その結果、ダイシング前の半導体ウェハに対する検査工程が不要となり、半導体ウェハの変形（反り）や破損の問題を回避することができる。   In the pressure-sensitive adhesive sheet for inspection, since an electrical conduction path is formed between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film, one connection terminal is provided on the circuit forming surface of the semiconductor chip immediately after dicing. In addition, the semiconductor chip can be inspected for continuity by bringing the other connecting terminal into contact with the pressure-sensitive adhesive layer for electrical connection. As a result, the inspection process for the semiconductor wafer before dicing is not required, and the problem of deformation (warping) or breakage of the semiconductor wafer can be avoided.

また、従来の検査工程では、半導体ウェハを直接検査ステージ上に載置して行っていたため、ステージ上に存在する異物やパーティクルなどにより半導体ウェハの裏面にキズやスクラッチが生じたり、半導体ウェハの破損（クラック）が生じていた。しかし、前記の方法であると、検査用粘着シートに各半導体チップが固定（一時的な仮固定を含む。）された状態で検査ステージ上に載置されるため、当該検査用粘着シートが保護シートとしての機能も果たすことが可能になる。その結果、裏面にキズやスクラッチのない半導体チップを製造することができる。   In addition, in the conventional inspection process, the semiconductor wafer is placed directly on the inspection stage, so that foreign matter or particles existing on the stage may cause scratches or scratches on the back surface of the semiconductor wafer, or damage to the semiconductor wafer. (Crack) has occurred. However, according to the above method, each semiconductor chip is mounted on the inspection stage in a state of being fixed (including temporary temporary fixing) to the inspection pressure-sensitive adhesive sheet, so that the inspection pressure-sensitive adhesive sheet is protected. It can also serve as a sheet. As a result, a semiconductor chip without scratches or scratches on the back surface can be manufactured.

本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明の検査用粘着シートは粘着剤層と基材フィルムとの間に導通経路が設けられた構成であるので、半導体ウェハ又は半導体チップを検査用粘着シートに固定した状態で、導通検査を行うことができる。その結果、従来、導通検査で生じていた半導体ウェハの変形（反り）や破損の問題を回避することができ、また裏面にキズやスクラッチのない半導体ウェハ又は半導体チップをスループットを向上させて製造することができる。 The present invention has the following effects by the means described above.
That is, since the pressure-sensitive adhesive sheet for inspection of the present invention has a structure in which a conduction path is provided between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film, the continuity test is performed with the semiconductor wafer or the semiconductor chip fixed to the pressure-sensitive adhesive sheet for inspection. It can be performed. As a result, it is possible to avoid the problem of deformation (warping) or damage of the semiconductor wafer that has conventionally occurred in the continuity test, and to manufacture a semiconductor wafer or semiconductor chip having no scratches or scratches on the back surface with improved throughput. be able to.

また、本発明の検査用粘着シートは２３℃における引張弾性率が５００ＭＰａ以下であり、柔軟性に優れているので、良好なエキスパンド性及びピックアップ性を発揮する。その結果、当該検査用粘着シートに半導体チップを貼り合わせた状態でエキスパンド工程及びピックアップ工程を行うことできる。   Moreover, since the tensile elasticity modulus in 23 degreeC is 500 Mpa or less and the adhesive sheet for a test | inspection of this invention is excellent in a softness | flexibility, it exhibits favorable expandability and pick-up property. As a result, the expanding process and the picking-up process can be performed in a state where the semiconductor chip is bonded to the pressure-sensitive adhesive sheet for inspection.

本発明の実施の形態について、図１を参照しながら以下に説明する。図１は、本実施の形態に係る検査用粘着シート（以下、「粘着シート」という。）を概略的に示す断面模式図である。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view schematically showing an inspection pressure-sensitive adhesive sheet (hereinafter referred to as “pressure-sensitive adhesive sheet”) according to the present embodiment. However, parts that are not necessary for the description are omitted, and some parts are illustrated by being enlarged or reduced for easy explanation.

図１に示すように、本発明に係る粘着シート１０は、支持体１上に、基材フィルム２及びに粘着剤層３が順次積層された構成である。   As shown in FIG. 1, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the present invention has a configuration in which a base film 2 and a pressure-sensitive adhesive layer 3 are sequentially laminated on a support 1.

前記支持体１は、例えば、プラスチックフィルム（基材）単独のものや、当該プラスチックフィルム上に他の粘着剤層が設けられた構造を有する。支持体１がプラスチックフィルム単独からなる場合は、他の粘着剤層が基材フィルム２との貼り合わせのために設けられるのが好ましい。   The support 1 has, for example, a plastic film (base material) alone or a structure in which another pressure-sensitive adhesive layer is provided on the plastic film. When the support 1 is made of a plastic film alone, it is preferable that another pressure-sensitive adhesive layer is provided for bonding to the base film 2.

本発明で支持体１を採用したのは、導電性繊維からなる基材フィルム２のみであると、粘着シート１０全体としての柔軟性が低下し、エキスパンド工程やピックアップ工程において必要な変形を生じず、ピックアップ性が低下するからである。この様な観点から、本発明の支持体１としては、２３℃における引張弾性率として５００ＭＰａ以下、好ましくは４００ＭＰａ以下、さらに好ましくは３５０ＭＰａ以下のものを採用する。また、最大点伸度（伸び）は１００％以上、好ましくは２００％以上、さらに好ましくは２５０％以上のものが望ましい。引張弾性率が５００ＭＰａ以下、最大点伸度が１００％以上であると、支持体１は十分に柔軟性を有し、エキスパンドの際に十分な伸長性を示すことができる。更に、ピックアップの際に、ニードルにより突上げがなされても、その局所的な変形を可能にする。その結果、検査用粘着シート自体に優れたエキスパンド性及びピックアップ性を付与することができる。尚、前記引張弾性率の下限値は、支持体の弾性率が小さすぎると粘着剤層を介して基材フィルムと貼り合せする際に気泡やしわが入るなど剛性不足により作業安定性が低下するという問題が発生することから１０ＭＰａ以上であることが好ましい。また、前記最大点伸度は大きすぎると、エキスパンド工程により支持体が伸びきってしまい逆にピックアップ性が低下するという問題が発生することから２０００％以下であることが好ましい。   When only the base film 2 made of conductive fibers adopts the support 1 in the present invention, the flexibility of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 as a whole is lowered, and the necessary deformation is not caused in the expanding process or the picking-up process. This is because the pickup property is lowered. From such a viewpoint, the support 1 of the present invention employs a tensile elastic modulus at 23 ° C. of 500 MPa or less, preferably 400 MPa or less, and more preferably 350 MPa or less. The maximum point elongation (elongation) is 100% or more, preferably 200% or more, more preferably 250% or more. When the tensile elastic modulus is 500 MPa or less and the maximum point elongation is 100% or more, the support 1 has sufficient flexibility, and can exhibit sufficient extensibility upon expansion. Further, even if the needle is pushed up at the time of pick-up, the local deformation thereof is possible. As a result, it is possible to impart excellent expandability and pick-up properties to the inspection pressure-sensitive adhesive sheet itself. The lower limit value of the tensile modulus of elasticity is that if the elastic modulus of the support is too small, work stability is lowered due to insufficient rigidity such as bubbles and wrinkles when bonded to the base film through the adhesive layer. Therefore, the pressure is preferably 10 MPa or more. Further, if the maximum point elongation is too large, the support is stretched by the expanding step, and conversely the pick-up property is lowered. Therefore, the maximum point elongation is preferably 2000% or less.

前記プラスチックフィルムとしては特に限定されず、その代表的な材料として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−へキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルケトン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂およびこれらの架橋体等のポリマーがあげられる。尚、前記例示した材料は、必要に応じて官能基、機能性モノマーや改質性モノマーをグラフトして用いてもよい。   The plastic film is not particularly limited, and typical materials thereof include, for example, low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, and block copolymer polypropylene. , Polyolefins such as homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymerization Polymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, polyurethane, polyethylene terephthalate, etc. polyester, polyimide, polyetherketone, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, fluororesin Silicone resins, cellulose resins and polymers such as those crosslinked body and the like. Note that the materials exemplified above may be used by grafting a functional group, a functional monomer or a modifying monomer as necessary.

なお、前記プラスチックフィルムは、単層フィルム又は多層フィルムのいずれであってもよく、前記２種以上の樹脂をドライブレンドしたブレンドフィルムであってもよい。多層フィルムは、前記樹脂などを用いて、共押出し法、ドライラミネート法等の慣用のフィルム積層法により製造できる。また、プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施してもよい。このようにして製造されたプラスチックフィルム表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理等の慣用の物理的または化学的処理を施すことができる。   The plastic film may be either a single layer film or a multilayer film, and may be a blend film obtained by dry blending the two or more kinds of resins. A multilayer film can be produced by a conventional film laminating method such as a co-extrusion method or a dry laminating method using the resin or the like. The plastic film may be used without stretching, and may be subjected to uniaxial or biaxial stretching treatment as necessary. The plastic film surface thus produced can be subjected to conventional physical or chemical treatments such as mat treatment, corona discharge treatment, primer treatment, and crosslinking treatment as necessary.

支持体１の厚み（前記プラスチックフィルムが多層フィルムの場合は総厚）は、通常１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ程度である。   The thickness of the support 1 (the total thickness when the plastic film is a multilayer film) is usually about 10 to 300 μm, preferably about 30 to 200 μm.

前記他の粘着剤層としては特に限定されず、公知乃至慣用の粘着剤からなるものを使用できる。具体的には、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の各種の粘着剤が用いられる。他の粘着剤層の厚みとしては、１〜５０μｍが好ましく、５〜２０μｍがより好ましい。   It does not specifically limit as said other adhesive layer, What consists of well-known thru | or a usual adhesive can be used. Specifically, various adhesives such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, and polyvinyl ether-based are used. As thickness of another adhesive layer, 1-50 micrometers is preferable and 5-20 micrometers is more preferable.

前記基材フィルム２は導電性繊維が公知の編み形状で形成された支持基材である。導電性繊維で編み込まれているため、厚み方向や面内の任意の方向に導通経路が形成され得る。従って、ダイシングにより基材フィルム２の一部が切断されても、種々の迂回した導通経路が形成されるため、導電性は常に確保されている。   The base film 2 is a supporting base material in which conductive fibers are formed in a known knitted shape. Since the conductive fiber is knitted, a conduction path can be formed in the thickness direction or in any direction in the plane. Therefore, even if a part of the base film 2 is cut by dicing, various bypass conduction paths are formed, so that conductivity is always ensured.

導電性繊維の編み形状は特に限定されず、公知の編み形状が用いられる。例えば、メッシュタイプ、織布タイプ、不織布タイプなどが使用できる。これらのうち、基材フィルム２の開口度の観点よりメッシュタイプが好適である。ここで、開口度（％）とは繊維基材のオープニングエリアのことであり、下記式にて算出できる。   The knitted shape of the conductive fiber is not particularly limited, and a known knitted shape is used. For example, a mesh type, a woven fabric type, a non-woven fabric type, or the like can be used. Among these, the mesh type is preferable from the viewpoint of the opening degree of the base film 2. Here, the degree of opening (%) is the opening area of the fiber base material and can be calculated by the following formula.

Figure 0005060249
Figure 0005060249

前記開口度は１０〜９０％の範囲内であることが好ましく、２０〜７０％の範囲内であることがより好ましい。開口度が１０％未満であると、粘着剤層３が後述の放射線硬化型である場合、基材フィルム２側から照射する放射線の透過性が低下し過ぎる。その結果、粘着剤の硬化が不十分となる場合がある。その一方、開口度が９０％を超えると、基材フィルム２に対する粘着剤層３の投錨性が低下し、半導体チップに粘着剤残りが生じやすい。尚、図２に基材フィルム２に於ける間隙面積割合と光透過率との関係を示す。間隙面積割合とは基材フィルム２の表面積に対する開口部分の占める割合を意味しており、光透過率とほぼ比例関係にあることが示されている。   The opening degree is preferably in the range of 10 to 90%, and more preferably in the range of 20 to 70%. When the degree of opening is less than 10%, when the pressure-sensitive adhesive layer 3 is a radiation curable type, which will be described later, the transmittance of the radiation irradiated from the base film 2 side is too low. As a result, the curing of the pressure-sensitive adhesive may be insufficient. On the other hand, when the opening degree exceeds 90%, the anchoring property of the pressure-sensitive adhesive layer 3 with respect to the base film 2 is lowered, and a pressure-sensitive adhesive residue is likely to be generated on the semiconductor chip. FIG. 2 shows the relationship between the gap area ratio and the light transmittance in the base film 2. The gap area ratio means the ratio of the opening portion to the surface area of the base film 2 and is shown to be approximately proportional to the light transmittance.

導電性繊維としては、ポリエステル、ナイロン又はアクリルなどのプラスチック繊維の表面に、銅、ニッケル、アルミ、金若しくは銀などの金属、又はカーボンなどの導電層が形成されたものが挙げられる。また、銅やニッケル、アルミなどの金属で形成された金属繊維なども用いることができる。これらのうち導電性繊維のうち、軽量性、柔軟性、加工性（カット、打ち抜き）、ダイシング工程時のブレードの磨耗性などを考慮すると、プラスチック繊維に導電層が形成された導電性繊維が好適である。   Examples of the conductive fiber include those in which a conductive layer such as carbon, metal such as copper, nickel, aluminum, gold or silver, or carbon is formed on the surface of a plastic fiber such as polyester, nylon or acrylic. In addition, metal fibers formed of metal such as copper, nickel, and aluminum can also be used. Of these conductive fibers, conductive fibers having a conductive layer formed on a plastic fiber are preferred in consideration of lightness, flexibility, workability (cutting, punching), and blade abrasion during the dicing process. It is.

基材フィルム２の厚さは特に限定されず、通常１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ、特に好ましくは５０〜１５０μｍである。尚、基材フィルム２は所定の編み形状に導電性繊維が編み込まれた単層からなる基材である。その為、基材フィルム２の厚さは、導電性繊維の直径を種々変更することにより調節することが可能である。   The thickness of the base film 2 is not particularly limited, and is usually 10 to 300 μm, preferably 30 to 200 μm, and particularly preferably 50 to 150 μm. The base film 2 is a base made of a single layer in which conductive fibers are knitted into a predetermined knitted shape. Therefore, the thickness of the base film 2 can be adjusted by variously changing the diameter of the conductive fiber.

基材フィルム２の導電性については導通検査が可能な範囲であれば特に限定されない。導通検査可能な範囲とは、具体的には、表面抵抗率が１Ω／□以下、好ましくは５×１０−１Ω／□以下、特に好ましくは１×１０−１Ω／□以下である。表面抵抗率が１Ω／□を超えると、面内での任意の方向における導電性が低下し、導通検査が困難になる場合がある。尚、下限値については、実用上の観点から１×１０−４Ω／□以上であることが好ましい。また、体積抵抗率が１×１０−１Ω・ｃｍ以下、好ましくは１×１０−２Ω・ｃｍ以下、特に好ましくは１×１０−３Ω・ｃｍ以下である。体積抵抗率が１×１０−１Ω・ｃｍを超えると、基材フィルム内の繊維同士の接触抵抗が大きくなり、導通が不安定となるため導通検査が困難となる場合がある。尚、下限値については、実用上の観点から１×１０−７Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。導電性評価は、三菱化学製Ｌｏｒｅｓｔｅｒ ＭＰ ＭＣＰ−Ｔ３５０を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準じて行い、基材フィルム２表面を測定することにより得られる。このとき、抵抗率補正係数ＲＣＦは４．５３２として、表面抵抗率及び体積抵抗率の算出を行う。なお、体制抵抗率の算出に関しては、基材フィルムの厚みを用いて算出した。 About the electroconductivity of the base film 2, if it is a range in which a continuity test is possible, it will not specifically limit. Specifically, the range in which the continuity test is possible is a surface resistivity of 1 Ω / □ or less, preferably 5 × 10 −1 Ω / □ or less, particularly preferably 1 × 10 −1 Ω / □ or less. If the surface resistivity exceeds 1 Ω / □, the conductivity in an arbitrary direction in the surface is lowered, and the continuity test may be difficult. The lower limit is preferably 1 × 10 −4 Ω / □ or more from a practical viewpoint. The volume resistivity is 1 × 10 −1 Ω · cm or less, preferably 1 × 10 −2 Ω · cm or less, and particularly preferably 1 × 10 −3 Ω · cm or less. When the volume resistivity exceeds 1 × 10 −1 Ω · cm, the contact resistance between the fibers in the base film becomes large, and conduction may become unstable, which may make conduction inspection difficult. The lower limit is preferably 1 × 10 −7 Ω · cm or more from a practical viewpoint. Conductivity evaluation is performed according to JIS K7194 using Mitsubishi Chemical's Lorester MP MCP-T350, and is obtained by measuring the surface of the base film 2. At this time, the resistivity correction coefficient RCF is 4.532, and the surface resistivity and volume resistivity are calculated. In addition, regarding the calculation of the system resistivity, it calculated using the thickness of a base film.

前記粘着剤層３としては、例えば図１（ａ）に示すように、導電性粒子が含有されていることにより少なくとも厚さ方向に対し電気的な導通が確保されているものが挙げられる。粘着剤層３の導電性は、導電性粒子が相互に接触した状態で分散した構造となっていることにより得られている。   Examples of the pressure-sensitive adhesive layer 3 include those in which electrical conduction is ensured at least in the thickness direction by containing conductive particles, as shown in FIG. The conductivity of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is obtained by having a structure in which conductive particles are dispersed in contact with each other.

前記導電性粒子５の相互接触した状態は、少なくとも膜厚方向に対しなされていることにより当該方向での導電性を可能にする。その結果、ダイシングにより粘着剤層３が完全に切断分離されても基材フィルム２との間で電気的な導通経路の確保を可能にしている。尚、例えば、膜厚方向にのみ導電性を示す異方導電性とする場合には、粘着剤層３中の導電性粒子５が相互に離間した状態で分散させた後、所定の膜厚となる様に膜厚方向に圧縮させることにより厚み方向にのみ導電性粒子５が相互に接触した分散状態にすればよい。この場合、粘着剤層３を構成する粘着剤成分は絶縁性であることが必要となる。   The state in which the conductive particles 5 are in contact with each other is at least in the film thickness direction, thereby enabling conductivity in the direction. As a result, even if the pressure-sensitive adhesive layer 3 is completely cut and separated by dicing, it is possible to ensure an electrical conduction path with the base film 2. For example, in the case of anisotropic conductivity showing conductivity only in the film thickness direction, the conductive particles 5 in the pressure-sensitive adhesive layer 3 are dispersed in a state of being separated from each other, and then the predetermined film thickness and In this way, the conductive particles 5 may be dispersed in the thickness direction only by being compressed in the film thickness direction. In this case, the pressure-sensitive adhesive component constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3 needs to be insulating.

粘着剤層３は、導通検査が可能な範囲で導電性を有していればよい。導通検査が可能な粘着シート１０の導電性とは、具体的にはその表面における表面抵抗率が５Ω／□以下、好ましくは１Ω／□以下、特に好ましくは５×１０−１Ω／□以下である。尚、下限値については、実用上の観点から１×１０−３Ω／□以上であることが好ましい。また、粘着剤層３の体積抵抗率が１×１０−１Ω・ｃｍ以下、好ましくは１×１０−２Ω・ｃｍ以下、特に好ましくは１×１０−３Ω・ｃｍ以下である。尚、下限値については、実用上の観点から１×１０−５Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。導電性評価は、三菱化学製Ｌｏｒｅｓｔｅｒ ＭＰ ＭＣＰ−Ｔ３５０を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準じて行い、粘着シート１０の粘着剤表面を測定することにより得られる。このとき、抵抗率補正係数ＲＣＦは４．５３２として、表面抵抗率及び体積抵抗率の算出を行う。なお、体積抵抗率の算出は「基材フィルムと粘着剤層」の合計厚みを用いて算出した。 The pressure-sensitive adhesive layer 3 only needs to have conductivity within a range where continuity inspection is possible. Specifically, the conductivity of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 capable of conducting a continuity test is such that the surface resistivity on the surface thereof is 5Ω / □ or less, preferably 1Ω / □ or less, particularly preferably 5 × 10 −1 Ω / □ or less. is there. The lower limit is preferably 1 × 10 −3 Ω / □ or more from a practical viewpoint. The volume resistivity of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is 1 × 10 −1 Ω · cm or less, preferably 1 × 10 −2 Ω · cm or less, and particularly preferably 1 × 10 −3 Ω · cm or less. The lower limit is preferably 1 × 10 −5 Ω · cm or more from a practical viewpoint. The conductivity evaluation is obtained by measuring the pressure-sensitive adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 using Mitsubishi Chemical Lorester MP MCP-T350 in accordance with JIS K7194. At this time, the resistivity correction coefficient RCF is 4.532, and the surface resistivity and volume resistivity are calculated. The volume resistivity was calculated using the total thickness of “base film and pressure-sensitive adhesive layer”.

