JP5054889B2 - 露光方法および露光装置 - Google Patents
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このように熱ダメージが大きく、ラジカル濃度が高くなると、フォトリソグラフィーで形成される回路パターンプロファイルの性能が悪くなり、所定の微細な回路パターンが形成できない。特にラジカル重合型UV硬化樹脂が、適当な照度のときに最適のフォトリソパターンプロファイル性能を有する場合、適当な照度よりも高照度の露光機を使用すると、最適性能が得られない。したがってラジカル重合型UV硬化樹脂のような感光体はその感光体が有する最適条件で露光するのが望ましい。
T1=〔t3・N+t4・(N−1)〕・X+t2(X−1)
となる。ここで、t2はショット間のステージ移動時間、t3は1ショットの露光時間、t4は中断時間、Xはショット回数、Nは繰り返し回数である。
半導体ウエハをステップアンドリピートにより、露光する露光時間Srは(Sr=t3・N・X)であり、ステージの移動時間Sdは(Sd=t2(X−1))である。露光中断時間Stは(St=t4・(N−1)・X)である。したがって特許文献1は、露光中断時間だけ長くなる。
本発明は、以上の問題に鑑みて、熱ダメージが小さく、ラジカル濃度が低く、更に露光時間の短い露光方法および露光装置を提供するものである。
半導体ウエハ1枚あたりの露光時間Toが次式の通りであることを特徴とし、前記課題を解決する。
To=〔t3・X+t2・(X−1)〕・N+t5・(N−1)
ここで、t3は、露光ショットの時間
Xは、露光ショット回数
t2は、ステップアンドリピートの際のウエハステージの移動時間
t5は、ウエハステージを最初の位置に戻すための時間
また本発明の露光方法は、前記露光時間は、シャッターの開口時間を調整することにより、所定露光量の1/Nで露光することを特徴とする。
また本発明の露光方法は、前記照度は、UV光源の電圧調整、UV光源と半導体ウエハ間の距離調整または露光量調整板の挿入により、所定露光量の1/Nで露光することを特徴とする。
また本発明の露光方法は、感光体がアクリル基またはメタクリル基などの不飽和基を有するプリポリマー、不飽和ポリエステルにスチレンなどのビニルモノマーを溶解した系、またはチオールーオレフィン樹脂系のようなラジカル重合型UV硬化樹脂(光ラジカル重合開始剤:ベンゾフェノン系、ベンゾインエーテル系、アセトフェノン系、チオキサントン系など)であることを特徴とする。
また本発明の露光方法は、前記Nが2以上10以下であることを特徴とする。
また本発明の露光方法は、前記露光工程の露光量は、初めは所定露光量の1/Nより小さく、終わりは所定露光量の1/Nより大きくすることを特徴とする。
また本発明の露光装置は、前記のような投影露光方法を実施する制御部を備えることを特徴とする。
また本発明は、ステップアンドリピートをN回繰り返して露光することにより、自ずから露光中断時間がとれるので、わざわざ露光中断時間をとる従来技術の間欠露光方法を用いた露光方法に比べ、処理時間を大幅に短くすることができる。
また本発明の露光装置は、前記露光時間(露光シャッター開口時間)を1/Nにすることにより、あるいは、前記露光量1/Nの照度のUV光源を使用することにより、露光量の調整を行うことができる。
図2(b)は本発明において、UV光源の照度は変えず、露光時間(露光シャッター開口時間)を1/Nにして露光する場合の露光シーケンスを示し、露光量E/Nで露光ショット1、露光ショット2、・・・、露光ショットXまでステップアンドリピートを行う。
1ショットの露光時間はt3である。露光ショットごとのステージ移動時間はt2である。次に繰り返し露光を行うためにウエハステージ7を最初の位置に戻す。この最初の位置に戻る時間はt5である。そして2回目の露光を行う。この露光をN回行う。これにより、所定の露光量Eを半導体ウエハ上に照射する。
ところで、上述の照度A[mW/cm2]の露光機においても本発明技術を用いれば、より良好なパターンプロファイルを得ることが可能であり、その時の線幅寸法の調整はマスクパターンをリサイズすれば良い。
To=〔t3・X+t2・(X−1)〕・N+t5・(N−1)
となる。ここで、露光ショットの合計時間t1を
t1=t3・N
とすると、
