JPS58106902A - Ｐｉｎダイオ−ド駆動回路 - Google Patents
Ｐｉｎダイオ−ド駆動回路Info
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- JPS58106902A JPS58106902A JP56205950A JP20595081A JPS58106902A JP S58106902 A JPS58106902 A JP S58106902A JP 56205950 A JP56205950 A JP 56205950A JP 20595081 A JP20595081 A JP 20595081A JP S58106902 A JPS58106902 A JP S58106902A
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- Japan
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- current
- transistor
- voltage
- circuit
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
- H03K17/665—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only
- H03K17/666—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/10—Angle modulation by means of variable impedance
- H03C3/12—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
- H03C3/22—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
-
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
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- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する分野〕
本発明は、位相変ｉｌｉ器あるいはダイオードスイッチ
郷に使用されるＰＩＮダイオードを駆動するＰ工Ｎダイ
オード駆動回路の改良に関し、特に高速で低消費電力の
Ｐ工Ｎダイオード駆動回路に関するものである。
郷に使用されるＰＩＮダイオードを駆動するＰ工Ｎダイ
オード駆動回路の改良に関し、特に高速で低消費電力の
Ｐ工Ｎダイオード駆動回路に関するものである。
Ｐ工Ｎダイオードは高逆耐圧、低順方向インピーダンス
という優れた特徴から高出力の位相変調器、ダイオード
スイッチ等に使用されている。しかし、Ｐ工Ｎダイオー
ドの工場には順方向バイアス時に小数キャリアが蓄積さ
れるため、高速応答が劣化する。このため高速のＰＩＮ
ダイオード駆動回路には順方向バイアスから逆方向バイ
アスへの切換時に、短時間に蓄積キャリアを打消す機能
が必要である。また、逆方向バイアスから順方向バイア
スへの切換時には、逆バイアス時に障壁容量によって蓄
積された電荷を短時間に打消すｌとが必要であり、この
ための機能も高速Ｐ工Ｎダイオード駆動回路に必要であ
る。
という優れた特徴から高出力の位相変調器、ダイオード
スイッチ等に使用されている。しかし、Ｐ工Ｎダイオー
ドの工場には順方向バイアス時に小数キャリアが蓄積さ
れるため、高速応答が劣化する。このため高速のＰＩＮ
ダイオード駆動回路には順方向バイアスから逆方向バイ
アスへの切換時に、短時間に蓄積キャリアを打消す機能
が必要である。また、逆方向バイアスから順方向バイア
スへの切換時には、逆バイアス時に障壁容量によって蓄
積された電荷を短時間に打消すｌとが必要であり、この
ための機能も高速Ｐ工Ｎダイオード駆動回路に必要であ
る。
従来、このような性能を有する駆動回路としては、同一
出願人による「変調用ダイオード駆動回路」〔特開昭４
９−８７２６５号公報〕に開示された□方法がある。こ
の方法は定電流回路と低インピーダンス回路をＰ工Ｎダ
イオードに接続し、Ｐ工Ｎダイオードが順方向の場合に
は低インピーダンス回路のトランジスタをカットオフに
し、定電流回路により一定のバイアス電流を供給し、Ｐ
工Ｎダイオードが順方向から逆方向へ゛スイッチングさ
れる過程では、低インピーダンス回路よりＰ工Ｎダイオ
ードに大電流を流して、Ｐ工Ｎダイオ−トノ蓄積電荷を
短時間に放電させ高速化を図ろうとするものである。こ
の方法は高速性に優れているが、障壁容量による電荷を
放電させるための電流を低インピーダンス回路のトラン
ジスタのペースとエミッタに接続されたダイオードを介
してスイッチングトランジスタに流しているため、スイ
ッチングトランジスタに大電流を流す必要があり、低消
費電力化および小形化はむずかしい。
出願人による「変調用ダイオード駆動回路」〔特開昭４
