JP7105183B2 - インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法 - Google Patents
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Description
(実施形態1)
図1は、実施形態1に係るインピーダンス整合装置100の構成例を示すブロック図である。インピーダンス整合装置100は、高周波電力を出力する高周波電源5及び高周波電力を消費する負荷7の間に設けられている。高周波電源5及びインピーダンス整合装置100の間には、高周波電力を通過させると共に高周波電圧等のパラメータを検出する高周波検出部6が接続されている。即ち、高周波検出部6は、高周波電源5の出力端と、インピーダンス整合装置100の入力端との間に介在してある。高周波検出部6がインピーダンス整合装置100に含まれていてもよい。
実施形態1は、最上位ビット又は最下位ビットから時間T1の時間差で半導体スイッチ21,22,・・28のオン/オフを順次切り換え又は設定する形態であるのに対し、実施形態2は、奇数ビットと偶数ビットに分けて半導体スイッチ21,22,・・28のオン/オフを切り換え又は設定する形態である。実施形態2に係るインピーダンス整合装置のブロック構成は、実施形態1の場合と同様であるため、対応する箇所には同様の符号を付してその説明を省略する。
101 伝送路
1 可変キャパシタ
C1 キャパシタ
L1 インダクタ
11、12、13、14、15、16、17、18 キャパシタ
21、22、23、24、25、26、27、28 半導体スイッチ
31、32、33、34、35、36、37、38 駆動回路
QH、QL トランジスタ
R 抵抗器
SC スピードアップコンデンサ
F フィルタ
FC キャパシタ
FL インダクタ
2 算出部
3 制御部
4 スイッチ状態設定部
5 高周波電源
6 高周波検出部
7 負荷
Claims (6)
- 高周波電源と負荷との間に設けられ、前記高周波電源の出力端又は該出力端と同等の箇所から前記負荷側を見たインピーダンスに関する情報を取得して、該高周波電源と負荷とのインピーダンスの整合を図るインピーダンス整合装置であって、
キャパシタ及び半導体スイッチの直列回路が複数並列に接続された可変キャパシタと、
取得した前記インピーダンスに関する情報を用いて前記負荷側のインピーダンス又は反射係数を算出する算出部と、
該算出部が算出したインピーダンス又は反射係数を用いて、前記可変キャパシタに含まれる前記半導体スイッチがとるべきオン/オフの状態を決定し、決定した状態に基づいて前記半導体スイッチをオン/オフする制御部と
を備え、
該制御部は、前記半導体スイッチの一部と他の一部とで、オン/オフ何れかに制御するタイミングを異ならせるインピーダンス整合装置。 - 前記制御部は、前記半導体スイッチ毎にオン/オフするタイミングを所定時間だけ異ならせる請求項1に記載のインピーダンス整合装置。
- 前記制御部は、
前記半導体スイッチのオン/オフの状態を記憶し、
記憶したオン/オフの状態及び決定したオン/オフの状態に基づいて、オン/オフの状態を変化させるべき半導体スイッチを抽出し、
抽出した半導体スイッチの一部と他の一部とで、オン/オフするタイミングを異ならせる
請求項1又は請求項2に記載のインピーダンス整合装置。 - 前記可変キャパシタに含まれる前記キャパシタの一部又は全部は、キャパシタンスの大きさが段階的に異なっている請求項1から請求項3の何れか1項に記載のインピーダンス整合装置。
- 前記制御部は、前記キャパシタのキャパシタンスの大きさの降順又は昇順に、対応する半導体スイッチをオン/オフする請求項4に記載のインピーダンス整合装置。
- 高周波電源と負荷との間に設けられる可変キャパシタによって、前記高周波電源と負荷とのインピーダンスの整合を図るインピーダンス整合方法であって、
前記可変キャパシタは、キャパシタ及び半導体スイッチの直列回路が複数並列に接続されており、
前記高周波電源の出力端又は該出力端と同等の箇所から前記負荷側を見たインピーダンスに関する情報を取得し、
取得した前記インピーダンスに関する情報を用いて前記負荷側のインピーダンス又は反射係数を算出し、
算出したインピーダンス又は反射係数を用いて、前記可変キャパシタに含まれる前記半導体スイッチがとるべきオン/オフの状態を決定し、
決定した状態に基づいて前記半導体スイッチをオン/オフする場合、前記半導体スイッチの一部と他の一部とで、オン/オフ何れかに制御するタイミングを異ならせるインピーダンス整合方法。
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---|---|---|---|---|
US10431428B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-01 | Reno Technologies, Inc. | System for providing variable capacitance |
JP6773283B2 (ja) * | 2016-11-17 | 2020-10-21 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置 |
US11289307B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-03-29 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11521833B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-12-06 | Reno Technologies, Inc. | Combined RF generator and RF solid-state matching network |
US11398370B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-07-26 | Reno Technologies, Inc. | Semiconductor manufacturing using artificial intelligence |
US11476091B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-10-18 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network for diagnosing plasma chamber |
WO2020100357A1 (ja) * | 2019-08-05 | 2020-05-22 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
JP2021141236A (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-16 | キオクシア株式会社 | 記憶装置及び方法 |
CN115967385B (zh) * | 2023-03-16 | 2023-05-23 | 荣湃半导体(上海)有限公司 | 一种开关控制电路及控制开关 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009065023A (ja) | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法 |
JP2009130881A (ja) | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Ntt Docomo Inc | 整合装置 |
JP2016119671A (ja) | 2014-12-19 | 2016-06-30 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | 集積化された調整可能なインピーダンス回路網 |
WO2018062109A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置 |
JP2018082332A (ja) | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社ダイヘン | 駆動回路およびインピーダンス整合装置 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5654679A (en) * | 1996-06-13 | 1997-08-05 | Rf Power Products, Inc. | Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance |
US6677828B1 (en) | 2000-08-17 | 2004-01-13 | Eni Technology, Inc. | Method of hot switching a plasma tuner |
WO2006076357A2 (en) | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Innovation Engineering, Llc | Method of detecting rf power delivered to a load and complex impedance of the load |
EP1891650A4 (en) | 2005-03-05 | 2012-03-28 | Innovation Engineering Llc | ELECTRONICALLY VARIABLE CAPACITOR ARRAY |
US20080179948A1 (en) * | 2005-10-31 | 2008-07-31 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
KR101047863B1 (ko) | 2009-03-13 | 2011-07-08 | 주식회사 에이앤디코퍼레이션 | 고압 처리기 및 고압 실링방법 |
TWI455172B (zh) * | 2010-12-30 | 2014-10-01 | Semes Co Ltd | 基板處理設備、電漿阻抗匹配裝置及可變電容器 |
US8416008B2 (en) * | 2011-01-20 | 2013-04-09 | Advanced Energy Industries, Inc. | Impedance-matching network using BJT switches in variable-reactance circuits |
US9720022B2 (en) * | 2015-05-19 | 2017-08-01 | Lam Research Corporation | Systems and methods for providing characteristics of an impedance matching model for use with matching networks |
US9865432B1 (en) | 2014-01-10 | 2018-01-09 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9755641B1 (en) | 2014-01-10 | 2017-09-05 | Reno Technologies, Inc. | High speed high voltage switching circuit |
US20160065207A1 (en) | 2014-01-10 | 2016-03-03 | Reno Technologies, Inc. | High voltage control circuit for an electronic switch |
US9496122B1 (en) | 2014-01-10 | 2016-11-15 | Reno Technologies, Inc. | Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same |
US10699880B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-06-30 | Reno Technologies, Inc. | Voltage reduction circuit |
US10455729B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-22 | Reno Technologies, Inc. | Enclosure cooling system |
US9196459B2 (en) | 2014-01-10 | 2015-11-24 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9697991B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-07-04 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US10679824B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-06-09 | Reno Technologies, Inc. | Capacitance variation |
US9745660B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-08-29 | Reno Technologies, Inc. | Method for controlling a plasma chamber |
US10431428B2 (en) * | 2014-01-10 | 2019-10-01 | Reno Technologies, Inc. | System for providing variable capacitance |
US9728378B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-08-08 | Reno Technologies, Inc. | Method for controlling an RF generator |
US9345122B2 (en) | 2014-05-02 | 2016-05-17 | Reno Technologies, Inc. | Method for controlling an RF generator |
US9844127B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-12-12 | Reno Technologies, Inc. | High voltage switching circuit |
US10454453B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-22 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9591739B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-03-07 | Reno Technologies, Inc. | Multi-stage heterodyne control circuit |
US9306533B1 (en) | 2015-02-20 | 2016-04-05 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US10679823B2 (en) | 2015-02-18 | 2020-06-09 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US9525412B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-12-20 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US11017983B2 (en) | 2015-02-18 | 2021-05-25 | Reno Technologies, Inc. | RF power amplifier |
US9729122B2 (en) | 2015-02-18 | 2017-08-08 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US10431424B2 (en) * | 2015-02-18 | 2019-10-01 | Reno Technologies Inc. | Parasitic capacitance compensation circuit |
US10340879B2 (en) * | 2015-02-18 | 2019-07-02 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US20180076788A1 (en) | 2015-06-29 | 2018-03-15 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network using heat pipe inductor |
US10692699B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-06-23 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with restricted capacitor switching |
US10483090B2 (en) * | 2017-07-10 | 2019-11-19 | Reno Technologies, Inc. | Restricted capacitor switching |
US11315758B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-04-26 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching using electronically variable capacitance and frequency considerations |
-
2018
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-
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-
2021
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009065023A (ja) | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法 |
JP2009130881A (ja) | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Ntt Docomo Inc | 整合装置 |
JP2016119671A (ja) | 2014-12-19 | 2016-06-30 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | 集積化された調整可能なインピーダンス回路網 |
WO2018062109A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置 |
JP2018082332A (ja) | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社ダイヘン | 駆動回路およびインピーダンス整合装置 |
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