JP5056673B2 - Thermoelectric conversion element and manufacturing method thereof - Google Patents
Thermoelectric conversion element and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP5056673B2 JP5056673B2 JP2008217110A JP2008217110A JP5056673B2 JP 5056673 B2 JP5056673 B2 JP 5056673B2 JP 2008217110 A JP2008217110 A JP 2008217110A JP 2008217110 A JP2008217110 A JP 2008217110A JP 5056673 B2 JP5056673 B2 JP 5056673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric conversion
- processed product
- conversion element
- intermediate processed
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
本発明は、2電極間の温度差を起電力に変換する熱電変換素子およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a thermoelectric conversion element that converts a temperature difference between two electrodes into an electromotive force, and a manufacturing method thereof.
従来、熱電変換素子の製造方法としては、特許文献1および特許文献2に記載の製造方法が提案されていた。これらの製造方法では、まず、母材となるガラスに複数の貫通孔(例えば、直径1μm程度のもの)を形成して、その貫通孔に熱電変換材を充填し、それら母材および熱電変換材からなる中間加工品を作製していた。 Conventionally, the manufacturing method of patent document 1 and patent document 2 was proposed as a manufacturing method of a thermoelectric conversion element. In these manufacturing methods, first, a plurality of through holes (for example, those having a diameter of about 1 μm) are formed in a glass serving as a base material, and the through holes are filled with a thermoelectric conversion material. An intermediate processed product consisting of
そして、次の工程において、その中間加工品を加熱して軟化させ、その軟化した中間加工品を貫通孔の貫通方向に延伸していた。このような加工により、中間加工品は細長い線状体(例えば、直径1mm程度のもの)となり、その際、貫通孔内に充填された熱電変換材もワイヤ状になり、そのワイヤの直径はナノサイズ程度まで細くなる。 In the next step, the intermediate processed product is heated and softened, and the softened intermediate processed product is stretched in the through-hole penetration direction. By such processing, the intermediate processed product becomes an elongated linear body (for example, one having a diameter of about 1 mm). At this time, the thermoelectric conversion material filled in the through hole also becomes a wire, and the diameter of the wire is nano. Thinning to size.
そして、次の工程では、上記線状体を延伸方向に対して略垂直に切断することによってチップ化し、このチップに電極を形成して、熱電変換素子を製造していた。
しかしながら、上記特許文献1、2に記載された熱電変換素子の製造方法において、上述のような手順で製造されるチップは、極めて微細なものとなる。そのため、このような微細な構造の熱電変換素子では、熱電変換素子の組み付け作業などを行う際に、その取り扱いが不便であった。 However, in the method for manufacturing a thermoelectric conversion element described in Patent Documents 1 and 2, the chip manufactured by the procedure as described above is extremely fine. For this reason, the thermoelectric conversion element having such a fine structure is inconvenient in handling when the thermoelectric conversion element is assembled.
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、従来品に比べ取り扱いやすい大きさの熱電変換素子を製造することができる熱電変換素子の製造方法を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a thermoelectric conversion element that can manufacture a thermoelectric conversion element that is easier to handle than conventional products. is there.
以下、本発明において、上記目的を達成するために採用した構成について説明する。
請求項1に記載の熱電変換素子の製造方法によれば、第2工程では、母材が軟化する温度以上の温度で第1中間加工品を加熱して第1中間加工品を軟化させ、軟化した第1中間加工品を一軸方向に延伸して線状体を形成し、その際、線状体の内部において熱電変換材からなる部分の径をナノオーダーまで細径化することで、熱電変換材からなるナノワイヤを線状体の内部に形成し、さらに線状体を束ねることによって第2中間加工品を作製し、第3工程では、第2中間加工品を加熱することにより、第2中間加工品中において隣り合う線状体の表面同士が熱融着された第3中間加工品を作製し、第4工程では、第3中間加工品を切断して、ナノワイヤの両端を外部に露出させることにより、ナノワイヤの一端にある端面が露出する第1面と、ナノワイヤの他端にある端面が露出する第2面とを有する形状とされた第4中間加工品を作製している。
Hereinafter, the configuration employed to achieve the above object in the present invention will be described.
According to the method for manufacturing a thermoelectric conversion element according to claim 1, in the second step, the first intermediate workpiece is heated at a temperature equal to or higher than a temperature at which the base material is softened to soften the first intermediate workpiece. The first intermediate processed product is stretched in a uniaxial direction to form a linear body. At that time, the diameter of the portion made of the thermoelectric conversion material inside the linear body is reduced to the nano-order, so that thermoelectric conversion is achieved. A second intermediate workpiece is produced by forming nanowires made of a material inside the linear body, and further bundling the linear bodies. In the third step, the second intermediate workpiece is heated to produce a second intermediate workpiece. In the processed product, a third intermediate processed product in which the surfaces of adjacent linear bodies are heat-sealed is produced, and in the fourth step, the third intermediate processed product is cut to expose both ends of the nanowire to the outside. A first surface at which an end surface at one end of the nanowire is exposed; The end face at the other end of Nowaiya is prepared fourth intermediate workpiece which is a shape having a second surface exposed.
このような製造方法であれば、製造途中で細径化される線状体を束ねてから、熱電変換素子となる成形品を切り出すことができる。したがって、製造途中で細径化された単一の線状体をそのまま切断していた従来製法に比べ、取り扱いやすい大きさの成形品を切り出して、従来品より大きい熱電変換素子を製造することができる。 If it is such a manufacturing method, after bundling the linear body thinned in the middle of manufacture, the molded article used as a thermoelectric conversion element can be cut out. Therefore, it is possible to manufacture a thermoelectric conversion element larger than the conventional product by cutting out a molded product having a size that is easy to handle compared to the conventional manufacturing method in which a single linear body having a small diameter is cut as it is during manufacturing. it can.
また、束ねられる線状体の数を増やすことで、最終的に得られる熱電変換素子の大きさを変えることができるので、単一の線状体をそのまま切断していた従来製法よりも、熱電変換素子の大きさを容易に最適化することができる。 In addition, since the size of the finally obtained thermoelectric conversion element can be changed by increasing the number of linear bodies to be bundled, the thermoelectric conversion can be performed more than the conventional manufacturing method in which a single linear body is cut as it is. The size of the conversion element can be easily optimized.
ところで、従来製法で、熱電変換材としてp型半導体材料を用いて製造された熱電変換素子と、n型半導体材料を用いて製造された熱電変換素子とを組み合わせて一個のモジュールを製造しようとすると、極めて微細なチップを組み合わせて製造しなければならない。 By the way, when a conventional method is used to combine a thermoelectric conversion element manufactured using a p-type semiconductor material as a thermoelectric conversion material and a thermoelectric conversion element manufactured using an n-type semiconductor material, one module is manufactured. It must be manufactured by combining extremely fine chips.
