JP5053359B2 - 荷電粒子ビーム器具用の改善された検出器 - Google Patents
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Description
a.PLAを通過する二次電子の最大ラーモア半径(Scholtzの特許に記載のように、電界および磁界における電子の運動は、ラーモア半径と呼ばれる半径を有する円運動を含む数種の単純な運動の重ね合わせとして説明することができる)および
b.PLAより上の磁界および電界の幾何学形状(磁界および電界はPLAより上の二次電子の最大可能半径方向変位を決定する。極先端を越える軸方向距離に伴って急速に磁界が減衰するカラムの場合、磁界の幾何学形状は特に重要である)によって決定される。
a.ガス圧およびPLA径を十分に小さくしてTLD電極におけるガス損失(breakdown)を阻止すること、および
b.二次電子の幾つかの部分がTLDによって収集される一方で、残りの二次電子が図3に示したような構造内でガス増幅されるように、TLD吸引管および偏向電極にバイアスを印加することによって達成される。このガス増幅は荷電制御用のイオンを発生させる。試料表面に入射するイオン断片はイオン・トラップの幾何学形状およびバイアスによって制御される。
Claims (31)
- 試料を受け取るための試料室内に配置された試料ホルダと、
前記試料を照射するための光軸に沿って第1の荷電粒子の一次ビームを生成するために配置された粒子ソースと、
直径を有し、前記試料室内の圧力を電子光学カラム内の圧力よりも高圧に維持する圧力制限開口部と、
開口部を有し、前記照射に起因して試料から発生する電子信号を検出するために配置された第1の電極と、
前記試料ホルダより上に形成され、前記圧力制限開口部の上に延在する検出スペースと、
前記試料ホルダの近傍に一次ビームを集束させるための磁界を提供するための磁気レンズと、
を備えた粒子光学装置であって、検出器スペースが前記検出器スペース内部に鞍点を有する電位界を含み、これに対応する電界が前記鞍点の周囲で電子を振動させ、前記電子振動の少なくとも1つが電子を前記圧力制限開口部の上に上げて検出効率を改善する、粒子光学装置。 - 前記圧力制限開口部が前記圧力制限開口部を通過する二次電子の最大ラーモア半径よりも大きい半径を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記圧力制限開口部が1ミリメートルより大きい半径を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記圧力制限開口部が、前記圧力制限開口部の上の相当数の二次電子の最大半径方向変位よりも大きい半径を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記圧力制限開口部が管状であり、前記電子カラム内に延在している、請求項1に記載の装置。
- 前記電子カラムの極片が試料室からのガス流を制限し、これにより前記圧力制限開口部として機能する、請求項1に記載の装置。
- 前記圧力制限開口部が、前記第1の電極からの十分な電界を前記圧力制限開口部の上に拡張して、前記鞍点周囲の前記電子振動を維持可能にするのに十分に大きい直径を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記圧力制限開口部が電子のラーモア半径の2倍より大きい直径を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記検出スペースが、電界が磁界(「B」)に対して横方向にある成分(「E」)を含み、2*m*(E/B)∧2/q(「m」は電子の質量であり、「q」は電子の電荷である)がガスのイオン化エネルギーよりも大きい部分を含むように、前記第1の電極および界浸レンズが電界および磁界を提供するために配置され、前記試料からの電子信号の増幅をマグネトロンで強化する増幅ドメインで動作する、請求項1に記載の装置。
- 前記磁気レンズが界浸レンズを備え、検出器容量の有効部分が前記圧力制限開口部を越えて前記極片内へ延長された、請求項1に記載の装置。
- 前記試料室内の圧力が、前記二次電子のガス増幅を実現するのに十分に大きく、電子源の汚染を阻止するのに十分に小さい圧力に維持される、請求項1に記載の装置。
- 前記試料室内の圧力が約1Torr(133Pa)未満の圧力に維持される、請求項11に記載の装置。
- 前記試料室内の圧力が約1Torr(133Pa)〜約10mTorr(1.3Pa)の圧力に維持される、請求項12に記載の装置。