導電性粒子５の含有量は、粘着剤層３を構成するベースポリマー成分１００重量部に対し１〜５００重量部、好ましくは５〜５００重量部、特に好ましくは１０〜２００重量部である。含有量が１重量部未満であると、導電性粒子５同士の相互接触が困難になり、導電性が低下する場合がある。その一方、含有量が５００重量部を超えると、粘着剤層３に占める導電性粒子の割合が高くなり過ぎて粘着剤層３の粘着性が低下する場合がある。   Content of the electroconductive particle 5 is 1-500 weight part with respect to 100 weight part of base polymer components which comprise the adhesive layer 3, Preferably it is 5-500 weight part, Most preferably, it is 10-200 weight part. If the content is less than 1 part by weight, mutual contact between the conductive particles 5 becomes difficult, and the conductivity may decrease. On the other hand, when the content exceeds 500 parts by weight, the ratio of the conductive particles in the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be too high, and the pressure-sensitive adhesive property of the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be lowered.

本発明で用いられる導電性粒子５の種類としては特に限定されず、例えばニッケル、金、銀、銅、アルミ、半田、白金などの金属系粒子、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＡＴＩ、酸化チタン、酸化スズ、酸化銅、酸化ニッケルなどの金属酸化物系粒子、ダイアモンド、カーボンブラック、カーボンチューブ、カーボンファイバーなどのカーボン系粒子、ポリスチレンなどのプラスチック粒子の表面に導電層を被覆した複合導電粒子などが挙げられる。また、これら導電性粒子５の形状も特に限定されず、球状、針状、繊維状、フレーク状、スパイク状、コイル状などが挙げられる。   The type of conductive particles 5 used in the present invention is not particularly limited. For example, metal particles such as nickel, gold, silver, copper, aluminum, solder, platinum, ITO (indium tin oxide), ATI, oxidation Composite conductive particles with conductive layer coated on the surface of metal particles such as titanium, tin oxide, copper oxide, nickel oxide, carbon particles such as diamond, carbon black, carbon tube, carbon fiber, and plastic particles such as polystyrene Etc. Moreover, the shape of these electroconductive particle 5 is not specifically limited, either, spherical shape, needle shape, fiber shape, flake shape, spike shape, coil shape etc. are mentioned.

更に、導電性粒子５の大きさとしては特に限定されないが、例えば粒径が１００μｍ以下、好ましくは１ｎｍ〜１００μｍ、特に好ましくは１０ｎｍ〜５０μｍである。粒径が１００μｍを超える場合、粘着剤膜厚バラツキや表面凹凸が大きくなり、ダイシング性が悪化するという不都合がある。尚、当該粒径は、ＢＥＴ法により測定した値である。   Furthermore, although it does not specifically limit as a magnitude | size of the electroconductive particle 5, For example, a particle size is 100 micrometers or less, Preferably it is 1 nm-100 micrometers, Most preferably, it is 10 nm-50 micrometers. When the particle diameter exceeds 100 μm, there are disadvantages that the adhesive film thickness variation and the surface unevenness are increased and the dicing property is deteriorated. The particle size is a value measured by the BET method.

また図１（ｂ）に示すように、粘着剤層３の表面に基材フィルム２を構成する導電性繊維１７の一部が露出した構成であってもよい。この様な構成であると、粘着剤層３に導電性粒子５を含有させるなどの導電性を付与することなく、半導体ウェハ等と基材フィルム１との間の導通経路が確保される。その結果、ダイシング機能を低下させることなく導通検査が可能となる。ここで、基材フィルム２は導電性繊維１７が所定の編み形状で構成されており、導電性繊維１７同士の交差部分が凸部となっている。導電性繊維１７が粘着剤層３の表面から一部露出するとは、この交差部分が粘着剤層３に覆われることなくその表面から表出していることを意味する。   Moreover, as shown in FIG.1 (b), the structure which a part of conductive fiber 17 which comprises the base film 2 was exposed to the surface of the adhesive layer 3 may be sufficient. With such a configuration, a conduction path between the semiconductor wafer or the like and the base film 1 is ensured without imparting conductivity such as containing the conductive particles 5 in the pressure-sensitive adhesive layer 3. As a result, a continuity test can be performed without reducing the dicing function. Here, as for the base film 2, the conductive fiber 17 is comprised by the predetermined knitting shape, and the cross | intersection part of the conductive fibers 17 is a convex part. That the conductive fibers 17 are partially exposed from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 means that the intersecting portion is exposed from the surface without being covered by the pressure-sensitive adhesive layer 3.

基材フィルム２上に形成する前の粘着剤層３の引張弾性率は０．２ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜０．１５ＭＰａ、特に好ましくは０．０３〜０．１ＭＰａである。引張弾性率を０．２ＭＰａ以下にすることにより、粘着剤層３を基材フィルム１上に転写しこれを押圧する際に、粘着剤層３が基材フィルム２に埋まり込み易くなり、導電性繊維１７の一部が粘着剤層３の表面から露出させることが可能になる。尚、引張弾性率はＪＩＳ Ｋ７１２７に準じて測定された値である。尚、引張弾性率の値は、後述の架橋剤の添加量を適宜変更することにより調節可能である。   The tensile modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 3 before being formed on the base film 2 is preferably 0.2 MPa or less, more preferably 0.01 to 0.15 MPa, and particularly preferably 0.03 to 0.1 MPa. It is. By setting the tensile elastic modulus to 0.2 MPa or less, when the pressure-sensitive adhesive layer 3 is transferred onto the base film 1 and pressed, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is easily embedded in the base film 2, and the conductivity is increased. A part of the fiber 17 can be exposed from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3. The tensile modulus is a value measured according to JIS K7127. Note that the value of the tensile modulus can be adjusted by appropriately changing the amount of a crosslinking agent described later.

粘着剤層３の形成材料としては、（メタ）アクリル系ポリマーやゴム系ポリマーなどを含む公知の粘着剤を用いることができる。なかでも、半導体ウェハへの汚染性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   As a material for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3, known pressure-sensitive adhesives including (meth) acrylic polymers and rubber-based polymers can be used. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoint of contamination to a semiconductor wafer.

（メタ）アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プルピル基、イソプルピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、及びドデシル基などの炭素数３０以下、好ましくは炭素数４〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。これらアルキル（メタ）アクリレートは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。   Examples of the monomer component for forming the (meth) acrylic polymer include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, and a hexyl group. Group, heptyl group, cyclohexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, and Examples thereof include alkyl (meth) acrylates having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, preferably 4 to 18 carbon atoms, such as a dodecyl group. These alkyl (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.

上記以外のモノマー成分としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、及びクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、及び（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、及び（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマーなどが挙げられる。これらモノマー成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。   Other monomer components include, for example, acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid-containing monomers, anhydrous Acid anhydride monomers such as maleic acid and itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6- (meth) acrylic acid Hydroxyl groups such as hydroxyhexyl, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate Contains Nomers, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate. These monomer components may be used alone or in combination of two or more.

また、（メタ）アクリル系ポリマーの架橋処理等を目的に多官能モノマーなども必要に応じて共重合モノマー成分として用いることができる。   Moreover, a polyfunctional monomer etc. can also be used as a copolymerization monomer component as needed for the purpose of a crosslinking treatment of a (meth) acrylic polymer.

多官能モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これら多官能モノマーは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。   Examples of polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and pentaerythritol di (Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate Etc., and the like. These polyfunctional monomers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

多官能モノマーの使用量は、粘着特性等の観点より全モノマー成分の３０重量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１５重量％以下である。   The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less, more preferably 15% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

（メタ）アクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上のモノマー成分を含む混合物を溶液重合方式、乳化重合方式、塊状重合方式、又は懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。   For the preparation of the (meth) acrylic polymer, an appropriate method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, or a suspension polymerization method is applied to a mixture containing one or more monomer components. It can be carried out.

重合開始剤としては、過酸化水素、過酸化ベンゾイル、ｔ−ブチルパーオキサイドなどの過酸化物系が挙げられる。単独で用いるのが望ましいが、還元剤と組み合わせてレドックス系重合開始剤として使用することもできる。還元剤としては、例えば、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、鉄、銅、コバルト塩などのイオン化の塩、トリエタノールアミン等のアミン類、アルドース、ケトース等の還元糖などを挙げることができる。また、アゾ化合物も好ましい重合開始剤であり、２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオアミジン酸塩、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、２，２’−アゾビス−Ｎ，Ｎ’−ジメチレンイソブチルアミジン酸塩、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド等を使用することができる。また、上記重合開始剤を２種以上併用して使用することも可能である。   Examples of the polymerization initiator include peroxides such as hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, and t-butyl peroxide. Although it is desirable to use it alone, it can also be used as a redox polymerization initiator in combination with a reducing agent. Examples of the reducing agent include ionized salts such as sulfites, hydrogen sulfites, iron, copper, and cobalt salts, amines such as triethanolamine, and reducing sugars such as aldose and ketose. Azo compounds are also preferred polymerization initiators, and are 2,2′-azobis-2-methylpropioamidine, 2,2′-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile, 2,2′-azobis- Use N, N'-dimethyleneisobutylaminate, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis-2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide, etc. Can do. It is also possible to use two or more of the above polymerization initiators in combination.

反応温度は通常５０〜８５℃程度、反応時間は１〜８時間程度とされる。また、前記製造法のなかでも溶液重合法が好ましく、（メタ）アクリル系ポリマーの溶媒としては一般に酢酸エチル、トルエン等の極性溶剤が用いられる。溶液濃度は通常２０〜８０重量％程度とされる。   The reaction temperature is usually about 50 to 85 ° C., and the reaction time is about 1 to 8 hours. Among the production methods, a solution polymerization method is preferable, and a polar solvent such as ethyl acetate or toluene is generally used as a solvent for the (meth) acrylic polymer. The solution concentration is usually about 20 to 80% by weight.

前記粘着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量を高めるため、架橋剤を適宜に加えることもできる。架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどがあげられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は引き剥がし粘着力が下がり過ぎないことを考慮し、一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、０．０１〜５重量部程度配合するのが好ましい。但し、粘着剤層３の引張弾性率を０．２ＭＰａ以下にするという観点からは、架橋剤の添加量は０．１〜２重量部の範囲内であることが好ましい。また粘着剤層３を形成する粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、老化防止剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有させることができる。   In order to increase the number average molecular weight of the (meth) acrylic polymer that is the base polymer, a crosslinking agent can be appropriately added to the pressure-sensitive adhesive. Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, aziridine compounds, melamine resins, urea resins, anhydrous compounds, polyamines, and carboxyl group-containing polymers. In the case of using a crosslinking agent, the amount used is considered to be about 0.01 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer, considering that the peeling adhesive strength does not decrease too much. Is preferred. However, from the viewpoint of setting the tensile elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 3 to 0.2 MPa or less, the addition amount of the crosslinking agent is preferably in the range of 0.1 to 2 parts by weight. In addition to the above components, if necessary, the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be conventionally used various additives such as various tackifiers, anti-aging agents, fillers, anti-aging agents, and coloring agents. Can be contained.