９−８７２６５号公報〕に開示された□方法がある。こ
の方法は定電流回路と低インピーダンス回路をＰ工Ｎダ
イオードに接続し、Ｐ工Ｎダイオードが順方向の場合に
は低インピーダンス回路のトランジスタをカットオフに
し、定電流回路により一定のバイアス電流を供給し、Ｐ
工Ｎダイオードが順方向から逆方向へ゛スイッチングさ
れる過程では、低インピーダンス回路よりＰ工Ｎダイオ
ードに大電流を流して、Ｐ工Ｎダイオ−トノ蓄積電荷を
短時間に放電させ高速化を図ろうとするものである。こ
の方法は高速性に優れているが、障壁容量による電荷を
放電させるための電流を低インピーダンス回路のトラン
ジスタのペースとエミッタに接続されたダイオードを介
してスイッチングトランジスタに流しているため、スイ
ッチングトランジスタに大電流を流す必要があり、低消
費電力化および小形化はむずかしい。
本発明は低消費電力かつ小形化が容易で、高速動作する
ＰＩＮダイオード駆動回路を提供することを目的とする
。
ＰＩＮダイオード駆動回路を提供することを目的とする
。
本発明は、Ｐ工Ｎダイオードに逆電圧を印加する低イン
ピーダンス回路と、順方向電流を供給する定電流回路と
、Ｐ工Ｎダイオードが逆方向から順方向にスイッチされ
る変換時：点から短時間だけ前記定電流回路に過剰電流
を流しＰＩＮダイオードの蓄積容量を短時間に定常状態
に散らせる手段とを備えたことを特徴とする。
ピーダンス回路と、順方向電流を供給する定電流回路と
、Ｐ工Ｎダイオードが逆方向から順方向にスイッチされ
る変換時：点から短時間だけ前記定電流回路に過剰電流
を流しＰＩＮダイオードの蓄積容量を短時間に定常状態
に散らせる手段とを備えたことを特徴とする。
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明−実施例の！！部回路構成図であるｂ入
力端子ｌはトランジスタ２のペースに接続サレ、入力端
子１′はトランジスタ３のベースに接続されている。入
力端子１と１′には互いに逆相の信号が入力される。ト
ランジスタ２とトランジスタ３のエミッタおよび抵抗器
４が接続される。抵抗器４の他方は負電源供給端子５に
接続されている。トランジスタ２および３のコレクタは
それぞれ抵抗器６．７を介して正電源供給端子８に接続
されている。トランジスタ３のコレクタはさらにトラン
ジスタ９のペースに、トランジスタ２のコレクタはコン
デンサ１０を介してトランジスタ１１のペースに接続さ
れている。トランジスタ９のコレクタは正電源供給端子
８に、エミッタはトランジスタ１１のコレクタに接続さ
れるとともに、出力端子１２を介してＰ工Ｎダイオード
１３０カソードに接続されている。トランジスタ１１の
エミッタは抵抗器１４を介して負電源供給端子５に接続
されている。トランジスタ１１のベースは抵抗器１５を
介して負電源供給端子５に接続されるとともに抵抗器１
６を介して接地されている。また、Ｐ工Ｎダイオード１
３のアノードは接地されている。
力端子ｌはトランジスタ２のペースに接続サレ、入力端
子１′はトランジスタ３のベースに接続されている。入
力端子１と１′には互いに逆相の信号が入力される。ト
ランジスタ２とトランジスタ３のエミッタおよび抵抗器
４が接続される。抵抗器４の他方は負電源供給端子５に
接続されている。トランジスタ２および３のコレクタは
それぞれ抵抗器６．７を介して正電源供給端子８に接続
されている。トランジスタ３のコレクタはさらにトラン
ジスタ９のペースに、トランジスタ２のコレクタはコン
デンサ１０を介してトランジスタ１１のペースに接続さ
れている。トランジスタ９のコレクタは正電源供給端子
８に、エミッタはトランジスタ１１のコレクタに接続さ
れるとともに、出力端子１２を介してＰ工Ｎダイオード
１３０カソードに接続されている。トランジスタ１１の
エミッタは抵抗器１４を介して負電源供給端子５に接続
されている。トランジスタ１１のベースは抵抗器１５を
介して負電源供給端子５に接続されるとともに抵抗器１
６を介して接地されている。また、Ｐ工Ｎダイオード１
３のアノードは接地されている。
このような回路構成では、信号の入力端子ｌ、１′に入
力した駆動信号はトランジスタ２．３および抵抗器６．
７．４よシ構成される差動パルス増幅器１７によシ増幅
される。差動パルス増幅器１７の出力の一部ハ、トラン
ジスタ３のコレクタから取出され、トランジスタ９のベ
ースに入カスる。
力した駆動信号はトランジスタ２．３および抵抗器６．
７．４よシ構成される差動パルス増幅器１７によシ増幅
される。差動パルス増幅器１７の出力の一部ハ、トラン
ジスタ３のコレクタから取出され、トランジスタ９のベ
ースに入カスる。
差動パルス増幅器１７の出力の他方はトランジスタ２の
コレクタから取出され、コンデンサ１ｏを介してトラン
ジスタ１１のベースに加えられる。
コレクタから取出され、コンデンサ１ｏを介してトラン
ジスタ１１のベースに加えられる。
トランジスタ９は低インピーダンス回路として動作し、
トランジスタ１ｌＦｉペースに適当な電位を加えること
により定電流回路として動作する。
トランジスタ１ｌＦｉペースに適当な電位を加えること