- 前記圧力制限開口部の上に位置決めされた第2の電極を更に備え、前記第2の電極が振動の第2周期中に前記圧力制限開口部を通過する電子の数を増大する電圧に維持される、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の電極が前記圧力制限開口部に対して負にバイアスされる、請求項14に記載の装置。
- 高真空検出器が前記圧力制限開口部の上に位置決めされ、前記第2の電極が二次電子信号を前記高真空検出器に提供するためにバイアスされる、請求項14に記載の装置。
- 前記第1の電極がバイアスされて、荷電粒子を前記試料に提供して蓄積電荷を中和する、請求項16に記載の装置。
- 前記検出器スペース内の電子の一部が前記圧力制限開口部の上で検出され、前記検出器スペース内のイオンの一部が電荷中和のために使用される、請求項14に記載の装置。
- 前記電荷中和のために使用される前記イオンが、前記試料と衝突して負の電荷を中和する、請求項18に記載の装置。
- 圧力が0.3Torr(40Pa)から0.1Torr(13Pa)に低下するとき、前記二次電子信号の利得が50%未満だけ低減される、請求項14に記載の装置。
- 圧力が0.3Torr(40Pa)から0.1Torr(13Pa)に低下するとき、前記二次電子信号の利得が25%未満だけ低減される、請求項14に記載の装置。
- 圧力が0.3Torr(40Pa)から0.1Torr(13Pa)に低下するとき、前記二次電子信号の利得が10%未満だけ低減される、請求項14に記載の装置。
- 圧力が0.3Torr(40Pa)から0.1Torr(13Pa)に低下するとき、前記二次電子信号の利得が5%未満だけ低減される、請求項14に記載の装置。
- 前記圧力制限開口部の上にある電極が前記圧力制限開口部の電位より低い少なくとも40ボルトの電位に維持される、請求項14に記載の装置。
- 荷電粒子ビーム・システムを作動する方法であって、
電子源を提供し、電子源周囲の環境を第1の圧力に維持するための電子源容量中に前記電子源を維持するステップと、
試料を保持する試料室を提供し、この試料室を第2の圧力に維持するステップと、
源室と前記試料室との間に圧力制限開口部を設けて、前記源室と前記試料室との間の圧力差を維持するステップと、
前記電子源から発生する電子のビームを集束させるための磁気レンズを設けるステップと、
前記電子源からの荷電粒子のビームを前記磁気レンズを通して試料の方に向けるステップと、
前記試料から放出された二次電子を加速して、ガスと衝突させ追加の電子を生成するステップと、
電子の経路を増大して検出器スペース内の衝突の回数および収集される電子の数を増大するための磁界および電界を提供し、この電界と、ガスをイオン化して二次電子信号を増幅することのできる検出器スペースが、圧力制限開口部の上に延びて、相当数の電子の経路が前記圧力制限開口部の上に延びるようにし、これによってガス分子との電子の衝突回数および二次電子信号を増大させるステップと、を含む方法。 - 電界を提供するステップが、鞍点を有する電位界を検出器スペース内部に提供し、これに対応する電界が前記鞍点の周囲で電子を振動させ、相当数の電子の振動の少なくとも1つがそれらの電子を前記圧力制限開口部の上に上げて検出効率を測定可能に改善するステップを含む、請求項25に記載の方法。
- 磁気レンズを設けるステップが、前記検出スペース内に磁界を提供する界浸レンズを設けるステップを含み、
前記検出スペースが、電界の成分(「E」)が磁界(「B」)に対して横方向になっており、2*m*(E/B)∧2/q(「m」は電子の質量であり、「q」は電子の電荷である)がガスのイオン化エネルギーよりも大きい少なくとも一部分を含むように電界および磁界が提供され、装置が前記試料からの電子信号の増幅をマグネトロンで強化する増幅ドメインで動作し、前記検出スペースが圧力制限開口部の上に延在する、請求項25に記載の方法。 - 電界を提供するステップが、前記圧力制限開口部の上の電極に電位を提供するステップを含む、請求項25に記載の方法。
- 前記電子源室と前記試料室との間に圧力制限開口部を設けるステップが、圧力制限開口部を通過する二次電子の最大ラーモア半径よりも大きい半径を有する圧力制限開口部を設けるステップを含む、請求項25に記載の方法。
- 前記電子の経路を増大するための磁界および電界を提供するステップが、前記圧力制限開口部の上の電極を振動の第2の周期中に前記圧力制限開口部を通過する電子の数を増大する電圧に維持するステップを含む、請求項25に記載の方法。
- 圧力制限開口部を設けるステップが、前記第1の電極からの十分な電界を圧力制限開口部の上に延長して前記鞍点周囲の前記電子振動を維持可能にするのに十分に大きい直径を有する圧力制限開口部を設けるステップを含む、請求項25に記載の方法。
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