JP5056420B2 - 有機elパネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機elパネルおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5056420B2 JP5056420B2 JP2008002921A JP2008002921A JP5056420B2 JP 5056420 B2 JP5056420 B2 JP 5056420B2 JP 2008002921 A JP2008002921 A JP 2008002921A JP 2008002921 A JP2008002921 A JP 2008002921A JP 5056420 B2 JP5056420 B2 JP 5056420B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- emitting region
- light emitting
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 105
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 52
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003012 bilayer membrane Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 278
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 208000023514 Barrett esophagus Diseases 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- -1 gold and aluminum Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02304—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment formation of intermediate layers, e.g. buffer layers, layers to improve adhesion, lattice match or diffusion barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
- H10K10/476—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure comprising at least one organic layer and at least one inorganic layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルであって、前記非発光領域内において、前記有機材料上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第1の電極層と、前記第1の電極層と電気的に接続され、少なくとも前記発光領域を覆うように形成された第2の電極層と、を備え、前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、前記中間層は、LiF又はLi 2 Oからなる層であり、前記発光領域には形成されていないことを特徴とする有機ELパネル。
発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルであって、前記非発光領域内において、前記有機材料上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第1の電極層と、前記第1の電極層と電気的に接続され、少なくとも前記発光領域を覆うように形成された第2の電極層と、を備え、前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、前記中間層は、前記有機材料側から順にLiF層とAg層を形成した二層膜、又は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層を形成した二層膜であり、前記発光領域には形成されていないことを特徴とする有機ELパネル。
発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルであって、前記非発光領域内において、前記有機材料上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第1の電極層と、前記第1の電極層と電気的に接続され、少なくとも前記発光領域を覆うように形成された第2の電極層と、を備え、前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、前記中間層は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層とITO層を形成した三層膜であり、前記発光領域には形成されていないことを特徴とする有機ELパネル。
発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルの製造方法であって、前記非発光領域内において、前記有機材料上に中間層を形成する工程と、前記中間層上に第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層と電気的に接続され、少なくとも前記発光領域を覆う第2の電極層を形成する工程と、を備え、前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、前記中間層は、前記発光領域には形成されておらず、前記中間層は、LiF又はLi 2 Oからなる層、又は、前記有機材料側から順にLiF層とAg層を形成した二層膜、又は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層を形成した二層膜、又は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層とITO層を形成した三層膜であることを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルの製造方法であって、前記非発光領域内において、前記有機材料上に中間層を形成する工程と、前記中間層上に第1の電極層を形成する工程と、を備え、前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、前記中間層は、前記発光領域には形成されておらず、前記中間層は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層とITO層を形成した三層膜であり、前記第2の電極層はITOからなる層であり、前記中間層を形成する工程において、前記中間層を構成する前記ITO層と、前記第2の電極層とを単一のITO膜により形成することを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
図4は、第1実施例の補助陰極160の形成具合を示す図で、有機ELパネル100の構造模式図である。図示するように、隣り合う陽極130間に存在し、絶縁層120上に形成された有機EL素子140の上には、陽極130とは平面的に重ならない非発光領域に中間層150が形成され、その上に補助陰極160が形成されている。そして陰極170は、有機EL素子140および補助陰極160の上に形成されている。
次に第2実施例について説明する。上記第1実施例では、中間層150と補助陰極160の形成後に陰極170を形成したが、第2実施例は、中間層150の形成時に陰極170を同時形成し、その後補助陰極160を形成するものである。
上記実施例は、有機EL素子は発光光が白色光であり、カラーフィルタにてRGBの各色に変換して射出する有機ELパネルについて実施することとして説明したが、これに限るものでないことは勿論である。例えば、有機EL素子が、それぞれのRGBの異なる色を発光する有機ELパネルであっても実施することが可能である。この変形例について図8を用いて説明する。
上記実施例では、上記第1変形例に示したような隔壁が、隣り合う陽極130間において存在しない有機ELパネルとして説明したが、これに限らず、隔壁を形成することとしてもよい。実際に、有機EL素子を形成する場合、マスクを使用して有機材料を蒸着する。このときマスクと蒸着面との間に隙間が存在しない場合、使用するマスクに付着した微小異物が画素部分に転写され易くなり、画素欠陥が発生してしまう。そこで、所定の高さを有する隔壁を設けることで、画素欠陥を抑制することができるのである。この変形例について図9を用いて説明する。
Claims (7)
- 発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルであって、
前記非発光領域内において、前記有機材料上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層と電気的に接続され、少なくとも前記発光領域を覆うように形成された第2の電極層と、
を備え、
前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、
前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、
