JP4992211B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の上面に形成された第2導電型の第2半導体領域とを備える半導体基体の一方の主面に、前記第2半導体領域から前記第1半導体領域まで延びるようにトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記半導体基体の一方の主面及び前記トレンチの少なくとも底面を覆うようにマスクを形成するマスク形成工程と、
前記トレンチの開口部を介して前記トレンチの側面の前記マスクが形成されていない領域に、第1導電型の不純物を拡散させることにより、前記トレンチの側面の前記第2半導体領域に、該不純物を拡散させる前の前記第2半導体領域の不純物濃度と比較して低い不純物濃度を有する第2導電型の半導体領域を形成する不純物拡散工程と、
前記マスクを除去するマスク除去工程と、
前記トレンチの底面及び側面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチを充填するようにゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、から構成されることを特徴とする。
また、半導体基体20の下主面にスパッタ等によって、例えばアルミニウム(Al)を堆積させ、ドレイン電極35を形成する。
以上の工程から、半導体素子10が製造される。
例えば、上述した実施の形態では、半導体素子10として絶縁ゲート型電界効果トランジスタを例に挙げて説明したがこれに限られず、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであってもよい。
20 半導体基体
21 ドレイン領域
22 ベース領域
23 チャネル領域
24 ソース領域
25 トレンチ
31 ゲート電極
32 ゲート絶縁膜
33 ソース電極
34 層間絶縁膜
35 ドレイン電極
Claims (3)
- 第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の上面に形成された第2導電型の第2半導体領域とを備える半導体基体の一方の主面に、前記第2半導体領域から前記第1半導体領域まで延びるようにトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記半導体基体の一方の主面及び前記トレンチの少なくとも底面を覆うようにマスクを形成するマスク形成工程と、
前記トレンチの開口部を介して前記トレンチの側面の前記マスクが形成されていない領域に、第1導電型の不純物を拡散させることにより、前記トレンチの側面の前記第2半導体領域に、該不純物を拡散させる前の前記第2半導体領域の不純物濃度と比較して低い不純物濃度を有する第2導電型の半導体領域を形成する不純物拡散工程と、
前記マスクを除去するマスク除去工程と、
前記トレンチの底面及び側面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチを充填するようにゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、から構成されることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記マスク形成工程では、前記トレンチを介して露出する前記第1半導体領域を覆うように前記マスクを形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記不純物拡散工程では、イオン注入法により不純物を拡散させることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子の製造方法。
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