その点、請求項1に記載の製造方法において、第1工程は、熱電変換材としてp型半導体材料を用いることにより、p型半導体材料が母材の内部において一軸方向に延在する構造とされたp型第1中間加工品を作製するともに、熱電変換材としてn型半導体材料を用いることにより、n型半導体材料が母材の内部において一軸方向に延在する構造とされたn型第1中間加工品を作製する工程となっており、第2工程は、p型第1中間加工品から形成された線状体と、n型第1中間加工品から形成された線状体とを束ねて、これら2種の異なる線状体が所定の位置関係に配列されてなる第2中間加工品を作製する工程となっている。 In that respect, in the manufacturing method according to claim 1 , the first step has a structure in which the p-type semiconductor material extends in a uniaxial direction inside the base material by using the p-type semiconductor material as the thermoelectric conversion material. In addition, the first n-type intermediate processed product is manufactured and the n-type semiconductor material is used as the thermoelectric conversion material, so that the n-type first material has a structure in which the n-type semiconductor material extends in the uniaxial direction inside the base material. It is a process for producing an intermediate processed product, and the second step bundles a linear body formed from the p-type first intermediate processed product and a linear body formed from the n-type first intermediate processed product. Thus, the second intermediate workpiece is formed by arranging these two different linear bodies in a predetermined positional relationship.
このような製造方法であれば、線状体を束ねる段階でp型半導体およびn型半導体を含む線状体束を形成して、この線状体束から熱電変換素子を切り出すことができる。したがって、p型半導体を含むチップとn型半導体を含むチップそれぞれを独立に製造した後に、それらの極めて微細なチップを組み合わせざるを得なかった従来技術とは異なり、2種の半導体が含まれる熱電変換素子を、より簡単に製造できる。 With such a manufacturing method, a linear body bundle including a p-type semiconductor and an n-type semiconductor can be formed at the stage of binding the linear bodies, and a thermoelectric conversion element can be cut out from the linear body bundle. Therefore, unlike the prior art in which a chip including a p-type semiconductor and a chip including an n-type semiconductor are manufactured independently, and these extremely fine chips must be combined, a thermoelectric including two types of semiconductors is required. The conversion element can be manufactured more easily.
また、上述の熱電変換素子の製造方法において、第2工程としては、様々なものが考えられる。一例としては、例えば、請求項2に記載の製造方法のように、第2工程は、回転駆動される支持体の外周に、軟化した第1中間加工品を途切れることなく幾重にも巻き付けることにより、第2中間加工品を作製する工程であるとよい。 Moreover, in the manufacturing method of the thermoelectric conversion element mentioned above, various things can be considered as a 2nd process. As an example, for example, as in the manufacturing method according to claim 2 , the second step is performed by winding the softened first intermediate processed product several times around the outer periphery of the rotationally driven support without interruption. It is good that it is the process of producing the 2nd intermediate processed product.
この場合、回転駆動される支持体についても、様々な形態のものが考えられるが、一例を挙げれば、回転軸と垂直をなす断面が円形となっている支持体などが好適である。
また、請求項3に記載の製造方法においては、支持体の内部には、回転軸と垂直をなす両端面の間を貫通する中空部が形成され、支持体の外周面から中空部まで貫通するスリットが形成されており、第3工程は、第2中間加工品を支持体の外部から加熱するとともに、支持体の内部からスリットを介して供給される加熱気体により、第2中間加工品を支持体の内部からも加熱する工程となっている。
In this case, various forms of the rotationally driven support are conceivable. For example, a support having a circular cross section perpendicular to the rotation axis is suitable.
In the manufacturing method according to
このような製造方法であれば、第3工程において、第2中間加工品は、支持体の外側から加熱されるだけでなく、加熱した気体により支持体の内側からも加熱されることとなる。したがって、請求項1に記載の製造方法の第3工程に比べ、より効率的に第2中間加工品を加熱することができる。 With such a manufacturing method, in the third step, the second intermediate workpiece is not only heated from the outside of the support, but is also heated from the inside of the support by the heated gas. Therefore, the second intermediate workpiece can be heated more efficiently than in the third step of the manufacturing method according to claim 1.
次に、請求項4に記載の製造方法において、第4工程は、第1面と第2面が、互いに垂直をなすように形成された第4中間加工品を作製する工程となっている。
このような製造方法であれば、熱電変換素子の配設対象となる箇所において、温度差が生じている低温部のある面と高温部のある面が、互いに垂直となる面上にあったとしても、適した位置に配設可能な熱電変換素子を製造することができる。
Next, in the manufacturing method according to claim 4 , the fourth step is a step of manufacturing a fourth intermediate processed product in which the first surface and the second surface are formed to be perpendicular to each other.
With such a manufacturing method, it is assumed that the surface with the low temperature part and the surface with the high temperature part where the temperature difference occurs are on the surfaces perpendicular to each other at the location where the thermoelectric conversion element is to be disposed. In addition, a thermoelectric conversion element that can be disposed at a suitable position can be manufactured.
次に、請求項5に記載の製造方法において、第4工程は、第1面と第2面が、同一の水平面上にあるように形成された第4中間加工品を作製する工程となっている。
このような製造方法であれば、熱電変換素子の配設対象となる箇所において、温度差が生じている低温部のある面と高温部がある面が、互いに同一の水平面上にあったとしても、適した位置に配設可能な熱電変換素子を製造することができる。
Next, in the manufacturing method according to
With such a manufacturing method, even if the surface where the temperature difference is occurring and the surface where the high temperature portion is located on the same horizontal plane at the location where the thermoelectric conversion element is to be disposed, A thermoelectric conversion element that can be disposed at a suitable position can be manufactured.
さらに、請求項6に記載の熱電変換素子は、ガラス部材と、ナノワイヤとを備え、複数のナノワイヤが、ガラス部材の内部を貫通し、各ナノワイヤの一端にある端面は、ガラス部材が有する第1面においてガラス部材の外部に露出する一方、各ナノワイヤの他端にある端面は、ガラス部材が有する第2面においてガラス部材の外部に露出する構造になっており、さらに、ガラス部材の内部には、ナノワイヤと並列に第1面から第2面へと延びる空隙部が形成されている。 Furthermore, the thermoelectric conversion element according to claim 6 includes a glass member and a nanowire, and the plurality of nanowires penetrates the inside of the glass member, and an end face at one end of each nanowire is a first that the glass member has. While the surface is exposed to the outside of the glass member, the end surface at the other end of each nanowire has a structure that is exposed to the outside of the glass member on the second surface of the glass member. A void portion extending from the first surface to the second surface is formed in parallel with the nanowire.
このような熱電変換素子であれば、ガラス部材に比べ熱伝導率の低い空隙部が形成されているため、この種の空隙部が形成されていないものに比べ、熱電変換素子全体としての熱伝導率を低くすることができ、熱電変換素子としての性能を向上させることができる。 In such a thermoelectric conversion element, a void portion having a lower thermal conductivity than that of a glass member is formed. Therefore, compared to a device in which this type of void portion is not formed, the heat conduction of the entire thermoelectric conversion element. The rate can be lowered, and the performance as a thermoelectric conversion element can be improved.
次に、本発明の実施形態について、いくつかの具体的な例を挙げて説明する。
[第1実施形態]
《1.1》熱電変換素子の構造
図1は、本実施形態の熱電変換素子1の概略を示した斜視図である。
Next, embodiments of the present invention will be described with some specific examples.
[First Embodiment]
<< 1.1 >> Structure of Thermoelectric Conversion Element FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a thermoelectric conversion element 1 of the present embodiment.
