JP5016223B2

JP5016223B2 - Substrate peripheral processing equipment

Info

Publication number: JP5016223B2
Application number: JP2006001228A
Authority: JP
Inventors: 光秀野上; 平長谷川
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2006-01-06
Filing date: 2006-01-06
Publication date: 2012-09-05
Anticipated expiration: 2026-01-06
Also published as: JP2007181854A

Description

この発明は、半導体ウェハや液晶パネル等の基材の外周部に設けられた有機膜等の不要物を除去する装置に関する。 The present invention relates to an apparatus for removing unnecessary materials such as an organic film provided on the outer periphery of a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal panel.

半導体装置の構成及び機能は、年々微細化、高集積化、高速化が進んでいる。それらは、半導体材料の変化とそれに伴う製造装置の進歩により実現されている。一般的には、配線材料がＡｌからＣｕへ、絶縁膜がＳｉＯ_２（比誘電率４程度）からそれより低誘電率のいわゆるｌｏｗ−ｋ材へと変化している。 The structure and functions of semiconductor devices are becoming finer, higher integrated, and faster year by year. They are realized by the change of semiconductor materials and the accompanying progress of manufacturing equipment. In general, the wiring material is changed from Al to Cu, and the insulating film is changed from SiO ₂ (relative dielectric constant of about 4) to a so-called low-k material having a lower dielectric constant.

従来、半導体ウェハに形成した絶縁膜に配線パターン用の溝をケミカルエッチングする場合、エッチングの等方性を抑制するため、エッチング用ガスに例えばフロロカーボンからなる保護材成分を混入させておく。これにより、漸次形成される溝の内壁にフロロカーボンの保護膜を被膜し、エッチングが溝の底面方向にだけ異方的に進行するようにしている。一方、フロロカーボンは、ウェハの外端面から裏側に回り込み、ウェハの裏面外周部にも堆積することがある。
上記絶縁層がＳｉＯ_２の場合、該絶縁層上のフォトレジストを酸素プラズマでドライアッシングする際、酸素プラズマをウェハの表側面から裏面へ回り込ますことにより、上記裏面外周部のフロロカーボン膜を除去することが十分可能であった。
しかし、絶縁層がｌｏｗ−ｋ膜の場合、ドライアッシングをあまり強くすると、ｌｏｗ−ｋ膜がダメージを受ける。そこで、低出力でアッシング処理する試みがなされているが、そうするとウェハ裏面のフロロカーボン膜を除去しきれない。これを放置すると、基材の搬送時等にパーティクルが発生し、歩留まり低下を招くおそれがある。 Conventionally, when a trench for a wiring pattern is chemically etched in an insulating film formed on a semiconductor wafer, a protective material component made of, for example, fluorocarbon is mixed in the etching gas in order to suppress isotropic etching. As a result, a protective film of fluorocarbon is coated on the inner wall of the groove formed gradually so that etching proceeds anisotropically only in the direction of the bottom surface of the groove. On the other hand, the fluorocarbon may wrap around from the outer end surface of the wafer to the back side, and may be deposited on the outer peripheral portion of the back surface of the wafer.
When the insulating layer is SiO ₂ , when the photoresist on the insulating layer is dry-ashed with oxygen plasma, the fluorocarbon film on the outer periphery of the back surface is removed by passing the oxygen plasma from the front surface to the back surface of the wafer. It was possible enough.
However, when the insulating layer is a low-k film, if the dry ashing is made too strong, the low-k film is damaged. Therefore, an attempt has been made to perform an ashing process at a low output, but in this case, the fluorocarbon film on the back surface of the wafer cannot be completely removed. If this is left as it is, particles may be generated when the substrate is transported, and the yield may be reduced.

半導体ウェハの外周部の不要物除去の先行文献として、例えば特許文献１に記載のものでは、反応性ガスを基板の外周部に吹き付けて外周部の不要物を除去している。処理済みガスは、ウェハの半径外側方向へ吸引排気している。
特許文献２に記載のものは、レーザをウェハの外周部に照射し、外周部の不要物をレーザエッチングしている。
特開平８−２７９４９４号公報特開２００３−１９７５７０号公報 As a prior art document for removing unnecessary objects on the outer periphery of a semiconductor wafer, for example, the one described in Patent Document 1 sprays reactive gas on the outer periphery of a substrate to remove unnecessary objects on the outer periphery. The processed gas is sucked and exhausted in the radially outward direction of the wafer.
In the device described in Patent Document 2, a laser is irradiated to the outer peripheral portion of the wafer, and unnecessary materials on the outer peripheral portion are laser-etched.
JP-A-8-279494 JP 2003-197570 A

半導体ウェハ等の基材の外周部の不要物が例えばフロロカーボン等の有機物で構成されているような場合、一般に、その除去には加熱を要する。しかし、電気ヒータ等で接触加熱する方式では、不要物との接触によってパーティクルが発生するおそれがある。これに対し、レーザ等の熱光線による輻射加熱の場合、上記のような接触によるパーティクル発生は回避できる。一方、不要物除去に伴い、反応副生成物が発生する。これが基材の表面側へ飛散することによるパーティクル発生の可能性は残されている。この反応副生成物に起因するパーティクルを防止するには被処理位置の近傍を吸引するのが有効である。しかし、被処理位置をレーザ等の熱光線で輻射加熱する構成においては、吸引ノズルを被処理位置にあまり近づけると光路の妨げになるだけでなく、吸引ノズルが散乱光等により高温化してしまい実用に耐えない。
また、吸引ノズルは、処理済みの反応性ガスや反応副生成物の吸引により汚れやすく、メンテナンスを怠るとパーティクルの原因となるおそれがある。 When an unnecessary material on the outer periphery of a base material such as a semiconductor wafer is made of an organic material such as fluorocarbon, heating is generally required for the removal. However, in the method of contact heating with an electric heater or the like, particles may be generated by contact with an unnecessary object. On the other hand, in the case of radiant heating with a heat beam such as a laser, the generation of particles due to contact as described above can be avoided. On the other hand, reaction by-products are generated along with the removal of unnecessary materials. The possibility of the generation of particles due to the scattering to the surface side of the substrate remains. In order to prevent particles caused by the reaction by-product, it is effective to suck the vicinity of the processing position. However, in a configuration where the processing position is radiantly heated with a heat beam such as a laser, if the suction nozzle is too close to the processing position, not only will the optical path be disturbed, but the suction nozzle will be heated to high temperatures due to scattered light, etc. I can't stand it.
In addition, the suction nozzle is likely to become dirty due to suction of the processed reactive gas and reaction by-products, and may cause particles if maintenance is neglected.

