JP5041772B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5041772B2 JP5041772B2 JP2006249113A JP2006249113A JP5041772B2 JP 5041772 B2 JP5041772 B2 JP 5041772B2 JP 2006249113 A JP2006249113 A JP 2006249113A JP 2006249113 A JP2006249113 A JP 2006249113A JP 5041772 B2 JP5041772 B2 JP 5041772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- electrode
- tft
- potential
- period
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 82
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 131
- 239000000463 material Substances 0.000 description 114
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 239000010408 film Substances 0.000 description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 26
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 25
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 25
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 23
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 aromatic amine compound Chemical class 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001856 aerosol method Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000037433 frameshift Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008322 ZrN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
本実施の形態では、まず本発明にかかる表示装置を、図3を参照しながら説明する。本発明にかかる表示装置は、周辺駆動回路としてのデータ線駆動回路302と、走査線駆動回路303と、データ線駆動回路302によって駆動されるn本のデータ線(X1〜Xn)(nは整数)と、走査線駆動回路303によって駆動されるm本の走査線(Y1〜Ym)(mは整数)と、複数のm本の走査線とn本のデータ線の交差する位置に配置される複数の画素回路304と、前記複数の画素回路304を有する画素部301と、を備える。走査線には、選択信号が伝達され、データ線には画像信号を表すデータ電流が流れる。なお、図3では一つの画素回路304に対し1本のデータ線及び走査線を備える場合を示しているが、本発明においてはこれに限らず、一つの画素回路304に対して複数の走査線およびデータ線を備えていても良い。こうすることで、同時にデータ電流を書き込むことのできる画素の数が増え、書き込みにかかる時間を低減できる。また本発明において、駆動回路の数は限定されず、複数のデータ線駆動回路や複数の走査線駆動回路を設けることができる。
次に、本発明にかかる表示装置の第2の様態について、図4、および図5を参照して説明する。
次に、本発明にかかる表示装置の第3の様態について、図6を参照して説明する。本実施形態では、第1の電源線ANODEを変動させて表示装置を駆動する方法について説明する。本実施の形態において、第2の電源線CATHODEは全画素共通に接続されていても良く、本実施形態ではその場合について説明する。しかし本実施の形態においても、第2の電源線CATHODEを形状加工してもよい。
図12(A)に、1つの画素に2つのTFTを有する画素の素子のレイアウト例を示す。また、図12(A)において、X−X’で示される部分の断面図を図12(B)に示す。
図18に、本発明を適用することのできる画素のレイアウト例を示す。
本実施の形態では、駆動トランジスタがPチャネル型の薄膜トランジスタ(TFT)の場合における、画素回路の断面形態について、図10を用いて説明する。なお本発明では、EL素子が有する一方の電極を第1の電極、他方の電極を第2の電極とする。
本発明の表示装置を用いた電子機器として、テレビジョン装置(テレビ、テレビジョン受信機)、デジタルカメラなどのカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置(携帯電話機)、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、モニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図11を参照して説明する。
CATHODE 第2の電源線
DATA データ線
X1〜Xn データ線
Y1〜Ym 走査線
Tr1 第1のトランジスタ
Tr2 第2のトランジスタ
Tr3 第3のトランジスタ
Tr4 第4のトランジスタ
Tr5 第5のトランジスタ
Idata データ電流
10 EL素子
20 EL素子
201 1フレーム期間
202 初期化期間
203 閾値書込期間
204 アドレス期間
205 発光期間
205A 発光期間(前フレーム)
206 書込開始前期間
207 データ書込期間
208 Cs書き換え期間
209 書込終了後期間
301 画素部
302 データ線駆動回路
303 走査線駆動回路
304 画素回路
401 基板
402 コンタクト領域
501 1走査線書込期間
6001 TFT
6003 EL素子
6004 電極
6005 電界発光層
6006 電極
6007 層間絶縁膜
6008 隔壁
6011 TFT
6013 EL素子
6014 電極
6015 電界発光層