により定電流回路として動作する。
Ｐ工Ｎダイオード１３が順方向時に差動パルス増幅器１
７の低電位側の電圧を若干負電圧になるようにすれば、
トランジスタ９はカットオフされトランジスタ１１から
供給される電流は全てＰ工Ｎダイオード１３に流れ、Ｐ
工Ｎダイオード１３には定常時一定の順方向電流が流れ
る。
７の低電位側の電圧を若干負電圧になるようにすれば、
トランジスタ９はカットオフされトランジスタ１１から
供給される電流は全てＰ工Ｎダイオード１３に流れ、Ｐ
工Ｎダイオード１３には定常時一定の順方向電流が流れ
る。
このことをさらに詳しく説明する。第２図は、第１図に
Ｘ印で示した点の電圧波形または電流波形を示す動作タ
イムチャートである。第２図Ａ＃ｉ入力端子１．１′に
加えられたパルスの電圧波形であり、実線ａは入力端子
１１点線ａ′は入力端子１′に加えられるパルスの電圧
波形である。これらのパルスａ、ａ’は差動パルス増幅
器１７により第２図Ｂに示すように増幅される。第２図
Ｂの実１ｓｂはトランジスタ３のコレクタに出力された
電圧、点線ｂ′はトランジスタ２のコレクタに出力され
た電圧である。第２図Ｂ Ｏｔ１時点よシ以前でＦｉｐ
ＩＮダイオード１３には順方向電流に比例した電荷がＰ
ＩＮダイオード１３に蓄積されている。ｔ１時点から１
２時点はＰ工Ｎダイオード１３が順方向から逆方向にス
イッチされる過渡時間である。この期間はトランジスタ
９０ベース電圧が負電圧から正電圧に切換わりトランジ
スタ９＃ｊＯＮ状態になり、第２図ＣのごとくＰ工Ｎダ
イオード１３の電荷を短時間に放電するように大電流が
流れ、Ｐ工Ｎダイオ゛−ド１３は０ＦＩＦ状態になる。
Ｘ印で示した点の電圧波形または電流波形を示す動作タ
イムチャートである。第２図Ａ＃ｉ入力端子１．１′に
加えられたパルスの電圧波形であり、実線ａは入力端子
１１点線ａ′は入力端子１′に加えられるパルスの電圧
波形である。これらのパルスａ、ａ’は差動パルス増幅
器１７により第２図Ｂに示すように増幅される。第２図
Ｂの実１ｓｂはトランジスタ３のコレクタに出力された
電圧、点線ｂ′はトランジスタ２のコレクタに出力され
た電圧である。第２図Ｂ Ｏｔ１時点よシ以前でＦｉｐ
ＩＮダイオード１３には順方向電流に比例した電荷がＰ
ＩＮダイオード１３に蓄積されている。ｔ１時点から１
２時点はＰ工Ｎダイオード１３が順方向から逆方向にス
イッチされる過渡時間である。この期間はトランジスタ
９０ベース電圧が負電圧から正電圧に切換わりトランジ
スタ９＃ｊＯＮ状態になり、第２図ＣのごとくＰ工Ｎダ
イオード１３の電荷を短時間に放電するように大電流が
流れ、Ｐ工Ｎダイオ゛−ド１３は０ＦＩＦ状態になる。
一方、トランジスタ１１のペースには、第２図Ｂのｂ′
で示す電圧がコンデンサ１０を介して加えられる。コン
デンサ１０の値はトランジスタ１１のベースに加えられ
る電圧が第２図りに示す微分波形となるように選ばれる
。このような場合は、トランジスタ１１の電流波形は第
２図Ｅのようになる。ｔ１時点から１２時点の間トラン
ジスタ１１はは埋カットオフになり、Ｐ工Ｎダイオード
１３の電荷の放電を加速する。
で示す電圧がコンデンサ１０を介して加えられる。コン
デンサ１０の値はトランジスタ１１のベースに加えられ
る電圧が第２図りに示す微分波形となるように選ばれる
。このような場合は、トランジスタ１１の電流波形は第
２図Ｅのようになる。ｔ１時点から１２時点の間トラン
ジスタ１１はは埋カットオフになり、Ｐ工Ｎダイオード
１３の電荷の放電を加速する。
次にｔ３時点から１４時点の間はＰ工Ｎダイオード１３
が逆方向から順方向にスイッチされる過渡時間である。
が逆方向から順方向にスイッチされる過渡時間である。
トランジスタ９のエミッタ電圧はペース電圧の変化にと
もなって正電圧から負電圧に変化し、−１４時点でトラ
ンジスタ９はカットオフになる。他方、トランジスタ１
１はｔＨ時点から１４時点の間とそれ以稜の短時間の量
大電流を流し、Ｐ工Ｎダイオード１３の障壁容量による
電荷を放電させる。これと同時にＰ工Ｎダイオード１３
の工場内の電荷を急速に定常状態に致らしめる。
もなって正電圧から負電圧に変化し、−１４時点でトラ
ンジスタ９はカットオフになる。他方、トランジスタ１
１はｔＨ時点から１４時点の間とそれ以稜の短時間の量
大電流を流し、Ｐ工Ｎダイオード１３の障壁容量による
電荷を放電させる。これと同時にＰ工Ｎダイオード１３
の工場内の電荷を急速に定常状態に致らしめる。
このようにすれば１４時点から次の順方向から逆方向に
切換わる時点までの時間に関係なく、Ｐ工Ｎダイオード
１３内の電荷はほぼ一定であるので、順方向から逆方向
にスイッチングされる場合にトランジスタ９からＰ１舅
ダイオード１３に供給される電流は常に一定となシ、ジ
ッタの少ないスイッチング特性が得られる。
切換わる時点までの時間に関係なく、Ｐ工Ｎダイオード
１３内の電荷はほぼ一定であるので、順方向から逆方向
にスイッチングされる場合にトランジスタ９からＰ１舅
ダイオード１３に供給される電流は常に一定となシ、ジ
ッタの少ないスイッチング特性が得られる。
また、差動パルス増幅器１７の出力振幅は、Ｐ工Ｎダイ