熱電変換素子1は、図1に示すように、ガラス部材3、ナノワイヤ5、および電極7から構成される。
ナノワイヤ5は、熱電変換材(本実施形態では、Bi(ビスマス)にTe(テルル)を数%ドープした合金)からなり、径の寸法がナノサイズ(本実施形態では、10nm)とされたワイヤ状の部材である。また、ナノワイヤ5は、ガラス部材3の内部に複数形成されており、ガラス部材3を構成する面のうち2面において、各ナノワイヤ5の端面が外部に露出している。さらに、ナノワイヤ5の端面が露出している面においては、ガラス部材3とナノワイヤ5の端面との面積比が略30%となっている。
As shown in FIG. 1, the thermoelectric conversion element 1 includes a
The
電極7は、銅製の薄膜で、ナノワイヤ5の端面と電気的に接続されており、ガラス部材3の面のうちナノワイヤ5の端面が露出している各面を覆っている。
《1.2》熱電変換素子の製造方法
以下に、図2〜図4を用いて、第1実施形態における熱電変換素子1の製造方法について説明する。第1実施形態における熱電変換素子1の製造方法は、以下に説明するように、第1工程〜第5工程からなる。
The
<< 1.2 >> Method for Manufacturing Thermoelectric Conversion Element A method for manufacturing the thermoelectric conversion element 1 according to the first embodiment will be described below with reference to FIGS. The manufacturing method of the thermoelectric conversion element 1 in 1st Embodiment consists of a 1st process-a 5th process so that it may demonstrate below.
図2(A)は、ガラステンプレート10の概略を示した斜視図であり、図2(B)は、第1実施形態における第1工程の説明図である。図3(A)は、第1実施形態における第2工程の説明図であり、図3(B)は、第1実施形態における第2工程の説明図であり、図3(C)は、第1実施形態における第3工程の説明図である。図4(A)は、第1実施形態における第4工程の説明図であり、図4(B)は、第1実施形態における第4中間加工品49の説明図であり、図4(C)は、同第4中間加工品49の端面の一部の拡大図である。
FIG. 2A is a perspective view showing an outline of the
《1.2.1》第1工程
第1工程は、第1装置12を用いて、ガラステンプレート10と熱電変換材を加工して、第1中間加工品19を作製する工程である。
<< 1.2.1 >> 1st process The 1st process is a process of processing the
ガラステンプレート10は、図2(A)に示すように、ガラス製の円柱状の部材(本実施形態では、直径50mm、長さ70mm)であり、内部において一軸方向に延在する貫通孔11(本実施形態では、直径1μm)が複数形成されているものである。
As shown in FIG. 2 (A), the
第1装置12は、図2(B)に示すように、加圧槽13、加圧槽13の内部に配設された加熱槽14、加圧槽13に接続された真空ポンプ15と加圧ポンプ16、および加圧槽13と各ポンプの間に配設された2個のバルブ17、18から構成される。
As shown in FIG. 2B, the
この第1工程では、まず、図2(B)に示すように、ガラステンプレート10と所定量の熱電変換材(この時点では固体)を加熱槽14中に投入する。そして、真空ポンプ15により加圧槽13の内部を真空状態にしながら、加熱槽14を熱電変換材の融点より高温(本実施形態では、Biの融点271.4℃より高い300℃に設定)まで加熱することで熱電変換材を溶融させ、熱電変換材の融液中にガラステンプレート10が浸漬された状態にする。
In this first step, first, as shown in FIG. 2B, the
この後、バルブ17を閉じ、バルブ18を開けて加圧ポンプ16で加圧槽13の内部に不活性ガス(本実施形態ではAr(アルゴン))を導入し、加圧槽13内を数百気圧まで加圧することで、ガラステンプレート10の貫通孔11に熱電変換材を充填する。
Thereafter, the
そして、加熱槽14の温度を室温まで下げると、加熱槽14中において、熱電変換材が固化するので、その中から、貫通孔11内に熱電変換材が充填された状態になっているガラステンプレート10を取り出す。このような手順で得られたものが、第1中間加工品19である。
And if the temperature of the
《1.2.2》第2工程
第2工程は、第2装置20を用いて、第1中間加工品19を加工して、第2中間加工品29を作製する工程である。
<< 1.2.2 >> Second Step The second step is a step of processing the first
第2装置20は、図3(A)および図3(B)に示すように、ヒータ22、ローラ25、および図示しないモータから構成されている。ローラ25は、回転軸と垂直をなす断面が円形のものであり、モータにより回転駆動される。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the
この第2工程では、まず、第1中間加工品19における2つの円形の端面のうち、一つの端面に錘21を接着する。そして、錘21が接着された端面を下方にして第1中間加工品19をヒータ22で加熱し、第1中間加工品19を軟化させる。このとき、ヒータ22で加熱する温度は、ガラステンプレート10が流動化する温度以上(ガラスが軟化する温度以上)とされる。
In the second step, first, the
このように軟化した第1中間加工品19は、下端側の一部分が、図3(A)に示すように、錘21によって、貫通孔11の貫通方向と同方向に延伸されて、延伸前よりも細径化された線状体27となる。その際、線状体27の内部において、貫通孔11の径はナノオーダーまで細径化(本実施形態では10nm)され、熱電変換材からなるナノワイヤ5が形成されることになる。
As shown in FIG. 3A, the softened first
そして、図3(A)に示すように、線状体27にローラ25を接触させて、接触した部分をローラ25の外周面に固定する。次に、線状体27の接触した部分より下側の箇所で切断して、錘21および第1中間加工品19の下端部分を切り離す。
Then, as illustrated in FIG. 3A, the
そして、図3(B)に示すように、ローラ25を回転駆動して、第1中間加工品19の線状体27となった部分を引っ張りながらローラ25の外周に巻き取る。このように第1中間加工品19をローラ25に巻き取ると、軟化した第1中間加工品19は、線状体27になっていなかった部分が順に延伸されてゆくので、これにより、連続的に線状体27を形成しながら、その線状体27をローラ25に巻き取ってゆくことができる。
Then, as shown in FIG. 3B, the
そして、第1中間加工品19を線状体27としたもの全てをローラ25の外周面にて巻取ることにより、線状体27が幾重にも巻かれることとなる。このようにローラ25の外周上に作製されたものが、第2中間加工品29である。
Then, the
《1.2.3》第3工程
第3工程は、第2中間加工品29を加工して、第3中間加工品39を作製する工程である。
<< 1.2.3 >> Third Step The third step is a step of processing the second intermediate processed
この第3工程では、図3(B)に示すように、第2中間加工品29をローラ25とともに外部から図示しないヒータで加熱する。このとき、ヒータで加熱する温度は、第2工程における第2装置20のヒータ22による加熱温度に比べて、低温に設定される。
In this third step, as shown in FIG. 3B, the second intermediate processed
このヒータの加熱により、第2中間加工品29中において、隣り合う線状体27の表面同士が熱融着することとなる。このようにローラ25の外周上において作製されたものが、第3中間加工品39である。
Due to the heating of the heater, the surfaces of the adjacent
《1.2.4》第4工程
第4工程は、第3中間加工品39を加工して、第4中間加工品49を作製する工程である。
<< 1.2.4 >> Fourth Process The fourth process is a process of processing the third intermediate processed
この第4工程では、図4(A)に示すように、第3中間加工品39から適当な大きさのものを切り出す。このように切り出されたものにおいては、図4(B)に示すように、ナノワイヤ5の一端にある端面が露出する第1面と、ナノワイヤ5の他端にある端面が露出する第2面とを有する形状となる。そして、このような形状のものにおいて、第1面と第2面を有する形状を維持したまま、所望の大きさ及び形状となるように切断する。このように切断したものが、第4中間加工品49である。
In this fourth step, as shown in FIG. 4 (A), an appropriately sized product is cut out from the third
このような第4中間加工品49の切断面は、図4(C)に示すように、表面が接する位置関係にある線状体27の表面同士は熱融着されているものの、空隙45が介在する位置関係にある線状体27の表面同士は熱融着されておらず、この空隙45が、第4中間加工品49の内部において、第1面から第2面へと延在する状態になっている。
