JP5027451B2

JP5027451B2 - 半導体チップの樹脂封止成形方法

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Publication number: JP5027451B2
Application number: JP2006166838A
Authority: JP
Inventors: 慎二高瀬
Original assignee: Towa Corp
Current assignee: Towa Corp
Priority date: 2006-06-16
Filing date: 2006-06-16
Publication date: 2012-09-19
Anticipated expiration: 2026-06-16
Also published as: JP2007335690A

Description

本発明は、電子部品の樹脂封止成形用金型（電子部品の圧縮成形用金型）を用いて、基板に装着した電子部品（半導体チップ）を金型キャビティ内で樹脂材料（液状樹脂等）にて圧縮成形する電子部品の樹脂封止成形方法に関するものである。

従来より、トップゲート方式にて、基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に樹脂封止成形（片面モールド）することが行われているが、この方法は、次のようにして行われている。

即ち、電子部品の樹脂封止成形用金型（例えば、上型、キャビティを有する中型、下型）を用いて、まず、前記した金型の所定位置に基板を供給セットすると共に、前記した金型を型締めして前記した所要複数個の半導体チップを各別に前記した金型キャビティ内に嵌装し、次に、前記した金型キャビティの天面に設けたゲート（トップゲート）から前記した金型キャビティ内に加熱溶融化した樹脂材料を注入充填することにより、前記した各半導体チップを前記した金型キャビティの形状に対応した個々のパッケージ内に各別に封止成形することが行われている。

なお、例えば、パッケージを積み重ねる形式の製品、ＰＯＰ（Package On Package）形式の製品等の場合、前記した金型キャビティ内で成形されるパッケージの外周囲に基板の実装用ランド（外部用電極部）が形成されるため、ゲートやランナを基板に平面的に配置する構成、所謂、サイドゲート方式と呼ばれる構成を採用することができない。
従って、ＰＯＰ形式の製品等の場合、即ち、パッケージの外周囲に基板の外部電極部が形成された製品の場合、前述したトップゲート方式が採用されている。

特開２００４−１７９２８３号公報

しかしながら、近年、トップゲート方式で成形されるパッケージが薄型化する傾向にあり、例えば、ゲート樹脂を切断除去するとき、前記した個々の薄型パッケージにおけるゲート樹脂との接続部が欠けて破損することにより、前記したパッケージに外観不良（欠け等）が発生し易いと云う弊害がある。
従って、前述した弊害を解決するために、キャビダウン方式による圧縮成形が検討されている。
即ち、下型キャビティ内に液状樹脂を供給して基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に前記した下型キャビティ内の樹脂に浸漬して圧縮成形する方法が検討されているが、多数の下型キャビティ内に液状樹脂を供給するために樹脂供給時間が長くなって、前記した下型キャビティ内で樹脂が早期に硬化すると云う弊害がある。
また、前記した基板に装着した所要複数個の半導体チップに液状樹脂を一括して塗布する一括塗布方式が検討されているが、基板のほぼ全面に液状樹脂を塗布することになるため、基板の実装用ランド（外部用電極部）に樹脂（樹脂ばり）が付着して成形することができないと云う弊害がある。
従って、個々のパッケージの外周囲に外部電極部を有する基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に個々のパッケージに樹脂封止成形する場合に、前述したパッケージの外観不良や、樹脂の早期硬化、基板の外部用電極部への樹脂の付着と云った樹脂成形上の問題が発生していた。

即ち、本発明は、個々のパッケージの外周囲に外部電極部を有する基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に個々のパッケージに樹脂封止成形する場合に、パッケージの外観不良や、樹脂の早期硬化、基板の外部用電極部への樹脂の付着と云った樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することを目的とするものである。

