実施の形態1.
実施の形態1に係る光走査装置について説明する。ここでは、説明の便宜上X軸、Y軸およびZ軸を示して構造等を説明する。図1および図2に示すように、X軸およびY軸は互いに直交しており、光走査装置1(支持体3)が配置されている面をX−Y平面とする。Z軸は、そのX−Y平面に直交する。
光走査装置1は、支持体3、振動板5a、振動板5bおよび反射板9を備えている。振動板5aは、X軸方向に距離を隔てて対向する第1端部5aaと第2端部5abとを有する。第1端部5aaが支持体3に接続されている。第2端部5abが、弾性体7aを介して反射板9に接続されている。弾性体7aは、振動板5aの第2端部5abにおけるY軸方向の中央部に接続されている。
振動板5bは、X軸方向に距離を隔てて対向する第1端部5baと第2端部5bbとを有する。第1端部5baが支持体3に接続されている。第2端部5bbが、弾性体7bを介して反射板9に接続されている。弾性体7bは、振動板5bの第2端部5bbにおけるY軸方向の中央部に接続されている。反射板9には、反射面11が設けられている。
振動板5aには、第1圧電素子13a、13bおよび第2圧電素子21a、21bが配置されている。第1端部5aaの側から第2端部5abの側に向かって、第1圧電素子13a、第2圧電素子21a、第1圧電素子13b、第2圧電素子21bの順に配置されている。振動板5bには、第1圧電素子13c、13dおよび第2圧電素子21c、21dが配置されている。第1端部5baの側から第2端部5bbの側に向かって、第2圧電素子21d、第1圧電素子13d、第2圧電素子21c、第1圧電素子13cの順に配置されている。
図2に示すように、振動板5a(第1圧電素子13a、13b、第2圧電素子21a、21b)、弾性体7a、反射板9、弾性体7b、振動板5b(第1圧電素子13c、13d、第2圧電素子21c、21d)は、仮想線としてのX軸に平行な軸線C1に対して、ほぼ線対称に配置されている。なお、反射板9の平面形状は軸線C1に対して線対称になるように矩形状に形成されているが、反射板9の傾きに伴って反射板に歪みが入らなければ、反射板9の平面形状としては、線対称になる形状にする必要はない。
次に、第1圧電素子13a〜13d、第2圧電素子21a〜21dについて説明する。まず、第1圧電素子13a〜13dについて説明する。図3に示すように、第1圧電素子13(13a〜13d)は、下部電極15、圧電体17および上部電極19によって形成されている。下部電極15、圧電体17および上部電極19は、振動板5(5a、5b)の上に積層されている。
圧電体17は、分極処理、または、抗電界を超えるような単極性の電圧を印加することによって、Z軸方向の正方向または負方向へ分極している。圧電体17の下部電極15と上部電極19との間に、単極性の電圧を分極方向と同じ方向へ印加することによって、圧電体17がX軸方向に収縮する。圧電体17のX軸方向の収縮によって、振動板5は、Z軸の負方向に凸となるように屈曲し、振動板5は、支持体3に対してZ軸の正方向に屈曲することになる。この第1圧電素子13の屈曲は、第1モードとしてのd31モードと称されている。
図4に示すように、たとえば、圧電体17における下部電極15側が正となり、上部電極19側が負となるように分極している場合には、下部電極15と上部電極19との間に、下部電極15に印加する電圧に対して、上部電極19に印加する電圧が高くなるように電圧を印加することで、圧電体17がX軸方向に収縮して、振動板5が、矢印に示すように、Z軸の負方向に凸となるように屈曲する。
なお、圧電体17の分極の向きが、図4に示す向きと逆向きに分極している場合には、下部電極15と上部電極19との間に、下部電極15に印加する電圧に対して、上部電極19に印加する電圧が低くなるように電圧を印加することで、振動板5は、Z軸の負方向に凸となるように屈曲する。したがって、電圧の極性にかかわらず、抗電圧を超える単極性の電圧を印加することで、振動板5は、Z軸の負方向に凸となるように屈曲することになる。
次に、第2圧電素子21a〜21dについて説明する。図5に示すように、第2圧電素子21(21a〜21d)は、第1電極23、第2電極25および圧電体27によって形成されている。第1電極23および第2電極25は圧電体27の表面に形成されている。第1電極23と第2電極25とは、間隔を隔てて配置されている。圧電体27は、振動板5の上に形成されている。