To=t1・X+t2・(X−1)・N+t5・(N−1)
である。
露光時間t1・Xを除き、露光を行っていない時間Soのみを計算すると、t2が0.3秒、t5が3秒、Xが100回、Nが8回とすると、
So=t2・(X−1)・N+t5・(N−1)
=0.3×(100−1)×8+3×(8−1)
=237.6+21≒259(秒)
となる。
(比較例)
この半導体ウエハ1枚あたりの露光時間T1は、前述のように
T1=〔t3・N+t4・(N−1)〕・X+t2(X−1)
である。露光時間Srは(Sr=t3・N・X=t1・X)であり、ステージの移動時間Sdは(Sd=t2(X−1))ある。露光中断時間Stは(St=t4・(N−1)・X)である。露光時間Srを除き、露光を行っていない時間Sd+Stのみを計算すると、t2が0.3秒、t4が3.5秒、Xが100回、Nが8回とすると、
Sd+St=t2・(X−1)+t4・(N−1)・X
=0.3×(100−1)+3.5×(8−1)×100
=29.7+2450≒2480(秒)
となる。本発明に比べて約9倍以上の時間である。
(参考例)
T2=t1・X+t2・(X−1)
である。t1・Xは露光時間、t2・(X−1)はステージ移動時間の合計である。t2が0.3秒、ショット数Xが100とすると、ステージ移動時間は29.7秒である。一括露光の場合、大きい露光量で露光されるので、この場合の熱ダメージは図9(a)に示すように大きくなり、またラジカル濃度は図9(b)に示すように大きくなる。
3 コンデンサレンズ
4 レティクル
5 縮小レンズ
6 半導体ウエハ
7 ウエハステージ
Claims (7)
- 半導体ウエハ上にUV光源から放射される光を1つのレティクルを透過して結像し、半導体ウエハを載置するウエハステージを移動させて、露光ショット1から露光ショットXまで露光を行なって、露光ショット1へ戻るステップアンドリピート露光をN回繰り返し行う露光方法であって、
適当な露光時間、あるいは適当な照度のとき、最適のフォトリソパターンプロファイル性能を有するラジカル重合型UV硬化樹脂よりなる感光体を塗布した半導体ウエハに、前記感光体を露光する各1回の露光ショットが最適の露光時間、最適の照度、又は露光時間と照度の両方を調整することにより、所定露光量の1/Nで露光する露光工程を備え、
半導体ウエハ1枚あたりの露光時間Toが次式の通りであることを特徴とする露光方法。
To=〔t3・X+t2・(X−1)〕・N+t5・(N−1)
ここで、t3は、露光ショットの時間
Xは、露光ショット回数
t2は、ステップアンドリピートの際のウエハステージの移動時間
t5は、ウエハステージを最初の位置に戻すための時間 - 前記露光時間は、シャッターの開口時間を調整することにより、所定露光量の1/Nで露光することを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 前記照度は、UV光源の電圧調整、UV光源と半導体ウエハ間の距離調整または露光量調整板の挿入により、所定露光量の1/Nで露光することを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 前記感光体は、アクリル基またはメタクリル基などの不飽和基を有するプリポリマー、不飽和ポリエステルにスチレンなどのビニルモノマーを溶解した系、またはチオールーオレフィン樹脂系のようなラジカル重合型UV硬化樹脂(光ラジカル重合開始剤:ベンゾフェノン系、ベンゾインエーテル系、アセトフェノン系、チオキサントン系など)であることを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 前記Nが2以上10以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の投影露光方法。
- 前記露光工程の露光量は、初めは所定露光量の1/Nより小さく、終わりは所定露光量の1/Nより大きくすることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の投影露光方法。
- 前記請求項1乃至6のいずれか1項に記載の投影露光方法を実施する制御部を備える露光装置。
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