JP5019343B2 - スパッタリングターゲット用ZnS粉末及びスパッタリングターゲット - Google Patents
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また、DVD用としてDVD−RWが開発され商品化されているが、このディスクの層構造は基本的にCD−RWと同じものである。この書き換え回数は1000〜10000回程度である。
反射層と保護層は、記録層のアモルファス部と結晶部との反射率の差を増大させる光学的機能が要求されるほか、記録薄膜の耐湿性や熱による変形の防止機能、さらには記録の際の熱的条件制御という機能が要求される(非特許文献1参照)。
上記誘電体保護層は、通常スパッタリング法によって形成されている。このスパッタリング法は正の電極と負の電極とからなる基板とターゲットを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット(負の電極)表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。
上記ZnS−ケイ酸化物(ZnS−SiO2)ターゲットに使用されるSiO2は、通常4N以上の高純度で平均粒径が0.1〜20μmのものが使用されており、700〜1200°Cで焼結して製造されている。
ターゲット焼結の際の密度低下は、特に重要な問題であり、スパッタリングによって膜を形成する際にアーキングを発生し易く、それが起因となってスパッタ時に発生するパーティクル(発塵)やノジュールが発生し、成膜の均一性及び品質が低下するだけでなく、生産性が劣るという問題があった。また、ターゲット強度が低下し、割れ易いという問題もあった。
技術雑誌「光学」26巻1号、頁9〜15
0.5wtppm未満では、焼結性の改善効果は小さい。また10wtppmを超えると、焼結体ターゲットが変色する問題がある。したがって、0.5〜10wtppmの範囲で添加することが望ましい。
これによって、相対密度が97%以上、さらには99%以上の高密度及び平均曲げ強度が25MPa以上、形状母数が15以上であるターゲットを容易に得ることができる。さらに、スパッタリングの際にパーティクル(発塵)やノジュールをより低減させ、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができる。
形状母数は高いほど、すなわち強度の分布が小さいほど、そのバルク体が均質であることを意味するが、形状母数15以上とすることが望ましい。
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法に際しては、上記のZnS及び所定量のSiO2等の原料粉末を均一に混合し、ホットプレス又は熱間静水圧プレスにより、温度800〜1300°Cに加熱し、面圧100kg/cm2以上の条件で焼結する。これによって、焼結体の相対密度97%以上であるZnSを主成分とするスパッタリングターゲットを製造することができる。
また、このようにして製造したスパッタリングターゲット内から、10個以上のサンプルを採取し、3点曲げ強度を測定(JIS R1601による)し、ワイブル統計解析法(JIS R1625による)で解析した場合、下記実施例に示すように、平均曲げ強度が25MPa以上、形状母数が15以上を達成することができる。強度及び均質性が向上し、ターゲットの取扱において割れが発生することなく、安全は操作が可能となる。
このアルカリ金属の添加によって密度、強度及びは均質性が向上する原因は、必ずしも理論的に解明された訳ではないが、ZnS粉末に吸着されたアルカリ金属が粒子表面に欠陥を生成させ、均一に焼結を促進させるという効果をもたらすためと考えられる。
そして、これは後述するデータによって、アルカリ金属の添加と密度、強度及び均質性向上の関係から確認できた。
本発明のターゲットは上記密度、強度及び均質性の向上と共に、空孔を減少させ、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時のパーティクルやノジュールを一段と低減させ、さらにターゲットライフも長くすることができるという著しい効果を有する。
2.0wtppmのNa金属(実施例1)、6wtppmのNa金属(実施例2)、8wtppmのK金属(実施例3)を含有する平均粒径5μmの純度4N(99.99%)であるZnS粉に、純度4N(99.99%)の平均粒径5μmの酸化ケイ素(SiO2)粉を20mol%添加し均一に混合した。
この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧200kgf/cm2、温度1000°Cの条件でホットプレスを行った。
このようにして製造したスパッタリングターゲット内から、10個のサンプルを採取し、3点曲げ強度(JIS R1601による)及び密度を測定した。これらの結果の一覧を、表1に示す。
表1に示すように、実施例1については、平均曲げ強度が38MPa、形状母数が30、バルク体の相対密度が98%であった。
実施例2については、平均曲げ強度が39MPa、形状母数が52、バルク体の相対密度が99.5%であった。
実施例3については、平均曲げ強度が37MPa、形状母数が49、バルク体の相対密度が99.0%であった。
以上に示すとおり、実施例1−3のいずれの条件も、十分な平均曲げ強度、形状母数及び密度向上が達成できた。
0.1wtppmのNa金属を含有する純度4N(99.99%)であるZnS粉に、平均粒径5μmの酸化ケイ素(SiO2)粉を20mol%添加し、均一に混合した。
この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧200kgf/cm2、温度1000°Cの条件でホットプレスを行った。
これを実施例と同様に、製造したスパッタリングターゲット内から、10個のサンプルを採取し、3点曲げ強度(JIS R1601による)及び密度を測定した。これらの結果の一覧を、表1に示す。
表1に示すように、比較例1については、平均曲げ強度が30MPa、形状母数が9、バルク体の相対密度が96%であった。
これによって得られたバルク体は、平均曲げ強度は良いが、形状母数、相対密度が悪く、また均質性が不十分であった。
0.1wtppmのK金属を含有する純度4N(99.99%)であるZnS粉に、平均粒径5μmの酸化ケイ素(SiO2)粉を20mol%添加し、均一に混合した。
この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧200kgf/cm2、温度1000°Cの条件でホットプレスを行った。
これを実施例と同様に、製造したスパッタリングターゲット内から、10個のサンプルを採取し、3点曲げ強度(JIS R1601による)及び密度を測定した。これらの結果の一覧を、表1に示す。
表1に示すように、比較例2については、平均曲げ強度が23MPa、形状母数が7、バルク体の相対密度が95%であった。
これによって得られたバルク体は、平均曲げ強度、形状母数、相対密度も悪く十分な特性が得られなかった。
図1において、形状母数が高いほど、すなわち強度の分布が小さいほど、そのバルク体が均質であることを意味する。
図1において、直線状に立っている方が形状母数が高く均質であるが、Na:0.1wtppmに比べ、Na添加量:2wtppm、6wtppmの方が垂直に近くなり、より均質になっていることが分かる。
Claims (2)
- ZnS粉末を主成分とし、相対密度が97%以上、ターゲットに含有されるSiO 2 の平均結晶粒径が10μm以下である焼結体スパッタリングターゲットを作製するためのZnS粉末であって、ZnS粉末にアルカリ金属0.5〜10wtppm(但し、10wtppmを除く)を含有することを特徴とする焼結性に優れたスパッタリングターゲット用ZnS粉末。
- アルカリ金属がNa又はKであることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット用ZnS粉末。
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