As shown in FIG. 4C, the cut surface of the fourth intermediate processed
《1.2.5》第5工程
第5工程は、第4中間加工品49から熱電変換素子1を製造する工程である。
この第5工程では、第4中間加工品49の面のうちナノワイヤ5の端面が外部に露出している2面に、周知のイオンプレーティング装置(図示略)により、電極7となる金属膜を形成する。このように加工されることで、所望の大きさ及び形状の熱電変換素子1が製造される。
<< 1.2.5 >> Fifth Process The fifth process is a process for manufacturing the thermoelectric conversion element 1 from the fourth intermediate processed
In the fifth step, a metal film to be the
《1.3》本実施形態の効果
以上のような本実施形態の製造方法であれば、製造途中で細径化される線状体27を束ねてから、熱電変換素子1となる成形品を切り出すことができる。したがって、製造途中で細径化された単一の線状体をそのまま切断していた従来製法に比べ、取り扱いやすい大きさの成形品を切り出して、従来品より大きい熱電変換素子1を製造することができる。
<< 1.3 >> Effects of the present embodiment If the manufacturing method of the present embodiment as described above, the
また、束ねられる線状体27の数を増やすことで、最終的に得られる熱電変換素子1の大きさを変えることができるので、単一の線状体をそのまま切断していた従来製法よりも、熱電変換素子1の大きさを容易に最適化することができる。
Moreover, since the size of the thermoelectric conversion element 1 finally obtained can be changed by increasing the number of the
また、本実施形態の製造方法によれば、ガラス部材に比べ熱伝導率の低い空隙45を有する熱電変換素子1を製造することができる。
したがって、本実施形態の製造方法で製造された熱電変換素子あれば、この種の空隙が形成されていない熱電変換素子に比べ、熱電変換素子全体としての熱伝導率を低くすることができるので、熱電変換素子としての性能を向上させることができる。
Moreover, according to the manufacturing method of this embodiment, the thermoelectric conversion element 1 which has the space |
Therefore, if there is a thermoelectric conversion element manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, the thermal conductivity of the entire thermoelectric conversion element can be reduced compared to a thermoelectric conversion element in which this type of void is not formed. The performance as a thermoelectric conversion element can be improved.
[第2実施形態]
以下に、図5および図6を用いて、第2実施形態における熱電変換素子の製造方法について、上述の第1実施形態と異なる部分を説明する。
[Second Embodiment]
Hereinafter, with reference to FIG. 5 and FIG. 6, portions of the thermoelectric conversion element manufacturing method according to the second embodiment that are different from the above-described first embodiment will be described.
図5(A)は、第2実施形態における第2工程の説明図であり、図5(B)は、第2実施形態における第3工程の説明図である。図6(A)は、第2実施形態における第4工程の説明図であり、図6(B)は、第2実施形態における第4中間加工品65の説明図であり、図6(C)は、同第4中間加工品65の端面の一部の拡大図である。
FIG. 5A is an explanatory diagram of the second step in the second embodiment, and FIG. 5B is an explanatory diagram of the third step in the second embodiment. FIG. 6A is an explanatory diagram of the fourth step in the second embodiment, and FIG. 6B is an explanatory diagram of the fourth
本実施形態における第1工程では、第1実施形態とは異なり、予め一端が塞がれた形状のガラス管(本実施形態では、外径10mm、内径6mm)をガラステンプレートとして利用し、このガラステンプレートの内部に、溶融した熱電変換材を注入する。このような方法で熱電変換材を注入すれば、第1実施形態における第1工程とは異なり、ミクロンオーダーの貫通孔11に熱電変換材を充填しなくても済むので、より容易に熱電変換材を充填することができる。このような第1工程で作製されたものが、第1中間加工品61である。
In the first step of the present embodiment, unlike the first embodiment, a glass tube (in this embodiment, an outer diameter of 10 mm and an inner diameter of 6 mm) whose one end is previously closed is used as a glass template, and this glass is used. A molten thermoelectric conversion material is injected into the template. If the thermoelectric conversion material is injected by such a method, unlike the first step in the first embodiment, it is not necessary to fill the micron-order through-
次の第2工程では、図5(A)に示すように、第1実施形態と略同様の作業により、第1中間加工品61から第2中間加工品63を作製する。なお、第2実施形態の場合、熱電変換材が注入されたガラス管の内腔は、第1実施形態で例示した貫通孔11より内径が大きいので、第1中間加工品61を延伸する際には、第1実施形態の場合よりも長い線状体62が作製される。これにより、第1実施形態の第2工程と同程度までナノワイヤの細径化が図られることになる。
In the next second step, as shown in FIG. 5A, a second intermediate processed
そして、次の第3工程では、図5(B)に示すように、第1実施形態と同様の作業により、第2中間加工品63をヒータで加熱して第3中間加工品64を作製する。
次の第4工程では、図6(A)および(B)に示すように、第1実施形態と同様の作業により、第3中間加工品64を切断して、第4中間加工品65を作製する。ここで、本実施形態の第4中間加工品65の切断面は、図6(C)に示すように、第1実施形態のものとは異なり、各線状体62の切断面にナノワイヤ5の端面が1個ずつ形成されている。
Then, in the next third step, as shown in FIG. 5B, the third
In the next fourth step, as shown in FIGS. 6A and 6B, the third intermediate processed
以上説明した通り、本実施形態の製造方法によれば、第1実施形態における第1工程とは異なり、ミクロンオーダーの貫通孔11に熱電変換材を充填しなくても済むので、より容易に熱電変換材を充填することができる。
As described above, according to the manufacturing method of the present embodiment, unlike the first step in the first embodiment, it is not necessary to fill the micron-order through-
[第3実施形態]
以下に、図7を用いて、第3実施形態における熱電変換素子の製造方法について、上述の第1実施形態と異なる部分を説明する。
[Third Embodiment]
Below, the part different from the above-mentioned 1st Embodiment is demonstrated about the manufacturing method of the thermoelectric conversion element in 3rd Embodiment using FIG.
