JP5039923B2 - 集積回路チップ上の電気めっき相互接続構造 - Google Patents
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Claims (10)
- 電子デバイス上にボイドのないシームレスな導体を有する相互接続構造を製造する方法であって、
基板上に絶縁材料を形成するステップ、
前記絶縁材料中に、相互接続導体材料を付着するサブミクロン・ラインまたはサブミクロン・バイアあるいはその両方用のリセスをリソグラフィによって画定し形成するステップ、
前記絶縁材料上にめっきベースの働きをする導電層を形成するステップ、
ダマシーン・プロセスを使用して添加剤を含む浴からの電気めっきによって、継目なくボイド・フリーとなるように前記導体材料としてのCuを付着するステップであって、前記浴に添加される添加剤は、前記リセスの側壁に沿った深さ方向でのめっき速度を増加させることにより、銅を含む前記導体中の継目またはボイドの形成を防止し、膜厚に比して大きい粒子サイズを含む特定の膜微細構造を前記導体内で生じさせることにより、エレクトロマイグレーション挙動を非電気めっきCuより改善するステップ、および
得られた構造を平坦化して個々のラインまたはバイアあるいはその両方の電気的分離を実施するステップ、
を含む方法。 - 前記導体材料中に、C(2重量%未満)、O(1重量%未満)、N(1重量%未満)、S(1重量%未満)、およびCl(1重量%未満)からなる群から選択された原子を含む、原子または分子断片あるいはその両方を取り込むために添加剤を前記浴に添加するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 銅塩、鉱酸、並びに、メルカプトプロパンスルホン酸、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリアルカノール第四級アンモニウム塩、アルキル化ポリアルキルイミン、フェナジン、置換アルコキシル化ラクタムからなる群から選択された1種または複数の添加剤を含むめっき溶液から電気めっきするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記めっき溶液が10〜300ppmの範囲の少量の塩素イオンを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記Cu塩が硫酸第二銅である、請求項3に記載の方法。
- 前記鉱酸が硫酸である、請求項3に記載の方法。
- 前記導体材料中に、C(2重量%未満)、O(1重量%未満)、N(1重量%未満)、S(1重量%未満)、およびCl(1重量%未満)からなる群から選択された原子を含む少量の原子または分子あるいはその両方を取り込むために添加剤を前記浴に加えるステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 前記銅は、ダブル・ダマシーン構造として堆積される、請求項1に記載の方法。
- 前記堆積させるステップが、前記基板の上側面に前記浴の表面が接触するように配置するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記堆積させるステップが、前記浴の表面をフローさせるステップを含み、前記浴がカップめっき装置である、請求項9に記載の方法。
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