半導体チップからの剥離性を向上させるため、粘着剤は、紫外線、電子線等の放射線により硬化する放射線硬化型粘着剤とすることが好ましい。放射線硬化型の粘着剤を用いた場合には、放射線（例えば、紫外線）照射によって粘着剤層３の粘着力が低下するため、粘着剤層３に放射線を照射することによって、粘着シートの剥離を容易に行うことができる。なお、粘着剤として放射線硬化型粘着剤を用いる場合には、前記導電性繊維基材の開口度が１０％以上であるものを用いることが好ましい。   In order to improve the peelability from the semiconductor chip, the pressure-sensitive adhesive is preferably a radiation curable pressure-sensitive adhesive that is cured by radiation such as ultraviolet rays or electron beams. When a radiation curable adhesive is used, the adhesive strength of the adhesive layer 3 is reduced by irradiation with radiation (for example, ultraviolet rays). It can be done easily. In addition, when using a radiation curable adhesive as an adhesive, it is preferable to use what the opening degree of the said conductive fiber base material is 10% or more.

放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前述の（メタ）アクリル系ポリマーに放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した放射線硬化性粘着剤が挙げられる。   As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. Examples of the radiation curable pressure-sensitive adhesive include a radiation curable pressure-sensitive adhesive obtained by blending the aforementioned (meth) acrylic polymer with a radiation curable monomer component or oligomer component.

配合する放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、及び１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。   Examples of the radiation curable monomer component and oligomer component to be blended include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.

放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、特に制限されるものではないが、粘着性を考慮すると、粘着剤を構成する (メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、５〜５００重量部程度であることが好ましく、さらに好ましくは６０〜１５０重量部程度である。   The blending amount of the radiation curable monomer component or oligomer component is not particularly limited, but in consideration of the tackiness, it is based on 100 parts by weight of the base polymer such as a (meth) acrylic polymer constituting the pressure sensitive adhesive. The amount is preferably about 5 to 500 parts by weight, more preferably about 60 to 150 parts by weight.

また、放射線硬化型粘着剤としては、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いることもできる。このようなベースポリマーとしては、（メタ）アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。この場合においては、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を特に加えなくてもよく、その使用は任意である。   Moreover, as a radiation curable adhesive, what has a carbon-carbon double bond in a polymer side chain or a principal chain, or the principal chain terminal can also be used as a base polymer. As such a base polymer, a polymer having a (meth) acrylic polymer as a basic skeleton is preferable. In this case, it is not necessary to add a radiation curable monomer component or oligomer component, and its use is optional.

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α−メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニゾインメチルエーテルの如きベンゾインエーテル系化合物、２−メチル−２−ヒドロキシプロピルフェノンなどのα−ケトール系化合物、ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物、２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナートなどが挙げられる。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α-methylacetophenone, methoxyacetophenone, and 2,2-dimethoxy-2. Acetophenone compounds such as phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1, benzoin ethyl ether, Benzoin ether compounds such as benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether, α-ketol compounds such as 2-methyl-2-hydroxypropylphenone, ketal compounds such as benzyldimethyl ketal, 2-naphthalenesulfonyl chloride Aromatic sulfonyl chloride compounds such as Lido, photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone, camphorquinone, halogenated ketone, acyl phosphinoxide and acyl phosphonate.

光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成する (メタ)アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、０．１〜１０重量部程度であることが好ましく、さらに好ましくは０．５〜１０重量部程度である。   The blending amount of the photopolymerization initiator is preferably about 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as a (meth) acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive, and more preferably is about 0.1. About 5 to 10 parts by weight.

また前記粘着剤層３の厚みは特に限定されず、従来のダイシング用粘着シートと同様であればよい。具体的には、１〜５０μｍであり、好ましくは３〜２０μｍ、特に好ましくは５〜２０μｍである。厚みが１μｍ未満であると、粘着力が低下し、ダイシングの際の半導体チップの保持が不十分となりチップ飛びが発生する場合がある。その一方、厚みが５０μｍを超えると、粘着剤層３の導電性を確保するために導電性粒子の配合量を増量させる必要があり好ましくない場合がある。更に、半導体ウェハのダイシングの際に生じるが振動が大きくなり過ぎ、半導体チップの欠け（チッピング）が生じる場合がある。尚、前記厚みは、粘着剤層３表面から基材フィルム２を構成する導電性繊維の一部が露出した構成の場合は、基材フィルム２への転写前の厚みを表す。   Moreover, the thickness of the said adhesive layer 3 is not specifically limited, What is necessary is just the same as the adhesive sheet for conventional dicing. Specifically, it is 1-50 micrometers, Preferably it is 3-20 micrometers, Most preferably, it is 5-20 micrometers. When the thickness is less than 1 μm, the adhesive strength is lowered, and the semiconductor chip may not be sufficiently held during dicing, and chip fly may occur. On the other hand, when the thickness exceeds 50 μm, it is necessary to increase the blending amount of the conductive particles in order to ensure the conductivity of the pressure-sensitive adhesive layer 3, which may not be preferable. Furthermore, although it occurs during dicing of the semiconductor wafer, the vibration becomes excessively large and chipping of the semiconductor chip may occur. In addition, the said thickness represents the thickness before the transcription | transfer to the base film 2 in the structure where a part of electroconductive fiber which comprises the base film 2 was exposed from the adhesive layer 3 surface.

また、粘着シート１０は、前記粘着剤層３上にセパレータ７が設けられていることが好ましい。セパレータ７を設けることにより積層シート（粘着シート）をロール状にして加熱処理したり、保管することができる。また、粘着シート１０を使用するまでの間、粘着剤層３の表面を埃等から保護することができる。   In addition, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is preferably provided with a separator 7 on the pressure-sensitive adhesive layer 3. By providing the separator 7, the laminated sheet (adhesive sheet) can be rolled and heat-treated or stored. Further, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be protected from dust or the like until the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is used.

セパレータ７の構成材料としては、ポリエーテルエーテルケトン，ポリエーテルイミド、ポリアリレート，ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム，ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、及びポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。   Constituent materials of the separator 7 include polyether ether ketone, polyether imide, polyarylate, polyethylene naphthalate, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, and vinyl chloride copolymer. Combined film, polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer Examples include a coalesced film, a polystyrene film, and a plastic film such as a polycarbonate film.

セパレータ７の片面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていてもよい。また、必要に応じて、粘着シート１０が環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線透過防止処理等が施されていてもよい。セパレータ７の厚みは、通常５〜２００μｍであり、好ましくは２５〜１００μｍ、さらに好ましくは３８〜６０μｍである。   In order to improve the peelability from the pressure-sensitive adhesive layer 3 on one side of the separator 7, a peeling treatment such as a silicone treatment, a long-chain alkyl treatment, or a fluorine treatment may be performed as necessary. Further, if necessary, an ultraviolet transmission preventing treatment or the like may be performed so that the pressure-sensitive adhesive sheet 10 does not react with environmental ultraviolet rays. The thickness of the separator 7 is usually 5 to 200 μm, preferably 25 to 100 μm, and more preferably 38 to 60 μm.

セパレータ７の粘着剤層３と接触していない表面は、梨地又は凹凸構造になっているものを用いることもできる。   The surface of the separator 7 that is not in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be a satin or uneven structure.

粘着シート１０は、例えばセパレータ７に粘着剤層３を形成した後、それらを基材フィルム２に貼り合せることにより製造できる。このとき、粘着剤層３の表面から基材フィルム１を構成する導電性繊維の一部が露出する構造とする場合には、所定の押圧力で粘着剤層３を押圧するのが好ましい。この場合、押圧力として、０．０１〜１Ｍｐａ、好ましくは０．０５〜０．５ＭＰａ、より好ましくは０．０８〜０．３ＭＰａである。また、押圧時の温度としては、通常２０〜１００℃である。また、別途、基材フィルム２表面に、粘着剤溶液を直接塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層３を形成し、必要に応じてこの粘着剤層３の表面にセパレータ７を貼り合わせることでも製造できる。これら粘着剤層３は１層、又は２層以上積層してもよい。   The pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be produced, for example, by forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 on the separator 7 and then bonding them to the base film 2. At this time, when it is set as the structure where a part of electroconductive fiber which comprises the base film 1 is exposed from the surface of the adhesive layer 3, it is preferable to press the adhesive layer 3 with a predetermined | prescribed pressing force. In this case, the pressing force is 0.01 to 1 MPa, preferably 0.05 to 0.5 MPa, and more preferably 0.08 to 0.3 MPa. Moreover, as temperature at the time of a press, it is 20-100 degreeC normally. Separately, a pressure-sensitive adhesive solution is directly applied to the surface of the base film 2 and dried (heat-crosslinked as necessary) to form a pressure-sensitive adhesive layer 3. It can also be manufactured by bonding the separator 7 to the surface. These pressure-sensitive adhesive layers 3 may be laminated by one layer or two or more layers.

粘着剤層３上にセパレータ７を設けた積層シートはロール状にして加熱処理することが好ましい。積層シートを加熱処理することにより、粘着剤の特性を安定化させることができる。加熱処理における温度は３０〜６０℃程度であり、処理時間は１２〜１００時間程度である。   The laminated sheet provided with the separator 7 on the pressure-sensitive adhesive layer 3 is preferably roll-formed and heat-treated. By heat-treating the laminated sheet, the characteristics of the pressure-sensitive adhesive can be stabilized. The temperature in the heat treatment is about 30 to 60 ° C., and the treatment time is about 12 to 100 hours.

粘着シート１０は、シート状、ロ−ル状など、用途に応じて適宜な形状をとり得る。ウェハダイシング用途では、例えば、あらかじめ必要な形状に切断加工されたものが好適に用いられる。また、粘着シート１０の外径サイズは、半導体ウェハの外径サイズよりも大きく、かつ、ダイシングリングの内径よりも小さくてもよい。   The pressure-sensitive adhesive sheet 10 can take an appropriate shape depending on the application, such as a sheet shape or a roll shape. For wafer dicing, for example, a material that has been cut into a required shape in advance is preferably used. Moreover, the outer diameter size of the adhesive sheet 10 may be larger than the outer diameter size of the semiconductor wafer and smaller than the inner diameter of the dicing ring.

