JP5021427B2 - テクスチャー形成用エッチング液 - Google Patents

テクスチャー形成用エッチング液 Download PDF

Info

Publication number
JP5021427B2
JP5021427B2 JP2007294253A JP2007294253A JP5021427B2 JP 5021427 B2 JP5021427 B2 JP 5021427B2 JP 2007294253 A JP2007294253 A JP 2007294253A JP 2007294253 A JP2007294253 A JP 2007294253A JP 5021427 B2 JP5021427 B2 JP 5021427B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
hydrogen carbonate
texture
etching solution
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007294253A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009123811A (ja
Inventor
聡 臼井
▲つよし▼ 筒井
武 赤塚
力 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NLLGATA TLO LNC
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
NLLGATA TLO LNC
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NLLGATA TLO LNC, Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical NLLGATA TLO LNC
Priority to JP2007294253A priority Critical patent/JP5021427B2/ja
Publication of JP2009123811A publication Critical patent/JP2009123811A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5021427B2 publication Critical patent/JP5021427B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は、例えば単結晶シリコン太陽電池や光センサーなどに使用するために、単結晶シリコン表面{面方位(100)}にテクスチャー(texture)と呼ばれる微細なピラミッド状凹凸部を形成するテクスチャー形成に用いられるエッチング液に関する。
詳しくは、液中でエッチングすることによりシリコン表面にピラミッド状凹凸部(テクスチャー)を形成するテクスチャー形成用エッチング液に関する。
従来、この種のテクスチャー形成用エッチング液として、水酸化ナトリウム(NaOH)又は水酸化カリウム(KOH)からなるアルカリ性媒体に、リグニン、セルロース類、ケトン類、エステル類、グリコール類の中から一種か又は複数種が添加されたエッチング液を85℃に加熱し、この溶液中に4〜5分間シリコンウエハを浸漬してウエットエッチングすることにより、シリコンウエハの表面にピラミッド状凹凸部が形成されるものがある(例えば、特許文献1参照)。
また、60〜95℃に加温した水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムにイソプロピルアルコール(IPA)を添加したエッチング液に、シリコンウエハを10〜30分間浸漬させることにより、ピラミッド状凹凸部(テクスチャー構造)が形成されるものもある(例えば、特許文献2参照)。
特開2005−19605号公報(第3〜5頁) 特開2000−183378号公報(第2頁)
しかし乍ら、このような従来のテクスチャー形成用エッチング液では、特許文献1の場合、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムのベースに、リグニン、セルロース類、ケトン類、エステル類、グリコール類の中から一種か又は複数種を添加するが、これらの合成が困難で工業的に得難いという問題があった。
また特許文献2の場合、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムにイソプロピルアルコールを添加するが、イソプロピルアルコールは揮発性、引火性が高い物質であるため、大量使用には火災対策、防爆が必要で設備費用が高価になるという問題があった。
本発明は、均一性に優れた微細なピラミッド状凹凸部を容易に安定して再現するエッチング液の提供を目的としたものである。
さらに、均一で微細なピラミッド状凹凸部の再現性を向上させるエッチング液の提供を目的としたものである。
前述した目的を達成するために、本発明は、アルカリ金属水酸化物溶液に炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムが加えられたものをベースとし、これに添加剤としてポリビニルアルコールを含有したことを特徴とするものである。
また、本発明は、アルカリ金属水酸化物に炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムを加えたものをベースとし、これに添加剤としてポリ−1−メチルビニルアルコールを含有したことを特徴とすることも可能である
本発明は、アルカリ金属水酸化物溶液に炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムが加えられたものをベースとして、ポリビニルアルコール又はポリ−1−メチルビニルアルコールを添加することにより、シリコン表面に均一で微細なピラミッド状凹凸部を安定して得られる。
従って、均一性に優れた微細なピラミッド状凹凸部を容易に安定して再現するエッチング液を提供することができる。
その結果、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムのベースに、リグニン、セルロース類、ケトン類、エステル類、グリコール類の中から一種か又は複数種を添加する従来のものに比べ、安定かつ安価な合成が可能であると共に、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムにイソプロピルアルコールを添加する従来のものに比べ、火災対策、防爆を必要とせず、その分だけ設備も簡素化できるから低コストで製造できる。
さらに、本発明は、アルカリ金属水酸化物に炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムを加えることにより、均一で微細なピラミッド状凹凸部を更に安定して得られる。
従って、均一で微細なピラミッド状凹凸部の再現性を向上させるエッチング液を提供することができる。
本発明のテクスチャー形成用エッチング液は、例えば水酸化ナトリウム(NaOH)又は水酸化カリウム(KOH)などのアルカリ金属水酸化物溶液をベースとし、これに添加剤として例えばポリビニルアルコール(PVA)やポリ−1−メチルビニルアルコール(PMVA)などの脂肪族ポリアルコールを含有させることで得られ、このエッチング液に、シリコン基板を浸漬してシリコン表面のアルカリエッチングすることにより、均一で微細なピラミッド状凹凸部が形成されるものである。
更に必要に応じて、上記エッチング液のベースとして、アルカリ金属水酸化物に炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムを加えることも可能である。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
この実施例は、水酸化ナトリウムが4重量%と、炭酸水素ナトリウムが4重量%とを混合したベース液に対し、添加剤としてポリビニルアルコール(重合度500)を0.01重量%添加したものである。
エッチング条件としては、エッチング温度は85℃、エッチング時間は13分である。
その結果は、図1に示した電子顕微鏡写真で見ることができる。
それにより、シリコン基板の表面に均一で微細なピラミッド状凹凸部を安定して得られ、このピラミッド状凹凸部の均一性、エッチングにおける再現安定性が良好であることが実験により解った。
更に、分光光度計の測定による反射率の分布を図2のグラフに示している。
それにより、反射率は波長800nm付近で14.4%の最小値が得られた。
また、水酸化ナトリウムに適量の炭酸水素ナトリウムを添加することで、均一で微細なピラミッド状凹凸部を更に安定して得られることが実験により解った。
尚、前示実施例では、エッチング液のベースが、水酸化ナトリウムに炭酸水素ナトリウムを混合したベース液にポリビニルアルコールを添加した場合のみを説明したが、これに限定されず、上記水酸化ナトリウムのみにポリビニルアルコールやポリ−1−メチルビニルアルコール(PMVA)などの脂肪族ポリアルコールを添加したり、水酸化ナトリウムに代えて水酸化カリウムを使用したり、炭酸水素ナトリウムに代えて炭酸水素カリウムを使用しても良い。
この場合も、上述したものと同様な結果が得られる。
本発明の一実施例を示すテクスチャー形成用エッチング液を用いて形成したピラミッド状凹凸部の一例の電子顕微鏡写真である。 反射率の分布を示すグラフである。

