JPH03242922A - ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 - Google Patents

ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置

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JPH03242922A
JPH03242922A JP3838690A JP3838690A JPH03242922A JP H03242922 A JPH03242922 A JP H03242922A JP 3838690 A JP3838690 A JP 3838690A JP 3838690 A JP3838690 A JP 3838690A JP H03242922 A JPH03242922 A JP H03242922A
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Shinji Suzuki
信二 鈴木
Tetsuharu Arai
荒井 徹治
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Ushio Inc
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Ushio Denki KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体製造工程で塵の発生原因となるウェ
ハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去するための板
状物の周辺部露光装置及びウェハ周辺露光方法に関する
ものである。
[従来の技術] ICやLSIなどの半導体装置の製造に際しては、微細
パターンを形成するにあたって、シリコンウェハなどの
表面にレジストを塗布し、さらに露光、現像を行ってレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをマス
クにして、イオン注入、エツチング、リフトオフなどの
加工が施される。通常、レジスト膜の塗布はスピンコー
ド法を用いてウェハの表面全域に塗布される。この塗布
に際しては、膜厚を均一にするためにウェハを回転させ
ながら処理を行っている。
レジスト膜の塗布が終了したウェハは、ウェハの周辺部
を把持しながら搬出される。このとき、把持部分のレジ
ストが剥がれることがある。この剥がれは、ウェハカセ
ットなどの収納器の壁に擦れることによっても生じる。
このような事故が生じた場合には、正しいパターンを形
成できなくなり、歩留りを低下させる。
ウェハ周辺部の不要レジストか塵となって歩留りを低下
させることは、特に、集積回路の高機能化及び微細化が
進みつつある現在、深刻な問題になっている。
そこで、最近では、パターン形成のための露光工程とは
別に、ウェハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去す
るために、別途露光を行うウニへ周辺露光法が行われて
いる。このウニへ周辺露光法は、レジストが塗布された
ウェハを回転させながら、ライトガイドファイバで導か
れた光をウニへ周辺部に照射し、環状に露光するもので
ある。
なお、周辺露光に関する技術は、例えば、特願昭63−
224531号及び特願昭63−277455号に記載
がある。
[発明が解決しようとする課題] しかし、現像工程で除去する必要のあるレジストが形成
されている部分の形状は一様ではない。
例えば、後の工程で保持部分となる部分の形状や位置は
ウェハや保持機構の種類などによって変る。また、ウェ
ハは逐次移動型縮小投影露光装置(以下、ステッパとい
う)によって、基盤の目状に露光されるが、正しくlチ
ップ分のパターンを描ききれない部分の形状は、lチッ
プの大きさなどのウェハの利用設計などによって様々に
変る。
すなわち、第4図に示すように、ウェハlの不要レジス
ト部分IAか階段状であるにもかかわらず、従来の露光
装置はウェハ周辺部を環状に一定幅に露光しており、第
4図の如く階段状の形状には対処することができない。
無理に行おうとすれば、ウェハのエツジからの幅の大き
い周状の露光をせざるを得す、必要なレジスト部分まで
露光する結果になる。
この発明の目的は、板状の被処理物の周辺部を任意の形
状に露光できるようにした板状物の周辺部露光装置及び
ウェハ周辺露光方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために、この発明は、光源と、入射
端が光源からの光を受ける位置に配置され、出射端が板
状物の周辺部の表面に向かい合わせて設けられた光ファ
イバと、該光ファイバの出射端を前記板状物の表面に平
行な平面内で少なくとも互いに直角な2つの方向に移動
させる移動機構と、該移動機構を制御する制御機構と、
板状物を回転させる回転機構とを備えた構成にしている
さらに、周辺露光の対象がウェハである場合、光源から
の光を導く光ファイバの出射端をウェハ周辺部に対向さ
せて配置し、前記出射端をウェハに平行な平面内で互い
に直交する2つの方向へ移動させながらウェハ周辺部を
階段状に露光し、ついでウェハを90°回転させる動作
をそれぞれ繰返してつ1′−へ周辺部の全周を露光する
方法が最適である。
[作用] 上記した手段によれば、光を照射する光ファイバの出射
端は、板状物の周辺上の任意の位置へ移動することがで
きる。したがって、板状物の形状及び不要レジストの形
状がどのような形状であっても周辺露光を行うことがで
