JP5045900B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
被転写体を有する第1基体を形成する工程と、
第2基体を形成する工程と、
前記被転写体を前記第1基体から前記第2基体に転写する転写工程と、
を有し、
前記第1基体を形成する工程は、
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に前記被転写体を形成する工程と、
を含み、
前記転写工程は、
前記第2基体と前記被転写体とを接合する接合工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を含む。
前記接合工程は、導電性接着剤を用いて行われることができる。
前記第1基体を形成する工程は、さらに前記犠牲層をパターニングする工程を含むことができる。
前記第1基体を形成する工程は、さらに前記基板をエッチングする工程を含むことができる。
前記第2基体を形成する工程は、前記第2基体を貫通する貫通孔を形成する工程を含むことができる。
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に被転写体を形成する工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を有する。
前記犠牲層は、シリコンの同素体からなることができる。
前記等方性ドライエッチングは、エッチングガスとして、XeF2、ClF3、BrF3、IF3、およびIF5の少なくとも1種を用いることができる。
前記電子部品は、圧電振動子であって、
前記被転写体を形成する工程は、
前記犠牲層の上方に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上方に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上方に第2電極を形成する工程と、
少なくとも前記第2電極、前記誘電体層、および前記第1電極をパターニングする工程と、
前記誘電体層を結晶化させる結晶化工程と、
を有することができる。
基体と、
前記基体の上方に形成された導電層と、
前記導電層の上方に形成された被転写体と、
を有し、
前記被転写体の下面の面積は、前記被転写体の上面の面積よりも小さい。
前記導電層の上面の面積は、前記被転写体の下面の面積より大きくすることができる。
さらに、前記導電層と前記被転写体の間に形成された導電性接着剤層を有することができる。
前記電子部品は、圧電振動子であり、
前記被転写体は、
第1電極と、
前記第1電極の下方に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の下方であって、前記導電層の上方に形成された第2電極と、
を有することができる。
以下に、本実施形態にかかる電子部品およびその製造方法の一例について図面を参照しながら説明する。以下には、電子部品が圧電振動子300である場合の例を説明するが、本実施形態にかかる電子部品は、圧電振動子300に限定されない。本実施形態にかかる電子部品としては、圧電振動子300の他に、例えば、アクチュエータ素子、強誘電体メモリ素子、焦電センサ素子、およびその他の半導体素子などを挙げることができる。
図1は、本実施形態にかかる圧電振動子300を模式的に示す平面図である。図2は、本実施形態にかかる圧電振動子300を模式的に示す断面図である。図1のA−A線に沿った断面が図2に相当する。
上述した圧電振動子300は、種々の変形が可能である。以下に変形例を記す。図3は、圧電振動子300の変形例を模式的に示す断面図である。
以下に、圧電振動子300の製造方法について図面を参照しながら説明する。図4ないし図11は、図1および図2に示す圧電振動子300の製造工程を模式的に示す断面図である。
上述した圧電振動子300の製造方法は、種々の変形が可能である。
以上のように圧電振動子300を例として、本発明にかかる電子部品およびその製造方法について説明したが、本発明にかかる電子部品およびその製造方法は、変形が可能である。
132 第1電極、134 誘電体層、136 第2電極、150 導電性接着剤層、
200 第2基体、210 基体、212 開口部、214 振動部、
216 貫通孔、220 導電層、300 圧電振動子
Claims (6)
- 被転写体を有する第1基体を形成する工程と、
第2基体を形成する工程と、
前記被転写体を前記第1基体から前記第2基体に転写する転写工程と、
を有し、
前記第1基体を形成する工程は、
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に前記被転写体を形成する工程と、
前記犠牲層をパターニングする工程と、
を含み、
前記被転写体を形成する工程は、
前記犠牲層の上方に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上方に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上方に第2電極を形成する工程と、
前記誘電体層を結晶化させる結晶化工程と、
を含み、
前記転写工程は、
前記第2基体と前記被転写体とを導電性接着剤を用いて接合する接合工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、を含む、電子部品の製造方法。 - 請求項1において、
前記第1基体を形成する工程は、さらに前記基板をエッチングする工程を含む、電子部品の製造方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2基体を形成する工程は、前記第2基体を貫通する貫通孔を形成する工程を含む、電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかにおいて、
前記犠牲層は、シリコンの同素体からなる、電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかにおいて、
前記等方性ドライエッチングは、エッチングガスとして、XeF2、ClF3、BrF3、IF3、およびIF5の少なくとも1種を用いる、電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかにおいて、
前記電子部品は、圧電振動子であって、
前記被転写体を形成する工程は、
少なくとも前記第2電極、前記誘電体層、および前記第1電極をパターニングする工程を有する、電子部品の製造方法。
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JP2007131750A JP5045900B2 (ja) | 2007-05-17 | 2007-05-17 | 電子部品の製造方法 |
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