前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、
前記中間層は、LiF又はLi 2 Oからなる層であり、前記発光領域には形成されていないことを特徴とする有機ELパネル。 - 発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルであって、
前記非発光領域内において、前記有機材料上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層と電気的に接続され、少なくとも前記発光領域を覆うように形成された第2の電極層と、
を備え、
前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、
前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、
前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、
前記中間層は、前記有機材料側から順にLiF層とAg層を形成した二層膜、又は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層を形成した二層膜であり、前記発光領域には形成されていないことを特徴とする有機ELパネル。 - 発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルであって、
前記非発光領域内において、前記有機材料上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層と電気的に接続され、少なくとも前記発光領域を覆うように形成された第2の電極層と、
を備え、
前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、
前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、
前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、
前記中間層は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層とITO層を形成した三層膜であり、前記発光領域には形成されていないことを特徴とする有機ELパネル。 - 請求項3に記載の有機ELパネルであって、
前記第2の電極層がITOからなり、
前記中間層を構成するITO層と前記第2の電極層とが単一のITO膜により形成されていることを特徴とする有機ELパネル。 - 請求項4に記載の有機ELパネルであって、
前記第の1電極層は、前記中間層側から順にMgAg層とAl層とを形成した二層膜であることを特徴とする有機ELパネル。 - 発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルの製造方法であって、
前記非発光領域内において、前記有機材料上に中間層を形成する工程と、
前記中間層上に第1の電極層を形成する工程と、
前記第1の電極層と電気的に接続され、少なくとも前記発光領域を覆う第2の電極層を形成する工程と、
を備え、
前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、
前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、
前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、
前記中間層は、前記発光領域には形成されておらず、
前記中間層は、LiF又はLi 2 Oからなる層、又は、前記有機材料側から順にLiF層とAg層を形成した二層膜、又は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層を形成した二層膜、又は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層とITO層を形成した三層膜であることを特徴とする有機ELパネルの製造方法。 - 発光領域と、当該発光領域を区画する非発光領域とを有し、当該非発光領域の少なくとも表面が有機材料で形成された有機ELパネルの製造方法であって、
前記非発光領域内において、前記有機材料上に中間層を形成する工程と、
前記中間層上に第1の電極層を形成する工程と、
を備え、
前記第1の電極層は、前記第2の電極層よりも小さい電気抵抗率を有する無機材料で形成され、
前記中間層は、前記有機材料に対して、前記第1の電極層よりも高い密着性を有する無機材料で形成されており、
前記有機材料は、前記発光領域に形成される有機EL素子を構成する有機材料と同じ材料であり、
前記中間層は、前記発光領域には形成されておらず、
前記中間層は、前記有機材料側から順にLiF層とMgAg層とITO層を形成した三層膜であり、
前記第2の電極層はITOからなる層であり、
前記中間層を形成する工程において、前記中間層を構成する前記ITO層と、前記第2の電極層とを単一のITO膜により形成することを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008002921A JP5056420B2 (ja) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | 有機elパネルおよびその製造方法 |
US12/345,116 US20090179558A1 (en) | 2008-01-10 | 2008-12-29 | Organic el panel and method for producing same |
KR1020090000294A KR20090077690A (ko) | 2008-01-10 | 2009-01-05 | 유기 el 패널 및 그 제조 방법 |
CN2009100030330A CN101483188B (zh) | 2008-01-10 | 2009-01-08 | 有机el面板及其制造方法 |
TW098100636A TW200948182A (en) | 2008-01-10 | 2009-01-09 | Organic EL panel and method for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008002921A JP5056420B2 (ja) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | 有機elパネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009164068A JP2009164068A (ja) | 2009-07-23 |
JP5056420B2 true JP5056420B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=40850052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008002921A Active JP5056420B2 (ja) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | 有機elパネルおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090179558A1 (ja) |
JP (1) | JP5056420B2 (ja) |
KR (1) | KR20090077690A (ja) |
CN (1) | CN101483188B (ja) |
TW (1) | TW200948182A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049034A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Nakanuma Art Screen Kk | 無機el発光素子、樹脂成形品、転写シート、転写シートの製造方法、及び樹脂成形品の製造方法 |
CN103403910A (zh) * | 2011-03-22 | 2013-11-20 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其导电基底 |
US20190103637A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | International Business Machines Corporation | Methods of forming rechargeable battery stacks containing a spalled cathode material |
US10622636B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-04-14 | International Business Machines Corporation | High-capacity rechargeable battery stacks containing a spalled cathode material |
US10601033B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-03-24 | International Business Machines Corporation | High-performance rechargeable batteries having a spalled and textured cathode layer |