圧電体27は、分極処理、または、抗電界を超えるような単極性の電圧を印加することによって、X軸方向の正方向または負方向へ分極している。圧電体27の第1電極23と第2電極25との間に、単極性の電圧を分極方向と同じ方向へ印加することによって、圧電体27がX軸方向に伸長する。圧電体27がX軸方向に伸長によって、振動板5は、Z軸の正方向に凸となるように屈曲する。第2圧電素子21は、第2モードとしてのd33モードで駆動することになる。
図6に示すように、たとえば、圧電体27におけるX軸方向の中央部が正となり、X軸方向の端部が負となるように分極している場合には、第1電極23と第2電極25との間に、第2電極25に印加する電圧に対して、第1電極23に印加する電圧が高くなるように電圧を印加することで、圧電体27が、X軸方向に伸長する。圧電体27のX軸方向の伸長によって、振動板5は、矢印に示すように、Z軸の正方向に凸となるように屈曲し、振動板5は、Z軸の負方向に屈曲することになる。
なお、圧電体27の分極の向きが、図6に示す向きと逆向きに分極している場合には、第1電極23と第2電極25との間に、第2電極25に印加する電圧に対して、第1電極23に印加する電圧が低くなるように電圧を印加することで、圧電体27が、X軸方向に伸長する。したがって、電圧の極性にかかわらず、抗電圧を超える単極性の電圧を印加することで、振動板5は、Z軸の正方向に凸となるように屈曲することになる。
第2圧電素子21における第1電極23と第2電極25とは、たとえば、1μm〜10μm程度の間隔を隔てて圧電体27の表面に配置されている。第1電極23と第2電極25との間に電圧を印加することで、圧電体27のX軸方向の電圧印加が可能になる。図7および図8に示すように、このような第1電極23と第2電極25の電極構造は、典型的には、櫛場型電極構造と称される。第1電極23は、X軸方向に延在する部分と、互いに間隔を隔てて、Y軸方向に延在する部分を有する。第2電極25は、X軸方向に延在する部分と、互いに間隔を隔てて、Y軸方向に延在する部分を有する。Y軸方向に延在する第1電極23の部分とY軸方向に延在する第2電極25の部分とが、X軸方向に互いに間隔を開けて交互に配置されている。
光走査装置1の構成要素とされる反射板9、弾性体7、振動板5および支持体3の主たる材料は、シリコンである。これらの構成要素は、SOI(Silicon On Insulator)ウェハをエッチングすることによって、一体に形成されることが望ましい。SOIウェハを用いることで、構成要素のそれぞれの厚みを変えることができる。
たとえば、反射板9の厚さを厚くして,反射板9の歪みを低減する一方、振動板5の厚さを薄くすることで、振動板5の変位を大きくすることが可能になる。半導体プロセスを用いて、それぞれの構成要素を一体に形成することにより、各構成要素を接合または接着の方法を用いて、各構成要素を組み合わせる方法と比較して、アライメント精度が向上し、また、小型化、軽量化も容易になる。
反射板9の表面に形成される反射面11は、走査される光の波長に対する反射率が高い金属膜から形成されることが望ましい。たとえば、走査される光が赤外線(IR:Infrared)である場合には、金属膜として、金(Au)膜が好適である。金膜を使用する場合には、金膜とシリコン層との密着性を向上させるために、金膜とシリコン層との間に、密着層を介在させることが望ましい。密着層を含む反射面11の膜構造としては、たとえば、クロム(Cr)膜)/ニッケル(Ni)膜/金(Au)膜、または、チタン(Ti)膜/白金(Pt)膜/金(Au)膜のような膜構造が適している。
また、反射面11が酸化されるおそれが非常に少ないと考えられる場合には、反射面11をアルミニウム(Al)膜によって形成してもよい。反射面11が酸化されるそれが少ない場合とは、たとえば、光走査装置1が、真空封止されている場合がある。また、光走査装置1に対して、窒素等の不活性ガスを充填等する措置が施されている場合等がある。
圧電体17、27の材料としては、圧電効果を有するチタン酸ジルコン酸鉛(PZT:Pb(Zr,Ti)O3)、窒化アルミニウム(AlN)、または、ニオブ酸ナトリウムカリウム(KNN:(K,Na)NbO3)等の材料を用いる。これらの材料の中では、圧電定数が大きいとされ、比較的低い電圧で大きな駆動力が得られるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)が好適である。
第1圧電素子13および第2圧電素子21は、SOIウェハ上に形成された第1圧電素子13または第2圧電素子21となる各膜を、ウェットエッチング処理またはドライエッチング処理によりパターニングすることによって形成される。第1圧電素子13または第2圧電素子21となる各膜は、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、スパッタ法、または、CSD(Chemical Solution Deposition)法等によって形成される。
次に、その光走査装置1の製造方法の一例について説明する。ここでは、SOIウェハに、第1圧電素子と第2圧電素子とが同時に形成される。まず、SOIウェハ31(図9参照)を用意する。SOIウェハ31は、初期状態では、シリコン層33、シリコン酸化膜35およびシリコン層37の三層構造とされる(図9参照)。シリコン層37の厚さは、たとえば、2〜200μm程度である。シリコン層33の厚さは、たとえば、100〜1000μm程度である。
図9に示すように、SOIウェハ31の表面(シリコン層37)に、シリコン酸化膜41が形成され、SOIウェハ31の裏面(シリコン層33)に、シリコン酸化膜39が形成される。シリコン酸化膜41、39の形成方法としては、各種あるが、膜質がよく、SOIウェハ31の表面と裏面とに同時に形成することが可能な熱酸化法が好適である。
次に、図10に示すように、シリコン酸化膜41の表面に、金属膜43が形成される。金属膜43は、第1圧電素子の下部電極となる膜である。次に、その金属膜43を覆うように、スパッタ法、または、CSD法によって、圧電膜45が形成される。圧電膜45は、第1圧電素子および第2圧電素子の圧電体となる膜である。次に、その圧電膜45を覆うように、金属膜47が形成される。金属膜47は、第1圧電素子の上部電極となる膜である。また、金属膜47は、第2圧電素子の第1電極および第2電極となる膜である。
金属膜43、47としては、圧電素子に一般的に使用されるチタン(Ti)膜と白金(Pt)膜との積層膜が望ましい。電極として十分な導電性を有し、下地等との良好な密着性が確保することができる膜であれば、他の積層膜を適用してもよい。また、分極疲労を低減する効果があるとされる酸化ストロンチウム(SrO)膜等の酸化電極膜を、金属膜43、47と圧電膜45との間に介在させてもよい。
次に、図11に示すように、金属膜47がパターニングされる。金属膜47は、第1圧電素子の上部電極が形成される領域と、第2圧電素子の第1電極および第2電極が形成される領域とを残すようにパターニングされる。金属膜47のパターニングには、レジスト膜を保護膜として利用したフォトリソグラフィー技術が好適である。金属膜47のエッチング処理には、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)、または、エッチャントを使用したウェットエッチング処理が利用される。
いずれのエッチング処理においても、金属膜47と下地の膜とで、十分なエッチング選択比が得られる条件を設定する必要がある。たとえば、圧電膜45としてのPZT膜の表面に形成された金属膜47としてのチタン膜と白金膜との積層膜を、反応性イオンエッチング処理によってパターニングする場合には、塩素(Cl2)/アルゴン(Ar)系のガスが好適である。金属膜47のパターニング後、レジスト膜が除去される。レジスト膜の除去には、酸素(O2)アッシング処理等が使用される。
次に、図12に示すように、フォトリソグラフィー技術とエッチング処理とによって、圧電膜45がパターニングされる。圧電膜45は、第1圧電素子の圧電体が形成される領域と、第2圧電素子の圧電体が形成される領域とを残すように形成される。エッチング処理として、反応性イオンエッチング処理またはウェットエッチング処理が利用される。
エッチング処理では、圧電膜45と下地の膜とで、十分なエッチング選択比が得られる条件を設定する必要がある。たとえば、金属膜43としてのチタン膜と白金膜との積層膜の表面に形成された圧電膜45としてのPZT膜を、反応性イオンエッチング処理によってパターニングする場合には、Cl2/BCl2/CH4系のガスが好適である。圧電膜45のパターニング後、酸素(O2)アッシング処理等によってレジスト膜が除去される。
次に、図13に示すように、フォトリソグラフィー技術とエッチング処理とによって、金属膜43がパターニングされる。金属膜43は、第1圧電素子の下部電極が形成される領域と、第2圧電素子が形成される領域とを残すようにパターニングされる。エッチング処理として、反応性イオンエッチング処理またはウェットエッチング処理が利用される。