上記問題点を解決するために、本発明は、基材の外周部の不要物を加熱して除去する装置であって、
前記基材と接して前記基材を支持する面を有し、前記支持した状態で前記基材の外周部を前記面と直交する方向から見て前記面の外端縁よりも外側に突出させる支持部と、
熱光線を、前記支持部に支持された基材の前記外周部の在るべき被処理位置に局所的に照射する輻射加熱器と、
先端部が前記被処理位置に向かって前記被処理位置の近傍に配置され、前記不要物と加熱下で反応して反応副生成物を生成する反応性ガスを、前記被処理位置に局所的に吹付ける吹出しノズルと、
先端部が前記被処理位置に向かって前記被処理位置の近傍、かつ前記直交する方向から見て前記支持部の前記外端縁よりも外側かつ前記被処理位置を挟んで前記吹出しノズルの先端部とは反対側に前記吹出しノズルと前記基材の周方向に沿って向き合うように配置され、前記被処理位置の近傍のガスを局所的に吸引する吸引ノズルと、を備え、この吸引ノズルが、透光性の材料にて構成されていることを特徴とする。
これによって、吸引ノズルを熱光線の光路の妨げになることなく被処理位置に出来るだけ近づけて配置できる。したがって、被処理位置を確実に局所輻射加熱して処理効率を確保できるとともに、被処理位置の近傍を局所的に確実に吸引でき、反応副生成物を速やかに取り除いてパーティクルの原因になるのを防止することができる。また、熱光線の散乱等が起きても吸引ノズルに吸熱されるのを防止でき、吸引ノズルの高温化を防止して実用に耐えるようにすることができる。さらに、吸引ノズルの内壁が処理済みの反応性ガスや反応副生成物の吸引によって汚れても、外部から容易に確認することができ、メンテナンスの要否判断を容易化することができる。ひいては、適切なメンテナンスを行なうことによって、吸引ノズルの汚れがパーティクルの原因となるのを防止することができる。
In order to solve the above problems, the present invention is an apparatus for heating and removing unnecessary materials on the outer peripheral portion of a substrate,
It has a surface that contacts the substrate and supports the substrate, and in the supported state, the outer peripheral portion of the substrate is projected outward from the outer edge of the surface when viewed from a direction orthogonal to the surface. A support part;
A radiant heater for locally irradiating the target position of the outer peripheral portion of the base material supported by the support portion with heat rays;
A distal end portion is disposed in the vicinity of the processing position toward the processing position, and a reactive gas that reacts with the unnecessary substance under heating to generate a reaction byproduct is locally generated at the processing position. A blowing nozzle for spraying;
The front end of the blow nozzle is located near the processing position toward the processing position and outside the outer end edge of the support portion when viewed from the orthogonal direction and sandwiching the processing position. A suction nozzle that is disposed so as to face the blow nozzle and the circumferential direction of the substrate on the opposite side, and sucks a gas in the vicinity of the position to be processed locally. It is characterized by comprising a translucent material.
Thereby, the suction nozzle can be arranged as close as possible to the processing position without obstructing the optical path of the heat beam. Therefore, the processing position can be reliably heated by local radiant heating to ensure the processing efficiency, the vicinity of the processing position can be reliably sucked locally, and reaction by-products can be quickly removed to cause particles. Can be prevented. Further, even when heat rays scatter or the like, it is possible to prevent heat from being absorbed by the suction nozzle, and it is possible to withstand practical use by preventing the suction nozzle from becoming hot. Furthermore, even if the inner wall of the suction nozzle becomes dirty due to the suction of the processed reactive gas or reaction byproduct, it can be easily confirmed from the outside, and the necessity of maintenance can be easily determined. As a result, it is possible to prevent dirt from the suction nozzle from causing particles by performing appropriate maintenance.

前記吹出しノズルが、透光性の材料にて構成されていることによって、吹出しノズルについても熱光線の光路の妨げになることなく被処理位置に出来るだけ近づけることができ、反応性ガスを未拡散、高濃度、高活性のうちに被処理位置に確実に当てることができるとともに、熱光線による被処理位置の局所加熱効率を確保することができる。よって、被処理位置の局所的な処理効率を相乗的に高めることができる。また、吹出しノズルが熱光線の散乱等によって高温化するのを防止でき、実用に耐えるようにすることができる。さらに、吹出しノズルの内壁が汚れても、外部から容易に確認することができ、メンテナンスの要否判断を容易化することができる。ひいては、適切なメンテナンスを行なうことによって、吹出しノズルの汚れがパーティクルの原因となるのを防止することができる。 Since the blowing nozzle is made of a translucent material, the blowing nozzle can be brought as close as possible to the processing position without obstructing the optical path of the heat beam, and the reactive gas is not diffused. In addition, it can be applied to the processing position with high concentration and high activity, and the local heating efficiency of the processing position by the heat beam can be ensured. Therefore, the local processing efficiency of the processing position can be synergistically increased. Moreover, it can prevent that a blowing nozzle heats up by scattering of a heat ray, etc., and can be used practically. Furthermore, even if the inner wall of the blowout nozzle is dirty, it can be easily confirmed from the outside, and the necessity of maintenance can be easily determined. As a result, it is possible to prevent contamination of the blowout nozzle from causing particles by performing appropriate maintenance.

前記吸引ノズル又は前記吹出しノズルを構成する透光性材料としては、例えば、ガラス、アクリル、透明な樹脂等が挙げられる。
前記ガラスとしては、例えば、石英、ほうけい酸ガラス、アルカリソーダガラス等が挙げられる。
前記透明な樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリカーボネート、塩化ビニール等が挙げられる。 Examples of the translucent material constituting the suction nozzle or the blowout nozzle include glass, acrylic, transparent resin, and the like.
Examples of the glass include quartz, borosilicate glass, and alkali soda glass.
Examples of the transparent resin include polytetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), polycarbonate, and vinyl chloride.

前記吸引ノズルからの吸込み方向が、前記直交する方向から見て、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿うことが好ましい。
これによって、反応性ガスを基材の外周部に沿うように流して反応時間を確保できるとともに、反応副生成物を含む処理済みガスを基材から漸次離れていくように導くことができ、反応性ガスの拡散を防止でき、余計な箇所が処理されたり反応副生成物が基材の表面に付いてパーティクルの原因になったりするのを一層確実に防止することができる。 It is preferable that the suction direction from the suction nozzle is substantially along the circumferential direction at the processing position of the substrate as viewed from the orthogonal direction.
This allows the reactive gas to flow along the outer periphery of the substrate to ensure the reaction time, and allows the treated gas containing the reaction by-products to be gradually moved away from the substrate. The diffusion of the characteristic gas can be prevented, and it is possible to more reliably prevent unnecessary portions from being processed and reaction by-products from being attached to the surface of the base material to cause particles.