きる。
また、板状物を回転機構によって回転させることにより
、移動機構の移動距離を短くし、移動機構の構成の簡略
化及び制御の負担を軽減することができる。
さらに、ウェハを対象とした場合、光ファイバの出射端
を円形なウェハの周辺のほぼ1/4の範囲に移動させな
がら露光し、この露光の終了後にウェハを90°回転さ
せて次の1/4を露光する動作を4回繰返すと全周の周
辺露光が完了する。
これにより、レジストの不要部分が階段状であっても、
必要なレジストを露光させることなく周辺露光を行うこ
とが可能になる。
[実施例] 第1図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。ここ
では、板状物としてウェハを例にしている。
処理対象のウェハlは、回転ステージ2に真空吸着され
、この回転ステージ2はモータを備えた駆動機構3によ
って回転駆動される。なお駆動機構3は、制御装置4に
よって制御される。
露光部は、光学系、光ファイバ、及び移動機構から構成
される。光学系は、光源としてのランプ5、このランプ
5の光を集光させて反射する楕円集光鏡6.この楕円集
光鏡6からの光を水平方向へ反射させる反射鏡7.及び
反射鏡7の出射光路に出入可能に配設されるシャッタ8
から成る。
反射鏡7の集光位置には、照射用光ファイバ9の入射端
9aが配設され、その出射端9bはウェハlの周辺上に
移動可能に配設される。また、照射用光ファイバ9によ
る照射光は、照射面に方形に投影されるようにされてい
る。尚、アームllには、出射端9aと一体に移動可能
に設けられたエツジ検出用のフォトセンサ(不図示)が
あり、このエツジ検出用のフォトセンサからの信号に従
って、出射端9bの位置を制御する。
照射用光ファイバ9の出射端9bは、移動機構10のア
ーム11に保持されている。アーム11は、移動機構1
0に設けられた複数のモータによりX−Y方向へ自在に
移動可能に構成されている。
次に、第1図及び第2図に従って、上記構成の実施例の
動作について説明する。
まず、板状物が第1図及び第2図のような円板状のウェ
ハlの場合についで、その周辺露光の方法を説明する。
制御装置4には、予め被処理物のレジスト不要部分の幅
や長さがデータとしてメモリされている。そして、この
メモリから読出したデータにしたがって、制御装置4は
移動機構lOのアーム11の移動を制御する。
■まず、ウェハlを回転ステージ2上に載置し、真空吸
着する。ついで、前述のフォトセンサによるエツジ検出
を開始しながら、出射端9bを第1図のY方向に移動さ
せ、該フォトセンサの0N4OFFによってウェハlの
エツジを検出し、出射端9bをエツジから所定距離の周
辺部を露光する位置に配置する。この位置が第2図のa
点を露光する位置てあり、この状態て、シャッタ8を開
け(光路から引き出す)る。これにより、ランプ5の光
は照射用光ファイバ9を介して出射端9bに到達し、ウ
ェハl上のa点からエツジにかけて方形状に照射する。
■ついで、b位置に向けて出射端9bから光を照射しな
からX方向へ移動させる。
■次に、b位置からC位置まで、出射端9bから光を照
射しなからY方向へ移動させる。
■次に、C位置からd位置へ、出射端9bから光を照射
しなからX方向へ移動させる。
■ここで、回転ステージ2を90”回転させ、ウェハl
を横向きにさせる。
■ついで、前記■〜■まての作業を繰返し、2度の露光
が終了した時点で、回転ステージ2を90°回転させる
■さらに、前記■〜■を2回繰返して行うことにより、
ウェハlの周辺部の全周の露光が終了する。
なお、シャッタ8は、上記の90’の回転の際には、パ
ターン形成部100が露光されるのを防止するために、
シャッタ8を閉じている。
第3図は板状物が、プリント基板、液晶基板などの角形
物12である場合である。この場合の処理は次のように
なる。
■ウェハ1の場合と同様に、回転ステージ2上に角形v
lJ12を載置、真空吸着し、エツジをフォトセンサて
検出し、出射端を所定位置に配置する。
■そして、シャッタを開き、辺eに沿って出射端9bか
移動するように移動機構10を駆動し、−辺の周縁部を
露光する。この場合、出射端9bの移動は、X方向から
行っても、−X方向から行ってもよい。
■次に、回転ステージ2を90’回転させ、辺fのコー
ナ部に出射端9bを移動させた後、他端 0 に向って出射端9bを移動させ、辺fを露光する。
■ついで、回転ステージ2を90°回転させ、■と同様
の処理を繰返し、辺gを露光する。
0次に、前記■と同一の処理を実行することにより、辺
りの周縁部の露光を行い、4辺の周縁部の露光が終了す
る。
以上のように、露光に際し、回転ステージ2を90″単
位で回転させる操作を加えることにより、アーム11の
X方向及びY方向の移動距離を少くすることができ、移
動機構lOの構造を簡略化することができる。
[発明の効果] この発明は上記の通り構成されているので、次に記載す
る効果を奏する。
請求項(1)に記載の板状物の周辺部露光装置において
は、板状及び不要レジストの形状がどのような形状であ
っても周辺露光を行うことかでき、移動機構の移動操作
を少くし、周辺露光の処理時間の低減、移動機構の構成
の簡略化及び制御1 の負担を軽減することを図ることができる。
請求項(2)に記載のウェハ周辺露光方法においては、
レジストの不要部分が階段状てあっても、必要なレジス
トを露光させることなく周辺露光を行うことが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第2図は板
状物がウェハの場合の平面図、第3図は板状物が角形物
の場合の平面図、第4図は不要部分が階段状に形成され
た板状物の平面図である。 図中、 1:ウェハ 2:回転ステージ 3:駆動機構 4:制御装置 5:ランプ 9:照射用光ファイバ 9a:入射端 9b:出射端 10:移動機構  2 11:アーム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源と、 入射端が光源からの光を受ける位置に配置され、出射端
    が板状物の周辺部の表面に向かい合わせて設けられた光
    ファイバと、 該光ファイバの出射端を前記板状物の表面に平行な平面
    内で少なくとも互いに直角な2つの方向に移動させる移
    動機構と、 該移動機構を制御する制御機構と、板状物を回転させる
    回転機構とを具備することを特徴とする板状物の周辺部
    露光装置。
  2. (2)光源からの光を導く光ファイバの出射端をウェハ
    周辺部に対向させて配置し、 前記出射端をウェハに平行な平面内で互いに直交する2
    つの方向へ移動させながらウェハ周辺部を階段状に露光
    し、 ついで、ウェハを90゜回転させる動作をそれぞれ繰返
    してウェハ周辺部の全周を露光することを特徴とする板
    状物の周辺露光方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0767409A2 (en) * 1995-10-02 1997-04-09 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Process for exposing the peripheral area of a semiconductor wafer for removing unnecessary resist and a device for executing the process
JPH1092711A (ja) * 1996-09-10 1998-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 周辺露光装置
JPH10135106A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 周辺露光装置
JPH10135105A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 周辺露光装置
US5982474A (en) * 1996-06-06 1999-11-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Periphery exposing apparatus and method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6338231A (ja) * 1986-08-01 1988-02-18 Fujitsu Ltd レジストマスクの形成方法
JPH01192117A (ja) * 1988-01-27 1989-08-02 Teru Kyushu Kk レジスト処理装置及びレジスト処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6338231A (ja) * 1986-08-01 1988-02-18 Fujitsu Ltd レジストマスクの形成方法
JPH01192117A (ja) * 1988-01-27 1989-08-02 Teru Kyushu Kk レジスト処理装置及びレジスト処理方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0767409A2 (en) * 1995-10-02 1997-04-09 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Process for exposing the peripheral area of a semiconductor wafer for removing unnecessary resist and a device for executing the process
EP0767409A3 (en) * 1995-10-02 1997-07-30 Ushio Electric Inc Method for the exposure of the peripheral parts of a semiconductor wafer in order to eliminate the useful photoresist, as well as an apparatus for applying this method
US5982474A (en) * 1996-06-06 1999-11-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Periphery exposing apparatus and method
JPH1092711A (ja) * 1996-09-10 1998-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 周辺露光装置
JPH10135106A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 周辺露光装置
JPH10135105A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 周辺露光装置

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