オード１３に加える逆電圧より若干大きくとれば良く大
電流を流す必要、はなく、トランジスタ９と１１に流れ
る電流もほとんどスイッチングの過渡時点だけに流れる
ので消費電力も極めて少ない。また、定常状態における
Ｐ工Ｎダイオード１３の順方向電流は、スイッチング時
点の過渡電流に比べて通常時にははるかに小さい。
オード１３に加える逆電圧より若干大きくとれば良く大
電流を流す必要、はなく、トランジスタ９と１１に流れ
る電流もほとんどスイッチングの過渡時点だけに流れる
ので消費電力も極めて少ない。また、定常状態における
Ｐ工Ｎダイオード１３の順方向電流は、スイッチング時
点の過渡電流に比べて通常時にははるかに小さい。
以上説明したように本発明によれば、Ｐ工Ｎダイオード
駆動回路を低消費電力化てき、小形化に適し、かつ高速
で駆動することができる等の効果を有する。
駆動回路を低消費電力化てき、小形化に適し、かつ高速
で駆動することができる等の効果を有する。
第１図は本発明一実施例の要部回路構成図。
第２図は第１図に×印で示した点の電圧あるいは電流波
形を示す動作タイムチャート。 １．１′・・・入力端子、２．３．９．１１・・・トラ
ンジスタ、４．６．７．１４．１５．１６・・・抵抗器
、５・・−負電源供給端子、８・・・正電源供給端子、
１０・・・コンデンサ、１２・・・出力端子、１７・・
・差動パルス増幅器。 特許出願人日本電気株式会社 代理人 弁理士井 出 直 孝 １１２
形を示す動作タイムチャート。 １．１′・・・入力端子、２．３．９．１１・・・トラ
ンジスタ、４．６．７．１４．１５．１６・・・抵抗器
、５・・−負電源供給端子、８・・・正電源供給端子、
１０・・・コンデンサ、１２・・・出力端子、１７・・
・差動パルス増幅器。 特許出願人日本電気株式会社 代理人 弁理士井 出 直 孝 １１２
Claims (1)
- （１）Ｐ工Ｎダイオードに逆電圧を印加する低インピー
ダンス回路と、ＰＩＮダイオードに順方向電流を供給す
る定電流回路とを含むＰ工Ｎダイオード駆動回路におい
て、前記定電流回路に、前記Ｐ工Ｎダイオードが逆方向
から順方向にスイッチされる変換時点から短時間だけ過
剰電流を流す手段を備えたことを特徴とするＰ工Ｎダイ
オード駆動回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205950A JPS58106902A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | Ｐｉｎダイオ−ド駆動回路 |
| US06/446,307 US4533838A (en) | 1981-12-18 | 1982-12-03 | Diode driver circuit having stored charge control means |
| EP82111627A EP0082471B1 (en) | 1981-12-18 | 1982-12-15 | Diode driver circuit |
| DE8282111627T DE3278965D1 (en) | 1981-12-18 | 1982-12-15 | Diode driver circuit |
| CA000418002A CA1204473A (en) | 1981-12-18 | 1982-12-17 | Diode driver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205950A JPS58106902A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | Ｐｉｎダイオ−ド駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106902A true JPS58106902A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16515385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56205950A Pending JPS58106902A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | Ｐｉｎダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4533838A (ja) |
| EP (1) | EP0082471B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58106902A (ja) |
| CA (1) | CA1204473A (ja) |
| DE (1) | DE3278965D1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269407A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Fujitsu Ltd | エミツタフオロワ回路 |