図7(A)は、第3実施形態における第2工程の説明図であり、図7(B)は、第3実施形態における第4工程の説明図であり、図7(C)は、第3実施形態における第4中間加工品78の説明図である。
FIG. 7A is an explanatory diagram of the second step in the third embodiment, FIG. 7B is an explanatory diagram of the fourth step in the third embodiment, and FIG. It is explanatory drawing of the 4th
本実施形態における第1工程では、第1実施形態と同様の第1工程にて、2種類の第1中間加工品を作製する。具体的には、熱電変換材としてp型半導体材料を用いて第1中間加工品71を作製するとともに、熱電変換材としてn型半導体材料を用いて第1中間加工品72を作製する。
In the first step in this embodiment, two types of first intermediate processed products are produced in the same first step as in the first embodiment. Specifically, the first intermediate processed
次の第2工程では、図7(A)に示すように、第1中間加工品71から形成された線状体73と、第1中間加工品72から形成された線状体74とを同じローラ25の外周に巻き取り、これら2種の異なる線状体が所定の位置関係に配列されてなる第2中間加工品を作製する。
In the next second step, as shown in FIG. 7A, the
次の第3工程では、第1実施形態と同様の作業により、第2中間加工品をヒータで加熱して第3中間加工品75を作製する。
次の第4工程では、図7(B)に示すように、第1実施形態と同様の作業により、第3中間加工品75を切断する。そして、図7(C)に示すように、所望の大きさ及び形状となるように切断して、第4中間加工品78を作製する。
In the next third step, the third
In the next fourth step, as shown in FIG. 7B, the third
そして、第5工程では、第4中間加工品78に金属膜を形成して、所望の大きさの熱電変換素子を製造する。
このとき、ナノワイヤの端面が外部に露出する状態にある2面のうち、一方の面には、p型部分76から隣接するn型部分77への導電経路となる金属膜が形成され、他方の面には、n型部分77から隣接するp型部分76への導電経路となる金属膜が形成される。しかも、これら2面に形成された金属膜は、p型部分76とn型部分77とが交互に直列接続された導電経路を構成する位置に形成される。このような金属膜を形成すれば、p型部分76およびn型部分77のそれぞれにおいて、上記2面のいずれか一方から他方に向かって電流が流れ、且つ、その電流の流れる向きがp型部分76とn型部分77とで互いに逆向きになる導電経路を構成でき、この熱電変換素子単体でも、十分に大きな起電力を得ることができる。
In the fifth step, a metal film is formed on the fourth intermediate processed
At this time, a metal film serving as a conductive path from the p-
したがって、本実施形態の製造方法であれば、p型半導体を含むチップとn型半導体を含むチップそれぞれを独立に製造した後に、それらの極めて微細なチップを組み合わせざるを得なかった従来技術とは異なり、2種の半導体が含まれる熱電変換素子を、より簡単に製造できる。 Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, after the chips including the p-type semiconductor and the chip including the n-type semiconductor are independently manufactured, the prior art in which the extremely fine chips have to be combined is different from the conventional technique. In contrast, a thermoelectric conversion element including two types of semiconductors can be manufactured more easily.
[第4実施形態]
以下に、図8(A)を用いて、第4実施形態における熱電変換素子の製造方法について、上述の第1実施形態と異なる部分を説明する。図8(A)は、第3実施形態における第2工程の説明図である。
[Fourth Embodiment]
In the following, with reference to FIG. 8A, the manufacturing method of the thermoelectric conversion element in the fourth embodiment will be described with respect to differences from the first embodiment. FIG. 8A is an explanatory diagram of the second step in the third embodiment.
本実施形態においては、第2工程が第1実施形態とは異なる工程となるが、第1工程、第3工程、第4工程、および第5工程は、第1実施形態と略同様の工程となっている。
具体的には、本実施形態の第2工程で利用するローラ81において、図8(A)に示すように、回転軸と垂直をなす断面の形状が楕円形になっている。また、この楕円形の断面における長軸の長さは、第1実施形態におけるローラ25の円形の断面の直径と同じ長さになっている。
In the present embodiment, the second step is different from the first embodiment, but the first step, the third step, the fourth step, and the fifth step are substantially the same as those in the first embodiment. It has become.
Specifically, in the
このような形態のローラ81を利用しても、第1実施形態で例示した熱電変換素子と同等な機能を有する熱電変換素子を製造することができ、しかも、第1実施形態で例示した熱電変換素子に比べ、曲率の小さな形状の熱電変換素子を製造することができる。
Even when the
[第5実施形態]
以下に、図8(B)を用いて、第5実施形態における熱電変換素子の製造方法について、上述の第1実施形態と異なる部分を説明する。図8(B)は、第5実施形態における第2工程の説明図である。
[Fifth Embodiment]
Hereinafter, with reference to FIG. 8 (B), the manufacturing method of the thermoelectric conversion element in the fifth embodiment will be described with respect to differences from the first embodiment described above. FIG. 8B is an explanatory diagram of the second step in the fifth embodiment.
本実施形態においては、第2工程が第1実施形態とは異なる工程となるが、第1工程、第3工程、第4工程、および第5工程は、第1実施形態と略同様の工程となっている。
具体的には、本実施形態の第2工程で利用するローラ83において、図8(B)に示すように、回転軸と垂直をなす断面の形状が四角形の頂点部分に丸みを付けた形状となっている。また、この四角形の断面における対角線の長さは、第1実施形態におけるローラ25の円形の断面の直径と同じ長さになっている。
In the present embodiment, the second step is different from the first embodiment, but the first step, the third step, the fourth step, and the fifth step are substantially the same as those in the first embodiment. It has become.
Specifically, in the
このような形態のローラ83を利用しても、第1実施形態で例示した熱電変換素子を同等な機能を有する熱電変換素子を製造することができ、しかも、第1実施形態で例示した熱電変換素子に比べ、曲率の小さな形状の熱電変換素子を製造することができる。
Even if the
[第6実施形態]
以下に、図9を用いて、第6実施形態における熱電変換素子の製造方法について、上述の第1実施形態と異なる部分を説明する。図9は、第6実施形態における第2工程の説明図である。
[Sixth Embodiment]
In the following, with reference to FIG. 9, a portion different from the above-described first embodiment will be described regarding the method for manufacturing a thermoelectric conversion element in the sixth embodiment. FIG. 9 is an explanatory diagram of the second step in the sixth embodiment.
本実施形態において、第1実施形態と異なる工程は、第2工程および第3工程であり、第1工程、第4工程、および第5工程は、第1実施形態と略同様の工程となる。
本実施形態の第2工程では、第2装置のローラ85の形状が第1実施形態のものと異なる。具体的には、図9に示すように、本実施形態のローラ85は、回転軸と垂直をなす断面が円形であり、内部には回転軸と垂直をなす両端面の間を貫通する中空部86が形成されている。また、ローラ85の外周面から中空部86まで貫通するスリット87が回転軸と平行をなすように延設されている。
In the present embodiment, the steps different from the first embodiment are the second step and the third step, and the first step, the fourth step, and the fifth step are substantially the same as those in the first embodiment.
In the second step of this embodiment, the shape of the
次に本実施形態の第3工程では、図示しない加熱空気供給装置が、ローラ85の中空部86に加熱した空気を供給することができるように配設されている。そして、第1実施形態と同様の図示しないヒータで第2中間加工品を外部から加熱するとともに、中空部86からスリット87を介して供給される加熱空気により、第2中間加工品をローラ85の内部からも加熱する。
Next, in the third step of the present embodiment, a heated air supply device (not shown) is arranged so as to supply heated air to the
本実施形態の製造方法によれば、第3工程において、第2中間加工品は、ローラ85の外側からヒータにより加熱されるだけでなく、加熱空気によりローラ85の内側からも加熱されることとなる。したがって、本実施形態の製造方法であれば、第1実施形態の第3工程に比べ、より効率的に第2中間加工品を加熱することができる。
According to the manufacturing method of the present embodiment, in the third step, the second intermediate workpiece is not only heated from the outside of the
[第7実施形態]
以下に、図10を用いて、第7実施形態における熱電変換素子の製造方法について、上述の第1実施形態と異なる部分を説明する。図10(A)は、第7実施形態における第2工程の説明図であり、図10(B)は、第7実施形態における第4工程の説明図である。
[Seventh Embodiment]
Hereinafter, with reference to FIGS. 10A and 10B, portions of the thermoelectric conversion element manufacturing method according to the seventh embodiment that are different from those of the first embodiment will be described. FIG. 10A is an explanatory diagram of the second step in the seventh embodiment, and FIG. 10B is an explanatory diagram of the fourth step in the seventh embodiment.