前記の技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの樹脂封止成形方法は、樹脂成形用キャビティを有する上型と所要複数個の半導体チップを装着した基板を供給セットする基板供給部を有する下型とから成る半導体チップの樹脂封止成形用金型を用意する工程と、前記した金型を所定の温度にまで加熱する工程と、前記上型キャビティ内面及び上型面に離型フィルムを被覆させる工程と、前記した金型で前記した基板が加熱されない状態で、前記した基板に装着した所要複数個の半導体チップ天面の所要範囲に所要量の液状樹脂を各別に滴下する工程と、前記した金型の基板供給部に前記した液状樹脂滴下基板を供給セットする工程と、前記した金型を所要の型締圧力にて型締めする工程と、前記金型の型締工程時に、前記上型キャビティ内面に離型フィルムを被覆した状態で、液状樹脂にて被覆された状態の半導体チップを前記上型キャビティ内に嵌装する工程と、前記金型の型締工程時に、前記上型面を被覆した離型フィルムにて、少なくとも、前記した基板の表面におけるキャビティ開口部相当部の外周囲に設けられて外部用電極を被覆する工程と、前記した半導体チップの嵌装工程時に、前記した離型フィルムを被覆した上型キャビティの形状に対応したパッケージ内に液状樹脂にて各別に樹脂封止成形する工程と、前記樹脂封止成形工程時に、前記上型キャビティ天面に設けた押圧部材にて前記上型キャビティの内面に被覆した離型フィルムを介して前記上型キャビティ内の樹脂を均等に且つ各別に押圧する工程とを含むことを特徴とする。

また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係る電子部品の樹脂封止成形方法は、前記した樹脂封止成形工程時に、少なくとも上型キャビティ内から空気を強制的に吸引排出して真空引きする工程を含むことを特徴とする。

本発明によれば、個々のパッケージの外周囲に外部電極部を有する基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に個々のパッケージに樹脂封止成形する場合に、パッケージの外観不良や、樹脂の早期硬化、基板の外部用電極部への樹脂の付着と云った樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができると云う優れた効果を奏するものである。

以下、実施例図に基づいて詳細に説明する。
図１（１）、図１（２）、図（３）は、本発明に用いられる基板である。
図２、図３、図４は、本発明に用いられる電子部品の樹脂封止成形用金型（電子部品の圧縮成形用金型）である。

（基板の構成）
まず、本発明に用いられる基板について説明する。
即ち、図１（１）に示すように、基板２には、所要複数個の電子部品３（以下、半導体チップと云う）が装着して構成されると共に、前記した半導体チップ３と基板２側の電子回路（内部用電極部）とは金線ワイヤ４で電気的に接続されて構成されている。
また、図示はしていないが、前記した基板２において、後述する電子部品の樹脂封止成形用金型１に設けられた上型キャビティ１０内で成形される個々のパッケージ５（前記した基板２の表面におけるキャビティ開口相当部）の外周囲に基板の実装用ランド（外部用電極部）が形成されて構成されている。
また、本発明においては、図１（２）に示すように、前記した基板２に装着した所要複数個の半導体チップ３に所要の樹脂量の液状樹脂９（樹脂材料）を各別に滴下する液状樹脂の塗布機構〔図１（２）に示す図例ではデイスペンサー８〕が用いられるように構成されている。
即ち、後述する金型１の外部で（後述する金型１にて加熱されない状態で）、予め、前記したデイスペンサー８にて前記した基板２に装着した半導体チップ３（の天面側）に所要の樹脂量の液状樹脂９を各別に滴下して前記した半導体チップ３の所要範囲に各別に液状樹脂９を塗布することができるように構成されている。

（金型の構成）
次に、本発明に係る電子部品の樹脂封止成形用金型１（電子部品の圧縮成形用金型）について説明する。
即ち、図２に示すように、前記した金型１は、上型６と、該上型６に対向配置した下型７とが設けられて構成されている。
また、前記した下型７には前記した所要複数個の半導体チップ３を装着した基板２を供給セットする基板供給部１３（下型面）が設けられて構成されると共に、前記した上型６には前記した基板２に装着した所要複数個の半導体チップ３を各別に嵌装する上型キャビティ１０が設けられて構成されている。
従って、前記した上下両型６・７を所要の型締圧力にて型締めすることにより、前記した基板２に装着した所要複数個の半導体チップ３を各別に嵌装することができるように構成されている。
なお、前記した上下両型６・７の所要の型締圧力は、本発明に係る圧縮成形の成形圧力となるものである。
また、前記した基板供給部１３においては、前記した基板供給部１３に設けた吸着孔（図示なし）から空気を強制的に吸引排出することにより、前記した基板２を吸着固定する構成を採用しても良い。