エッチング処理では、金属膜43と下地の膜とで、十分なエッチング選択比が得られる条件を設定する必要がある。シリコン酸化膜41の表面に形成された金属膜43としてのチタン膜と白金膜との積層膜を、反応性イオンエッチング処理によってパターニングする場合には、塩素(Cl2)/アルゴン(Ar)系のガスが好適である。金属膜43のパターニング後、酸素(O2)アッシング処理等によってレジスト膜が除去される。
次に、反射板9に反射面11が形成され、その後、反射板9、弾性体7、振動板5および支持体3が形成される。
図14に示すように、反射板が形成される領域に、反射面となる金属膜49がパターニングされる。まず、SOIウェハを覆うように、たとえば、スパッタ法または真空蒸着法等によって、金属膜49が形成される。このとき、下地の膜との密着性を図るために、クロム(Cr)膜またはニッケル(Ni)膜等の密着層を、金属膜49と下地の膜との間に介在させてもよい。次に、フォトリソグラフィー技術とエッチング処理とによって、金属膜49がパターニングされる。エッチング処理として、反応性イオンエッチング処理またはウェットエッチング処理が利用される。金属膜49のパターニング後、酸素(O2)アッシング処理等によってレジスト膜が除去される。
次に、フォトリソグラフィー技術とエッチング処理とによって、シリコン層37の表面に形成されたシリコン酸化膜41がパターニングされる。エッチング処理として、反応性イオンエッチング処理またはウェットエッチング処理が利用される。シリコン酸化膜41は、次の工程において、シリコン層37にエッチング処理が行われる領域に位置する部分が除去される。シリコン酸化膜41を反応性イオンエッチング処理によってパターニングする場合には、塩素(Cl2)系のガスが好適である。
次に、図15に示すように、シリコン酸化膜41をパターニングするレジスト膜と、残されたシリコン酸化膜41とをエッチングマスク(保護膜)として、シリコン層37にエッチング処理が行われる。エッチング処理としては、高いアスペクト比をもってエッチング処理が可能なボッシュ法による深堀エッチング(DRIE:Deep Reactive Ion Etching)処理が望ましい。エッチング処理は、シリコン酸化膜35が露出するまで行われる。エッチング処理の後、酸素(O2)アッシング処理等によってレジスト膜が除去される。
次に、光走査装置の裏面側になる部分に加工が行われる。フォトリソグラフィー技術とエッチング処理とによって、シリコン層33の表面に形成されたシリコン酸化膜39がパターニングされる。エッチング処理として、反応性イオンエッチング処理またはウェットエッチング処理が利用される。シリコン酸化膜39は、次の工程において、シリコン層33にエッチング処理が行われる領域に位置する部分が除去される。シリコン酸化膜39を反応性イオンエッチング処理によってパターニングする場合には、塩素(Cl2)系のガスが好適である。
次に、図16に示すように、シリコン酸化膜39をパターニングするレジスト膜と、残されたシリコン酸化膜39とをエッチングマスク(保護膜)として、シリコン層33にエッチング処理が行われる。エッチング処理としては、ボッシュ法による深堀エッチング(DRIE)処理が望ましい。エッチング処理は、シリコン酸化膜35が露出するまで行われる。
引き続き、露出したシリコン酸化膜35にエッチング処理を行うことで、シリコン酸化膜35が除去される。シリコン酸化膜35のエッチング処理として、反応性イオンエッチング処理またはウェットエッチング処理が利用される。シリコン酸化膜39を反応性イオンエッチング処理によってパターニングする場合には、塩素(Cl2)系のガスが好適である。その後、ダイシングによって、支持体となるSOIウェハ31の部分を所望のサイズに切り出すことによって、光走査装置が完成する。
次に、光走査装置の駆動方法について説明する。第1圧電素子13と第2圧電素子21とに対して、分極方向と同一方向に単極性の一定の周期を有する電圧が、たとえば、逆位相で印加されるか、または、位相をずらして印加される。そのような電圧の一例として、正弦波の半波のグラフを図17に示す。グラフの横軸は位相であり、縦軸は電圧である。図17に示すように、第1圧電素子13に印加される電圧は実線で示されている。第2圧電素子21に印加される電圧は、点線で示されている。すなわち、第1圧電素子13に印加される電圧と第2圧電素子21に印加される電圧とは、それぞれ極性が同じで、位相が180度ずれている。
第1圧電素子13の圧電体17が、たとえば、図4に示される分極状態である場合には、下部電極15を基準電位として、上部電極19に、正の正弦波の半波の波形を有する電圧が印加されることになる。図4に示すように、この電圧が印加されることで、第1圧電素子13では、圧電体17がX軸方向に収縮する。圧電体17が収縮することによって、振動板5は、Z軸の負方向に凸となるように屈曲し、振動板5は、支持体3に対してZ軸の正方向に屈曲することになる。