Claims (2)

  1. 液中でエッチングすることにより、シリコン表面にピラミッド状凹凸部を形成するテクスチャー形成用エッチング液であって
    アルカリ金属水酸化物溶液に炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムが加えられたものをベースとし、これに添加剤としてポリビニルアルコールを含有したことを特徴とするテクスチャー形成用エッチング液。
  2. 液中でエッチングすることにより、シリコン表面にピラミッド状凹凸部を形成するテクスチャー形成用エッチング液であって
    アルカリ金属水酸化物溶液に炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムが加えられたものをベースとし、これに添加剤としてポリ−1−メチルビニルアルコールを含有したことを特徴とするテクスチャー形成用エッチング液。
JP2007294253A 2007-11-13 2007-11-13 テクスチャー形成用エッチング液 Active JP5021427B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007294253A JP5021427B2 (ja) 2007-11-13 2007-11-13 テクスチャー形成用エッチング液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007294253A JP5021427B2 (ja) 2007-11-13 2007-11-13 テクスチャー形成用エッチング液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009123811A JP2009123811A (ja) 2009-06-04
JP5021427B2 true JP5021427B2 (ja) 2012-09-05

Family

ID=40815670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007294253A Active JP5021427B2 (ja) 2007-11-13 2007-11-13 テクスチャー形成用エッチング液

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5021427B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101079261B1 (ko) * 2009-09-29 2011-11-03 한국세라믹기술원 태양전지 및 이를 제조하는 방법
US20120295447A1 (en) 2010-11-24 2012-11-22 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers
JP6109713B2 (ja) * 2013-11-01 2017-04-05 日本酢ビ・ポバール株式会社 テクスチャエッチング液、テクスチャエッチング液用添加剤液、テクスチャ形成基板及びテクスチャ形成基板の製造方法並びに太陽電池
JP2015088710A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 日本酢ビ・ポバール株式会社 エッチング液、エッチング液用添加剤液、凹凸基板及び凹凸基板の製造方法並びに太陽電池
CN108242477B (zh) * 2016-12-27 2020-03-24 中国科学院上海高等研究院 层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法
CN115000241A (zh) * 2022-05-27 2022-09-02 重庆臻宝实业有限公司 一种低反射率单晶硅及其制绒方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5431777A (en) * 1992-09-17 1995-07-11 International Business Machines Corporation Methods and compositions for the selective etching of silicon
DE19811878C2 (de) * 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
JP3719632B2 (ja) * 1998-12-17 2005-11-24 三菱電機株式会社 シリコン太陽電池の製造方法
JP3740138B2 (ja) * 2003-06-25 2006-02-01 直江津電子工業株式会社 テクスチャー形成用エッチング液
JP2006093453A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Siltronic Japan Corp アルカリエッチング液及びアルカリエッチング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009123811A (ja) 2009-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5021427B2 (ja) テクスチャー形成用エッチング液
JP3740138B2 (ja) テクスチャー形成用エッチング液
JP3855105B2 (ja) シリコン太陽電池の基板に粗面化された表面を作成する方法
KR101811188B1 (ko) 카운터 도핑이 방지된 태양 전지의 제조
KR101179364B1 (ko) 휴대전자기기
US7759258B2 (en) Method for making solar cell
JP6091458B2 (ja) 光電変換装置およびその製造方法
JP2014154617A (ja) テクスチャー構造を有するシリコン基板および、その形成方法
JP2012517121A (ja) シリコン単結晶基板のダメージエッチング及びテクスチャリング方法
JP2011023717A (ja) 透光性薄膜太陽電池モジュールのエッチング方法
JP2006344765A (ja) 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池
TWI632226B (zh) Texture etching liquid, additive liquid for texture etching liquid, texture forming substrate, and method for manufacturing texture forming substrate and solar cell
US20130143403A1 (en) Texture-etchant composition for crystalline silicon wafer and method for texture-etching (1)
KR20120136881A (ko) 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
JP3719632B2 (ja) シリコン太陽電池の製造方法
CN103594302B (zh) 一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法
Sakhuja et al. Omnidirectional study of nanostructured glass packaging for solar modules
JP2012216788A (ja) テクスチャ形成面を有するシリコン基板、およびその製造方法
JP2011146432A (ja) 太陽電池用シリコン基板の製造方法
CN106611799A (zh) 一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法
TW201249964A (en) Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers
JP2010245568A (ja) 太陽電池の製造方法
JP4560652B2 (ja) アンチリフレクション層を具える基板及びその製作方法
JP5874675B2 (ja) テクスチャ形成方法及び太陽電池の製造方法
Thorstensen et al. Light-trapping properties of a diffractive honeycomb structure in silicon

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101029

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120522

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120614

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5021427

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250