また、本発明においては、前記した上下両型６・７間に離型フィルム１１（リリースフィルム）を張架することができるように構成されると共に、図示はしていないが、前記した上型６には前記した上型キャビティ１０内面及び上型面に設けた吸引孔（図示なし）から空気を強制的に吸引排出することによって、前記した離型フィルム１１を前記した上型キャビティ１０内面の形状及び上型面の形状に沿って被覆させる離型フィルムの吸着機構（図示なし）が設けられて構成されている。
従って、前記した吸着機構で前記した離型フィルム１１を前記した上型キャビティ１０内面の形状に沿って被覆させた状態で、前記した上下両型６・７の型締することにより、前記した基板２に装着した所要複数個の半導体チップ３を前記した離型フィルム１１を被覆した上型キャビティ１０内に（前記した上型キャビティ１０内に）各別に嵌装することができるように構成されている。
また、本発明においては、前記した上下両型６・７の所要の型締圧力にて型締することにより、前記した離型フィルム１１を被覆した上型キャビティ１０内で（前記した上型キャビティ１０内で）前記した半導体チップ３を樹脂９にて圧縮成形することができるように構成されている。
即ち、前記した離型フィルム１１を被覆した上型キャビティ１０の形状に対応した（
上型キャビティ１０の形状に対応した）パッケージ５（樹脂成形体）内に前記した半導体チップ３を各別に封止成形することができるように構成されている。
従って、従来例となるトップゲート方式に較べて、本発明に係る圧縮成形方式を採用したことにより、ゲート樹脂を切断除去するときに発生する欠け等を効率良く防止し得て、パッケージの外観不良の発生を効率良く防止することができる。

また、前記した上下両型６・７を所要の型締圧力にて型締めしたときに、前記した離型フィルム１１を被覆した上型面にて、少なくとも、前記した基板２の表面におけるキャビティ開口相当部の外周囲に設けられた外部用電極部を被覆することができるように構成されている。
従って、前記した基板２の表面において、前記したキャビティ開口相当部から（前記した上型キャビティ１０内から）樹脂９が（前記した上型キャビティ１０内で加熱溶融化された樹脂が、或いは、液状樹脂が）前記した外部用電極部に浸入することを効率良く防止することができるように構成されている。

また、前記上型における上型キャビティ１０の天面には前記したキャビティ被覆離型フィルム１１を介して前記した上型キャビティ１０内の樹脂を所要の圧力にて均等に且つ各別に押圧する押圧部材１２が設けられて構成されている。
即ち、前記した押圧部材１２で、前記した上型キャビティ１０内の樹脂９を所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧することにより、前記した各上型キャビティ１０内において、前記した半導体チップ３に滴下された液状樹脂９の樹脂量のばらつきを調整して吸収することができるように構成されている。
また、前記した上下両型６・７の所要の型締圧力にて型締することにより、且つ、前記した押圧部材１２で、前記した上型キャビティ１０内の樹脂９を所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧することにより、前記した上型キャビティ１０内で前記した半導体チップ３を圧縮成形することができるように構成されている。
従って、前記した押圧部材１２を用いることにより、前記した上型キャビティ１０の形状に対応したパッケージ５内に前記した半導体チップ３を各別に封止成形することができるように構成されている。
なお、図例においては、前記した押圧部材１３を所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧する均等加圧機構として、圧縮スプリング１４（弾性部材）が用いられて構成されている。
また、図例においては、前記した押圧部材１２で、前記した上型キャビティ１０内の樹脂９を前記した離型フィルム１１を介して押圧するように構成されている。