本実施形態においては、第2工程、第3工程、および第4工程が、第1実施形態とは異なる工程となるが、第1工程、第5工程は第1実施形態と略同様の工程となる。
本実施形態の第2工程において、図10(A)に示すように、第2装置は、第1実施形態のようなローラ25の代わりに、金属製の板状部材91を備えている。板状部材91は、その板厚方向をZ方向とするX,Y,Z直交座標系において、X方向およびY方向に駆動されるものである。
In the present embodiment, the second step, the third step, and the fourth step are different from those in the first embodiment, but the first step and the fifth step are substantially the same as those in the first embodiment. Become.
In the second step of the present embodiment, as shown in FIG. 10A, the second device includes a metal plate-
また、ヒータで過熱されて軟化した第1中間加工品19は、板状部材91の表面に対してZ方向から供給される。
これにより、第2工程では、図10(A)に示すように、細径化された線状体27を、板状部材91の表面に途切れることなく積み重ねることで、第2中間加工品を作製する。
The first
As a result, in the second step, as shown in FIG. 10A, the thinned
そして、第3工程では、第2中間加工品を加熱後に切断することにより、線状体27が複数束ねられた第3中間加工品93を作製する。その後、第4工程では、図10(B)に示すように、第3中間加工品93から適当な大きさに切断し、さらに、所望の大きさ及び形状となるように切断して、第4中間加工品を作製する。
In the third step, the second intermediate processed product is cut after being heated to produce a third intermediate processed
このように、本発明の製造方法で熱電変換素子を製造する際、支持体としては、必ずしもローラを用いる必要はない。すなわち、上記板状部材91の如き支持体を利用しても、線状体27を束ねて、第1実施形態で例示した熱電変換素子と同等な機能を有する熱電変換素子を製造することができる。
Thus, when manufacturing a thermoelectric conversion element with the manufacturing method of this invention, it is not necessary to use a roller as a support body. That is, even if a support such as the plate-
[第8実施形態]
以下に、図11を用いて、第8実施形態における熱電変換素子の製造方法について、上述の第1実施形態と異なる部分を説明する。
[Eighth Embodiment]
Below, the part different from the above-mentioned 1st Embodiment is demonstrated about the manufacturing method of the thermoelectric conversion element in 8th Embodiment using FIG.
図11(A)は、第8実施形態における第4工程の説明図であり、図11(B)は、第8実施形態における第4工程の説明図であり、図11(C)は、第8実施形態における第4中間加工品の概略図である。 FIG. 11A is an explanatory diagram of the fourth step in the eighth embodiment, FIG. 11B is an explanatory diagram of the fourth step in the eighth embodiment, and FIG. It is the schematic of the 4th intermediate workpiece in 8 embodiment.
本実施形態において、第1実施形態と異なる工程は、第4工程である。その他の製造工程の第1工程、第2工程、第3工程、および第5工程は、第1実施形態と略同様の工程である。 In the present embodiment, the step different from the first embodiment is the fourth step. The first process, the second process, the third process, and the fifth process of the other manufacturing processes are substantially the same as those in the first embodiment.
本実施形態の第4工程では、図11(A)〜図11(C)に示すように、第3中間加工品39を切断することで、2個の切断面が垂直をなすような第4中間加工品95を作製する。その後、第5工程にて、2個の電極が互いに垂直をなしており、2個の電極の間が離間しているような熱電変換素子を製造する。
In the fourth step of the present embodiment, as shown in FIGS. 11A to 11C, the third
このような製造方法で熱電変換素子を製造すれば、第1実施形態とは異なる位置に電極が配置された熱電変換素子を製造できる。したがって、この熱電変換素子であれば、熱電変換素子の配設対象となる箇所において、低温面と高温面が互いに垂直な位置関係にあったとしても、適切に熱電変換素子を配設できる。 If a thermoelectric conversion element is manufactured by such a manufacturing method, the thermoelectric conversion element by which the electrode is arrange | positioned in the position different from 1st Embodiment can be manufactured. Therefore, with this thermoelectric conversion element, the thermoelectric conversion element can be appropriately disposed even if the low temperature surface and the high temperature surface are perpendicular to each other at the location where the thermoelectric conversion element is to be disposed.
[第9実施形態]
以下に、図12を用いて、第9実施形態における熱電変換素子の製造方法について、上述の第1実施形態と異なる部分を説明する。
[Ninth Embodiment]
Hereinafter, with reference to FIGS. 12A and 12B, portions of the thermoelectric conversion element manufacturing method according to the ninth embodiment that are different from those of the first embodiment will be described.
図12(A)は、第9実施形態における第4工程の説明図であり、図12(B)は、第9実施形態における第4工程の説明図であり、図12(C)は、第9実施形態における第4中間加工品の概略図である。 FIG. 12A is an explanatory diagram of the fourth step in the ninth embodiment, FIG. 12B is an explanatory diagram of the fourth step in the ninth embodiment, and FIG. It is the schematic of the 4th intermediate workpiece in 9 embodiment.
本実施形態において、第1実施形態と異なる工程は、第4工程である。その他の製造工程の第1工程、第2工程、第3工程、および第5工程は、第1実施形態と略同様の工程である。 In the present embodiment, the step different from the first embodiment is the fourth step. The first process, the second process, the third process, and the fifth process of the other manufacturing processes are substantially the same as those in the first embodiment.
本実施形態の第4工程では、図12(A)〜図12(C)に示すように、第3中間加工品を切断することで、2個の切断面が同一の水平面上にあるような第4中間加工品97を作製する。その後、第5工程にて、2個の電極が同一の水平面上にあり、2個の電極の間が離間しているような熱電変換素子を製造することができる。
In the fourth step of this embodiment, as shown in FIGS. 12A to 12C, the third intermediate workpiece is cut so that the two cut surfaces are on the same horizontal plane. A fourth intermediate processed
このような製造方法で熱電変換素子を製造すれば、第1実施形態とは異なる位置に電極が配置された熱電変換素子を製造できる。したがって、この熱電変換素子であれば、熱電変換素子の配設対象となる箇所において、低温面と高温面が同一面内にあったとしても、適切に熱電変換素子を配設できる。 If a thermoelectric conversion element is manufactured by such a manufacturing method, the thermoelectric conversion element by which the electrode is arrange | positioned in the position different from 1st Embodiment can be manufactured. Therefore, with this thermoelectric conversion element, the thermoelectric conversion element can be appropriately disposed even if the low-temperature surface and the high-temperature surface are in the same plane at the location where the thermoelectric conversion element is to be disposed.
[その他の実施形態]
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の具体的な一実施形態に限定されず、この他にも種々の形態で実施することができる。
[Other Embodiments]
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said specific one Embodiment, In addition, it can implement with a various form.