| JPS63287111A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 論理回路 |
| JP2002164762A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-06-07 | Eni Technology Inc | プラズマ・チューナのホット・スイッチングの方法 |
| JP2011229029A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Nec Network & Sensor Systems Ltd | 高周波切替回路 |
| JP2018082332A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社ダイヘン | 駆動回路およびインピーダンス整合装置 |
| US10778209B1 (en) | 2019-03-26 | 2020-09-15 | Daihen Corporation | Pin diode driving circuit and threshold value determination method |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3217512A1 (de) * | 1982-05-10 | 1983-11-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zur pegelumsetzung |
| JPS60113546A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-20 | Nec Corp | 光送信器 |
| US4680480A (en) * | 1984-08-31 | 1987-07-14 | Storage Technology Corporation | Output driver circuit for LSI and VLSI ECL chips with an active pulldown |
| US4687953A (en) * | 1986-04-18 | 1987-08-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dynamic ECL line driver circuit |
| JPH0738580B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1995-04-26 | 日本電気株式会社 | エミッタ結合論理回路 |
| US4948991A (en) * | 1988-11-03 | 1990-08-14 | Motorola Inc. | Load controlled ECL transient driver |
| FR2641147A1 (en) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Trt Telecom Radio Electr | High-voltage fast electronic switch device |
| US5124591A (en) * | 1990-09-04 | 1992-06-23 | International Business Machines Corporation | Low power push pull driver |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4987265A (ja) * | 1972-12-23 | 1974-08-21 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3905037A (en) * | 1966-12-30 | 1975-09-09 | Texas Instruments Inc | Integrated circuit components in insulated islands of integrated semiconductor materials in a single substrate |
| NL7010432A (ja) * | 1970-07-15 | 1972-01-18 | ||
| US3828345A (en) * | 1973-01-04 | 1974-08-06 | T Lode | Amplifier buffered resistance network digital to analog and analog to digital converter system |
| US4132906A (en) * | 1977-02-28 | 1979-01-02 | Motorola, Inc. | Circuit to improve rise time and/or reduce parasitic power supply spike current in bipolar transistor logic circuits |
| US4196381A (en) * | 1977-08-11 | 1980-04-01 | Communications Satellite Corporation | Low-power voltage and current diode driver |
| US4253035A (en) * | 1979-03-02 | 1981-02-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High-speed, low-power, ITL compatible driver for a diode switch |
| US4251742A (en) * | 1979-04-09 | 1981-02-17 | Rca Corporation | Current source, as for switching PIN diodes |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56205950A patent/JPS58106902A/ja active Pending
-
1982
- 1982-12-03 US US06/446,307 patent/US4533838A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-12-15 EP EP82111627A patent/EP0082471B1/en not_active Expired
- 1982-12-15 DE DE8282111627T patent/DE3278965D1/de not_active Expired
- 1982-12-17 CA CA000418002A patent/CA1204473A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4987265A (ja) * | 1972-12-23 | 1974-08-21 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269407A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Fujitsu Ltd | エミツタフオロワ回路 |
| JPS63287111A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 論理回路 |
| JP2002164762A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-06-07 | Eni Technology Inc | プラズマ・チューナのホット・スイッチングの方法 |
| JP2011229029A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Nec Network & Sensor Systems Ltd | 高周波切替回路 |
| JP2018082332A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社ダイヘン | 駆動回路およびインピーダンス整合装置 |
| WO2018092855A1 (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社ダイヘン | 駆動回路およびインピーダンス整合装置 |
| US10812071B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-10-20 | Daihen Corporation | Drive circuit and impedance matching device |
| US11211930B2 (en) | 2016-11-17 | 2021-12-28 | Daihen Corporation | Drive circuit and impedance matching device |
| US10778209B1 (en) | 2019-03-26 | 2020-09-15 | Daihen Corporation | Pin diode driving circuit and threshold value determination method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0082471A1 (en) | 1983-06-29 |
| CA1204473A (en) | 1986-05-13 |
| EP0082471B1 (en) | 1988-08-24 |
| DE3278965D1 (en) | 1988-09-29 |
| US4533838A (en) | 1985-08-06 |
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