CN108022962A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
CN111509138A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN114171362B (zh) * | 2022-02-09 | 2022-05-24 | 之江实验室 | 微粒转移装置以及应用 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4470241B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
TW511298B (en) * | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
US6841932B2 (en) * | 2001-03-08 | 2005-01-11 | Xerox Corporation | Display devices with organic-metal mixed layer |
US7288887B2 (en) * | 2001-03-08 | 2007-10-30 | Lg.Philips Lcd Co. Ltd. | Devices with multiple organic-metal mixed layers |
JP2002343562A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Pioneer Electronic Corp | 発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
JP4627966B2 (ja) * | 2002-01-24 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法 |
SG143063A1 (en) * | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7015639B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent devices and method of making transparent cathodes |
JP2005019211A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Casio Comput Co Ltd | El表示パネル及びel表示パネルの製造方法 |
JP2005302308A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Seiko Epson Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP4367346B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP4513777B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2010-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2007165215A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP4673279B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2011-04-20 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光表示素子及びその製造方法 |
JP2007335412A (ja) * | 2007-08-03 | 2007-12-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多色発光装置およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-01-10 JP JP2008002921A patent/JP5056420B2/ja active Active
- 2008-12-29 US US12/345,116 patent/US20090179558A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-01-05 KR KR1020090000294A patent/KR20090077690A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-01-08 CN CN2009100030330A patent/CN101483188B/zh active Active
- 2009-01-09 TW TW098100636A patent/TW200948182A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101483188B (zh) | 2012-07-04 |
US20090179558A1 (en) | 2009-07-16 |
JP2009164068A (ja) | 2009-07-23 |
CN101483188A (zh) | 2009-07-15 |
TW200948182A (en) | 2009-11-16 |
KR20090077690A (ko) | 2009-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5056420B2 (ja) | 有機elパネルおよびその製造方法 | |
TWI569438B (zh) | 有機el顯示裝置 | |
JP5593676B2 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
KR20160058360A (ko) | 협 베젤 구조를 갖는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 | |
JP2008135325A (ja) | 有機el表示装置とその製造方法 | |
KR102545527B1 (ko) | 투명표시장치 | |
WO2016152775A1 (ja) | 表示装置 | |
JP2019095507A (ja) | 表示装置 | |
JP2018066819A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
JP2015141775A (ja) | 有機el表示装置 | |
KR20200141548A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
JP2019049608A (ja) | 表示装置 | |
KR20180063627A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
WO2019171878A1 (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2023098646A (ja) | 発光表示装置およびその製造方法 | |
JP2010153171A (ja) | 有機el装置 | |
KR20230037310A (ko) | 발광 표시 장치 | |
JP2012094429A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2020027883A (ja) | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 | |
US10978521B2 (en) | Display device | |
US20240260323A1 (en) | Light emitting display device and method of manufacturing same | |
US20220199955A1 (en) | Display device and manufactring method thereof | |
JP2019160863A (ja) | 有機el表示装置 | |
KR102636629B1 (ko) | 표시장치 | |
US20230207734A1 (en) | Light Emitting Display Device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111128 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20111128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111129 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120703 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120716 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5056420 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |