CN106611799A - 一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106611799A CN106611799A CN201710020815.XA CN201710020815A CN106611799A CN 106611799 A CN106611799 A CN 106611799A CN 201710020815 A CN201710020815 A CN 201710020815A CN 106611799 A CN106611799 A CN 106611799A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- back side
- product
- amorphous
- obtains
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 160
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 156
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 156
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 44
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 29
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 19
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 14
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 14
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 12
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 8
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 76
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl chloride Substances ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000003317 industrial substance Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010040904 Skin odour abnormal Diseases 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000628997 Flos Species 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Substances BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N carbon tetrachloride Substances ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/208—Particular post-treatment of the devices, e.g. annealing, short-circuit elimination
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体，P型硅基体的正面设有磷扩散层、绒面织构、减反钝化膜、正面银电极，背面设置有纳米氧化硅层、非晶/多晶P+层、透明导电薄膜层、背面银电极；其能够有效改进光线吸收和电流收集，减少光学和电学损失。本发明还公开了一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，其通过增加纳米氧化硅层、非晶/多晶P+层、透明导电薄膜层，采用喷墨打印技术形成全黑的太阳能电池，从而有效改进光线吸收和电流收集，减少光学和电学损失。
Description
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法。
背景技术
随着太阳能电池技术的提高，其工业化生产逐渐朝着高效、低成本方向发展。然而，制约太阳能电池效率的两个主要因素分别为光学损失和电学损失。
现有技术中，高效背钝化太阳能电池是背钝化与金属化区域局域重掺杂技术相结合的代表，其优势在于：
1)具有优异的背反射器：由于电池背面介质膜的存在，使得内部背反射从常规的全铝背场65％增加到92-95％，其一方面增加长波光的吸收，另一方面对未来薄片电池的发展提供了技术上的保证；
2)介质薄膜优越的背面钝化技术：由于背面介质膜良好的钝化作用，介质薄膜区域的背面复合速率降低至10-50cm/s。
上述高效背钝化太阳能电池结构，虽早在上世纪九十年代已由澳大利亚新南威尔士大学提出，并获得了世界纪录25％的晶硅太阳能电池。但由于其采用背面点接触的设计，使得电池串联电阻增加，电学损失加大，不利于光线吸收和电流收集。
发明内容
本发明的目的之一在于提出一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，能够有效改进光线吸收和电流收集，减少光学和电学损失。
本发明的目的之二在于提出一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，其采用喷墨打印技术形成全黑的太阳能电池，从而有效改进光线吸收和电流收集，减少光学和电学损失。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一方面，本发明提供一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体，所述P型硅基体的正面设置有磷扩散层，所述磷扩散层的正面设置有绒面织构，所述绒面织构的正面设置有减反钝化膜，所述减反钝化膜的正面设置有正面银电极；所述P型硅基体的背面设置有纳米氧化硅层，所述纳米氧化硅层的背面设置有非晶/多晶P+层，所述非晶/多晶P+层的背面设置有透明导电薄膜层，所述透明导电薄膜层的背面设置有背面银电极。
该喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，通过在P型硅基体的背面设置纳米氧化硅层、非晶/多晶P+层以及透明导电薄膜层，其中，纳米氧化硅层可以提供电池背面的高质量钝化，而非晶/多晶P+层可以用于形成隧穿结构，再配合透明导电薄膜层，可以显著提高电池背钝化质量和电流导出性能，降低背面复合损失和电流导出损失；进一步地，配合以P型硅基体的正面的绒面织构，增加电池的光线吸收和电流收集，减少光学和电学损失，提高晶体硅太阳能电池的转换效率。
优选地，所述P型硅基体为p型硅片，其电阻率为0.5-6Ω·cm；例如为0.5Ω·cm、0.8Ω·cm、1.0Ω·cm、1.3Ω·cm、1.5Ω·cm、1.9Ω·cm、2.0Ω·cm、2.2Ω·cm、2.6Ω·cm、2.8Ω·cm、3.0Ω·cm、3.5Ω·cm、3.7Ω·cm、4.0Ω·cm、4.1Ω·cm、4.4Ω·cm、4.9Ω·cm、5.0Ω·cm、5.6Ω·cm或6.0Ω·cm等。
优选地，所述减反钝化膜为SiNx钝化膜或SiO2/SiNx叠层钝化膜。
优选地，所述纳米氧化硅层的厚度为0.3-5nm；例如为0.3nm、0.35nm、0.5nm、0.8nm、1.0nm、1.1nm、1.3nm、1.6nm、1.9nm、2.0nm、2.2nm、2.4nm、2.7nm、3.0nm、3.3nm、3.5nm、3.9nm、4.0nm、4.6nm、4.7nm或5.0nm等。
优选地，所述非晶/多晶p+层的厚度为10-1000nm，掺杂浓度为1017～1022cm-3；例如厚度为10nm、13nm、17nm、20nm、25nm、30nm、36nm、40nm、47nm、50nm、51nm、58nm、60nm、76nm、82nm、94nm、100nm、113nm、119nm、125nm、134nm、150nm、176nm、181nm、190nm、200nm、222nm、235nm、245nm、260nm、279nm、298nm、315nm、340nm、400nm、416nm、482nm、500nm、538nm、597nm、600nm、636nm、684nm、700nm、756nm、800nm、837nm、900nm、901nm、957nm、968nm、978nm或1000nm等，例如掺杂浓度为1017cm-3、1018cm-3、1019cm-3、1020cm-3、1021cm-3或1022cm-3等。
优选地，所述透明导电薄膜层的厚度为10-500nm；例如为10nm、13nm、15nm、19nm、25nm、30nm、34nm、36nm、40nm、49nm、65nm、71nm、75nm、83nm、90nm、100nm、103nm、106nm、109nm、110nm、126nm、137nm、142nm、168nm、179nm、198nm、200nm、215nm、236nm、249nm、268nm、300nm、306nm、325nm、378nm、395nm、400nm、411nm、456nm、468nm、479nm、480nm、485nm、498nm或500nm等。
另一方面，本发明还提供一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)去除P型硅基体表面的损伤层并制绒；
2)在步骤1)中得到的产品的表面进行刻蚀，形成全黑凹凸表面结构，并进行绒面修饰，形成绒面织构；
3)在步骤2)中得到的产品的表面进行磷扩散制结，形成磷扩散层；
4)在步骤3)中得到的产品的边缘进行刻蚀，背面进行去结和去PSG；
5)在步骤4)中得到的产品的正面进行减反钝化膜沉积，形成减反钝化膜；
6)在步骤5)中得到的产品的背面进行纳米氧化硅生长，形成纳米氧化硅层；
7)在步骤6)中得到的产品的背面进行掺杂硼非晶/多晶硅沉积，形成非晶/多晶P+层；
8)在步骤7)中得到的产品的背面进行透明导电薄膜沉积，形成透明导电薄膜层；
9)在步骤8)中得到的产品的正面采用喷墨打印方式，形成正面银电极；
10)在步骤9)中得到的产品的背面采用喷墨打印方式，形成背面银电极。
优选地，步骤1)中，所述制绒具体为：采用槽式热碱方式，也即为碱制绒。
优选地，步骤2)中，所述刻蚀具体为：采用SF6气体反应离子刻蚀、激光刻蚀或金属离子催化反应方式。
其中，反应离子腐蚀(Reactive Ion Etching，简称RIE)中，反应气体(如CF4)在RF或直流电场中被激发分解，产生活性粒子(如游离的F原子)，活性粒子与被腐蚀材料反应，生成挥发性物质，再用抽气泵将挥发性物质排除反应腔室。RIE常用的反应气体有SF6、CHF3、CCl4等。
SF6为六氟化硫，该气体已有百年历史，它是法国两位化学家Moissan和Lebeau于1900年合成的人造惰性气体。SF6对硅的腐蚀主要是由SF6分解产生的游离F基引起的。腐蚀硅产生的挥发性物质挥发将硅带走，其中其 主要作用的是SiF4。氟的等离子体硅腐蚀反应自发进行，不需要离子轰击。因此自由氟基产生高的腐蚀速率，但由于是自发腐蚀，腐蚀外形近似各向同性。
优选地，步骤2)中，所述绒面修饰具体为：采用碱溶液清洗方式。
优选地，步骤4)中，所述刻蚀、去结和去PSG(磷硅玻璃)具体为：采用在线式水上漂清洗方式。
其中，在线式水上漂清洗方式为：通过滚轮传动硅片使得硅片在腐蚀性溶液的表面漂浮，使硅片只有背面和边缘能够与溶液接触并反应以实现刻蚀。
优选地，步骤6)中，所述纳米氧化硅生长具体为：采用湿法氧化、臭氧氧化、热氧化、原子层沉积生长或低压化学气相沉积方式。
其中，纳米氧化硅生长是指在硅片表面生长厚度为纳米级(0～100nm)的氧化硅膜层；
优选地，步骤7)中，所述掺杂硼非晶/多晶硅沉积具体为：采用低压化学气相沉积方式。
其中，非晶/多晶P+层的意思是，该层的晶体形式可以为非晶，也可以为多晶，掺杂非晶硅和多晶硅层都能与硅片基底形成优良PP+高低结背场，只是非晶硅层沉积后，后续步骤不能有高于300度的高温过程，而多晶硅层可以耐高温过程并不影响性能。
优选地，步骤8)中，所述透明导电薄膜沉积具体为：采用磁控溅射方式。
其中，透明导电薄膜为ITO(锡掺杂三氧化铟)或AZO(铝掺杂氧化锌)。
该制备方法，通过在P型硅基体的背面进行纳米氧化硅生长形成纳米氧 化硅层，在纳米氧化硅层的背面掺杂硼非晶/多晶硅沉积，形成非晶/多晶P+层，在非晶/多晶P+层的背面进行透明导电薄膜沉积，形成透明导电薄膜层，利用纳米氧化硅层可以提供电池背面的高质量钝化，而非晶/多晶P+层可以用于形成隧穿结构，再配合透明导电薄膜层，可以显著提高电池背钝化质量和电流导出性能，降低背面复合损失和电流导出损失；进一步地，在P型硅基体的表面通过刻蚀，形成全黑凹凸表面结构，再利用喷墨打印技术制备正面银电极和背面银电极，从而可以增加电池的光线吸收和电流收集，减少光学和电学损失，提高晶体硅太阳能电池的转换效率。
附图说明
图1是本发明的喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的结构示意图。
图2是本发明的喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法流程图。
图中：1-正面银电极；2-减反钝化膜；3-绒面织构；4-磷扩散层；5-P型硅基体；6-纳米氧化硅层；7-非晶/多晶p+层；8-透明导电薄膜层；9-背面银电极。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
实施例1
如图1所示，一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体5，所述P型硅基体5的正面设置有磷扩散层4，所述磷扩散层4的正面设置有绒面织构3，所述绒面织构3的正面设置有减反钝化膜2，所述减反钝化膜2的正面设置有正面银电极1；所述P型硅基体5的背面设置有纳米氧化硅层6，所述纳米氧化硅层6的背面设置有非晶/多晶P+层7，所述非晶/多晶P+层7的背面设置有透明导电薄膜层8，所述透明导电薄膜层8的背面设置有背面银电极9。
一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)去除P型硅基体5表面的损伤层并制绒；其中，步骤1)中，所述制绒具体为：采用槽式热碱方式。
具体地，选择156mm的P型单晶硅片作为P型硅基体5，其电阻率为1Ω·cm。
对P型硅基体5去损伤后，用质量浓度分数为0.5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，在75℃下，对P型硅基体5的表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量浓度分数为1％的氢氟酸进行清洗去除杂质。
2)在步骤1)中得到的产品的表面进行刻蚀，形成全黑凹凸表面结构，并进行绒面修饰，形成绒面织构3；
其中，步骤2)中，所述刻蚀具体为：采用SF6气体，利用反应离子刻蚀方式；具体地，采用反应离子刻蚀的方法，使用SF6气体形成等离子体与硅片表面反应，在已有绒面形成纳米级的绒面织构3，该绒面织构3的表面为凹凸不平的结构，从而光反射时表面会显示全黑。
其中，所述绒面修饰具体为：采用碱溶液清洗方式；具体地，使用质量浓度分数为0.5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，在25℃下，对P型硅基体5的表面进行化学腐蚀，修饰表面多孔硅结构，降低表面缺陷。
3)在步骤2)中得到的产品的表面进行磷扩散制结，形成磷扩散层4；
具体地，通过管式高温热扩散方式，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散，形成方阻为95Ω/sq的N型层；
其中，POCl3为三氯氧磷，是一种工业化工原料，为无色透明、具有刺激性臭味的液体，在潮湿空气中剧烈发烟，水解成磷酸和氯化氢，进一步生成HP2O4Cl3。
4)在步骤3)中得到的产品的边缘进行刻蚀，背面进行去结和去PSG；
其中，步骤4)中，所述刻蚀、去结和去PSG具体为：采用在线式水上漂清洗方式。具体地，采用湿法in line设备(也即，在线滚轮式设备)去除背面磷硅玻璃(PSG)(虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面)，实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量浓度分数为5％的氢氟酸溶液清洗。
5)在步骤4)中得到的产品的正面进行减反钝化膜2沉积，形成减反钝化膜2；其中，所述减反钝化膜2为SiNx钝化膜；
具体地，在P型硅基体5的正面用PECVD(等离子化学气相沉积)的方法生长氮化硅减反膜，钝化减反膜的厚度为80nm。
6)在步骤5)中得到的产品的背面进行纳米氧化硅生长，形成纳米氧化硅层6；其中，步骤6)中，所述纳米氧化硅生长具体为：采用湿法氧化方式。具体地，所述纳米氧化硅层6的厚度为1.2nm。
7)在步骤6)中得到的产品的背面进行掺杂硼非晶/多晶硅沉积，形成非晶/多晶P+层7；其中，步骤6)中，所述掺杂硼非晶/多晶硅沉积具体为：采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式；优选的，非晶/多晶p+层7的晶体形式为多晶形式，所述非晶/多晶P+层7的厚度为40nm，掺杂浓度为3×1020cm-3。
8)在步骤7)中得到的产品的背面进行透明导电薄膜沉积，形成透明导电薄膜层8；
其中，步骤8)中，所述透明导电薄膜沉积具体为：采用磁控溅射方式。
优选的，所述透明导电薄膜层8的厚度为100nm。
9)在步骤8)中得到的产品的正面采用喷墨打印方式，形成正面银电极1；
10)在步骤9)中得到的产品的背面采用喷墨打印方式，形成背面银电极9。
具体地，通过喷墨打印背面电极及细栅线后烘干，然后喷墨打印正面电极及细栅线。
最后烧结，测试，最终可以形成喷墨打印双面晶体硅太阳能电池。
该实施例中，电池转换效率批次平均效率达到22.3％，且光衰减，正面主栅，背面电极和铝背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准。
实施例2
如图1所示，一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体5，所述P型硅基体5的正面设置有磷扩散层4，所述磷扩散层4的正面设置有绒面织构3，所述绒面织构3的正面设置有减反钝化膜2，所述减反钝化膜2的正面设置有正面银电极1；所述P型硅基体5的背面设置有纳米氧化硅层6，所述纳米氧化硅层6的背面设置有非晶/多晶P+层7，所述非晶/多晶P+层7的背面设置有透明导电薄膜层8，所述透明导电薄膜层8的背面设置有背面银电极9。
一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)去除P型硅基体5表面的损伤层并制绒；其中，步骤1)中，所述制绒具体为：采用槽式热碱方式。
具体地，选择156mm的P型单晶硅片作为P型硅基体5，其电阻率为1Ω·cm。
对P型硅基体5去损伤后，用质量浓度分数为0.5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，在75℃下，对P型硅基体5的表面进行化学腐蚀，制备出金字塔 形状的绒面，随后用质量浓度分数为1％的氢氟酸进行清洗去除杂质。
2)在步骤1)中得到的产品的表面进行刻蚀，形成全黑凹凸表面结构，并进行绒面修饰，形成绒面织构3；
其中，步骤2)中，所述刻蚀具体为：利用金属离子催化反应方式；具体地，采用金属离子催化反应的方法，使用硝酸银溶液与硅片表面反应生产纳米银颗粒，在通过HF/HNO3混合溶液在表面纳米银颗粒催化下在有绒面形成纳米级的绒面织构3，该绒面织构3的表面为凹凸不平的结构，从而光反射时表面会显示全黑。
其中，所述绒面修饰具体为：采用碱溶液清洗方式；具体地，使用质量浓度分数为0.5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，在25℃下，对P型硅基体5的表面进行化学腐蚀，修饰表面多孔硅结构，降低表面缺陷。
3)在步骤2)中得到的产品的表面进行磷扩散制结，形成磷扩散层4；
具体地，通过管式高温热扩散方式，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散，形成方阻为100Ω/sq的N型层；
其中，POCl3为三氯氧磷，是一种工业化工原料，为无色透明、具有刺激性臭味的液体，在潮湿空气中剧烈发烟，水解成磷酸和氯化氢，进一步生成HP2O4Cl3。
4)在步骤3)中得到的产品的边缘进行刻蚀，背面进行去结和去PSG；
其中，步骤4)中，所述刻蚀、去结和去PSG具体为：采用在线式水上漂清洗方式。具体地，采用湿法in line设备(也即，在线滚轮式设备)去除背面磷硅玻璃(PSG)(虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面)，实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量浓度分数为5％的氢氟酸溶液清洗。
5)在步骤4)中得到的产品的正面进行减反钝化膜2沉积，形成减反钝化膜2；其中，所述减反钝化膜2为SiO2/SiNx叠层钝化膜；
具体地，在P型硅基体5的正面用PECVD(等离子化学气相沉积)的方法生长氮化硅减反膜，钝化减反膜的厚度为80nm。
6)在步骤5)中得到的产品的背面进行纳米氧化硅生长，形成纳米氧化硅层6；其中，步骤6)中，所述纳米氧化硅生长具体为：采用ALD(原子层沉积生长)方式。具体地，所述纳米氧化硅层6的厚度为1.3nm。
7)在步骤6)中得到的产品的背面进行掺杂硼非晶/多晶硅沉积，形成非晶/多晶P+层7；其中，步骤7)中，所述掺杂硼非晶/多晶硅沉积具体为：采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式；优选的，非晶/多晶P+层7的晶体形式为非晶形式，所述非晶/多晶P+层7的厚度为40nm，掺杂浓度为1020cm-3。
8)在步骤7)中得到的产品的背面进行透明导电薄膜沉积，形成透明导电薄膜层8；
其中，步骤8)中，所述透明导电薄膜沉积具体为：采用磁控溅射方式。
优选的，所述透明导电薄膜层8的厚度为100nm。
9)在步骤8)中得到的产品的正面采用喷墨打印方式，形成正面银电极1；
10)在步骤9)中得到的产品的背面采用喷墨打印方式，形成背面银电极9。
具体地，通过喷墨打印背面电极及细栅线后烘干，然后喷墨打印正面电极及细栅线。
最后烧结，测试，最终可以形成喷墨打印双面晶体硅太阳能电池。
该实施例中，电池转换效率批次平均效率达到21.1％，且光衰减，正面 主栅，背面电极和铝背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准。
实施例3
如图1所示，一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体5，所述P型硅基体5的正面设置有磷扩散层4，所述磷扩散层4的正面设置有绒面织构3，所述绒面织构3的正面设置有减反钝化膜2，所述减反钝化膜2的正面设置有正面银电极1；所述P型硅基体5的背面设置有纳米氧化硅层6，所述纳米氧化硅层6的背面设置有非晶/多晶P+层7，所述非晶/多晶P+层7的背面设置有透明导电薄膜层8，所述透明导电薄膜层8的背面设置有背面银电极9。
一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)去除P型硅基体5表面的损伤层并制绒；其中，步骤1)中，所述制绒具体为：采用槽式热碱方式。
具体地，选择156mm的P型单晶硅片作为P型硅基体5，其电阻率为1Ω·cm。
对P型硅基体5去损伤后，用质量浓度分数为0.5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，在75℃下，对P型硅基体5的表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量浓度分数为1％的氢氟酸进行清洗去除杂质。
2)在步骤1)中得到的产品的表面进行刻蚀，形成全黑凹凸表面结构，并进行绒面修饰，形成绒面织构3；
其中，步骤2)中，所述刻蚀具体为：采用SF6气体，利用RIE(反应离子刻蚀)反应方式；具体地，采用RIE反应的方法，使用SF6气体形成等离子体与硅片表面反应，在已有绒面形成纳米级的绒面织构3，该绒面织构3的表面为凹凸不平的结构，从而光反射时表面会显示全黑。
其中，所述绒面修饰具体为：采用碱溶液清洗方式；具体地，使用质量浓度分数为0.5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，在25℃下，对P型硅基体5的表面进行化学腐蚀，修饰表面多孔硅结构，降低表面缺陷。
3)在步骤2)中得到的产品的表面进行磷扩散制结，形成磷扩散层4；
具体地，通过管式高温热扩散方式，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散，形成方阻为110Ω/sq的N型层；
其中，POCl3为三氯氧磷，是一种工业化工原料，为无色透明、具有刺激性臭味的液体，在潮湿空气中剧烈发烟，水解成磷酸和氯化氢，进一步生成HP2O4Cl3。
4)在步骤3)中得到的产品的边缘进行刻蚀，背面进行去结和去PSG；
其中，步骤4)中，所述刻蚀、去结和去PSG具体为：采用在线式水上漂清洗方式。具体地，采用湿法in line设备(也即，在线滚轮式设备)去除背面磷硅玻璃(PSG)(虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面)，实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量浓度分数为5％的氢氟酸溶液清洗。
5)在步骤4)中得到的产品的正面进行减反钝化膜2沉积，形成减反钝化膜2；其中，所述减反钝化膜2为SiO2/SiNx叠层钝化膜；
具体地，在P型硅基体5的正面用PECVD(等离子化学气相沉积)的方法生长氮化硅减反膜，钝化减反膜的厚度为80nm。
6)在步骤5)中得到的产品的背面进行纳米氧化硅生长，形成纳米氧化硅层6；其中，步骤6)中，所述纳米氧化硅生长具体为：采用湿法氧化方式。具体地，所述纳米氧化硅层6的厚度为1.2nm。
7)在步骤6)中得到的产品的背面进行掺杂硼非晶/多晶硅沉积，形成 非晶/多晶P+层7；其中，步骤7)中，所述掺杂硼非晶/多晶硅沉积具体为：采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式；优选的，非晶/多晶P+层7的晶体形式为多晶形式，所述非晶/多晶p+层7的厚度为50nm，掺杂浓度为5×1020cm-3。
8)在步骤7)中得到的产品的背面进行透明导电薄膜沉积，形成透明导电薄膜层8；
其中，步骤8)中，所述透明导电薄膜沉积具体为：采用磁控溅射方式。
优选的，所述透明导电薄膜层8的厚度为100nm。
9)在步骤8)中得到的产品的正面采用喷墨打印方式，形成正面银电极1；
10)在步骤9)中得到的产品的背面采用喷墨打印方式，形成背面银电极9。
具体地，通过喷墨打印背面电极及细栅线后烘干，然后喷墨打印正面电极及细栅线。
最后烧结，测试，最终可以形成喷墨打印双面晶体硅太阳能电池。
该实施例中，电池转换效率批次平均效率达到21.2％，且光衰减，正面主栅，背面电极和铝背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准。
实施例4
如图1所示，一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体5，所述P型硅基体5的正面设置有磷扩散层4，所述磷扩散层4的正面设置有绒面织构3，所述绒面织构3的正面设置有减反钝化膜2，所述减反钝化膜2的正面设置有正面银电极1；所述P型硅基体5的背面设置有纳米氧化硅层6，所述纳米氧化硅层6的背面设置有非晶/多晶P+层7，所述非晶/多晶P+层7的背面设置有透明导电薄膜层8，所述透明导电薄膜层8的背面设置有背面银电极9。
一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)去除P型硅基体5表面的损伤层并制绒；其中，步骤1)中，所述制绒具体为：采用槽式热碱方式。
具体地，选择156mm的P型单晶硅片作为P型硅基体5，其电阻率为1Ω·cm。
对P型硅基体5去损伤后，用质量浓度分数为0.5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，在75℃下，对P型硅基体5的表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量浓度分数为1％的氢氟酸进行清洗去除杂质。
2)在步骤1)中得到的产品的表面进行刻蚀，形成全黑凹凸表面结构，并进行绒面修饰，形成绒面织构3；
其中，步骤2)中，所述刻蚀具体为：采用SF6气体，利用RIE反应方式；具体地，采用RIE刻蚀的方法，使用SF6气体形成等离子体与硅片表面反应，在已有绒面形成纳米级的绒面织构3，该绒面织构3的表面为凹凸不平的结构，从而光反射时表面会显示全黑。
其中，所述绒面修饰具体为：采用碱溶液清洗方式；具体地，使用质量浓度分数为0.5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，在25℃下，对P型硅基体5的表面进行化学腐蚀，修饰表面多孔硅结构，降低表面缺陷。
3)在步骤2)中得到的产品的表面进行磷扩散制结，形成磷扩散层4；
具体地，通过管式高温热扩散方式，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散，形成方阻为120Ω/sq的N型层；
其中，POCl3为三氯氧磷，是一种工业化工原料，为无色透明、具有刺 激性臭味的液体，在潮湿空气中剧烈发烟，水解成磷酸和氯化氢，进一步生成HP2O4Cl3。
4)在步骤3)中得到的产品的边缘进行刻蚀，背面进行去结和去PSG；
其中，步骤4)中，所述刻蚀、去结和去PSG具体为：采用在线式水上漂清洗方式。具体地，采用湿法in line设备(也即，在线滚轮式设备)去除背面磷硅玻璃(PSG)(虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面)，实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量浓度分数为5％的氢氟酸溶液清洗。
5)在步骤4)中得到的产品的正面进行减反钝化膜2沉积，形成减反钝化膜2；其中，所述减反钝化膜2为SiO2/SiNx叠层钝化膜；
具体地，在P型硅基体5的正面用PECVD(等离子化学气相沉积)的方法生长氮化硅减反膜，钝化减反膜的厚度为80nm。
6)在步骤5)中得到的产品的背面进行纳米氧化硅生长，形成纳米氧化硅层6；其中，步骤6)中，所述纳米氧化硅生长具体为：采用LPCVD沉积方式。具体地，所述纳米氧化硅层6的厚度为1.2nm。
7)在步骤6)中得到的产品的背面进行掺杂硼非晶/多晶硅沉积，形成非晶/多晶P+层7；其中，步骤7)中，所述掺杂硼非晶/多晶硅沉积具体为：采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式；优选的，非晶/多晶P+层7的晶体形式为10nm非晶与40nm多晶形式，所述非晶/多晶P+层7的组合厚度为50nm，掺杂浓度为8×1020cm-3。
8)在步骤7)中得到的产品的背面进行透明导电薄膜沉积，形成透明导电薄膜层8；
其中，步骤8)中，所述透明导电薄膜沉积具体为：采用磁控溅射方式。
优选的，所述透明导电薄膜层8的厚度为100nm。
9)在步骤8)中得到的产品的正面采用喷墨打印方式，形成正面银电极1；
10)在步骤9)中得到的产品的背面采用喷墨打印方式，形成背面银电极9。
具体地，通过喷墨打印背面电极及细栅线后烘干，然后喷墨打印正面电极及细栅线。
最后烧结，测试，最终可以形成喷墨打印双面晶体硅太阳能电池。
该实施例中，电池转换效率批次平均效率达到22.15％，且光衰减，正面主栅，背面电极和铝背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准。
对比例1
常规喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)去除P型硅基体表面的损伤层并制绒；
2)在步骤1)中得到的产品的背表面进行硼扩散制结，形成硼扩散层；
具体地，通过管式高温热扩散方式，采用BBr3对硅片的背面进行硼扩散，形成方阻为40Ω/sq的P+型层；
3)在步骤2)中得到的产品的正面进行单面去结；
其中，步骤3)中，所述去结具体为：采用在线式滚轮带液清洗方式。具体地，采用湿法in line设备(也即，在线滚轮式设备)去除正面硼硅玻璃(BSG)。
5)在步骤4)中得到的产品的正面进行磷扩散制结，形成磷掺杂层；
具体地，通过管式高温热扩散方式，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩 散，形成方阻为100Ω/sq的N型层。
6)在步骤5)中得到的产品进行边缘刻蚀和BSG及PSG去除；
具体地，采用在线式水上漂清洗方式。具体地，采用湿法in line设备(也即，在线滚轮式设备)去除边结、正面磷硅玻璃(PSG)和背面硼硅玻璃(BSG)。
7)在步骤6)中得到的产品的双面进行氮化硅沉积，厚度为80nm；
8)在步骤7)中得到的产品的正面制备正面银电极；
9)在步骤8)中得到的产品的背面制备背面银电极。
最后烧结，测试，最终形成双面晶体硅太阳能电池。
这种制备方法中，电池转换效率批次平均效率仅仅为20.1％，其明显不如本发明的制备方法的电池转换效率批次平均效率。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体，其特征在于，所述P型硅基体的正面设置有磷扩散层，所述磷扩散层的正面设置有绒面织构，所述绒面织构的正面设置有减反钝化膜，所述减反钝化膜的正面设置有正面银电极；
所述P型硅基体的背面设置有纳米氧化硅层，所述纳米氧化硅层的背面设置有非晶/多晶P+层，所述非晶/多晶P+层的背面设置有透明导电薄膜层，所述透明导电薄膜层的背面设置有背面银电极。
2.根据权利要求1所述的喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述P型硅基体为p型硅片，其电阻率为0.5-6Ω·cm；
所述减反钝化膜为SiNx钝化膜或SiO2/SiNx叠层钝化膜。
3.根据权利要求1所述的喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述纳米氧化硅层的厚度为0.3-5nm；
所述非晶/多晶P+层的厚度为10-1000nm，掺杂浓度为1017～1022cm-3；
所述透明导电薄膜层的厚度为10-500nm。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的喷墨打印双面晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)去除P型硅基体表面的损伤层并制绒；
2)在步骤1)中得到的产品的表面进行刻蚀，形成全黑凹凸表面结构，并进行绒面修饰，形成绒面织构；
3)在步骤2)中得到的产品的表面进行磷扩散制结，形成磷扩散层；
4)在步骤3)中得到的产品的边缘进行刻蚀，背面进行去结和去PSG；
5)在步骤4)中得到的产品的正面进行减反钝化膜沉积，形成减反钝化膜；
6)在步骤5)中得到的产品的背面进行纳米氧化硅生长，形成纳米氧化硅层；
7)在步骤6)中得到的产品的背面进行掺杂硼非晶/多晶硅沉积，形成非晶/多晶P+层；
8)在步骤7)中得到的产品的背面进行透明导电薄膜沉积，形成透明导电薄膜层；
9)在步骤8)中得到的产品的正面采用喷墨打印方式，形成正面银电极；
10)在步骤9)中得到的产品的背面采用喷墨打印方式，形成背面银电极。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述制绒具体为：采用槽式热碱方式。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述刻蚀具体为：采用SF6气体的反应离子刻蚀、激光刻蚀或金属离子催化反应方式；
所述绒面修饰具体为：采用碱溶液清洗方式。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述刻蚀、去结和去PSG具体为：采用在线式水上漂清洗方式。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤6)中，所述纳米氧化硅生长具体为：采用湿法氧化、臭氧氧化、热氧化、原子层沉积生长或低压化学气相沉积方式。
9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤7)中，所述掺杂硼非晶/多晶硅沉积具体为：采用低压化学气相沉积方式。
10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤8)中，所述透明导电薄膜沉积具体为：采用磁控溅射方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710020815.XA CN106611799B (zh) | 2017-01-12 | 2017-01-12 | 一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710020815.XA CN106611799B (zh) | 2017-01-12 | 2017-01-12 | 一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106611799A true CN106611799A (zh) | 2017-05-03 |
| CN106611799B CN106611799B (zh) | 2018-02-02 |
Family
ID=58636271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710020815.XA Expired - Fee Related CN106611799B (zh) | 2017-01-12 | 2017-01-12 | 一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106611799B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107546281A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-01-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法 |
| CN110571303A (zh) * | 2019-07-24 | 2019-12-13 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种p型晶体硅电池的制备方法 |
| CN114914329A (zh) * | 2022-06-17 | 2022-08-16 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 一种太阳电池的制备方法 |
| WO2023097973A1 (zh) * | 2021-12-03 | 2023-06-08 | 宁夏隆基乐叶科技有限公司 | 硅片及其制备方法和太阳能电池 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080121279A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Sunpower Corporation | Solar cell having silicon nano-particle emitter |
| CN102157622A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-08-17 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法 |
| CN102447064A (zh) * | 2010-10-06 | 2012-05-09 | 曾永斌 | 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 |
| CN103035782A (zh) * | 2013-01-05 | 2013-04-10 | 大连理工大学 | 一种太阳能电池表面低温钝化方法 |
| CN103403885A (zh) * | 2011-03-08 | 2013-11-20 | 默克专利股份有限公司 | 基于氧化铝的金属化屏障 |
| CN203503678U (zh) * | 2012-07-23 | 2014-03-26 | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 | 一种hit太阳能电池 |
| US20150068591A1 (en) * | 2013-09-12 | 2015-03-12 | International Business Machines Corporation | Shallow junction photovoltaic devices |
| CN104795127A (zh) * | 2015-03-30 | 2015-07-22 | 无锡帝科电子材料科技有限公司 | 一种导电浆料及其在n型硅片太阳能电池中的应用 |
-
2017
- 2017-01-12 CN CN201710020815.XA patent/CN106611799B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080121279A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Sunpower Corporation | Solar cell having silicon nano-particle emitter |
| CN102447064A (zh) * | 2010-10-06 | 2012-05-09 | 曾永斌 | 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 |
| CN102157622A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-08-17 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法 |
| CN103403885A (zh) * | 2011-03-08 | 2013-11-20 | 默克专利股份有限公司 | 基于氧化铝的金属化屏障 |
| CN203503678U (zh) * | 2012-07-23 | 2014-03-26 | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 | 一种hit太阳能电池 |
| CN103035782A (zh) * | 2013-01-05 | 2013-04-10 | 大连理工大学 | 一种太阳能电池表面低温钝化方法 |
| US20150068591A1 (en) * | 2013-09-12 | 2015-03-12 | International Business Machines Corporation | Shallow junction photovoltaic devices |
| CN104795127A (zh) * | 2015-03-30 | 2015-07-22 | 无锡帝科电子材料科技有限公司 | 一种导电浆料及其在n型硅片太阳能电池中的应用 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107546281A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-01-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法 |
| CN110571303A (zh) * | 2019-07-24 | 2019-12-13 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种p型晶体硅电池的制备方法 |
| WO2023097973A1 (zh) * | 2021-12-03 | 2023-06-08 | 宁夏隆基乐叶科技有限公司 | 硅片及其制备方法和太阳能电池 |
| CN114914329A (zh) * | 2022-06-17 | 2022-08-16 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 一种太阳电池的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106611799B (zh) | 2018-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106611799B (zh) | 一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104992990B (zh) | 一种降低硅片表面光反射率的方法 | |
| CN102169923B (zh) | 钝化n型硅太阳能电池的p型掺杂层的方法及电池结构 | |
| CN101540350B (zh) | 一种背面点接触晶体硅太阳电池的制备工艺 | |
| CN105070792B (zh) | 一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法 | |
| TW201703277A (zh) | 一種局部背接觸太陽能電池的製備方法 | |
| JP2015522951A (ja) | 局所背面電界（ｌｂｓｆ）を有する太陽電池の製造方法 | |
| CN104934500A (zh) | 一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| TW201133913A (en) | Process for the production of solar cells comprising selective emitters | |
| CN105226112A (zh) | 一种高效晶硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN103746013B (zh) | 一种石墨烯太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103022262A (zh) | 一种背面点接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN102315284A (zh) | 用叠层膜同时钝化p型和n型掺杂层的电池结构及其方法 | |
| JP2013173661A (ja) | ガラス基板用エッチング剤 | |
| JP2015185808A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| CN104716224A (zh) | 一种背钝化高效perl电池工艺 | |
| CN103117330B (zh) | 一种太阳能电池的制备方法 | |
| CN103337561A (zh) | 全背接触太阳电池表面场制备方法 | |
| CN104966762A (zh) | 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 | |
| CN206040656U (zh) | 一种单晶硅纳微米复合结构太阳电池 | |
| CN104393104A (zh) | 一种用于hit太阳电池织构的处理技术 | |
| CN106158996A (zh) | 一种单晶硅基纳米倒金字塔结构背钝化太阳电池及其制备方法 | |
| JP6136024B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| TW201334054A (zh) | 矽基板的單面平坦化蝕刻方法 | |
| Gu et al. | Large-scale preparation of 22.06% efficiency single-crystalline silicon solar cells with inverted pyramid microstructure through nanostructure rebuilding treatment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180202 Termination date: 20190112 |