前記吹出しノズルからの前記反応性ガスの吹き出し方向が、前記直交する方向から見て、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿うことが好ましい。
前記直交する方向から見て、前記吹出しノズルからの前記反応性ガスの吹き出し方向が、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿い、前記吸引ノズルからの吸込み方向が、前記吹出し方向とほぼ一致していることがより好ましい。
これによって、反応性ガスの流れを基材の外周部に確実に沿わせることができ、反応時間を一層確実に確保することができる。 It is preferable that a flow direction of the reactive gas from the blow-out nozzle is substantially along a circumferential direction at a processing position of the base material when viewed from the orthogonal direction.
When viewed from the orthogonal direction, the blowing direction of the reactive gas from the blowing nozzle is substantially along the circumferential direction at the processing position of the substrate, and the suction direction from the suction nozzle is substantially the same as the blowing direction. More preferably, they match.
As a result, the flow of the reactive gas can be reliably made to follow the outer peripheral portion of the base material, and the reaction time can be ensured more reliably.

前記輻射加熱器は、前記熱光線を前記被処理位置に向けて前記基材の半径外側に傾倒された方向から照射するようにするとよい。
これによって、熱光線を、基材の表側面の外周部又は裏面の外周部だけでなく基材の外端面にも照射することができ、不要物が基材の外端面に被膜されている場合でも確実に除去することができる。 The radiant heater may be configured to irradiate the heat beam from a direction tilted outward of a radius of the substrate toward the processing position.
In this way, heat rays can be applied not only to the outer peripheral portion of the front side surface or the outer peripheral portion of the back surface of the base material but also to the outer end surface of the base material, and unnecessary materials are coated on the outer end surface of the base material. But it can be removed reliably.

本発明によれば、吸引ノズルを熱光線の光路の妨げになることなく被処理位置に出来るだけ近づけて配置できる。これにより、被処理位置を確実に局所輻射加熱して処理効率を確保できるとともに、被処理位置の近傍を局所的に確実に吸引でき、反応副生成物を速やかに取り除いてパーティクルの原因になるのを防止することができる。また、熱光線の散乱等が起きても吸引ノズルに吸熱されるのを防止でき、吸引ノズルの高温化を防止して実用に耐えることができる。さらに、吸引ノズルが処理済みの反応性ガスや反応副生成物の吸引によって汚れても、外部から容易に確認することができ、メンテナンスの要否判断を容易化することができる。ひいては、適切なメンテナンスを行なうことによって、吸引ノズルの汚れがパーティクルの原因となるのを防止することができる。 According to the present invention, the suction nozzle can be disposed as close as possible to the processing position without obstructing the optical path of the heat beam. As a result, the processing position can be reliably heated by local radiant heating to ensure the processing efficiency, and the vicinity of the processing position can be reliably suctioned locally, and reaction by-products can be quickly removed to cause particles. Can be prevented. In addition, even if scattering of heat rays occurs, it is possible to prevent the suction nozzle from absorbing heat, and it is possible to withstand practical use by preventing the suction nozzle from becoming hot. Furthermore, even if the suction nozzle becomes dirty due to suction of the processed reactive gas or reaction by-product, it can be easily confirmed from the outside, and the necessity of maintenance can be easily determined. As a result, it is possible to prevent dirt from the suction nozzle from causing particles by performing appropriate maintenance.

以下、本発明の第１実施形態を説明する。図１及び図２に示すように、この実施形態の処理対象基材は、例えばシリコン製の半導体ウェハ９０である。シリコンウェハ９０は、円形の薄板状をなしている。ウェハ９０の表側面には、半導体装置を構成すべき所要層としてｌｏｗ−ｋ材からなる絶縁層９１が形成されている。ｌｏｗ−ｋ材は、ＳｉＯ_２より誘電率が小さい絶縁材料である。ｌｏｗ−ｋ材の比誘電率は、例えば１５〜３０程度が好ましい。ｌｏｗ−ｋ材を構成する物質としては、ＳｉＯＣＨ_３等が挙げられる。絶縁層９１は、ｌｏｗ−ｋ材に代えてＳｉＯ_２にて構成されていてもよい。絶縁層９１には配線パターン溝９１ａが形成されている。この配線パターン溝９１ａ内にＣｕからなる配線パターン９４が設けられている。配線パターン９４は、Ｃｕに代えてＡｌ等の他の導電性材料にて構成してもよい。 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG.1 and FIG.2, the process target base material of this embodiment is the semiconductor wafer 90 made from, for example, silicon. The silicon wafer 90 has a circular thin plate shape. On the front side surface of the wafer 90, an insulating layer 91 made of a low-k material is formed as a required layer that constitutes the semiconductor device. The low-k material is an insulating material having a dielectric constant smaller than that of SiO ₂ . The relative dielectric constant of the low-k material is preferably about 15 to 30, for example. Examples of the material constituting the low-k material include Si 2 O ₃ CH ₃ . The insulating layer 91 may be made of SiO ₂ instead of the low-k material. A wiring pattern groove 91 a is formed in the insulating layer 91. A wiring pattern 94 made of Cu is provided in the wiring pattern groove 91a. The wiring pattern 94 may be made of another conductive material such as Al instead of Cu.

シリコンウェハ９０の裏面の外周部や外端面には、フロロカーボンの膜９３ａが被膜されている。フロロカーボン膜９３ａは、ウェハ９０の周方向の全周にわたるとともに径方向（周方向と直交する方向）に沿う幅を有している。フロロカーボン膜９３ａは、上記配線パターン溝９１ａをエッチングにて形成する際、エッチングの異方性を確保するための保護材としてエッチング用ガスに混入させておいたフロロカーボンがウェハの裏側へ回り込んで堆積したものであり、上記エッチング用のフォトレジストをアッシングする工程でも除去しきれずに残置されたものである。 A fluorocarbon film 93 a is coated on the outer peripheral portion and the outer end surface of the back surface of the silicon wafer 90. The fluorocarbon film 93a extends over the entire circumference of the wafer 90 and has a width along the radial direction (direction perpendicular to the circumferential direction). When the wiring pattern groove 91a is formed by etching, the fluorocarbon film 93a is deposited by the fluorocarbon mixed in the etching gas as a protective material for securing the etching anisotropy around the backside of the wafer. In other words, the photoresist for etching is left unremoved even in the ashing step.