6016 電極
6021 TFT
6023 EL素子
6024 電極
6025 電界発光層
6026 電極
9101 携帯電話本体
9102 表示部
9201 携帯情報端末本体
9202 表示部
9301 携帯型テレビジョン装置本体
9302 表示部
9401 携帯型コンピュータ本体
9402 表示部
9501 テレビジョン装置本体
9502 表示部
9701 デジタルビデオカメラ本体
9702 表示部
1205 第1のTFT
1206 第1の配線
1207 第2の配線
1208 第2のTFT
1211 第3の配線
1212 対向電極
1213 容量素子
1215 画素電極
1216 隔壁
1217 有機導電体膜
1218 有機薄膜
1219 基板
1300 基板
1301 第1の配線
1302 第2の配線
1303 第3の配線
1304 第4の配線
1305 第1のTFT
1306 第2のTFT
1307 第3のTFT
1308 画素電極
1311 隔壁
1312 有機導電体膜
1313 有機薄膜(発光層)
1314 対向電極
1400 基板
1401 第1の配線
1402 第2の配線
1403 第3の配線
1404 第4の配線
1405 第1のTFT
1406 第2のTFT
1407 第3のTFT
1408 第4のTFT
1409 画素電極
1411 第5の配線
1412 第6の配線
1421 隔壁
1422 有機導電体膜
1423 有機薄膜(発光層)
1424 対向電極
1501 陽極
1502 陰極
1503 正孔輸送領域
1504 電子輸送領域
1505 混合領域
1506 発光材料が添加された領域
1507 正孔ブロッキング材料が添加された領域
1508 電子ブロッキング材料が添加された領域
1509 金属材料を添加した領域
1660 搬送室
1661 搬送室
1662 ロード室
1663 アンロード室
1664 中間室
1665 封止処理室
1666 搬送手段
1667 搬送手段
1668 加熱処理室
1669 成膜処理室
1670 成膜処理室
1671 成膜処理室
1672 成膜処理室
1673 成膜処理室
1674 成膜処理室
1675 成膜処理室
1676 成膜処理室
1677a〜1677m ゲートバルブ
1780 蒸発源ホルダ
1781a〜1781c 蒸発源
1782 距離センサー
1783 多関節アーム
1784 材料供給管
1785a〜1785c 材料供給源
1786 基板ステージ
1787 基板チャック
1788 マスクチャック
1789 基板
1790 シャドーマスク
1791 天板
1792 低板
1801 第1のTFT
1802 第2のTFT
1803 第3のTFT
1804 第4のTFT
1805 第5のTFT
1806 第1の配線
1807 第2の配線
1808 第3の配線
1809 第4の配線
1810 第5の配線
1811 第6の配線
1813 コンデンサ
1814 画素電極
1815 隔壁開口部
Claims (3)
- トランジスタと、第1の容量素子と、発光素子と、第1のスイッチ乃至第4のスイッチとを有し、
前記第1のスイッチは、前記トランジスタのゲートとドレインとの間に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは、前記トランジスタのドレインと前記データ線との間に電気的に接続され、
前記第3のスイッチは、前記トランジスタのドレインと前記発光素子との間に電気的に接続され、
前記第4のスイッチは、前記第1の容量素子と前記第2の容量素子との間に電気的に接続されており、
前記第1の容量素子は、前記トランジスタのゲートとソースとの間の電圧を保持する機能を有し、
前記発光素子は、第2の容量素子としての機能を有し、
前記トランジスタのゲートとドレインとを電気的に接続し、且つ、前記第1の容量素子と前記第2の容量素子とを電気的に接続し、前記第1の容量素子及び前記第2の容量素子に前記トランジスタの閾値電圧を入力する第1の動作と、
前記トランジスタのドレインとデータ線とを電気的に接続し、前記第1の容量素子に前記トランジスタのドレイン電流に応じた第1の電圧を入力する第2の動作と、
前記第1の容量素子と前記第2の容量素子とを電気的に接続し、前記第1の容量素子に第2の電圧を入力する第3の動作と、
前記トランジスタと前記発光素子を電気的に接続し、前記第2の電圧に応じた電流を前記発光素子に入力する第4の動作とを行う機能を有し、
前記第1の動作、前記第2の動作、前記第3の動作、及び前記第4の動作は、この順に行われ、
前記第1の動作乃至前記第3の動作において、前記発光素子の陰極に電気的に接続された第1の配線の電位は、前記発光素子の陽極に電気的に接続された第2の配線の電位と同じ又は概ね同じであり、
前記4の動作において、前記第1の配線の電位は、前記第2の配線の電位よりも低いことを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記第1の容量素子と前記第2の容量素子とを電気的に接続する動作では、
前記第1の容量素子と前記第2の容量素子との電荷を分配して、前記第1の容量素子に、電流I2=(C1/(C2+C1))2×I1(C1及びC2はそれぞれ前記第1及び第2の容量素子の容量値、I1は前記データ線の電流値)に応じた前記第2の電圧を入力することを特徴とする表示装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記トランジスタのドレインと前記データ線とを電気的に接続し、且つ、前記トランジスタのゲートとドレインとを電気的に接続し、且つ、前記第1の容量素子と前記発光素子とを電気的に接続し、前記発光素子に逆バイアスを印加する動作を行う機能を有することを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006249113A JP5041772B2 (ja) | 2005-09-15 | 2006-09-14 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269013 | 2005-09-15 | ||
JP2005269013 | 2005-09-15 | ||
JP2006249113A JP5041772B2 (ja) | 2005-09-15 | 2006-09-14 | 表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007108730A JP2007108730A (ja) | 2007-04-26 |
JP2007108730A5 JP2007108730A5 (ja) | 2009-10-22 |
JP5041772B2 true JP5041772B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=38034595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006249113A Expired - Fee Related JP5041772B2 (ja) | 2005-09-15 | 2006-09-14 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5041772B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5650374B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2015-01-07 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003177709A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Seiko Epson Corp | 発光素子用の画素回路 |
JP3749992B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2006-03-01 | ローム株式会社 | アクティブマトリックス型有機elパネルの駆動回路および有機el表示装置 |
JP4734529B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2011-07-27 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 表示装置 |
KR100502912B1 (ko) * | 2003-04-01 | 2005-07-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 |
-
2006
- 2006-09-14 JP JP2006249113A patent/JP5041772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007108730A (ja) | 2007-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1932136B1 (en) | Display device and driving method thereof | |
JP5917649B2 (ja) | 半導体装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
JP4197476B2 (ja) | 発光表示装置及びその駆動方法並びに画素回路 | |
JP6722086B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5520919B2 (ja) | 発光装置 | |
US9006967B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of repairing the same | |
US20060114196A1 (en) | Organic electroluminescence display and method of operating the same | |
TWI453720B (zh) | 半導體裝置 | |
JP2009116115A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法 | |
KR20060096857A (ko) | 표시 장치 및 그 구동 방법 | |
KR100623728B1 (ko) | 픽셀 회로가 구비되는 유기전계 발광장치 | |
JP5041772B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2008134346A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
JP4999446B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5019217B2 (ja) | アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法 | |
KR100761130B1 (ko) | 전계발광소자 및 그 구동방법 | |
JP2006309179A (ja) | 表示装置、アレイ基板、及び表示装置の駆動方法 | |
KR100719707B1 (ko) | 유기 발광표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2007316512A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
JP2009025413A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
US20090267874A1 (en) | Active matrix type display apparatus | |
KR20060000357A (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 | |
JP2009053524A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
JP2007003909A (ja) | 表示装置、アレイ基板、及び表示装置の駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090908 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120703 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120710 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |