JPH03242922A - ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 - Google Patents
ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置Info
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- JPH03242922A JPH03242922A JP3838690A JP3838690A JPH03242922A JP H03242922 A JPH03242922 A JP H03242922A JP 3838690 A JP3838690 A JP 3838690A JP 3838690 A JP3838690 A JP 3838690A JP H03242922 A JPH03242922 A JP H03242922A
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 3
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、半導体製造工程で塵の発生原因となるウェ
ハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去するための板
状物の周辺部露光装置及びウェハ周辺露光方法に関する
ものである。
ハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去するための板
状物の周辺部露光装置及びウェハ周辺露光方法に関する
ものである。
[従来の技術]
ICやLSIなどの半導体装置の製造に際しては、微細
パターンを形成するにあたって、シリコンウェハなどの
表面にレジストを塗布し、さらに露光、現像を行ってレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをマス
クにして、イオン注入、エツチング、リフトオフなどの
加工が施される。通常、レジスト膜の塗布はスピンコー
ド法を用いてウェハの表面全域に塗布される。この塗布
に際しては、膜厚を均一にするためにウェハを回転させ
ながら処理を行っている。
パターンを形成するにあたって、シリコンウェハなどの
表面にレジストを塗布し、さらに露光、現像を行ってレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをマス
クにして、イオン注入、エツチング、リフトオフなどの
加工が施される。通常、レジスト膜の塗布はスピンコー
ド法を用いてウェハの表面全域に塗布される。この塗布
に際しては、膜厚を均一にするためにウェハを回転させ
ながら処理を行っている。
レジスト膜の塗布が終了したウェハは、ウェハの周辺部
を把持しながら搬出される。このとき、把持部分のレジ
ストが剥がれることがある。この剥がれは、ウェハカセ
ットなどの収納器の壁に擦れることによっても生じる。
を把持しながら搬出される。このとき、把持部分のレジ
ストが剥がれることがある。この剥がれは、ウェハカセ
ットなどの収納器の壁に擦れることによっても生じる。
このような事故が生じた場合には、正しいパターンを形
成できなくなり、歩留りを低下させる。
成できなくなり、歩留りを低下させる。
ウェハ周辺部の不要レジストか塵となって歩留りを低下
させることは、特に、集積回路の高機能化及び微細化が
進みつつある現在、深刻な問題になっている。
させることは、特に、集積回路の高機能化及び微細化が
進みつつある現在、深刻な問題になっている。
そこで、最近では、パターン形成のための露光工程とは
別に、ウェハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去す
るために、別途露光を行うウニへ周辺露光法が行われて
いる。このウニへ周辺露光法は、レジストが塗布された
ウェハを回転させながら、ライトガイドファイバで導か
れた光をウニへ周辺部に照射し、環状に露光するもので
ある。
別に、ウェハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去す
るために、別途露光を行うウニへ周辺露光法が行われて
いる。このウニへ周辺露光法は、レジストが塗布された
ウェハを回転させながら、ライトガイドファイバで導か
れた光をウニへ周辺部に照射し、環状に露光するもので
ある。
なお、周辺露光に関する技術は、例えば、特願昭63−
224531号及び特願昭63−277455号に記載
がある。
224531号及び特願昭63−277455号に記載
がある。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、現像工程で除去する必要のあるレジストが形成
されている部分の形状は一様ではない。
されている部分の形状は一様ではない。
例えば、後の工程で保持部分となる部分の形状や位置は
ウェハや保持機構の種類などによって変る。また、ウェ
ハは逐次移動型縮小投影露光装置(以下、ステッパとい
う)によって、基盤の目状に露光されるが、正しくlチ
ップ分のパターンを描ききれない部分の形状は、lチッ
プの大きさなどのウェハの利用設計などによって様々に
変る。
ウェハや保持機構の種類などによって変る。また、ウェ
ハは逐次移動型縮小投影露光装置(以下、ステッパとい
う)によって、基盤の目状に露光されるが、正しくlチ
ップ分のパターンを描ききれない部分の形状は、lチッ
プの大きさなどのウェハの利用設計などによって様々に
変る。
すなわち、第4図に示すように、ウェハlの不要レジス
ト部分IAか階段状であるにもかかわらず、従来の露光
装置はウェハ周辺部を環状に一定幅に露光しており、第
4図の如く階段状の形状には対処することができない。
ト部分IAか階段状であるにもかかわらず、従来の露光
装置はウェハ周辺部を環状に一定幅に露光しており、第
4図の如く階段状の形状には対処することができない。
無理に行おうとすれば、ウェハのエツジからの幅の大き
い周状の露光をせざるを得す、必要なレジスト部分まで
露光する結果になる。
い周状の露光をせざるを得す、必要なレジスト部分まで
露光する結果になる。
この発明の目的は、板状の被処理物の周辺部を任意の形
状に露光できるようにした板状物の周辺部露光装置及び
ウェハ周辺露光方法を提供することにある。
状に露光できるようにした板状物の周辺部露光装置及び
ウェハ周辺露光方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、この発明は、光源と、入射
端が光源からの光を受ける位置に配置され、出射端が板
状物の周辺部の表面に向かい合わせて設けられた光ファ
イバと、該光ファイバの出射端を前記板状物の表面に平
行な平面内で少なくとも互いに直角な2つの方向に移動
させる移動機構と、該移動機構を制御する制御機構と、
板状物を回転させる回転機構とを備えた構成にしている
。
端が光源からの光を受ける位置に配置され、出射端が板
状物の周辺部の表面に向かい合わせて設けられた光ファ
イバと、該光ファイバの出射端を前記板状物の表面に平
行な平面内で少なくとも互いに直角な2つの方向に移動
させる移動機構と、該移動機構を制御する制御機構と、
板状物を回転させる回転機構とを備えた構成にしている
。
さらに、周辺露光の対象がウェハである場合、光源から
の光を導く光ファイバの出射端をウェハ周辺部に対向さ
せて配置し、前記出射端をウェハに平行な平面内で互い
に直交する2つの方向へ移動させながらウェハ周辺部を
階段状に露光し、ついでウェハを90°回転させる動作
をそれぞれ繰返してつ1′−へ周辺部の全周を露光する
方法が最適である。
の光を導く光ファイバの出射端をウェハ周辺部に対向さ
せて配置し、前記出射端をウェハに平行な平面内で互い
に直交する2つの方向へ移動させながらウェハ周辺部を
階段状に露光し、ついでウェハを90°回転させる動作
をそれぞれ繰返してつ1′−へ周辺部の全周を露光する
方法が最適である。
[作用]
上記した手段によれば、光を照射する光ファイバの出射
端は、板状物の周辺上の任意の位置へ移動することがで
きる。したがって、板状物の形状及び不要レジストの形
状がどのような形状であっても周辺露光を行うことがで
きる。
端は、板状物の周辺上の任意の位置へ移動することがで
きる。したがって、板状物の形状及び不要レジストの形
状がどのような形状であっても周辺露光を行うことがで
きる。
また、板状物を回転機構によって回転させることにより
、移動機構の移動距離を短くし、移動機構の構成の簡略
化及び制御の負担を軽減することができる。
、移動機構の移動距離を短くし、移動機構の構成の簡略
化及び制御の負担を軽減することができる。
さらに、ウェハを対象とした場合、光ファイバの出射端
を円形なウェハの周辺のほぼ1/4の範囲に移動させな
がら露光し、この露光の終了後にウェハを90°回転さ
せて次の1/4を露光する動作を4回繰返すと全周の周
辺露光が完了する。
を円形なウェハの周辺のほぼ1/4の範囲に移動させな
がら露光し、この露光の終了後にウェハを90°回転さ
せて次の1/4を露光する動作を4回繰返すと全周の周
辺露光が完了する。
これにより、レジストの不要部分が階段状であっても、
必要なレジストを露光させることなく周辺露光を行うこ
とが可能になる。
必要なレジストを露光させることなく周辺露光を行うこ
とが可能になる。
[実施例]
第1図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。ここ
では、板状物としてウェハを例にしている。
では、板状物としてウェハを例にしている。
処理対象のウェハlは、回転ステージ2に真空吸着され
、この回転ステージ2はモータを備えた駆動機構3によ
って回転駆動される。なお駆動機構3は、制御装置4に
よって制御される。
、この回転ステージ2はモータを備えた駆動機構3によ
って回転駆動される。なお駆動機構3は、制御装置4に
よって制御される。
露光部は、光学系、光ファイバ、及び移動機構から構成
される。光学系は、光源としてのランプ5、このランプ
5の光を集光させて反射する楕円集光鏡6.この楕円集
光鏡6からの光を水平方向へ反射させる反射鏡7.及び
反射鏡7の出射光路に出入可能に配設されるシャッタ8
から成る。
される。光学系は、光源としてのランプ5、このランプ
5の光を集光させて反射する楕円集光鏡6.この楕円集
光鏡6からの光を水平方向へ反射させる反射鏡7.及び
反射鏡7の出射光路に出入可能に配設されるシャッタ8
から成る。
反射鏡7の集光位置には、照射用光ファイバ9の入射端
9aが配設され、その出射端9bはウェハlの周辺上に
移動可能に配設される。また、照射用光ファイバ9によ
る照射光は、照射面に方形に投影されるようにされてい
る。尚、アームllには、出射端9aと一体に移動可能
に設けられたエツジ検出用のフォトセンサ(不図示)が
あり、このエツジ検出用のフォトセンサからの信号に従
って、出射端9bの位置を制御する。
9aが配設され、その出射端9bはウェハlの周辺上に
移動可能に配設される。また、照射用光ファイバ9によ
る照射光は、照射面に方形に投影されるようにされてい
る。尚、アームllには、出射端9aと一体に移動可能
に設けられたエツジ検出用のフォトセンサ(不図示)が
あり、このエツジ検出用のフォトセンサからの信号に従
って、出射端9bの位置を制御する。
照射用光ファイバ9の出射端9bは、移動機構10のア
ーム11に保持されている。アーム11は、移動機構1
0に設けられた複数のモータによりX−Y方向へ自在に
移動可能に構成されている。
ーム11に保持されている。アーム11は、移動機構1
0に設けられた複数のモータによりX−Y方向へ自在に
移動可能に構成されている。
次に、第1図及び第2図に従って、上記構成の実施例の
動作について説明する。
動作について説明する。
まず、板状物が第1図及び第2図のような円板状のウェ
ハlの場合についで、その周辺露光の方法を説明する。
ハlの場合についで、その周辺露光の方法を説明する。
制御装置4には、予め被処理物のレジスト不要部分の幅
や長さがデータとしてメモリされている。そして、この
メモリから読出したデータにしたがって、制御装置4は
移動機構lOのアーム11の移動を制御する。
や長さがデータとしてメモリされている。そして、この
メモリから読出したデータにしたがって、制御装置4は
移動機構lOのアーム11の移動を制御する。
■まず、ウェハlを回転ステージ2上に載置し、真空吸
着する。ついで、前述のフォトセンサによるエツジ検出
を開始しながら、出射端9bを第1図のY方向に移動さ
せ、該フォトセンサの0N4OFFによってウェハlの
エツジを検出し、出射端9bをエツジから所定距離の周
辺部を露光する位置に配置する。この位置が第2図のa
点を露光する位置てあり、この状態て、シャッタ8を開
け(光路から引き出す)る。これにより、ランプ5の光
は照射用光ファイバ9を介して出射端9bに到達し、ウ
ェハl上のa点からエツジにかけて方形状に照射する。
着する。ついで、前述のフォトセンサによるエツジ検出
を開始しながら、出射端9bを第1図のY方向に移動さ
せ、該フォトセンサの0N4OFFによってウェハlの
エツジを検出し、出射端9bをエツジから所定距離の周
辺部を露光する位置に配置する。この位置が第2図のa
点を露光する位置てあり、この状態て、シャッタ8を開
け(光路から引き出す)る。これにより、ランプ5の光
は照射用光ファイバ9を介して出射端9bに到達し、ウ
ェハl上のa点からエツジにかけて方形状に照射する。
■ついで、b位置に向けて出射端9bから光を照射しな
からX方向へ移動させる。
からX方向へ移動させる。
■次に、b位置からC位置まで、出射端9bから光を照
射しなからY方向へ移動させる。
射しなからY方向へ移動させる。
■次に、C位置からd位置へ、出射端9bから光を照射
しなからX方向へ移動させる。
しなからX方向へ移動させる。
■ここで、回転ステージ2を90”回転させ、ウェハl
を横向きにさせる。
を横向きにさせる。
■ついで、前記■〜■まての作業を繰返し、2度の露光
が終了した時点で、回転ステージ2を90°回転させる
。
が終了した時点で、回転ステージ2を90°回転させる
。
■さらに、前記■〜■を2回繰返して行うことにより、
ウェハlの周辺部の全周の露光が終了する。
ウェハlの周辺部の全周の露光が終了する。
なお、シャッタ8は、上記の90’の回転の際には、パ
ターン形成部100が露光されるのを防止するために、
シャッタ8を閉じている。
ターン形成部100が露光されるのを防止するために、
シャッタ8を閉じている。
第3図は板状物が、プリント基板、液晶基板などの角形
物12である場合である。この場合の処理は次のように
なる。
物12である場合である。この場合の処理は次のように
なる。
■ウェハ1の場合と同様に、回転ステージ2上に角形v
lJ12を載置、真空吸着し、エツジをフォトセンサて
検出し、出射端を所定位置に配置する。
lJ12を載置、真空吸着し、エツジをフォトセンサて
検出し、出射端を所定位置に配置する。
■そして、シャッタを開き、辺eに沿って出射端9bか
移動するように移動機構10を駆動し、−辺の周縁部を
露光する。この場合、出射端9bの移動は、X方向から
行っても、−X方向から行ってもよい。
移動するように移動機構10を駆動し、−辺の周縁部を
露光する。この場合、出射端9bの移動は、X方向から
行っても、−X方向から行ってもよい。
■次に、回転ステージ2を90’回転させ、辺fのコー
ナ部に出射端9bを移動させた後、他端 0 に向って出射端9bを移動させ、辺fを露光する。
ナ部に出射端9bを移動させた後、他端 0 に向って出射端9bを移動させ、辺fを露光する。
■ついで、回転ステージ2を90°回転させ、■と同様
の処理を繰返し、辺gを露光する。
の処理を繰返し、辺gを露光する。
0次に、前記■と同一の処理を実行することにより、辺
りの周縁部の露光を行い、4辺の周縁部の露光が終了す
る。
りの周縁部の露光を行い、4辺の周縁部の露光が終了す
る。
以上のように、露光に際し、回転ステージ2を90″単
位で回転させる操作を加えることにより、アーム11の
X方向及びY方向の移動距離を少くすることができ、移
動機構lOの構造を簡略化することができる。
位で回転させる操作を加えることにより、アーム11の
X方向及びY方向の移動距離を少くすることができ、移
動機構lOの構造を簡略化することができる。
[発明の効果]
この発明は上記の通り構成されているので、次に記載す
る効果を奏する。
る効果を奏する。
請求項(1)に記載の板状物の周辺部露光装置において
は、板状及び不要レジストの形状がどのような形状であ
っても周辺露光を行うことかでき、移動機構の移動操作
を少くし、周辺露光の処理時間の低減、移動機構の構成
の簡略化及び制御1 の負担を軽減することを図ることができる。
は、板状及び不要レジストの形状がどのような形状であ
っても周辺露光を行うことかでき、移動機構の移動操作
を少くし、周辺露光の処理時間の低減、移動機構の構成
の簡略化及び制御1 の負担を軽減することを図ることができる。
請求項(2)に記載のウェハ周辺露光方法においては、
レジストの不要部分が階段状てあっても、必要なレジス
トを露光させることなく周辺露光を行うことが可能にな
る。
レジストの不要部分が階段状てあっても、必要なレジス
トを露光させることなく周辺露光を行うことが可能にな
る。
第1図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第2図は板
状物がウェハの場合の平面図、第3図は板状物が角形物
の場合の平面図、第4図は不要部分が階段状に形成され
た板状物の平面図である。 図中、 1:ウェハ 2:回転ステージ 3:駆動機構 4:制御装置 5:ランプ 9:照射用光ファイバ 9a:入射端 9b:出射端 10:移動機構 2 11:アーム
状物がウェハの場合の平面図、第3図は板状物が角形物
の場合の平面図、第4図は不要部分が階段状に形成され
た板状物の平面図である。 図中、 1:ウェハ 2:回転ステージ 3:駆動機構 4:制御装置 5:ランプ 9:照射用光ファイバ 9a:入射端 9b:出射端 10:移動機構 2 11:アーム
Claims (2)
- (1)光源と、 入射端が光源からの光を受ける位置に配置され、出射端
が板状物の周辺部の表面に向かい合わせて設けられた光
ファイバと、 該光ファイバの出射端を前記板状物の表面に平行な平面
内で少なくとも互いに直角な2つの方向に移動させる移
動機構と、 該移動機構を制御する制御機構と、板状物を回転させる
回転機構とを具備することを特徴とする板状物の周辺部
露光装置。 - (2)光源からの光を導く光ファイバの出射端をウェハ
周辺部に対向させて配置し、 前記出射端をウェハに平行な平面内で互いに直交する2
つの方向へ移動させながらウェハ周辺部を階段状に露光
し、 ついで、ウェハを90゜回転させる動作をそれぞれ繰返
してウェハ周辺部の全周を露光することを特徴とする板
状物の周辺露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2038386A JP2534567B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2038386A JP2534567B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03242922A true JPH03242922A (ja) | 1991-10-29 |
JP2534567B2 JP2534567B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=12523842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2038386A Expired - Fee Related JP2534567B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2534567B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0767409A2 (en) * | 1995-10-02 | 1997-04-09 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for exposing the peripheral area of a semiconductor wafer for removing unnecessary resist and a device for executing the process |
JPH1092711A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
JPH10135106A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
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---|---|---|---|---|
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JPH01192117A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Teru Kyushu Kk | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP2038386A patent/JP2534567B2/ja not_active Expired - Fee Related
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EP0767409A3 (en) * | 1995-10-02 | 1997-07-30 | Ushio Electric Inc | Method for the exposure of the peripheral parts of a semiconductor wafer in order to eliminate the useful photoresist, as well as an apparatus for applying this method |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2534567B2 (ja) | 1996-09-18 |
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