本実施形態に係る基材外周処理装置１は、上記ウェハ９０の裏面外周部や外端面のフロロカーボン膜９３ａを不要物として除去するものである。図２に示すように、基材外周処理装置１は、ステージ１１と、反応性ガス給排手段２０と、加熱手段３０を備えている。 The substrate outer periphery processing apparatus 1 according to this embodiment removes the fluorocarbon film 93a on the outer peripheral surface of the back surface and the outer end surface of the wafer 90 as an unnecessary material. As shown in FIG. 2, the substrate outer periphery processing apparatus 1 includes a stage 11, reactive gas supply / discharge means 20, and heating means 30.

ステージ１１は、水平な円盤形状をなし、垂直な中心軸のまわりに回転するようになっている。このステージ１１の回転数は、適宜調節可能になっている。 The stage 11 has a horizontal disk shape and rotates around a vertical central axis. The rotational speed of the stage 11 can be adjusted as appropriate.

ステージ１１は、ウェハ９０を支持するための支持部を構成している。ステージ１１の上面の直径は、ウェハ９０の直径より僅かに小さい。このステージ１１の上面に、ウェハ９０が中心を一致させて水平にセットされるようになっている。セット状態のウェハ９０の外周部は、ステージ１１の外端縁より少し突出されている。これによりフロロカーボン膜９３ａの幅方向の全体が露出するとともに、該フロロカーボン膜９３ａの径方向内側の縁のすぐ近くにステージ１１の外端縁が位置するようになっている。 The stage 11 constitutes a support part for supporting the wafer 90. The diameter of the upper surface of the stage 11 is slightly smaller than the diameter of the wafer 90. A wafer 90 is set horizontally on the upper surface of the stage 11 with its center aligned. The outer peripheral portion of the set wafer 90 protrudes slightly from the outer edge of the stage 11. As a result, the entire width of the fluorocarbon film 93a is exposed, and the outer edge of the stage 11 is positioned in the immediate vicinity of the radially inner edge of the fluorocarbon film 93a.

ステージ１１にはウェハ９０を吸着する真空式又は静電式の吸着チャック機構（図示せず）が組み込まれている。吸着チャック機構は、ステージ１１の上面の全域に設けてもよく、ステージ１１の外周部（ウェハ９０の外周突出部のすぐ内側の部分）にのみ設け、中央部には設けないことにしてもよい。吸着チャック機構をステージ１１の外周部だけに設けることにすれば、吸着に起因するパーティクルを低減することができる。 The stage 11 incorporates a vacuum or electrostatic chuck chuck mechanism (not shown) that chucks the wafer 90. The suction chuck mechanism may be provided over the entire upper surface of the stage 11, or may be provided only in the outer peripheral portion of the stage 11 (the portion immediately inside the outer peripheral protruding portion of the wafer 90) and not in the central portion. . If the suction chuck mechanism is provided only on the outer periphery of the stage 11, particles resulting from the suction can be reduced.

図示は省略するが、ステージ１１にはウェハ９０と接する面から吸熱してウェハ９０を冷却する吸熱手段が組み込まれている。例えば、ステージ１１の内部が、空洞になっており、そこに水や空気等の冷却用媒体が送り込まれるようになっている。また、ステージ１１に冷却用媒体の流通路を形成してもよい。或いは、ステージ１１にペルチェ素子を埋め込んでもよい。
ステージ１１の特に上板の材質には、熱伝導性の良好なもの（例えばアルミ）が用いられている。
冷却・吸熱手段は、ステージ１１の少なくとも外周部（ウェハ９０の外周突出部のすぐ内側の部分）から吸熱できるようになっていればよい。ステージ１１の上面の中央部には凹部を設け、この凹部より外周側のステージ上面だけがウェハ９０と接触するようにしてもよい。これによって、ウェハ９０の外周突出部のすぐ内側の部分から確実に吸熱できる一方、ステージ１１とウェハ９０の接触面積を小さくしてパーティクルの発生数を低減することができる。
ステージ１１には、必ずしも上記のような冷却・吸熱手段を設けなくてもよい。これによって、ステージの構成を簡素化できる。 Although illustration is omitted, the stage 11 incorporates heat absorption means for absorbing heat from the surface in contact with the wafer 90 to cool the wafer 90. For example, the inside of the stage 11 is hollow, and a cooling medium such as water or air is fed into the cavity. In addition, a cooling medium flow path may be formed in the stage 11. Alternatively, a Peltier element may be embedded in the stage 11.
As the material of the upper plate of the stage 11, a material having good thermal conductivity (for example, aluminum) is used.
The cooling / heat absorbing means only needs to be able to absorb heat from at least the outer peripheral portion of the stage 11 (the portion immediately inside the outer peripheral protruding portion of the wafer 90). A recess may be provided in the center of the upper surface of the stage 11, and only the upper surface of the stage on the outer peripheral side from the recess may be in contact with the wafer 90. As a result, heat can be reliably absorbed from the portion immediately inside the outer peripheral protrusion of the wafer 90, while the contact area between the stage 11 and the wafer 90 can be reduced and the number of particles generated can be reduced.
The stage 11 does not necessarily have to be provided with the above cooling / heat absorption means. Thereby, the configuration of the stage can be simplified.

上記加熱手段３０としては、レーザ加熱器が用いられている。レーザ加熱器３０は、熱光線源としてのレーザ光源３１と、照射ユニット３２を有している。 As the heating means 30, a laser heater is used. The laser heater 30 includes a laser light source 31 as a heat beam source and an irradiation unit 32.

レーザ光源３１は、例えば発光波長８０８ｎｍ〜９４０ｎｍのＬＤ（半導体）レーザ光を出射するようになっている。レーザ光源３１として、ＬＤに限られず、ＹＡＧ、エキシマ等の種々の形式のものを用いてもよい。 The laser light source 31 emits, for example, an LD (semiconductor) laser beam having an emission wavelength of 808 nm to 940 nm. The laser light source 31 is not limited to the LD, and various types such as YAG and excimer may be used.

レーザ光源３１の出射部から光ファイバ３４が照射ユニット３２へ延びている。図２に示すように、照射ユニット３２は、ウェハ９０の下側かつ径方向外側に配置され、ウェハ９０の外周部を向くように斜め上に向けられている。
照射ユニット３２をウェハ９０の外周部の真下に配置してもよい。 An optical fiber 34 extends from the emission part of the laser light source 31 to the irradiation unit 32. As shown in FIG. 2, the irradiation unit 32 is disposed on the lower side and the radially outer side of the wafer 90, and is directed obliquely upward so as to face the outer peripheral portion of the wafer 90.
The irradiation unit 32 may be disposed directly below the outer peripheral portion of the wafer 90.

照射ユニット３２には、凸レンズやシリンドリカルレンズ等の光学素子を含む集光光学系（図示省略）が収容されている。この集光光学系に光ファイバ３４が光ファイバ３４の先端部が光学的に接続されている。集光光学系は、光ファイバ３４で伝送されて来たレーザＬをウェハ９０の外周部へ向けて斜め上方へ収束照射するようになっている。このレーザＬのウェハ外周部上の集光スポットＰが、被処理位置となる。 The irradiation unit 32 houses a condensing optical system (not shown) including optical elements such as a convex lens and a cylindrical lens. The optical fiber 34 is optically connected to the condensing optical system at the tip of the optical fiber 34. The condensing optical system converges and irradiates the laser L transmitted through the optical fiber 34 obliquely upward toward the outer peripheral portion of the wafer 90. A condensing spot P on the wafer outer peripheral portion of the laser L is a processing position.

図２の白抜き矢印Ａ１に示すように、照射ユニット３２には、例えば上記集光光学系をレーザ光軸に沿って変移させる方式の焦点調節機構が設けられている。これにより、レーザ光Ｌの焦点位置、ひいてはウェハ外周部上の集光スポット径を調節できるようになっている。さらに、図２の白抜き矢印Ａ２に示すように、照射ユニット３２には、該照射ユニット３２をステージ１１ひいてはウェハ９０の径方向に沿って変移させる径方向移動機構が接続されている。或いは、該径方向移動機構に代えて、同図の白抜き矢印Ａ３に示すように、照射ユニット３２をレーザ光Ｌの集光スポットＰの近傍の接線と平行な軸線周りに角度調節する角度調節機構が接続されている。これによって、レーザ光Ｌの集光スポットＰをフロロカーボン膜９３ａの幅方向（ウェハ９０の径方向）に位置調節できるようになっている。 As indicated by the white arrow A1 in FIG. 2, the irradiation unit 32 is provided with a focus adjustment mechanism of a system that shifts the condensing optical system along the laser optical axis, for example. As a result, the focal position of the laser beam L, and thus the focused spot diameter on the outer periphery of the wafer can be adjusted. Further, as indicated by a white arrow A2 in FIG. 2, the irradiation unit 32 is connected to a radial movement mechanism for moving the irradiation unit 32 along the radial direction of the stage 11 and then the wafer 90. Alternatively, instead of the radial direction moving mechanism, as shown by a white arrow A3 in the drawing, the angle adjustment for adjusting the angle of the irradiation unit 32 about an axis parallel to the tangent in the vicinity of the focused spot P of the laser light L The mechanism is connected. As a result, the position of the condensing spot P of the laser beam L can be adjusted in the width direction of the fluorocarbon film 93a (the radial direction of the wafer 90).

図１に示すように、ステージ１１の側部には、反応性ガス給排手段２０を構成する吹出しノズル２１と吸引ノズル２２が設けられている。吹出しノズル２１が、ガス供給路２３を介して反応性ガス源２４に連なっている。反応性ガス源２４と供給路２３と吹出しノズル２１によって、反応性ガス供給手段が構成されている。反応性ガス源２４として、オゾン（Ｏ_３）を生成するオゾナイザーが用いられている。オゾンは、フロロカーボン膜９３ａ等の有機膜を除去するのに好適な反応性ガスである。
反応性ガス源として、オゾナイザー２４に代えて常圧プラズマ放電装置を用い、この常圧プラズマ放電装置の電極間のプラズマ放電空間に酸素を導入し、酸素ラジカル等の酸素系反応性ガスを得ることにしてもよい。
反応性ガスとして酸素（Ｏ_２）をそのまま吹出しノズル２１に供給し、吹出すようにしてもよい。
反応性ガスとして、酸素系ガスに代えて、ＣＦ_４等のフッ素系ガスを用いてもよい。 As shown in FIG. 1, a blowing nozzle 21 and a suction nozzle 22 constituting a reactive gas supply / discharge means 20 are provided on the side of the stage 11. The blowout nozzle 21 is connected to the reactive gas source 24 via the gas supply path 23. Reactive gas supply means is constituted by the reactive gas source 24, the supply path 23, and the blowing nozzle 21. As the reactive gas source 24, an ozonizer that generates ozone (O ₃ ) is used. Ozone is a reactive gas suitable for removing organic films such as the fluorocarbon film 93a.
An atmospheric pressure plasma discharge device is used instead of the ozonizer 24 as a reactive gas source, and oxygen is introduced into the plasma discharge space between the electrodes of the atmospheric pressure plasma discharge device to obtain an oxygen-based reactive gas such as oxygen radicals. It may be.
Oxygen (O ₂ ) as a reactive gas may be supplied as it is to the blowing nozzle 21 and blown out.
As the reactive gas, a fluorine-based gas such as CF ₄ may be used instead of the oxygen-based gas.

図２に示すように、吹出しノズル２１は、管状をなし、ウェハ９０の外周部の被処理位置Ｐに向くようにしてウェハ９０の下側に配置されている。図１に示すように、吹出しノズル２１の吹き出し方向は、平面視でウェハ９０の周方向（接線方向）にほぼ沿うとともに、図３に示すように、側面視でウェハ９０に対し傾けられている。
吹出しノズル２１の口径は、フロロカーボン膜９３ａの幅に対応する大きさになっている。 As shown in FIG. 2, the blowout nozzle 21 has a tubular shape, and is arranged on the lower side of the wafer 90 so as to face the processing position P on the outer peripheral portion of the wafer 90. As shown in FIG. 1, the blow-out direction of the blow-out nozzle 21 is substantially along the circumferential direction (tangential direction) of the wafer 90 in plan view, and is tilted with respect to the wafer 90 in side view as shown in FIG. .
The diameter of the blowout nozzle 21 is a size corresponding to the width of the fluorocarbon film 93a.

図１に示すように、吸引ノズル２２から排気路２５が延び、排気ポンプ等の排気手段２６に連なっている。吸引ノズル２２は、管状をなしている。吸引ノズル２２は、平面視で被処理位置Ｐを挟んでウェハ９０の周方向（接線方向）に沿って吹出しノズル２１と向き合うように配置されている。したがって、吸引ノズル２２の吸引方向は、平面視でウェハ９０の周方向（接線方向）にほぼ沿い、上記吹出しノズル２１からの吹出し方向とほぼ一致している。図３に示すように、吹出しノズル２２は、側面視でウェハ９０の下側から被処理位置Ｐに向かうようにウェハ９０に対し例えば４５度程度傾けられている。 As shown in FIG. 1, an exhaust passage 25 extends from the suction nozzle 22 and is connected to an exhaust means 26 such as an exhaust pump. The suction nozzle 22 has a tubular shape. The suction nozzle 22 is disposed so as to face the blowing nozzle 21 along the circumferential direction (tangential direction) of the wafer 90 across the processing position P in plan view. Therefore, the suction direction of the suction nozzle 22 is substantially along the circumferential direction (tangential direction) of the wafer 90 in a plan view and substantially coincides with the blowing direction from the blowing nozzle 21. As shown in FIG. 3, the blowout nozzle 22 is inclined about 45 degrees, for example, with respect to the wafer 90 from the lower side of the wafer 90 toward the processing position P in a side view.

吸引ノズル２２の口径は、吹出しノズル２１の口径より大きく、例えば約２〜５倍になっている。例えば、吹出しノズル２１の口径は１〜３ｍｍ程度であるのに対し、吸引ノズル２２の口径は２〜１５ｍｍ程度である。 The diameter of the suction nozzle 22 is larger than the diameter of the blowout nozzle 21, for example, about 2 to 5 times. For example, the diameter of the blow nozzle 21 is about 1 to 3 mm, while the diameter of the suction nozzle 22 is about 2 to 15 mm.

ステージ１１ひいてはウェハ９０の回転方向（例えば平面視時計周り）に沿って、吹出しノズル２１は上流側に配置され、吸引ノズル２２は下流側に配置されている。 The blowing nozzle 21 is disposed on the upstream side and the suction nozzle 22 is disposed on the downstream side along the rotation direction of the stage 11 and the wafer 90 (for example, clockwise in plan view).

ノズル２１，２２の向きや互いの配置関係は適宜設定することができる。例えば、ノズル２１，２２を平面視でウェハ９０の接線より僅かにウェハ９０の内側又は外側から被処理位置Ｐを向くように傾けてもよい。吸引ノズル２２をウェハ９０の半径方向に沿ってウェハ９０の外側から被処理位置Ｐに向けたり、ウェハ９０より下側に上向きで配置したりしてもよい。 The direction of the nozzles 21 and 22 and the mutual arrangement relationship can be appropriately set. For example, the nozzles 21 and 22 may be tilted slightly toward the processing position P from the inside or outside of the wafer 90 from the tangent line of the wafer 90 in plan view. The suction nozzle 22 may be disposed from the outside of the wafer 90 toward the processing position P along the radial direction of the wafer 90 or may be disposed upward from below the wafer 90.

吸引ノズル２２は、透光性の材料にて構成されている。透光性材料としては、ガラス、アクリル、透明な樹脂等を用いることができる。ガラスは、石英、ほうけい酸ガラス、アルカリソーダガラス等を用いることができる。透明樹脂は、透明なポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、透明なテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、透明なポリカーボネート、透明な塩化ビニール等を用いることできる。
吹出しノズル２１についても、吸引ノズル２２と同様の透光性材料にて構成されている。 The suction nozzle 22 is made of a translucent material. As the translucent material, glass, acrylic, transparent resin, or the like can be used. As the glass, quartz, borosilicate glass, alkali soda glass, or the like can be used. As the transparent resin, transparent polytetrafluoroethylene (PTFE), transparent tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), transparent polycarbonate, transparent vinyl chloride, or the like can be used.
The blowing nozzle 21 is also made of a light-transmitting material similar to the suction nozzle 22.

上記構成の基材外周処理装置１は、次のように使用される。
ステージ１１にウェハ９０をアライメントして設置し、ウェハ９０のフロロカーボン膜９３ａを含む外周部をステージ１１の径方向外側へ突出させる。そして、ステージ１１を中心軸まわりに回転させるとともに、レーザ光源３１からのレーザ光Ｌを、光ファイバ３４に通して集光ユニット３２から出射し、ウェハ９０の裏面外周部又は外端面のフロロカーボン膜９３ａの被処理位置Ｐに集光させる。これにより、被処理位置Ｐのフロロカーボン膜９３ａが局所的かつ瞬間的に高温加熱される。併行して、オゾナイザー２４からのオゾンを、反応性ガスノズル２１からウェハ９０の接線方向にほぼ沿って吹出し、上記局所加熱された被処理位置Ｐに当てる。これによって、被処理位置Ｐのフロロカーボン膜９３ａが、オゾンと反応して除去される。
レーザ光Ｌは、ウェハ９０の下側かつ半径外側から斜めに照射されるので、ウェハ９０の裏面の外周部の膜９３ａだけでなく外端面の膜９３ａをも輻射加熱して、除去することができる。
図２の白抜き矢印Ａ１に示すように、集光ユニット３２の焦点を調節して集光スポット径を変えたり、同図の白抜き矢印Ａ２又はＡ３に示すように、集光ユニット３２のステージ径方向に沿う位置や角度を調節して集光スポット位置をフロロカーボン膜９３ａの幅方向に変移させたりすることにより、フロロカーボン膜９３ａの全体を除去することができる。 The base-material outer periphery processing apparatus 1 of the said structure is used as follows.
The wafer 90 is aligned and placed on the stage 11, and the outer peripheral portion including the fluorocarbon film 93 a of the wafer 90 is projected outward in the radial direction of the stage 11. Then, while rotating the stage 11 around the central axis, the laser light L from the laser light source 31 passes through the optical fiber 34 and is emitted from the condensing unit 32, and the fluorocarbon film 93 a on the back outer peripheral portion or outer end surface of the wafer 90. The light is condensed at the processing position P. As a result, the fluorocarbon film 93a at the processing position P is heated locally and instantaneously at a high temperature. At the same time, ozone from the ozonizer 24 is blown from the reactive gas nozzle 21 substantially along the tangential direction of the wafer 90 and is applied to the locally heated processing position P. As a result, the fluorocarbon film 93a at the processing position P is removed by reacting with ozone.
Since the laser beam L is irradiated obliquely from the lower side of the wafer 90 and from the outside of the radius, not only the film 93a on the outer peripheral portion of the back surface of the wafer 90 but also the film 93a on the outer end surface can be removed by radiant heating. it can.
As shown by a white arrow A1 in FIG. 2, the focal point of the light collecting unit 32 is adjusted to change the diameter of the light collecting spot, or as shown by a white arrow A2 or A3 in FIG. The entire fluorocarbon film 93a can be removed by adjusting the position and angle along the radial direction to shift the focused spot position in the width direction of the fluorocarbon film 93a.

さらに、上記のレーザ照射及びオゾン吹付けと併行して、排気手段２６を駆動する。これにより、被処理位置Ｐの近傍が吸引ノズル２２によって局所的に吸引される。これによって、被処理位置Ｐで発生した反応副生成物を処理済みオゾンと一緒に被処理位置近傍から速やかに取り除くことができ、反応副生成物によるパーティクルがウェハ９０に付着するのを防止することができる。 Further, the exhaust means 26 is driven in parallel with the laser irradiation and ozone spraying. Thereby, the vicinity of the processing position P is locally sucked by the suction nozzle 22. Accordingly, the reaction by-product generated at the processing position P can be quickly removed from the vicinity of the processing position together with the processed ozone, and particles due to the reaction by-product are prevented from adhering to the wafer 90. Can do.

吹出しノズル２１からのオゾン吹出し方向がウェハ９０の被処理位置Ｐにおける接線にほぼ沿うとともに、この吹出し方向にほぼ沿って吸引ノズル２２からの吸引がなされるので、オゾンのウェハ外周部との反応時間を確保して処理効率を向上させることができる。さらには、反応副生成物を含む処理済みガスをウェハ９０から漸次離れていくように導くことができ、パーティクルを一層確実に防止することができる。 The ozone blowing direction from the blowing nozzle 21 is substantially along the tangent line at the processing position P of the wafer 90, and the suction from the suction nozzle 22 is performed substantially along this blowing direction. And the processing efficiency can be improved. Furthermore, the treated gas containing the reaction by-products can be guided gradually away from the wafer 90, and particles can be prevented more reliably.

吸引ノズル２２が透光性材料にて構成されているので、レーザ光Ｌの光路の妨げになることなく被処理位置Ｐに出来るだけ近づけて配置できる。したがって、反応副生成物を含む処理済みガスを確実に吸引排気できる。さらには、吹出しノズル２１についても、透光性材料にて構成されているのでレーザ光Ｌの光路の妨げになることなく被処理位置に出来るだけ近づけて配置できる。したがって、オゾンを未拡散、高濃度、高活性のうちに被処理位置に確実に当てることができる。一方、レーザ光Ｌを被処理位置Ｐに確実に照射して輻射加熱でき、処理効率を確保することができる。
また、レーザ光Ｌの散乱が起きても、吹出しノズル２１や吸引ノズル２２に吸熱されるのを防止でき、ノズル２１，２２の高温化を防止して実用に耐えるようにすることができる。
さらに、吸引ノズル２２の内壁等が反応生成物を含む処理済みガスの吸引によって汚れても、外部から容易に確認することができる。吹出しノズル２１についても内部の汚れを外部から容易に確認できる。これによって、メンテナンスの要否判断を容易化することができる。ひいては、適切なメンテナンスを行なうことによって、ノズル２２，２１の汚れがパーティクルの原因となるのを防止することができる。 Since the suction nozzle 22 is made of a translucent material, the suction nozzle 22 can be arranged as close as possible to the processing position P without obstructing the optical path of the laser light L. Therefore, the treated gas containing the reaction by-product can be reliably sucked and exhausted. Furthermore, since the blowing nozzle 21 is also made of a translucent material, it can be arranged as close as possible to the processing position without obstructing the optical path of the laser light L. Therefore, ozone can be reliably applied to the position to be processed among undiffused, high concentration and high activity. On the other hand, the laser beam L can be reliably irradiated to the processing position P and radiantly heated, so that the processing efficiency can be ensured.
Further, even when the laser light L is scattered, it is possible to prevent the blowout nozzle 21 and the suction nozzle 22 from absorbing heat, and the nozzles 21 and 22 can be prevented from being heated to be practically used.
Furthermore, even if the inner wall or the like of the suction nozzle 22 is contaminated by the suction of the processed gas containing the reaction product, it can be easily confirmed from the outside. As for the blowout nozzle 21, the internal dirt can be easily confirmed from the outside. Thereby, the necessity determination of maintenance can be facilitated. As a result, it is possible to prevent contamination of the nozzles 22 and 21 from causing particles by performing appropriate maintenance.

本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、反応性ガスノズル２１を省略し、反応性ガス雰囲気下で熱光線をスポット照射することにより不要物除去を行なうことにしてもよい。
反応性ガスとしては、オゾンのほか、酸素ガス（Ｏ_２）を用いることもできる。
除去対象の不要物は、フロロカーボンに限られず、それ以外の有機物の他、無機物にも適用できる。
不要物の状態は、膜に限られず粉体等であってもよい。
基材の裏面外周部や外端面に設けられた不要物の除去だけでなく、表側の外周部に設けられた不要物の除去にも適用できる。
基材は、ウェハに限られず、例えば液晶テレビやプラズマテレビ等のフラットパネルディスプレイ用の基板であってもよい。 The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
For example, the reactive gas nozzle 21 may be omitted, and unnecessary substances may be removed by spot irradiation with a heat beam in a reactive gas atmosphere.
As the reactive gas, oxygen gas (O ₂ ) can be used in addition to ozone.
Unnecessary objects to be removed are not limited to fluorocarbon, but can be applied to other organic substances and inorganic substances.
The state of the unnecessary material is not limited to the film, and may be a powder or the like.
The present invention can be applied not only to the removal of unnecessary materials provided on the outer peripheral portion and the outer end surface of the back surface of the substrate, but also to the removal of unnecessary products provided to the outer peripheral portion on the front side.
The substrate is not limited to a wafer, and may be a substrate for a flat panel display such as a liquid crystal television or a plasma television.

本発明は、例えば半導体基板や液晶用基板の製造において、基板外周部の不要物を除去するのに適用可能である。 The present invention can be applied, for example, to remove unnecessary materials on the outer periphery of a substrate in the manufacture of a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate.

本発明の第１実施形態に係る基材外周処理装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the base-material outer periphery processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図１のII−II線に沿う上記基材外周処理装置の正面断面図であり、処理対象のシリコンウェハ及び被膜の厚さを誇張して示す。It is front sectional drawing of the said base material outer periphery processing apparatus which follows the II-II line | wire of FIG. 1, and shows exaggeratingly the thickness of the silicon wafer and coating film of a process target. 図１のIII−III線に沿う上記基材外周処理装置の側面図である。It is a side view of the said base material outer periphery processing apparatus which follows the III-III line of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１１ステージ（支持部）
２０反応性ガス給排手段
２１吹出しノズル
２２吸引ノズル
２３ガス供給路
２４オゾナイザー（反応性ガス源）
２５排気路
２６排気手段
３０輻射加熱器
３１レーザ光源
３２照射ユニット
３４光ファイバ
９０シリコンウェハ（基材）
９１ｌｏｗ−ｋ絶縁層
９１ａ配線パターン溝
９３ａフロロカーボン膜（不要物）
９４配線パターン
Ｐ１第１スポット
Ｐ２第２スポット、局所照射位置（集光スポット、被処理位置）
Ｌレーザ（熱光線）
Ｌ３３光軸
Ｐ被処理位置 11 stage (support)
20 Reactive gas supply / discharge means 21 Blowout nozzle 22 Suction nozzle 23 Gas supply path 24 Ozonizer (reactive gas source)
25 Exhaust path 26 Exhaust means 30 Radiation heater 31 Laser light source 32 Irradiation unit 34 Optical fiber 90 Silicon wafer (base material)
91 low-k insulating layer 91a wiring pattern groove 93a fluorocarbon film (unnecessary)
94 Wiring pattern P1 First spot P2 Second spot, local irradiation position (condensing spot, position to be processed)
L Laser (heat ray)
L33 Optical axis P Processing position

Claims

基材の外周部の不要物を加熱して除去する装置であって、
前記基材と接して前記基材を支持する面を有し、前記支持した状態で前記基材の外周部を前記面と直交する方向から見て前記面の外端縁よりも外側に突出させる支持部と、
熱光線を、前記支持部に支持された基材の前記外周部の在るべき被処理位置に局所的に照射する輻射加熱器と、
先端部が前記被処理位置に向かって前記被処理位置の近傍に配置され、前記不要物と加熱下で反応して反応副生成物を生成する反応性ガスを、前記被処理位置に局所的に吹付ける吹出しノズルと、
先端部が前記被処理位置に向かって前記被処理位置の近傍、かつ前記直交する方向から見て前記支持部の前記外端縁よりも外側かつ前記被処理位置を挟んで前記吹出しノズルの先端部とは反対側に前記吹出しノズルと前記基材の周方向に沿って向き合うように配置され、前記被処理位置の近傍のガスを局所的に吸引する吸引ノズルと、を備え、この吸引ノズルが、透光性の材料にて構成されていることを特徴とする基材外周処理装置。 An apparatus for heating and removing unnecessary materials on the outer periphery of the substrate,
It has a surface that contacts the substrate and supports the substrate, and in the supported state, the outer peripheral portion of the substrate is projected outward from the outer edge of the surface when viewed from a direction orthogonal to the surface. A support part;
A radiant heater for locally irradiating the target position of the outer peripheral portion of the base material supported by the support portion with heat rays;
A distal end portion is disposed in the vicinity of the processing position toward the processing position, and a reactive gas that reacts with the unnecessary substance under heating to generate a reaction byproduct is locally generated at the processing position. A blowing nozzle for spraying;
The front end of the blow nozzle is located near the processing position toward the processing position and outside the outer end edge of the support portion when viewed from the orthogonal direction and sandwiching the processing position. A suction nozzle that is disposed so as to face the blow nozzle and the circumferential direction of the substrate on the opposite side, and sucks a gas in the vicinity of the position to be processed locally. A base material outer periphery processing apparatus comprising a light transmissive material.

前記透光性材料が、ガラス、アクリル、透明な樹脂の何れか１つであることを特徴とする請求項１に記載の基材外周処理装置。 The base material peripheral processing apparatus according to claim 1, wherein the translucent material is one of glass, acrylic, and transparent resin.

前記吹出しノズルが、透光性の材料にて構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基材外周処理装置。 The base material peripheral processing apparatus according to claim 1, wherein the blowing nozzle is made of a translucent material.

前記吹出しノズルを構成する透光性材料が、ガラス、アクリル、透明な樹脂の何れか１つであることを特徴とする請求項３に記載の基材外周処理装置。 The translucent material which comprises the said blowing nozzle is any one of glass, an acryl, and transparent resin, The base-material outer periphery processing apparatus of Claim 3 characterized by the above-mentioned.

前記ガラスが、石英、ほうけい酸ガラス、アルカリソーダガラスの何れか１つであることを特徴とする請求項２又は４に記載の基材外周処理装置。 5. The substrate outer periphery processing apparatus according to claim 2, wherein the glass is any one of quartz, borosilicate glass, and alkali soda glass.

前記透明な樹脂が、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリカーボネート、塩化ビニールの何れか１つであることを特徴とする請求項２又は４に記載の基材外周処理装置。 5. The transparent resin according to claim 2, wherein the transparent resin is any one of polytetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), polycarbonate, and vinyl chloride. Substrate outer periphery processing apparatus.

前記吸引ノズルからの吸込み方向が、前記直交する方向から見て、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿うことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の基材外周処理装置。 The base material according to any one of claims 1 to 6, wherein a suction direction from the suction nozzle is substantially along a circumferential direction at a processing position of the base material when viewed from the orthogonal direction. Perimeter processing device.

前記吹出しノズルからの前記反応性ガスの吹き出し方向が、前記直交する方向から見て、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿うことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の基材外周処理装置。 The direction in which the reactive gas is blown out from the blow-out nozzle is substantially along the circumferential direction at the position to be processed of the base material when viewed from the orthogonal direction. The base-material outer periphery processing apparatus of description.

前記直交する方向から見て、前記吹出しノズルからの前記反応性ガスの吹き出し方向が、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿い、前記吸引ノズルからの吸込み方向が、前記吹出し方向とほぼ一致していることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の基材外周処理装置。 When viewed from the orthogonal direction, the blowing direction of the reactive gas from the blowing nozzle is substantially along the circumferential direction at the processing position of the substrate, and the suction direction from the suction nozzle is substantially the same as the blowing direction. It matches, The base-material outer periphery processing apparatus of any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned.

前記輻射加熱器が、前記熱光線を前記被処理位置に向けて前記基材の半径外側に傾倒された方向から照射することを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の基材外周処理装置。 10. The base according to claim 1, wherein the radiant heater irradiates the heat beam toward a position to be processed from a direction tilted outward of a radius of the base material. Material peripheral processing equipment.