また、前記した上型６における所要複数個の上型キャビティ１０の外周囲にはＯリング１５（外気遮断部材）が前記した所要複数個の上型キャビティ１０を囲んだ状態で配設されると共に、前記したＯリング１５は前記した上型面から所要の高さで突設されて構成されている。
従って、前記した上下両型６・７の中間型締時に、前記した上下両型６・７の型面間を所要距離で保持して中間型締めすると共に、前記した上型６に設けた外気遮断部材１５（Ｏリング）を前記した下型７の型面に当接することにより、前記した各キャビティ１０内と前記した両型面で形成される空間部とを外気遮断状態にして外気遮断空間部を形成することができるように構成されている。
また、前記金型１には、図示はしていないが、前記した外気遮断空間部の空気を強制的に吸引排出することにより（前記した外気遮断空間部から真空引きすることにより）、前記した外気遮断空間部内を所要の真空度に設定する真空ポンプ等の真空引き機構が設けられて構成されている。
従って、前記した外気遮断状態となる上下両型６・７の中間型締時に、或いは、前記した外気遮断状態となる上下両型６・７の中間型締めから前記した上下両型の型面を閉じ合わせる完全型締めに至るまで前記した上下両型６・７を継続して型締めする間に、前記真空引き機構にて前記した外気遮断空間部内の空気を強制的に吸引排出することにより、前記した外気遮断空間部内を（少なくとも上型キャビティ１０内を）所要の真空度に設定することができるように構成されている。
なお、当然ではあるが、前記した真空引き機構にて、少なくとも前記した離型フィルムを被覆した上型キャビティ１０内を所要の真空度に設定することができるように構成されている。

なお、図示はしていないが、前記した金型１の所要個所には、前記した金型１を所定の温度にまで加熱する加熱手段が設けられて構成されている。
従って、当然ではあるが、前記した金型１に前記した液状樹脂滴下の基板２を供給する前に、予め、前記した金型１（上下両型６・７）を前記した加熱手段にて所定の温度にまで加熱することができるように構成されている。

（成形方法）
まず、前記した金型１（上下両型６・７）を所定の温度にまで加熱すると共に、前記した上型キャビティ１０内及び上型面に前記した離型フィルム１１を被覆させる。
なお、このとき、前記した基板２は前記した金型１には供給セットされていない。
次に、前記した金型１の外部にて（前記した基板２が前記した金型１にて加熱されない状態で）、図１（１）〜（３）に示すように、前記した基板２に装着した所要複数個の半導体チップ３の天面側に前記したディスペンサー８にて液状樹脂９を所要の樹脂量にて各別に滴下することにより、前記した半導体チップ３の天面側における所要範囲に液状樹脂を被覆させる〔図１（２）、図１（３）を参照〕。
このとき、前記した金型１の外部で、前記した基板２に装着した所要複数個の半導体チップ３に液状樹脂９を各別に滴下することになるので、従来例のようなキャビダウン方式のよって樹脂が早期に硬化することを効率良く防止することができる。
また、前記した半導体チップ３の滴下される液状樹脂９における所要の樹脂量は、前記した上型キャビティ１０の容量から前記した半導体チップ３の容量を差し引いた容量である。
なお、前記した半導体チップ３の天面側における液状樹脂の所要範囲について、図例においては、前記した液状樹脂９はその表面張力にて前記した半導体チップ３の天面側におけるワイヤ４近傍にまで被覆して形成されている。

次に、図３に示すように、前記した液状樹脂滴下の基板２〔図１（３）を参照〕を前記した下型の基板供給部１３に供給セットする。
次に、図４に示すように、前記した上下両型６・７を所要の型締圧力にて型締めすることにより、前記した離型フィルムを被覆した個々の上型キャビティ１０内に前記した液状樹脂９を滴下被覆した状態の半導体チップ３を嵌装することにより、前記した半導体チップ３を前記した上型キャビティ１０の形状に対応した個々のパッケージ５内に液状樹脂９にて各別に圧縮成形（樹脂封止成形）する。
このとき、前記した上型キャビティ１０内の樹脂９には所要の圧力（型締圧力）が加えられると共に、前記した上型キャビティ１０内において、前記した半導体チップ３の天面に滴下された液状樹脂９にて前記した半導体チップ３全体が被覆包囲（封入）された状態となる。
また、このとき、前記した基板の表面において、前記した個々の上型キャビティにおける開口相当部からその外周囲に、即ち、前記したキャビティ開口相当部の外周囲に設けられた基板の外部用電極部に、樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した基板の外部用電極部への樹脂の付着を効率良く防止することができる。
硬化に必要な所要時間の経過後、前記した上下両型６・７を型開きすることにより、前記した基板２に装着した所要複数個の半導体チップ３を各別に前記した離型フィルム１１を被覆した上型キャビティの形状に対応した個々のパッケージ５内に樹脂封止成形（圧縮成形）することができる。

即ち、前述したように、前記した上型キャビティ１０内で前記した基板２に装着した所要複数個の半導体チップ３を各別に個々のパッケージ５内に圧縮成形する構成（トップゲートを用いない構成）を採用したので、従来例に示すようなトップゲート方式によるゲート樹脂を切断除去するときに形成される欠け等のパッケージの外観不良を効率良く防止することができる。
また、前述したように、前記した金型１の外部で（前記した基板２が前記した金型１にて加熱されない状態で）、前記した基板２に装着した所要複数個の半導体チップ３に液状樹脂９を各別に滴下・塗布する構成を採用したので、前記した金型１による樹脂への加熱を効率良く防止し得て、従来例に示すようなキャビダウン方式による樹脂の早期硬化を効率良く防止することができる。
また、前述したように、前記した離型フィルム１１を前記した上型キャビティ１０内及び上型面に被覆した状態で前記した上下両型６・７を所要の型締圧力にて型締めすることにより、前記した基板のキャビティ開口相当部の外周囲に設けた外部用電極部を前記したて離型フィルム１１で被覆することができるので、前記した上型キャビティ１０内（前記キャビティ開口相当部）から前記した基板２の外部用電極部に〔前記した基板２（外部用電極部）と離型フィルム１１（上型面）との隙間に〕樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、従来例に示すような一括塗布方式による基板の外部用電極部への樹脂の付着を効率良く防止することができる。
従って、本発明によれば、従来例に示すようなトップゲート方式によるパッケージの外観不良、キャビダウン方式による樹脂の早期硬化、一括塗布方式による基板の外部用電極部への樹脂の付着と云った樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができる。

また、前記した実施例において、前記した離型フィルム１１を用いない構成を採用することができる。
従って、前記した実施例と同様に、前述した樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができる。
なお、この場合、前記した基板２の外部用電極部を前記した上型面にて被覆することになると共に、前記した基板２（外部用電極部）と上型面との隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、従来例に示すような一括塗布方式による基板の外部用電極部への樹脂の付着を効率良く防止することができる。

また、前記した各実施例において、前記上型キャビティ１０内の樹脂を前記した押圧部材１２で所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧する構成を採用することができる。
即ち、前記した上下両型６・７の型締時に（前記した金型１による圧縮成形時に）、前記した押圧部材１２で前記した上型キャビティ１０内の樹脂９を所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧することにより、前記した上型キャビティ１０内において、前記した所要複数個の半導体チップ３に各別に滴下した液状樹脂の樹脂量のばらつきを調整して吸収することができる。
従って、前記した押圧部材１２を用いる構成において、前記した実施例と同様に、前述した樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができる。
なお、前記した押圧部材１２を用いる構成において、前記した離型フィルム１１を介して前記した上型キャビティ１０内の樹脂を押圧する構成、或いは、前記した離型フィルム１１を用いないで、記した上型キャビティ１０内の樹脂を押圧する構成を採用することができる。

また、前記した各実施例において、前記した上下両型６・７の型締時に、少なくとも前記した上型キャビティ内から空気を強制的に吸引排出して真空引きする構成を採用することができる。
即ち、前記した上下両型６・７の型締時に、前記した下型７の型面と前記した上型６に設けた外気遮断部材１５とを当接して形成される外気遮断空間部（少なくとも前記した上型キャビティ１０）から空気を強制的に吸引排出する構成を採用することができる。
従って、前記した上型キャビティ１０内で成形されるパッケージ５に形成されるボイド（気泡）を効率良く低減することができる。
また、前記した真空引き機構を用いる構成において、前記した各実施例と同様に、前述した樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができる。
なお、前記した外気遮断空間部から真空引きする構成において、少なくとも前記した離型フィルム１１を被覆した上型キャビティ１０内から真空引きする構成、或いは、前記した離型フィルム１１を用いないで、少なくとも前記した上型キャビティ１０内から真空引きする構成を採用することができる。

本発明は、前述した実施例のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができるものである。

また、前記した外気遮断空間部から真空引きする構成について、前記した上下両型６・７の中間型締時に、即ち、前記した上下両型６・７の型面間を所要距離で保持する中間型締時に、前記した外気遮断空間部から瞬間的に（短時間で）真空引きする構成を採用することができる。
なお、この場合、前記した中間型締めから完全型締めする間に、継続して真空引きする構成を採用しても良い。

また、前記した各実施例において、前記した上型６における各キャビティ１０間に前記した上型キャビティ内の樹脂を調整する樹脂連通路を設けて構成しても良い。

また、前記した各実施例において、前記した半導体チップ３への滴下範囲は、前記した基板の外部用電極部に付着しない範囲であれば良い。

また、前記した各実施例において、前記した基板２に装着した半導体チップ３に液状樹脂９を滴下する場合、前記した液状樹脂９が加熱されない状態であれば良く、前記した金型１の内部、例えば、型開状態にある上下両型６・７間で半導体チップ３に液状樹脂９を滴下する構成を採用しても良い。

また、前記した実施例において、前記した押圧部材１２を所要の圧力にて均等に且つ各別に押圧する均等加圧機構として、油圧、空圧等の流体加圧機構を採用しても良い。

また、前記した各実施例では、液状樹脂９を用いる構成を開示したが、樹脂材料として、粉末状の樹脂材料、顆粒状の樹脂材料、シート状の樹脂材料を用いることができる。

また、前記した各実施例においては、電子部品として、単層の半導体チップ３を例に挙げて説明したが、電子部品として、前記した半導体チップ３を所要複数個、積層する構成に採用することができる。

図１（１）、図１（２）、図１（３）は、本発明に係る電子部品の樹脂封成形方法に用いられる基板を概略的に示す概略正面図であって、図１（１）は成形前の基板を示し、図１（２）は基板に装着した半導体チップに液状樹脂を滴下している状態を示し、図１（３）は液状樹脂を滴下した基板を示している。図２は、本発明に係る電子部品の樹脂封成形方法に用いられる電子部品の樹脂封止成形用金型（電子部品の圧縮成形用金型）を概略的に示す概略縦断面図であって、前記した金型の型開状態を示している。図３は、図２に対応する金型を概略的に示す概略縦断面図であって、前記した金型に設けられた基板供給部に図１（３）に示す液状樹脂滴下基板を供給セットした状態を示している。図４は、図２に対応する金型を概略的に示す概略縦断面図であって、前記した金型の型締状態を示している。

１電子部品の樹脂封止成形用金型（電子部品の圧縮成形用金型）
２基板
３半導体チップ（電子部品）
４ワイヤ
５パッケージ
６上型
７下型
８ディスペンサー
９液状樹脂
１０上型キャビティ
１１離型フィルム（リリースフィルム）
１２押圧部材
１３基板供給部
１４圧縮スプリング（弾性部材）
１５Ｏリング（外気遮断部材）

Claims

樹脂成形用キャビティを有する上型と所要複数個の半導体チップを装着した基板を供給セットする基板供給部を有する下型とから成る半導体チップの樹脂封止成形用金型を用意する工程と、
前記した金型を所定の温度にまで加熱する工程と、
前記上型キャビティ内面及び上型面に離型フィルムを被覆させる工程と、
前記した金型で前記した基板が加熱されない状態で、前記した基板に装着した所要複数個の半導体チップ天面の所要範囲に所要量の液状樹脂を各別に滴下する工程と、
前記した金型の基板供給部に前記した液状樹脂滴下基板を供給セットする工程と、
前記した金型を所要の型締圧力にて型締めする工程と、
前記金型の型締工程時に、前記上型キャビティ内面に離型フィルムを被覆した状態で、液状樹脂にて被覆された状態の半導体チップを前記上型キャビティ内に嵌装する工程と、
前記金型の型締工程時に、前記上型面を被覆した離型フィルムにて、少なくとも、前記した基板の表面におけるキャビティ開口部相当部の外周囲に設けられて外部用電極を被覆する工程と、
前記した半導体チップの嵌装工程時に、前記した離型フィルムを被覆した上型キャビティの形状に対応したパッケージ内に液状樹脂にて各別に樹脂封止成形する工程と、
前記樹脂封止成形工程時に、前記上型キャビティ天面に設けた押圧部材にて前記上型キャビティの内面に被覆した離型フィルムを介して前記上型キャビティ内の樹脂を均等に且つ各別に押圧する工程とを含むことを特徴とする半導体チップの樹脂封止成形方法。
樹脂封止成形工程時に、少なくとも上型キャビティ内から空気を強制的に吸引排出して真空引きする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの樹脂封止成形方法。