上記の各実施形態では、熱電変換材はBi(ビスマス)にTe(テルル)を数%ドープした合金であったが、熱電変換材はこれに限定されるものではない。例えば、Si(シリコン)にGe(ゲルマニウム)等を数%ドープした合金や、Pb(鉛)にTl(タリウム)等を数%ドープした合金等、熱電変換材であればどのような合金でも良い。 In each of the above embodiments, the thermoelectric conversion material is an alloy in which Bi (bismuth) is doped with Te (tellurium) by several percent, but the thermoelectric conversion material is not limited thereto. For example, any alloy may be used as long as it is a thermoelectric conversion material such as an alloy in which Si (silicon) is doped with Ge (germanium) or the like, or an alloy in which Pb (lead) is doped with Tl (thallium) or the like. .
また、上記の各実施形態では、第5工程として、イオンプレーティング装置により電極となる金属膜を形成していたが、電極を形成する方法はこれに限定されるものではない。例えば、周知の方法であるスパッタ、蒸着等の方法を採用しても良く、金属膜を形成できる方法であればどのような方法でも良い。 In each of the above embodiments, as the fifth step, the metal film to be an electrode is formed by the ion plating apparatus, but the method of forming the electrode is not limited to this. For example, a known method such as sputtering or vapor deposition may be employed, and any method may be used as long as it can form a metal film.
また、上記の第1実施形態では、第1工程として、第1装置を利用してガラステンプレートの貫通孔に熱電変換材を充填していたが、貫通孔に熱電変換材を充填する方法はこれに限定されるものではない。例えば、液状または微細粉末状の熱電変換材を貫通孔に注入して充填する方法を採用しても良く、貫通孔に熱電変換材を充填することができる方法であればどのような方法でも良い。 Moreover, in said 1st Embodiment, although the thermoelectric conversion material was filled into the through-hole of the glass template using the 1st apparatus as a 1st process, the method of filling a thermoelectric conversion material into a through-hole is this. It is not limited to. For example, a method of injecting and filling a thermoelectric conversion material in the form of a liquid or fine powder into a through hole may be adopted, and any method may be used as long as the thermoelectric conversion material can be filled into the through hole. .
また、上記の第8実施形態では、第4工程において、2個の切断面が垂直をなすような第4中間加工品を作製し、第9実施形態では、2個の切断面が同一の水平面上にあるような第4中間加工品を作製していたが、第4中間加工品における2個の切断面の位置関係はこれらに限定されるものではない。 In the eighth embodiment, in the fourth step, a fourth intermediate work product in which the two cut surfaces are perpendicular to each other is produced. In the ninth embodiment, the two cut surfaces are the same horizontal plane. Although the fourth intermediate processed product as described above was produced, the positional relationship between the two cut surfaces in the fourth intermediate processed product is not limited to these.
例えば、第3中間加工品を切断することで、2個の切断面のなす角度が60度または120度になるような第4中間加工品を作製しても良く、熱電変換素子の配設対象となる箇所に応じて、適切に配設できるような形状の熱電変換素子を製造しても良い。 For example, by cutting the third intermediate processed product, a fourth intermediate processed product in which the angle formed by the two cut surfaces is 60 degrees or 120 degrees may be produced. Depending on the location, a thermoelectric conversion element having a shape that can be appropriately arranged may be manufactured.
1・・・熱電変換素子、3・・・ガラス部材、5・・・ナノワイヤ、7・・・電極、10・・・ガラステンプレート、11・・・貫通孔、12・・・第1装置、13・・・加圧槽、14・・・加熱槽、15・・・真空ポンプ、16・・・加圧ポンプ、17,18・・・バルブ、19,61,71,72・・・第1中間加工品、20・・・第2装置、21・・・錘、22・・・ヒータ、25,81,83,85・・・ローラ、27,62,73,74・・・線状体、29,63・・・第2中間加工品、39,64,75,93・・・第3中間加工品、45・・・空隙、49,65,78,95,97・・・第4中間加工品、76・・・p型部分、77・・・n型部分、86・・・中空部、87・・・スリット、91・・・板状部材。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Thermoelectric conversion element, 3 ... Glass member, 5 ... Nanowire, 7 ... Electrode, 10 ... Glass template, 11 ... Through-hole, 12 ... 1st apparatus, 13 ... Pressure tank, 14 ... Heating tank, 15 ... Vacuum pump, 16 ... Pressure pump, 17, 18 ... Valve, 19, 61, 71, 72 ... First intermediate Workpiece, 20 ... second device, 21 ... weight, 22 ... heater, 25, 81, 83, 85 ... roller, 27, 62, 73, 74 ... linear body, 29 63, second intermediate processed product, 39, 64, 75, 93 ... third intermediate processed product, 45 ... gap, 49, 65, 78, 95, 97 ... fourth intermediate processed product. 76 ... p-type part, 77 ... n-type part, 86 ... hollow part, 87 ... slit, 91 ... plate member.
Claims (6)
前記母材が軟化する温度以上の温度で前記第1中間加工品を加熱して前記第1中間加工品を軟化させ、軟化した前記第1中間加工品を前記一軸方向に延伸して線状体を形成し、その際、前記線状体の内部において前記熱電変換材からなる部分の径をナノオーダーまで細径化することで、前記熱電変換材からなるナノワイヤを前記線状体の内部に形成し、さらに前記線状体を束ねることによって第2中間加工品を作製する第2工程と、
前記第2中間加工品を加熱することにより、前記第2中間加工品中において隣り合う前記線状体の表面同士が熱融着された第3中間加工品を作製する第3工程と、
前記第3中間加工品を切断して、前記ナノワイヤの両端を外部に露出させることにより、前記ナノワイヤの一端にある端面が露出する第1面と、前記ナノワイヤの他端にある端面が露出する第2面とを有する形状とされた第4中間加工品を作製する第4工程と、
前記第4中間加工品が有する前記第1面および前記第2面に、金属膜を形成することにより、熱電変換素子を製造する第5工程と
を含み、
前記第1工程は、前記熱電変換材としてp型半導体材料を用いることにより、前記p型半導体材料が前記母材の内部において一軸方向に延在する構造とされたp型第1中間加工品を作製するともに、前記熱電変換材としてn型半導体材料を用いることにより、前記n型半導体材料が前記母材の内部において一軸方向に延在する構造とされたn型第1中間加工品を作製する工程であり、
前記第2工程は、前記p型第1中間加工品から形成された前記線状体と、前記n型第1中間加工品から形成された前記線状体とを束ねて、これら2種類の異なる前記線状体が所定の位置関係に配列されてなる前記第2中間加工品を作製する工程である
ことを特徴とする熱電変換素子の製造方法。 A first step of producing a first intermediate processed product having a structure in which the thermoelectric conversion material extends in a uniaxial direction inside the base material by filling a thermoelectric conversion material in the glass serving as the base material; ,
The first intermediate workpiece is heated at a temperature equal to or higher than the temperature at which the base material is softened to soften the first intermediate workpiece, and the softened first intermediate workpiece is stretched in the uniaxial direction to form a linear body. And forming a nanowire made of the thermoelectric conversion material inside the linear body by reducing the diameter of the portion made of the thermoelectric conversion material to the nano-order inside the linear body. And a second step of producing a second intermediate processed product by bundling the linear bodies,
A third step of producing a third intermediate processed product in which the surfaces of the linear bodies adjacent in the second intermediate processed product are heat-sealed by heating the second intermediate processed product;
By cutting the third intermediate processed product and exposing both ends of the nanowire to the outside, a first surface where an end face at one end of the nanowire is exposed and an end face at the other end of the nanowire are exposed. A fourth step of producing a fourth intermediate processed product having a shape having two surfaces;
The fourth said first surface intermediate workpiece has and the second surface, by forming a metal film, seen including a fifth step of producing a thermoelectric conversion element,
In the first step, a p-type first intermediate processed product having a structure in which the p-type semiconductor material extends in a uniaxial direction inside the base material by using a p-type semiconductor material as the thermoelectric conversion material. At the same time, by using an n-type semiconductor material as the thermoelectric conversion material, an n-type first intermediate processed product having a structure in which the n-type semiconductor material extends in a uniaxial direction inside the base material is produced. Process,
In the second step, the linear body formed from the p-type first intermediate processed product and the linear body formed from the n-type first intermediate processed product are bundled, and these two types are different. A method for manufacturing a thermoelectric conversion element, comprising the step of manufacturing the second intermediate processed product in which the linear bodies are arranged in a predetermined positional relationship .
ことを特徴とする請求項1に記載の熱電変換素子の製造方法。 The second step is a step of producing the second intermediate processed product by winding the softened first intermediate processed product around the outer periphery of the rotationally driven support without being interrupted. The manufacturing method of the thermoelectric conversion element of Claim 1 .
前記第3工程は、前記第2中間加工品を前記支持体の外部から加熱するとともに、前記支持体の内部から前記スリットを介して供給される加熱気体により、前記第2中間加工品を前記支持体の内部からも加熱する工程である
ことを特徴とする請求項2に記載の熱電変換素子の製造方法。 In the inside of the support body, a hollow portion is formed that penetrates between both end faces perpendicular to the rotation axis, and a slit that penetrates from the outer peripheral surface of the support body to the hollow portion is formed,
In the third step, the second intermediate workpiece is heated from the outside of the support and the second intermediate workpiece is supported by the heated gas supplied from the inside of the support through the slit. The method of manufacturing a thermoelectric conversion element according to claim 2 , wherein the process is a step of heating from the inside of the body.
ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の熱電変換素子の製造方法。 The fourth step, the first surface and the second surface, according to claim 1 to claim 3, characterized in that the step of producing the fourth intermediate workpiece formed to perpendicular to each other The manufacturing method of the thermoelectric conversion element in any one of.
ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の熱電変換素子の製造方法。 The said 4th process is a process of producing the said 4th intermediate processed product formed so that the said 1st surface and the said 2nd surface may exist on the same horizontal surface. Item 4. A method for producing a thermoelectric conversion element according to any one of Items 3 to 4 .
熱電変換材からなり、径の寸法がナノオーダーとされたナノワイヤと
を備え、
複数の前記ナノワイヤが、前記ガラス部材の内部を貫通し、各ナノワイヤの一端にある端面は、前記ガラス部材が有する第1面において前記ガラス部材の外部に露出する一方、各ナノワイヤの他端にある端面は、前記ガラス部材が有する第2面において前記ガラス部材の外部に露出する構造になっており、
さらに、前記ガラス部材の内部には、前記ナノワイヤと並列に前記第1面から前記第2面へと延びる空隙部が形成されている
ことを特徴とする熱電変換素子。 A glass member made of glass;
Comprising a nanowire made of a thermoelectric conversion material and having a diameter of nano order.
The plurality of nanowires penetrates the inside of the glass member, and an end surface at one end of each nanowire is exposed to the outside of the glass member on the first surface of the glass member, and is at the other end of each nanowire. The end surface has a structure exposed to the outside of the glass member on the second surface of the glass member,
Furthermore, a gap extending from the first surface to the second surface is formed in parallel with the nanowire inside the glass member.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008217110A JP5056673B2 (en) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | Thermoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008217110A JP5056673B2 (en) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | Thermoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010056160A JP2010056160A (en) | 2010-03-11 |
JP5056673B2 true JP5056673B2 (en) | 2012-10-24 |
Family
ID=42071787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008217110A Expired - Fee Related JP5056673B2 (en) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | Thermoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5056673B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10840427B2 (en) | 2012-04-04 | 2020-11-17 | Nec Corporation | Thermoelectric conversion element, thermoelectric conversion system and manufacturing method of thermoelectric conversion element |
JP6269352B2 (en) * | 2013-12-16 | 2018-01-31 | 住友電気工業株式会社 | Thermoelectric material, thermoelectric module, optical sensor, and method of manufacturing thermoelectric material |
JP6927039B2 (en) * | 2015-06-30 | 2021-08-25 | 住友電気工業株式会社 | Manufacturing methods for thermoelectric materials, thermoelectric elements, optical sensors and thermoelectric materials |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1958272A4 (en) * | 2005-12-09 | 2011-09-28 | Zt3 Technologies Inc | High density nanowire arrays in a glassy matrix, and methods for drawing the same |
JP4742958B2 (en) * | 2006-04-04 | 2011-08-10 | 株式会社デンソー | Method for manufacturing thermoelectric conversion element |
-
2008
- 2008-08-26 JP JP2008217110A patent/JP5056673B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010056160A (en) | 2010-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hu et al. | Femtosecond laser welded nanostructures and plasmonic devices | |
EP2641281B1 (en) | Thermoelectric conversion element module | |
US7530239B2 (en) | Method of drawing a glass clad multi core lead telluride wire | |
US20120152295A1 (en) | Arrays of filled nanostructures with protruding segments and methods thereof | |
JP2011110694A (en) | Composite structure of graphene and nanostructure, and method for manufacturing the same | |
JP5676670B2 (en) | Control of alloy formation in liquid phase diffusion bonding | |
US9082930B1 (en) | Nanostructured thermolectric elements and methods of making the same | |
JP5056673B2 (en) | Thermoelectric conversion element and manufacturing method thereof | |
CN102428585A (en) | Thermoelectric device having a variable cross-section connecting structure | |
JP2010205977A (en) | Thermoelectric conversion element | |
TW201448294A (en) | Thermoelectric device fabrication using direct bonding | |
JP4742958B2 (en) | Method for manufacturing thermoelectric conversion element | |
EP2671255A1 (en) | Electrode structures for arrays of nanostructures and methods thereof | |
JP2005251917A (en) | Thermoelectric transducer | |
US11192337B2 (en) | Method for making composite structure with porous metal | |
IL191802A (en) | High density nanowire arrays in a glassy matrix and mehods for drawing the same | |
JP6136591B2 (en) | Thermoelectric conversion parts | |
JP6662886B2 (en) | Superconducting wire joining method | |
JP6089347B2 (en) | Tubular thermoelectric power generation device | |
JP2008305982A (en) | Field effect transistor and its manufacturing method | |
JP5083145B2 (en) | Thermoelectric conversion element | |
JP6826289B2 (en) | Thermally conductive structure, its manufacturing method and electronic device | |
JP4438622B2 (en) | Thermoelectric conversion element and manufacturing method thereof | |
JP2015085352A (en) | Device joint method and package device | |
JP2009016495A (en) | Thermoelectric element, and its manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100831 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120703 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120716 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5056673 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |