JP5025250B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
FinalDose = TargetDose × AreaRatio × WaferRefRatio × OuterReflRatio × Coef1(N−1) ・・・(1)
ところで、ショット領域の配列やプロセスによっては、欠けショット領域の露光を通して得られた補正係数Coef1(N−1)を使用すると、適正な最終目標露光量FinalDoesが得られない可能性がある。そこで、補正係数Coef1(N−1)を使用するモードと使用しないモードとを切り替えるようにしてもよい。この切り替えは、入出力装置15を通して設定することができる。
図8は、最終目標露光量FinalDoesを正しく決定することができないケースを例示する図である。第(N−2)ショット領域の露光に得られる補正係数をCoef1(N−2)とし、第(N−1)ショット領域が欠けショット領域であるとする。第(N−1)ショット領域の実際の露光量が第(N−1)ショット領域についての最終目標露光量に対して不足していた場合、補正係数Coef1(N−1)を考慮して第Nショット領域についての最終目標露光量が計算される。よって、第Nショット領域が過露光されることになる。同様に、第(N+1)ショット領域については補正係数Coef1(N)を考慮して最終目標露光量が計算されるため、第(N+1)ショットショット領域が露光不足となる。次第に、実際の露光量は安定に向かうが、欠けショット領域(第(N−1)ショット領域)が完全ショット領域(第Nショット領域及びそれに続くショット領域)に悪影響を及ぼすことが分かる。補正係数Coef1(N−1)を使用しない場合は、こうした悪影響を除去することが可能となる。
Coef1(N)=1/{MeasureResult/TargetDose} ・・・(3)
ステップS314では、制御部13は、ステップS313で算出された値をショット番号(N)と関連づけて、Coef1(N)としてメモリに格納する。
なお、上記の実施形態では、第2モード(低露光量モード)において、基板保持部22によって保持された基板及び基板保持部からの反射光の強度に相関のある情報に基づいて最終目標露光量を決定する。しかしながら、このような露光量制御は、露光量センサの出力に基づいてシャッタを閉じても正確に露光量を制御することができるような高露光量での露光時にも適用されてもよい。
次に上記の露光装置を利用したデバイス製造方法を説明する。図9は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル作製)では設計した回路パターンに基づいてレチクル(原版またはマスクともいう)を作製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。
2:原版
3:基板
4:シャッタ
5:光センサ
6:投影光学系
7:プリアンプ
9:V/Fコンバータ
11:パルスカウンタ
13:制御部
14:シャッタ駆動回路
15:入出力装置
16:目標露光量決定器
21:原版ステージ
22:基板保持部
22a:外側部分
81:シャッタ板
86:光路領域
S:露光量センサ
Claims (6)
- 基板を露光する露光装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
基板の露光時間を制御するシャッタと、
前記シャッタの動作を制御する制御部とを備え、
基板は、複数のチップ領域の少なくとも1つが該基板の有効領域からはみ出した欠けショット領域と全てのチップ領域が該有効領域に収まった完全ショット領域とを含む複数のショット領域を有し、
前記制御部は、前記基板保持部によって保持された基板及び該基板の前記欠けショット領域を露光する際に光が照射される前記基板保持部の領域からの反射光の強度に相関のある情報に基づいて、前記欠けショット領域及び前記完全ショット領域を含む前記複数のショット領域のそれぞれの目標露光量を算出し、該目標露光量にもとづいて前記シャッタの動作を前記複数のショット領域のそれぞれについて個別に制御する、
ことを特徴とする露光装置。 - 前記反射光の強度に相関のある情報は、基板上のショット領域の面積に関する情報、基板の反射率に関する情報、及び、前記基板保持部の反射率に関する情報を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記制御部は、更に、既に露光がなされたショット領域に対する露光量に基づいて前記シャッタの動作を制御する、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。 - 入出力装置を備え、
前記制御部は、前記入出力装置を介して取得された情報に基づいて、前記シャッタの回転速度を制御することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。 - 基板に対する露光量を検知する露光量センサを更に備え、
前記制御部は、第1モードでは、前記露光量センサの出力に基づいて前記シャッタを閉じるタイミングを制御し、第2モードでは、前記反射光の強度に相関のある情報に基づいて前記シャッタの動作を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - デバイス製造方法であって、
感光剤が塗布された基板を請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置を用いて露光する工程と、
該露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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