また、粘着剤層３の粘着力は、シリコンウェハに対する常温での粘着力（９０度ピール値、剥離速度３００ｍｍ／分）に基づいて、２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．００１〜１０Ｎ／２０ｍｍ、特に好ましくは０．０１〜８Ｎ／２０ｍｍである。尚、粘着剤層３の粘着力をシリコンミラーウェハを用いて規定しているのは、シリコンミラーウェハ表面の粗さの状態が一定程度平滑であること、ダイシング及びピックアップの対象である被加工物としての半導体ウェハ等と同質材料であることによる。また、測定温度２３±３℃に於ける粘着力を基準としているのは、通常ピックアップが行われるのが室温（２３℃）下であることによる。   Further, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is preferably 20 N / 20 mm or less based on the adhesive strength at normal temperature to the silicon wafer (90-degree peel value, peeling speed 300 mm / min), more preferably 0.8. 001 to 10 N / 20 mm, particularly preferably 0.01 to 8 N / 20 mm. The adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is defined using a silicon mirror wafer because the roughness of the surface of the silicon mirror wafer is smooth to a certain extent, and the workpiece to be subjected to dicing and pick-up Because it is the same material as the semiconductor wafer. The reason why the adhesive strength at a measurement temperature of 23 ± 3 ° C. is based is that the pickup is usually performed at room temperature (23 ° C.).

粘着剤層３は、シリコンからなる半導体ウェハの貼着面に於ける表面有機物汚染増加量ΔＣが５％以下となる剥離性を有していることが好ましい。粘着剤層３がその様な剥離性を有することにより、ピックアップ後の半導体チップに糊残りが生じるのを低減することができる。表面有機物汚染増加量ΔＣ（％）の値は、粘着シート１０を半導体ウェハに２３℃で貼り合わせ、半導体ウェハのダイシング後、ピックアップ直前に於いて２３℃で粘着シート１０を剥離したときの表面有機物汚染量の値Ｃ１（％）から、半導体ウェハの表面有機物汚染量の値Ｃ２（％）を差し引いた値である。また、粘着剤層３が放射線硬化型粘着剤を含み構成される場合、表面有機物汚染増加量ΔＣは、放射線を照射した後に剥離したときの値を示す。   The pressure-sensitive adhesive layer 3 preferably has releasability such that the increase in surface organic contamination ΔC on the bonding surface of the semiconductor wafer made of silicon is 5% or less. Since the pressure-sensitive adhesive layer 3 has such a peelability, it is possible to reduce the occurrence of adhesive residue on the semiconductor chip after pickup. The value of the increase in surface organic contamination ΔC (%) is the surface organic matter when the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is bonded to a semiconductor wafer at 23 ° C., and after the semiconductor wafer is diced, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is peeled off at 23 ° C. immediately before pickup. This is a value obtained by subtracting the surface organic contamination amount value C2 (%) of the semiconductor wafer from the contamination amount value C1 (%). Further, when the pressure-sensitive adhesive layer 3 includes a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the surface organic contamination increase amount ΔC indicates a value when peeled after irradiation with radiation.

本発明の粘着シート１０は、前記の通り、ピックアップ時の引き剥がし粘着力が低く制御され、または制御可能に設定されている。しかし、粘着力が低いと、前工程であるダイシングを行なう際、切断分離されたチップを保持することができず、ダイシング中にチップが粘着シート１０から剥離する（チップ飛びが発生する）可能性が高い。そのため、放射線照射により硬化して粘着力を低下することが可能な放射線硬化型粘着剤により粘着剤層３を形成し、ダイシング時にはある程度の粘着力を維持しながら、ダイシング工程の後には放射線照射によって、前記粘着力を低下できるものを用いるのが好ましい。また、同様の観点から、加熱により粘着力を低下することが可能な加熱発泡剥離型粘着剤により粘着剤層を形成することも好適である。このような場合には、ダイシング後に、加熱などの公知の操作を加え粘着力を低減してから、ピックアップすることができる。   As described above, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the present invention is controlled so as to have a low peel-off adhesive force at the time of pickup or is set to be controllable. However, if the adhesive force is low, the chip that has been cut and separated cannot be held when dicing, which is the previous process, and the chip may peel from the adhesive sheet 10 during dicing (chip jumping may occur). Is expensive. Therefore, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive that can be cured by radiation irradiation to reduce the adhesive strength, and maintains a certain level of adhesive strength during dicing, and after the dicing step, by radiation irradiation. It is preferable to use one that can reduce the adhesive strength. From the same viewpoint, it is also preferable to form the pressure-sensitive adhesive layer with a heat-foaming release type pressure-sensitive adhesive that can reduce the pressure-sensitive adhesive force by heating. In such a case, after the dicing, a known operation such as heating is applied to reduce the adhesive force, and then picking up can be performed.

また、本発明の粘着シート１０は、基材フィルム２及び粘着剤層３の平面視における形状が半導体ウェハと同様のものとしてもよい（図３参照）。   Moreover, the adhesive sheet 10 of this invention is good also as the thing in the planar view of the base film 2 and the adhesive layer 3 being the same as that of a semiconductor wafer (refer FIG. 3).

次に、本発明に係る半導体装置の製造方法について説明する。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハを粘着シート１０の粘着剤層３上に貼り合わせるマウント工程と、半導体ウェハ又は半導体チップの検査工程と、半導体ウェハをダイシングするダイシング工程と、半導体チップをピックアップするピックアップ工程とを有する。本発明に係る粘着シート１０は、前述の通り、半導体ウェハを貼り合わせた状態でも導通工程を行うことができるので、ダイシング工程前に半導体ウェハに対し導通検査工程を行ってもよい。また、本発明の粘着シートはダイシング用粘着シートとしての機能も併せ持つので、半導体ウェハを貼り合わせた状態でダイシングして半導体チップを形成し、その工程後に各半導体チップに対し導通検査工程を行ってもよい。尚、本発明の製造方法は、半導体ウェハの厚さが１００μｍ未満、更には５０μｍ未満である場合に好適に適用することができる。   Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described. The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a mounting process for bonding a semiconductor wafer onto the adhesive layer 3 of the adhesive sheet 10, a semiconductor wafer or semiconductor chip inspection process, a dicing process for dicing the semiconductor wafer, and a semiconductor chip. A pick-up step for picking up the material. As described above, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the present invention can perform the conduction process even when the semiconductor wafers are bonded together. Therefore, the conduction inspection process may be performed on the semiconductor wafer before the dicing process. Moreover, since the adhesive sheet of the present invention also has a function as an adhesive sheet for dicing, a semiconductor chip is formed by dicing in a state where the semiconductor wafer is bonded, and a continuity inspection process is performed on each semiconductor chip after that process. Also good. In addition, the manufacturing method of this invention can be applied suitably when the thickness of a semiconductor wafer is less than 100 micrometers, and also less than 50 micrometers.

前記マウント工程は、半導体ウェハの裏面（回路形成面とは反対側の面）と粘着剤層３側とが貼り合わせ面となる様に重ね合わせ、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。また、加圧可能な容器（例えばオートクレーブ等）中で、半導体ウェハと粘着シート１０を前記のように重ね、容器内を加圧することにより貼り付けることもできる。この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい。また、真空チャンバー内で、前記と同様に貼り付けることもできる。貼り付けの際の貼り付け温度は何ら限定されないが、２０〜８０℃であることが好ましい。   The mounting step is performed while superimposing the back surface of the semiconductor wafer (the surface opposite to the circuit forming surface) and the pressure-sensitive adhesive layer 3 side so as to be a bonding surface and pressing with a pressing means such as a press roll. In addition, the semiconductor wafer and the pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be stacked as described above in a pressurizable container (for example, an autoclave) and can be attached by pressurizing the inside of the container. At this time, it may be attached while being pressed by the pressing means. Further, it can be attached in the same manner as described above in a vacuum chamber. Although the pasting temperature at the time of pasting is not limited at all, it is preferable that it is 20-80 ° C.

ダイシング工程の前に半導体ウェハ９の導通検査を行う場合、当該半導体ウェハ９は粘着シート１０を貼り合わせた状態で、導通検査ステージ１３上に載置される（図３（ａ）参照）。導通検査ステージ１３は、粘着シート１０を介して半導体ウェハ９を吸引固定する。吸引固定は、例えば粘着シート１０の周縁部で空気抜けなどを生じることなく確実に行うことができる。粘着シート１０が導通検査ステージ１３に接する部分が基材フィルム２ではなく支持体１であり、当該支持体１は網目状のフィルム等ではないからである。次に、導通検査用端子のうち、一方を半導体ウェハ９の回路形成面（電極）１５に当接し、他方の端子を粘着剤層３に当接し、導通経路を確保する。その後、両端子間に所定の電圧を印加し、そのときの抵抗値より半導体ウェハ９に形成された回路の導通性を確認する。   When conducting a continuity test on the semiconductor wafer 9 before the dicing step, the semiconductor wafer 9 is placed on the continuity test stage 13 with the adhesive sheet 10 attached thereto (see FIG. 3A). The continuity inspection stage 13 sucks and fixes the semiconductor wafer 9 through the adhesive sheet 10. The suction fixation can be reliably performed without causing air leakage at the peripheral edge of the pressure-sensitive adhesive sheet 10, for example. This is because the part where the adhesive sheet 10 is in contact with the continuity test stage 13 is not the base film 2 but the support 1, and the support 1 is not a mesh-like film or the like. Next, one of the continuity testing terminals is brought into contact with the circuit forming surface (electrode) 15 of the semiconductor wafer 9 and the other terminal is brought into contact with the adhesive layer 3 to secure a conduction path. Thereafter, a predetermined voltage is applied between both terminals, and the continuity of the circuit formed on the semiconductor wafer 9 is confirmed from the resistance value at that time.

前記ダイシング工程は、半導体ウェハ９を切断（ダイシング）して半導体チップを形成する工程である。ダイシングは、半導体ウェハの回路面側から常法に従い行われ、ブレードダイシング、レーザーダイシング、プラズマダイシング、又はブレーキング等の公知の方法を用いることができる。また切断方法としては、粘着シート１０まで切り込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本発明では、粘着シート１０の基材フィルム２と粘着剤層３との間には導通経路が確保されているため、粘着剤層３を完全に切断し、基材フィルム２の一部が切断される場合でも、後述の半導体チップの導通検査工程を行うことができる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。   The dicing step is a step of cutting (dicing) the semiconductor wafer 9 to form a semiconductor chip. Dicing is performed according to a conventional method from the circuit surface side of the semiconductor wafer, and a known method such as blade dicing, laser dicing, plasma dicing, or braking can be used. Moreover, as a cutting method, the cutting method called full cut which cuts to the adhesive sheet 10 etc. are employable. In this invention, since the conduction | electrical_connection path is ensured between the base film 2 and the adhesive layer 3 of the adhesive sheet 10, the adhesive layer 3 is cut | disconnected completely and a part of base film 2 is cut | disconnected. Even in such a case, a semiconductor chip continuity inspection process described later can be performed. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used.

ダイシング工程後に半導体チップ１１の導通検査を行う場合、各半導体チップ１１が粘着シート１０に貼り合わされた状態のままで、導通検査ステージ１３上に載置される（図３（ｂ）参照）。次に、導通検査用端子のうち、一方を各半導体チップ１１の回路形成面（電極）１５に当接し、他方の端子を粘着剤層３に当接し、導通経路を確保する。その後、両端子間に所定の電圧を印加し、そのときの抵抗値より半導体チップ１１の導通性を確認する。尚、ダイシング工程により粘着剤層３が完全に切断されている場合には、導通検査ステージ１３に他の端子を当接する。粘着シート１０は基材フィルム２と粘着剤層３との間に導通経路が確保された構造であるため、粘着剤層３が完全に切断され、基材フィルム２の一部まで切り込みがされていても、導通検査が可能となる。   When conducting the continuity inspection of the semiconductor chip 11 after the dicing process, each semiconductor chip 11 is placed on the continuity inspection stage 13 while being stuck to the adhesive sheet 10 (see FIG. 3B). Next, one of the continuity testing terminals is brought into contact with the circuit forming surface (electrode) 15 of each semiconductor chip 11 and the other terminal is brought into contact with the adhesive layer 3 to secure a conduction path. Thereafter, a predetermined voltage is applied between both terminals, and the continuity of the semiconductor chip 11 is confirmed from the resistance value at that time. When the pressure-sensitive adhesive layer 3 is completely cut by the dicing process, another terminal is brought into contact with the continuity inspection stage 13. Since the pressure-sensitive adhesive sheet 10 has a structure in which a conduction path is ensured between the base film 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is completely cut and a part of the base film 2 is cut. However, the continuity test can be performed.

ピックアップ工程は、粘着シート１０に接着固定された半導体チップ１１を剥離する為に行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ１１を粘着シート１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ１１をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。   The pick-up process is performed in order to peel off the semiconductor chip 11 bonded and fixed to the pressure-sensitive adhesive sheet 10. The pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, there is a method in which each semiconductor chip 11 is pushed up by a needle from the pressure-sensitive adhesive sheet 10 side, and the pushed-up semiconductor chip 11 is picked up by a pickup device.

ここで、放射線硬化型粘着剤層又は熱剥離型粘着剤層を有する粘着シート１０を用いる場合には、粘着剤層３を放射線照射又は加熱処理してもよい。これにより粘着性を低下させ、ピックアップの容易化を図る。放射線硬化型の粘着剤層３の場合、放射線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、熱剥離型の粘着剤層３の場合、これを加熱すると、熱発泡性又は熱膨張性成分により粘着剤層３が膨張して、半導体チップ１１との接着面積を著しく減少させることができる。これにより、半導体チップに対する粘着シート１０の粘着力が低下し、半導体チップ１１から粘着シート１０の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ１１を損傷させることなくピックアップが可能となる。加熱処理を行う場合に於ける加熱温度、加熱時間等の加熱条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。   Here, when the pressure-sensitive adhesive sheet 10 having a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer or a heat-peelable pressure-sensitive adhesive layer is used, the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be subjected to radiation irradiation or heat treatment. As a result, the tackiness is lowered and the pickup is facilitated. In the case of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 3, conditions such as irradiation intensity and irradiation time at the time of radiation irradiation are not particularly limited, and may be set as necessary. Further, in the case of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive layer 3, when this is heated, the pressure-sensitive adhesive layer 3 expands due to the thermally foamable or heat-expandable component, and the adhesion area with the semiconductor chip 11 can be significantly reduced. . Thereby, the adhesive force of the adhesive sheet 10 with respect to a semiconductor chip falls, and peeling of the adhesive sheet 10 from the semiconductor chip 11 becomes easy. As a result, the pickup can be performed without damaging the semiconductor chip 11. The heating conditions such as the heating temperature and the heating time in performing the heat treatment are not particularly limited, and may be set as necessary.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to them, but are merely illustrative examples, unless otherwise specified.

（実施例１）
［基材フィルム］
基材フィルムとして、セーレン（株）製導電性繊維基材（商品名ＳＵＩ−４０−２００４７、厚み８２μｍ、メッシュタイプ、開口度４０％）を使用した。また、本基材の表面抵抗率は６．６×１０−２Ω／□、体積抵抗率は５．３×１０−４Ω・ｃｍであった。 Example 1
[Base film]
As the substrate film, Seiren Co., Ltd. conductive fiber substrate (trade name SUI-40-20047, thickness 82 μm, mesh type, opening degree 40%) was used. Further, the surface resistivity of the substrate was 6.6 × 10 −2 Ω / □, and the volume resistivity was 5.3 × 10 −4 Ω · cm.

［粘着剤の調製］
メチルアクリレート７０重量部、ブチルアクリレート３０重量部、及びアクリル酸５重量部を酢酸エチル中で共重合させて数平均分子量８０万のアクリル系ポリマーを含む溶液を得た。当該溶液に、１分子中に不飽和結合を６つ含むウレタンオリゴマー（商品名［紫光ＵＶ−１７００Ｂ］、日本合成（株）製）５０重量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」，チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製）３重量部、及びポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）１．５重量部を加えて、紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。この粘着剤溶液に導電性粒子としてインコスペシャルプロダクツ製ニッケルパウダー（商品名タイプ１２３、スパイク状、粒径３〜７μｍφ）１０重量部を加え、導電性粘着剤溶液を作製した。 [Preparation of adhesive]
70 parts by weight of methyl acrylate, 30 parts by weight of butyl acrylate, and 5 parts by weight of acrylic acid were copolymerized in ethyl acetate to obtain a solution containing an acrylic polymer having a number average molecular weight of 800,000. In this solution, 50 parts by weight of a urethane oligomer (trade name [purple UV-1700B], manufactured by Nihon Gosei Co., Ltd.) containing 6 unsaturated bonds in one molecule, a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”, 3 parts by weight of Ciba Specialty Chemicals) and 1.5 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) were added to obtain an ultraviolet curable adhesive solution. To this pressure-sensitive adhesive solution, 10 parts by weight of Inco Special Products nickel powder (trade name type 123, spike shape, particle size 3 to 7 μmφ) was added as conductive particles to prepare a conductive pressure-sensitive adhesive solution.

［ダイシング用粘着シートの作製］
上記で調製した導電性粘着剤溶液を、離型処理された厚さ５０μｍのポリエステル製セパレータの離型処理面に塗布し、８０℃で１０分間加熱架橋して、厚さ１０μｍの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。 [Preparation of adhesive sheet for dicing]
The conductive adhesive solution prepared above is applied to a release treatment surface of a 50 μm thick polyester separator that has been subjected to a release treatment, and is heat-crosslinked at 80 ° C. for 10 minutes, and then an ultraviolet curable adhesive having a thickness of 10 μm. An agent layer was formed.

一方、前記アクリル系ポリマー１００重量部にコロネートＬ２．０重量部を添加して構成される粘着剤溶液を、離型処理された厚さ５０μｍのポリエステル製セパレータの離型処理面に塗布し、８０℃で１０分間加熱架橋して、厚さ５μｍの粘着剤層を形成した。   On the other hand, a pressure-sensitive adhesive solution constituted by adding 2.0 parts by weight of Coronate L to 100 parts by weight of the acrylic polymer was applied to the release-treated surface of the release-treated polyester separator having a thickness of 50 μm. Crosslinking was carried out at 10 ° C. for 10 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 5 μm.

次いで、基材フィルムの一方の面に紫外線硬化型粘着剤層を貼り合わせ、他方の面に粘着剤層を貼り合わせた。更に、粘着剤層側のセパレータを剥離し、支持体としての軟質塩化ビニルフィルム（厚さ１００μｍ、引張弾性率３３０ＭＰａ、最大点伸度２５０％）に貼り合わせた。これにより、本実施例に係る検査用粘着シートを作製した。引張弾性率はＪＩＳ Ｋ７１２７（プラスチックフィルム及びシートの引張り試験方法）の引張試験方法に準拠し、２３±２℃の温度、５０±５％の湿度、５０ｍｍの標線間距離及びつかみ間距離、引張は支持体の長さ（ＭＤ）方向、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で試験を行った。   Next, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer was bonded to one surface of the base film, and a pressure-sensitive adhesive layer was bonded to the other surface. Further, the separator on the pressure-sensitive adhesive layer side was peeled off and bonded to a soft vinyl chloride film (thickness 100 μm, tensile elastic modulus 330 MPa, maximum point elongation 250%) as a support. This produced the test | inspection adhesive sheet which concerns on a present Example. The tensile elastic modulus is based on the tensile test method of JIS K7127 (Plastic film and sheet tensile test method), temperature of 23 ± 2 ° C, humidity of 50 ± 5%, distance between marked lines and distance between grips, tension Was tested at a speed of 300 mm / min in the length (MD) direction of the support.

（実施例２）
本実施例においては、前記実施例１と同様にして、ポリエステル製セパレータの離型処理面に、厚さ１０μｍの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次いで、基材フィルムの一方の面に紫外線硬化型粘着剤層を貼り合わせ、他方の面に支持体としての粘着シート（日東電工（株）製、商品名；エレップホルダーＮＢＤ−５１７０Ｋ、引張弾性率２２０ＭＰａ、最大点伸度９８０％）を、その粘着剤層側が貼り合わせ面となる様に貼り合わせた。これにより、本実施例に係る検査用粘着シートを作製した。 (Example 2)
In this example, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed on the release treatment surface of the polyester separator in the same manner as in Example 1. Next, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer is bonded to one surface of the base film, and the other surface is a pressure-sensitive adhesive sheet (manufactured by Nitto Denko Corporation, trade name; ELEP holder NBD-5170K, tensile elasticity) Bonding was performed such that the pressure-sensitive adhesive layer side was the bonding surface. This produced the test | inspection adhesive sheet which concerns on a present Example.

（実施例３）
本実施例においては、前記実施例１と同様にして、ポリエステル製セパレータの離型処理面に、厚さ１０μｍの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次いで、基材フィルムの一方の面に紫外線硬化型粘着剤層を貼り合わせ、他方の面に支持体としての粘着シート（日東電工（株）製、商品名；エレップホルダーＤＵ−４００ＳＥ、引張弾性率１６０ＭＰａ、最大点伸度８８０％）を、その粘着剤層側が貼り合わせ面となる様に貼り合わせた。これにより、本実施例に係る検査用粘着シートを作製した。 (Example 3)
In this example, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed on the release treatment surface of the polyester separator in the same manner as in Example 1. Next, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer is bonded to one surface of the substrate film, and the other surface is a pressure-sensitive adhesive sheet (manufactured by Nitto Denko Corporation, trade name; ELEP Holder DU-400SE, tensile elasticity) The film was bonded so that the pressure-sensitive adhesive layer side would be the bonding surface. This produced the test | inspection adhesive sheet which concerns on a present Example.

（実施例４）
本実施例においては、実施例１と同様にして、基材フィルムの一方の面に紫外線硬化型粘着剤層を貼り合わせ、他方の面に粘着剤層を貼り合わせたものを作製し、これを平面視において半導体ウェハと同様の形状となる様にラベル加工した。その後、粘着剤層側のセパレータを剥離し、支持体としての軟質塩化ビニルフィルム（厚さ１００μｍ、引張弾性率３３０ＭＰａ、最大点伸度２５０％）に貼り合わせて、本実施例に係る検査用粘着シートを作製した。 Example 4
In this example, in the same manner as in Example 1, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer was bonded to one surface of the base film and a pressure-sensitive adhesive layer was bonded to the other surface. The label was processed so as to have the same shape as the semiconductor wafer in plan view. Thereafter, the separator on the pressure-sensitive adhesive layer side is peeled off and bonded to a soft vinyl chloride film (thickness 100 μm, tensile elastic modulus 330 MPa, maximum point elongation 250%) as a support, and the pressure-sensitive adhesive for inspection according to this example. A sheet was produced.

（実施例５）
本実施例においては、前記実施例２と同様にして、ポリエステル製セパレータの離型処理面に、厚さ１０μｍの紫外線硬化型粘着剤層を形成し、次いで、基材フィルムの一方の面に紫外線硬化型粘着剤層を貼り合わせものを作製した。これを平面視において半導体ウェハと同様の形状となる様にラベル加工した。更に、基材フィルムの他方の面に支持体としての粘着シート（日東電工（株）製、商品名；エレップホルダーＮＢＤ−５１７０Ｋ、引張弾性率２２０ＭＰａ、最大点伸度９８０％）を、その粘着剤層側が貼り合わせ面となる様に貼り合わせた。これにより、本実施例に係る検査用粘着シートを作製した。 (Example 5)
In this example, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed on the release treatment surface of the polyester separator in the same manner as in Example 2, and then ultraviolet rays were applied to one surface of the base film. A laminate was prepared by laminating a curable adhesive layer. This was processed so as to have a shape similar to that of a semiconductor wafer in plan view. Furthermore, an adhesive sheet (manufactured by Nitto Denko Corporation, trade name; ELEP Holder NBD-5170K, tensile elastic modulus 220 MPa, maximum elongation at 980%) as a support is attached to the other surface of the base film. Bonding was performed so that the agent layer side would be the bonding surface. This produced the test | inspection adhesive sheet which concerns on a present Example.

（比較例１）
本比較例においては、前記実施例１と同様にして、基材フィルム上に紫外線硬化型粘着剤層を形成することにより、本比較例に係る検査用粘着シートを作製した。 (Comparative Example 1)
In this comparative example, the adhesive sheet for a test | inspection which concerns on this comparative example was produced by forming an ultraviolet curable adhesive layer on a base film like the said Example 1. FIG.

（比較例２）
本比較例においては、基材フィルムとして東レ加工（株）製アルミ蒸着ポリエステルフィルム（商品名メタルミーＴＳ、厚み２５μｍ）を使用したこと以外は、前記実施例１と同様にして本比較例に係る検査用粘着シートを作製した。尚、本比較例における基材フィルムの表面抵抗率は１．５Ω／□、体積抵抗率は７．３×１０−３Ω・ｃｍであった。 (Comparative Example 2)
In this comparative example, the inspection according to this comparative example was performed in the same manner as in Example 1 except that an aluminum vapor-deposited polyester film (trade name Metal Me TS, thickness 25 μm) manufactured by Toray Industries, Ltd. was used as the base film. A pressure-sensitive adhesive sheet was prepared. In addition, the surface resistivity of the base film in this comparative example was 1.5Ω / □, and the volume resistivity was 7.3 × 10 −3 Ω · cm.

（比較例３）
本比較例においては、基材フィルムとして軟質塩化ビニルフィルム（厚さ８０μｍ）を用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして本比較例に係るダイシング用粘着シートを作製した。尚、本比較例における基材フィルムの表面抵抗率、及び体積抵抗率は測定オーバーであった。 (Comparative Example 3)
In this comparative example, a dicing pressure-sensitive adhesive sheet according to this comparative example was produced in the same manner as in Example 1 except that a soft vinyl chloride film (thickness 80 μm) was used as the base film. In addition, the surface resistivity and volume resistivity of the base film in this comparative example were measurement over.

（数平均分子量の測定）
合成したアクリル系ポリマーの数平均分子量は以下の方法で測定した。アクリル系ポリマーをＴＨＦに０．１ｗｔ％で溶解させて、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いてポリスチレン換算により数平均分子量を測定した。詳しい測定条件は以下の通りである。
ＧＰＣ装置：東ソー製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ
カラム：東ソー製、（ＧＭＨＨＲ−Ｈ）＋（ＧＭＨＨＲ−Ｈ）＋（Ｇ２０００ＨＨＲ）
流量：０．８ｍｌ／ｍｉｎ
濃度：０．１ｗｔ％
注入量：１００μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ (Measurement of number average molecular weight)
The number average molecular weight of the synthesized acrylic polymer was measured by the following method. The acrylic polymer was dissolved in THF at 0.1 wt%, and the number average molecular weight was measured by polystyrene conversion using GPC (gel permeation chromatography). Detailed measurement conditions are as follows.
GPC device: Tosoh HLC-8120GPC
Column: manufactured by Tosoh Corporation, (GMH HR -H) + (GMH HR -H) + (G2000H HR )
Flow rate: 0.8ml / min
Concentration: 0.1 wt%
Injection volume: 100 μl
Column temperature: 40 ° C
Eluent: THF

（導電性）
実施例、及び比較例で得られた検査用粘着シートに対しセパレータを剥離し、ダイシング処理前後での粘着剤表面の導電性を評価した。ダイシング処理は粘着シート単体で行い、すべての粘着シートにおいてそれぞれ基材フィルムがその厚さの１／２の深さまで切り込まれるよう条件を設定した。導電性評価は、三菱化学製Ｌｏｒｅｓｔｅｒ ＭＰ ＭＣＰ−Ｔ３５０を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準じて行い、粘着シートにおける粘着剤層の表面抵抗率及び体積抵抗率を求めた。尚、抵抗率補正係数ＲＣＦは４．５３２として、表面抵抗率及び体積抵抗率の算出を行った。 (Conductivity)
The separator was peeled from the test adhesive sheets obtained in the examples and comparative examples, and the electrical conductivity of the adhesive surface before and after dicing was evaluated. The dicing process was performed with the pressure-sensitive adhesive sheet alone, and conditions were set so that the base film was cut to a depth of ½ of the thickness of each pressure-sensitive adhesive sheet. Conductivity evaluation was performed according to JIS K7194 using Mitsubishi Chemical Lorester MP MCP-T350, and the surface resistivity and volume resistivity of the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive sheet were determined. The resistivity correction coefficient RCF was 4.532, and the surface resistivity and volume resistivity were calculated.

（引き剥がし粘着力）
実施例、及び比較例で得られた検査用粘着シートを、２０ｍｍ幅で短冊状に切断し、２３±３℃（室温）でシリコンミラーウェハ面（信越半導体株式会社製；ＣＺＮ＜１００＞２．５−３．５（４インチ））に貼付けた。次に、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３±３℃の恒温室で９０°引き剥がし粘着力を測定した（剥離点移動速度３００ｍｍ／ｓｅｃ）。また、シート裏面から窒素雰囲気下で紫外線を照射（１５００ｍＪ／ｃｍ２）し、同様に２３±３℃の恒温室で、９０°引き剥がし粘着力を測定した。 (Peeling adhesive strength)
The test adhesive sheets obtained in Examples and Comparative Examples were cut into strips with a width of 20 mm, and the silicon mirror wafer surface (manufactured by Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd .; CZN <100> 2. 5 to 3.5 (4 inches)). Next, after leaving still for 30 minutes in room temperature atmosphere, 90 degree peeling was measured in a 23 ± 3 degree C thermostat (peeling point moving speed 300mm / sec). Further, ultraviolet rays were irradiated from the back side of the sheet in a nitrogen atmosphere (1500 mJ / cm 2 ), and the adhesive strength was measured in a similar manner at 23 ± 3 ° C. by peeling off 90 °.

（ダイシング評価）
実施例、及び比較例で得られた検査用粘着シートに、裏面研削された厚さ１００μｍの半導体ウェハ（６インチ）を温度２３±３℃でマウントした後、以下の条件でダイシングした。ダイシング時のチップ飛び、ダイシング後のチップの欠けや割れの発生の有無を評価した。評価は、５０個の半導体チップのうち、一つでもチップ飛び、チップの欠けや割れが発生した場合を×とし、発生しなかった場合を○とした。 (Dicing evaluation)
A 100 μm thick semiconductor wafer (6 inches) ground on the back surface was mounted on the inspection adhesive sheet obtained in the examples and comparative examples at a temperature of 23 ± 3 ° C., and then diced under the following conditions. The presence or absence of chip skipping during dicing and chipping or cracking after dicing was evaluated. In the evaluation, when one of the 50 semiconductor chips jumped and chipping or cracking of the chip occurred, it was evaluated as x, and when it did not occur, it was evaluated as ◯.

［ダイシング条件］
ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ−６５１ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、２７ＨＥＣＣブレード回転数：３５０００ｒｐｍ、ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ、ダイシングサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ [Dicing condition]
Dicer: manufactured by DISCO, DFD-651 blade: manufactured by DISCO, 27HECC blade rotation speed: 35000 rpm, dicing speed: 50 mm / sec, dicing size: 10 mm × 10 mm

ダイシングの切断深さは、基材フィルムの一部が切断される程度まで行った。比較例３の粘着シートにおいては、基材フィルムにおけるＡｌ蒸着層が切断される程度まで行った。
（ピックアップ）
ダイシング後の半導体チップが各粘着シートから剥離できるかピックアップ性を評価した。具体的には、ダイシング後に粘着シート裏面から窒素雰囲気下で紫外線を照射（１５００ｍＪ／ｃｍ２）し、それらを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。更に、各粘着シートの基材フィルム側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップしピックアップ性の評価を行った。ピックアップは５０個の半導体チップを連続して行い、ピックアップが成功した半導体ウェハの個数をカウントした。 The cutting depth of dicing was performed to such an extent that a part of the base film was cut. In the adhesive sheet of the comparative example 3, it carried out to such an extent that the Al vapor deposition layer in a base film was cut | disconnected.
(pick up)
The pick-up property was evaluated as to whether the semiconductor chip after dicing can be peeled off from each adhesive sheet. Specifically, after dicing, an ultraviolet ray was irradiated (1500 mJ / cm 2 ) in a nitrogen atmosphere from the back surface of the pressure-sensitive adhesive sheet, and the expanding process was performed by extending the chips to make a predetermined interval between the chips. Furthermore, the pick-up property was evaluated by picking up a semiconductor chip from the base film side of each pressure-sensitive adhesive sheet by a push-up method using a needle. The pick-up was performed continuously for 50 semiconductor chips, and the number of semiconductor wafers successfully picked up was counted.

［ピックアップ条件］
ピックアップ装置：ＮＥＣ Ｍａｃｈｉｎｅｒｙ−１００、ピン数：４本、ピンの間隔：３．５×３．５ｍｍ、ピン先端曲率：０．２５０ｍｍ、ピン突き上げ量：０．５０ｍｍ、吸着保持時間０．２秒、エキスパンド量：３ｍｍ [Pickup conditions]
Pickup device: NEC Machinery-100, number of pins: 4, pin spacing: 3.5 × 3.5 mm, pin tip curvature: 0.250 mm, pin push-up amount: 0.50 mm, suction holding time 0.2 seconds, Expanding amount: 3mm

（結果）
下記表１から分かる通り、各実施例１〜５の粘着シートにおいては、いずれも紫外線硬化型粘着剤層と基材フィルムとの間に導通経路が形成されており、ダイシング工程の前後で導通検査が可能であることが確認された。更に、ダイシングの際のチップ飛び、チップの欠けや割れは発生せず、極めて良好なダイシング性を示した。加えて、全ての半導体チップに対しピックアップが成功し、良好なピックアップ性を示した。 (result)
As can be seen from Table 1 below, in each of the pressure-sensitive adhesive sheets of Examples 1 to 5, a conduction path is formed between the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer and the base film, and the continuity test is performed before and after the dicing process. Is confirmed to be possible. Furthermore, chip skipping, chipping and cracking of the chip did not occur during dicing, and extremely good dicing properties were shown. In addition, all semiconductor chips were successfully picked up and showed good pick-up properties.

その一方、比較例１の粘着シートでは支持体を有していないことから、ピックアップ性が１０％にとどまった。また、比較例２の粘着シートにおいては、Ａｌ蒸着層がダイシングにより切断されたため、ダイシング後の導通経路は確保できなかった。更に、比較例３の粘着シートにおいては、基材フィルムが導電性を有していなかったので、表面抵抗率及び体積抵抗率は測定オーバーであった。その結果、これらの粘着シートではこれを貼り付けた状態で半導体ウェハ又は半導体チップの導通検査を行うことはできなかった。   On the other hand, since the pressure-sensitive adhesive sheet of Comparative Example 1 does not have a support, the pickup property is only 10%. Moreover, in the adhesive sheet of the comparative example 2, since the Al vapor deposition layer was cut | disconnected by dicing, the conduction | electrical_connection path | route after dicing was not securable. Furthermore, in the adhesive sheet of the comparative example 3, since the base film did not have electroconductivity, the surface resistivity and volume resistivity were measurement over. As a result, it was not possible to conduct a continuity test on the semiconductor wafer or semiconductor chip with these adhesive sheets attached.

Figure 0005060249
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本発明の実施の一形態に係る検査用粘着シートを概略的に示す断面模式図であって、同図（ａ）は粘着剤層中に導電性粒子が含まれる場合、同図（ｂ）は粘着剤層表面から導電性繊維の一部が露出している場合を表す。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram which shows schematically the adhesive sheet for test | inspection which concerns on one Embodiment of this invention, Comprising: When the electroconductive particle is contained in the same figure (a), the figure (b) The case where a part of electroconductive fiber is exposed from the adhesive layer surface is represented. 前記検査用粘着シートの基材フィルムに於ける間隙面積割合と光透過率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the gap area ratio in the base film of the said adhesive sheet for a test | inspection, and light transmittance. 前記検査用粘着シートを概略的に示す平面図である。It is a top view which shows the said adhesive sheet for a test | inspection schematically. 前記検査用粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明するための概略図であって、同図（ａ）は半導体ウェハの検査工程を表し、同図（ｂ）は半導体チップの検査工程を表す。It is the schematic for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device using the said adhesive sheet for an inspection, The figure (a) represents the inspection process of a semiconductor wafer, The figure (b) shows the inspection process of a semiconductor chip. To express.

符号の説明Explanation of symbols

１ 支持体
２ 基材フィルム
３ 粘着剤層
５ 導電性粒子
７ セパレータ
９ 半導体ウェハ
１０ ダイシング用粘着シート
１１ 半導体チップ
１３ 導通検査ステージ
１７ 導電性繊維 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Support body 2 Base film 3 Adhesive layer 5 Conductive particle 7 Separator 9 Semiconductor wafer 10 Dicing adhesive sheet 11 Semiconductor chip 13 Continuity inspection stage 17 Conductive fiber

Claims (7)

支持体上に、導電性繊維からなる支持基材及び粘着剤層が順次積層された検査用粘着シートであって、
前記検査用粘着シートは、
（ａ）前記検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハが固定された状態で、半導体ウェハにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体ウェハの導通検査をするためのもの、又は、
（ｂ）前記検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハを貼り合わせた後に、前記半導体ウェハを回路形成面側からダイシングし、ダイシング後の半導体チップがそれぞれ固定された状態で、前記半導体チップにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体チップの導通検査をするためのものであり、
前記支持体の２３℃における引張弾性率は５００ＭＰａ以下であり、
前記粘着剤層中に導電性粒子が含まれている、又は、前記粘着剤層の表面から前記導電性繊維の一部が露出していることにより、前記粘着剤層と前記支持基材との間には、電気的な導通が確保されていることを特徴とする検査用粘着シート。 An inspection pressure-sensitive adhesive sheet in which a support substrate made of conductive fibers and a pressure-sensitive adhesive layer are sequentially laminated on a support ,
The inspection pressure-sensitive adhesive sheet is
(A) One connection terminal on the circuit forming surface of the semiconductor wafer in a state where the semiconductor wafer is fixed on the pressure-sensitive adhesive layer of the inspection pressure-sensitive adhesive sheet with the surface opposite to the circuit forming surface as a bonding surface And for inspecting the continuity of the semiconductor wafer by bringing the other connecting terminal into contact with the pressure-sensitive adhesive layer for electrical connection, or
(B) On the pressure-sensitive adhesive layer in the inspection pressure-sensitive adhesive sheet, after bonding the semiconductor wafer with the surface opposite to the circuit forming surface as the bonding surface, dicing the semiconductor wafer from the circuit forming surface side, In a state where the semiconductor chips after dicing are fixed, one connection terminal is brought into contact with the circuit forming surface of the semiconductor chip, and the other connection terminal is brought into contact with the pressure-sensitive adhesive layer for electrical connection. , For conducting a continuity test of the semiconductor chip,
The tensile elastic modulus at 23 ° C. of the support is 500 MPa or less ,
Conductive particles are contained in the pressure-sensitive adhesive layer, or a part of the conductive fiber is exposed from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer , whereby the pressure-sensitive adhesive layer and the support substrate An adhesive sheet for inspection characterized in that electrical continuity is ensured between them. 前記支持体と前記支持基材との間に他の粘着剤層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の検査用粘着シート。 The pressure-sensitive adhesive sheet for inspection according to claim 1, wherein another pressure-sensitive adhesive layer is provided between the support and the support substrate . 前記支持体は、基材上に他の粘着剤層が設けられた構造であることを特徴とする請求項１に記載の検査用粘着シート。 The pressure-sensitive adhesive sheet for inspection according to claim 1, wherein the support has a structure in which another pressure-sensitive adhesive layer is provided on a substrate. 前記支持体の最大伸度が１００％以上であることを特徴とする請求項１に記載の検査用粘着シート。 The pressure-sensitive adhesive sheet for inspection according to claim 1, wherein the maximum elongation of the support is 100% or more. 請求項１〜４の何れか１項に記載の検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハを貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハが固定された状態で、導通可能な検査ステージ上に前記検査用粘着シートを載置し、前記半導体ウェハにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体ウェハの導通検査をする工程と、
前記半導体ウェハを回路形成面側からダイシングし、少なくとも前記支持基材の一部を残した状態で半導体チップを形成する工程と、
前記半導体チップを前記検査用粘着シートからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 The process of bonding a semiconductor wafer on the said adhesive layer in the adhesive sheet for a test | inspection in any one of Claims 1-4 as a bonding surface on the opposite side to a circuit formation surface,
In a state where the semiconductor wafer is fixed, the inspection adhesive sheet is placed on a conductive inspection stage, one connection terminal is brought into contact with a circuit forming surface of the semiconductor wafer, and the other is applied to the adhesive layer. A process of inspecting the continuity of the semiconductor wafer by abutting the connection terminals of
Dicing the semiconductor wafer from the circuit forming surface side, and forming a semiconductor chip in a state in which at least a part of the support base is left; and
And a step of picking up the semiconductor chip from the inspection pressure-sensitive adhesive sheet. 請求項１〜４の何れか１項に記載の検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハを貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハを回路形成面側からダイシングし、少なくとも前記支持基材の一部を残した状態で半導体チップを形成する工程と、
ダイシング直後の半導体チップがそれぞれ固定された状態で、導通可能な検査ステージ上に前記検査用粘着シートを載置し、前記半導体チップにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体チップの導通検査をする工程と、
前記半導体チップを前記検査用粘着シートからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 The process of bonding a semiconductor wafer on the said adhesive layer in the adhesive sheet for a test | inspection in any one of Claims 1-4 as a bonding surface on the opposite side to a circuit formation surface,
Dicing the semiconductor wafer from the circuit forming surface side, and forming a semiconductor chip in a state in which at least a part of the support base is left; and
With the semiconductor chips immediately after dicing being fixed, the adhesive sheet for inspection is placed on a conductive inspection stage, one connection terminal is brought into contact with the circuit forming surface of the semiconductor chip, and the adhesive A step of inspecting the continuity of the semiconductor chip by contacting the other connection terminal to the layer to achieve electrical connection;
And a step of picking up the semiconductor chip from the inspection pressure-sensitive adhesive sheet. 前記検査用粘着シートとして、支持基材及び粘着剤層の平面視における形状が前記半導体ウェハと同様のものを使用することを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。 As pressure-sensitive adhesive sheet for the test method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5 or 6 shapes in plan view of the supporting substrate and the adhesive layer is characterized by the use of the same as the semiconductor wafer.
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