一方、第2圧電素子21の圧電体27が、たとえば、図6に示される分極状態である場合には、第2電極25を基準電位として、第1電極23に、正の正弦波の半波の波形を有する電圧が印加されることになる。図6に示すように、この電圧が印加されることで、第2圧電素子21では、圧電体27がX軸方向に伸長する。圧電体27が伸長することによって、振動板5は、Z軸の正方向に凸となるように屈曲し、振動板5は、支持体3に対してZ軸の負方向に屈曲することになる。
こうして、第1圧電素子13に電圧を印加している状態では、振動板5は、支持体3からZ軸の正方向に向かって屈曲することになる(d31モード)。一方、第2圧電素子21に電圧を印加している状態では、振動板5は、支持体3からZ軸の負方向に向かって屈曲することになる(d33モード)。第1圧電素子13に印加する電圧と、第2圧電素子21に印加する電圧とを、交互に印加することで、振動板5をZ軸の正方向と負方向とに屈曲させることができる。
振動板5が屈曲した状態の一例として、振動板5aが支持体3からZ軸の正方向側に屈曲し、振動板5bが支持体3からZ軸の負方向側に屈曲した状態を、図18に示す。振動板5aでは、第1圧電素子13a、13bがd31モードであり、第2圧電素子21a、21bには電圧が印加されていない状態である。振動板5bでは、第2圧電素子21c、21dがd33モードであり、第1圧電素子13c、13dには電圧が印加されていない状態である。
この場合には、振動板5aの第2端部5abが上に向き、振動板5bの第2端部5bbが下に向くように屈曲する。振動板5a、5bに弾性体7a、7bを介在させて接続された反射板9は、振動板5a、5bの屈曲によって、支持体3(X−Y平面)に対して傾けられることになる。
次に、振動板5が屈曲した状態の他の例として、振動板5aが支持体3からZ軸の負方向側に屈曲し、振動板5bが支持体3からZ軸の正方向側に屈曲した状態を、図19に示す。図19に示す振動板5a、5bの状態は、図18に示す振動板5a、5bの状態から、正弦波の周期の半分の時間が経過後の状態に対応する。振動板5aでは、第2圧電素子21a、21bがd33モードであり、第1圧電素子13a、13bには電圧が印加されていない状態である。振動板5bでは、第1圧電素子13c、13dがd31モードであり、第2圧電素子21c、21dには電圧が印加されていない状態である。
この場合には、振動板5aの第2端部5abが下に向き、振動板5bの第2端部5bbが上に向くように屈曲する。振動板5a、5bに弾性体7a、7bを介在させて接続された反射板9は、振動板5a、5bの屈曲によって、支持体3(X−Y平面)に対して傾けられることになる。
図20に示すように、第1圧電素子13および第2圧電素子21へ電圧を周期的(図17参照)に印加することで、反射板9は、Y軸に平行で反射板9のX軸方向の中央部を通る軸線C2(仮想線)を回転軸として回転することになる。反射板9の反射面11に照射された光は、反射面11において反射される。その反射面11が形成された反射板9が回転運動をすることで、反射面11の回転に伴って反射光が走査される。
上述した光走査装置1では、振動板5a(5b)に第1圧電素子13a、13b(13c、13d)と第2圧電素子21a、21b(21c、21d)が配置されている。第1圧電素子13a、13b(13c、13d)と第2圧電素子21a、21b(21c、21d)とは、互いに逆方向に屈曲する(d33モード、d31モード)。その第1圧電素子13a、13b(13c、13d)と第2圧電素子21a、21b(21c、21d)とに対して、単極性の電圧を交互に印加することで、振動板5a(5b)を支持体3に対して、上下双方向(Z軸方向)に屈曲させて、反射板9を回転させることができる。
また、単極性の電圧を印加することで、双極性の電圧を印加させて振動板を上下双方向に屈曲させる場合と比べて、圧電体の分極疲労を低減することができ、光走査装置の長寿命化に寄与することができる。
さらに、振動板5a、5b、弾性体7a、7bおよび反射板9は、第1圧電素子13a〜13dおよび第2圧電素子21a〜21dを含めて、軸線C1に対して、ほぼ線対称に配置されている(図2参照)。これにより、第1圧電素子13a〜13dおよび第2圧電素子21a〜21dの駆動に際して、弾性体7a、7bおよび反射板9等にねじれを生じさせることなく、反射板9を回転させることができる。
実施の形態2.
実施の形態2に係る光走査装置について説明する。
図21および図22に示すように、光走査装置1では、振動板5a、弾性体7a、反射板9、弾性体7bおよび振動板5bは、X軸に平行な軸線C1(仮想線)に対して、ほぼ線対称に配置されている。振動板5aには、第1圧電素子13a、13bと第2圧電素子21aとが配置されている。第2圧電素子21aは、軸線C1を跨ぐ態様で軸線C1に対して線対称に配置されている。第1圧電素子13aと第1圧電素子13bは、第2圧電素子21aを挟み込む態様で、軸線C1に対して線対称に配置されている。
振動板5bには、第1圧電素子13c、13dと第2圧電素子21bとが配置されている。第2圧電素子21bは、軸線C1を跨ぐ態様で軸線C1に対して線対称に配置されている。第1圧電素子13cと第1圧電素子13dは、第2圧電素子21bを挟み込む態様で、軸線C1に対して線対称に配置されている。なお、これ以外の構成については、図1および図2に示す光走査装置1と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。
次に、上述した光走査装置1の製造方法について説明する。上述した光走査装置1では、振動板5に配置される第1圧電素子13および第2圧電素子21のパターンが、前述した光走査装置1(図1および図2参照)の振動板5に配置される第1圧電素子13および第2圧電素子21のパターンと異なっている。このため、図11に示す工程において、第1圧電素子13および第2圧電素子21のパターンを変更するだけで、前述した製造工程と実質的に同じ製造工程によって製造することができる。
次に、光走査装置の駆動方法について説明する。第1圧電素子13a、13b(13c、13d)に電圧を印加している状態では、振動板5a(5b)は、支持体3からZ軸の正方向に向かって屈曲することになる(d31モード)。一方、第2圧電素子21a(21b)に電圧を印加している状態では、振動板5a(5b)は、支持体3からZ軸の負方向に向かって屈曲することになる(d33モード)。第1圧電素子13に印加する電圧と、第2圧電素子21に印加する電圧とを、交互に印加することで、振動板5をZ軸の正方向と負方向とに屈曲させることができる。
上述した光走査装置1では、振動板5の屈曲に対して反射板9等の歪を低減することができる。これについて、比較例に係る光走査装置と比べて説明する。なお、説明の便宜上、実施の形態に係る光走査装置1と同一部材については同じ参照符号を付して説明する。
図23および図24に示すように、比較例に係る光走査装置1では、振動板5aに、第1圧電素子13aと第2圧電素子21aとが、軸線C1に対して非対称に配置されている。また、振動板5bに、第1圧電素子13bと第2圧電素子21bとが、軸線C1に対して非対称に配置されている。
第1圧電素子13a(13b)に電圧を印加している状態では、振動板5a(5b)は、支持体3からZ軸の正方向に向かって屈曲することになる(d31モード)。一方、第2圧電素子21a(21b)に電圧を印加している状態では、振動板5a(5b)は、支持体3からZ軸の負方向に向かって屈曲することになる(d33モード)。第1圧電素子13に印加する電圧と、第2圧電素子21に印加する電圧とを、交互に印加することで、振動板5は、Z軸の正方向と負方向とに屈曲する。
第1圧電素子13a(13b)と第2圧電素子21a(21b)とが、軸線C1に対して非対称に配置されているため、振動板5では、軸線C1に対してY軸正方向側およびY軸負方向側のいずれかに位置する振動板の部分が屈曲しようとする。このため、弾性体7と反射板9にはねじれが生じることになる。反射板9にねじれが生じることで、反射面11に歪みが生じ、所望の光走査を行うことができないことがある。
比較例に対して実施の形態2に係る光走査装置1では、振動板5aに、第1圧電素子13a、第1圧電素子13bおよび第2圧電素子21aが、軸線C1に対して線対称に配置されている。また、振動板5bに、第1圧電素子13c、第1圧電素子13dおよび第2圧電素子21bが、軸線C1に対して線対称に配置されている。このため、振動板5a、5bの屈曲に対して、弾性体7と反射板9にねじれが生じることが抑えられて、反射面11が歪むのを低減することができる。
なお、各実施の形態において説明した光走査装置については、必要に応じて種々組み合わせることが可能である。
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。