JP4988615B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4988615B2 JP4988615B2 JP2008021777A JP2008021777A JP4988615B2 JP 4988615 B2 JP4988615 B2 JP 4988615B2 JP 2008021777 A JP2008021777 A JP 2008021777A JP 2008021777 A JP2008021777 A JP 2008021777A JP 4988615 B2 JP4988615 B2 JP 4988615B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- main surface
- guide
- wafer
- etchant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Description
そこで、この発明の目的は、基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供することである。
この構成によれば、案内部材を基板の主面の周縁部に対向配置させる。案内部材が対向する基板の主面の周縁部に多量のエッチング液が存在していると、案内部材の案内面が基板の主面の周縁部のエッチング液に接触し、そのエッチング液を基板外へと案内する。こうして、基板の主面の周縁部のエッチング液を、基板外にスムーズに排出させることができる。これにより、基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制することができる。したがって、基板の主面の周縁部でのエッチングレートの低下を抑制または防止でき、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
この発明によれば、案内部材を基板の主面の周縁部に対向配置させる。案内部材が対向する基板の主面の周縁部に多量のエッチング液が存在していると、案内部材の案内面が基板の主面の周縁部のエッチング液に接触し、そのエッチング液を基板外へと案内する。こうして、基板の主面の周縁部のエッチング液を、基板外にスムーズに排出させることができる。これにより、基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制することができる。したがって、基板の主面の周縁部でのエッチングレートの低下を抑制または防止でき、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
また、基板の回転に伴い、基板の周縁部上のエッチング液は、周方向に沿って移動する。案内面が基板の回転半径方向と直交する方向に沿っていれば、かかる方向に沿って移動しているエッチング液を、基板外へとすり出すように案内することができる。これにより、基板の主面の周縁部からエッチング液を基板外に円滑に排出させることができる。
この発明によれば、案内部材を基板の主面の周縁部に対向配置させる。案内部材が対向する基板の主面の周縁部に多量のエッチング液が存在していると、案内部材の案内面が基板の主面の周縁部のエッチング液に接触し、そのエッチング液を基板外へと案内する。こうして、基板の主面の周縁部のエッチング液を、基板外にスムーズに排出させることができる。これにより、基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制することができる。したがって、基板の主面の周縁部でのエッチングレートの低下を抑制または防止でき、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
また、基板の回転に伴い、基板の周縁部上のエッチング液は、遠心力によって基板の回転半径方向に沿って移動するとともに、基板主面とエッチング液との摩擦力によって基板の回転方向下流側にも移動する。案内面が基板の周端形状に沿う湾曲面により形成されていれば、かかる方向に沿って移動するエッチング液を、基板の回転半径方向においても基板の回転方向下流側においても円滑に基板外へとすり出すように案内することができる。これにより、基板の主面の周縁部からエッチング液を基板外に円滑に排出させることができる。
この発明によれば、案内部材を基板の主面の周縁部に対向配置させる。案内部材が対向する基板の主面の周縁部に多量のエッチング液が存在していると、案内部材の案内面が基板の主面の周縁部のエッチング液に接触し、そのエッチング液を基板外へと案内する。こうして、基板の主面の周縁部のエッチング液を、基板外にスムーズに排出させることができる。これにより、基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制することができる。したがって、基板の主面の周縁部でのエッチングレートの低下を抑制または防止でき、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
また、案内部材が所定の軸線まわりに揺動可能にされているので、基板の主面のエッチング液の流れに対する案内面の姿勢(角度)を変更することができる。そして、案内面が基板の主面上のエッチング液を基板外へと効率よく案内することができる姿勢(角度)となるように案内部材を保持させることにより、基板の主面上の周縁部におけるエッチング液の滞留をより一層効果的に防止または抑制することができる。
この発明によれば、案内部材を基板の主面の周縁部に対向配置させる。案内部材が対向する基板の主面の周縁部に多量のエッチング液が存在していると、案内部材の案内面が基板の主面の周縁部のエッチング液に接触し、そのエッチング液を基板外へと案内する。こうして、基板の主面の周縁部のエッチング液を、基板外にスムーズに排出させることができる。これにより、基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制することができる。したがって、基板の主面の周縁部でのエッチングレートの低下を抑制または防止でき、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
ところで、エッチングレートを処理の全期間を通じて一定にするには、処理の全期間を通じて、基板の主面上のエッチング液の液膜が一定厚みであることが望ましい。ところが、エッチング液によって基板の薄型化を図るエッチング処理では、基板の主面の基板材料がエッチング除去されるため、エッチング処理の進行にともなって基板の主面と案内部材との隙間が大きくなり、基板の主面の周縁部におけるエッチング液の液膜が厚くなるおそれがある。
この構成によれば、基板の主面の周縁部に複数の案内部材が配置されるので、基板の主面の周縁部の複数個所で、エッチング液を基板外に排出させることができる。したがって、基板の周縁部の広範囲に多量のエッチング液が存在している場合であっても、基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制することができる。
また、前記エッチング液供給手段が、前記基板回転手段によって回転される基板の回転半径方向に沿う直線状のスキャン経路(T)に沿って当該基板の主面上にエッチング液を走査させるものである場合には、請求項7に記載のように、前記案内部材が、基板回転方向上流側端部が前記スキャン経路の延長線上に位置するように配置されていることが好ましい。
図1は、本発明の一実施形態(第1の実施形態)に係る基板処理装置1の構成を模式的に示す断面図である。
この基板処理装置1は、たとえばシリコンウエハからなる円形のウエハWにおけるデバイス形成領域側の表面とは反対側の裏面(非デバイス形成面)に対して、ウエハWのシンニング(薄型化)のためのエッチング処理を施すための枚葉式の装置である。この実施形態では、エッチング液として、たとえばフッ硝酸(フッ酸と硝酸との混合液)が用いられる。
DIWノズル6は、たとえば連続流の状態でDIWを吐出するストレートノズルであり、スピンチャック4の上方で、その吐出口をウエハWの中央部に向けて配置されている。このDIWノズル6には、DIW供給管19が接続されており、DIW供給源からのDIWがDIW供給管19を通して供給されるようになっている。DIW供給管19の途中部には、DIWノズル6へのDIWの供給および供給停止を切り換えるためのDIWバルブ20が介装されている。
第2アーム昇降駆動機構25は、第2アーム支持軸21に結合されており、第2アーム支持軸21を昇降させることにより、第2アーム22を昇降させることができる。
図2は、第1案内プレート23の概略構成を示す斜視図である。
第2液排出機構8は、スピンチャック4の側方でほぼ鉛直に延びた第3アーム支持軸31と、第3アーム支持軸31に支持されて、ほぼ水平に延びる第3アーム32と、この第3アーム32の先端部に保持されて、ウエハWの上面のフッ硝酸をウエハW外に案内する案内部材としての第2案内プレート33と、第3アーム支持軸31を回転させて、第3アーム32を揺動させるための第3アーム揺動駆動機構34と、第3アーム32を昇降させるための第3アーム昇降駆動機構35とを備えている。
第3アーム昇降駆動機構35は、第3アーム支持軸31に結合されており、第3アーム支持軸31を昇降させることにより、第3アーム32を昇降させることができる。
第2案内プレート33は、第1案内プレート23と同一の諸元(寸法および形状)に形成されている。第2案内プレート33は、第2プレートホルダ36にその長手方向が水平方向に延びるように、かつ、その主面が水平面と直交するように取り付けられている。第2案内プレート33は、フッ硝酸をウエハWの外方へと案内するための平坦な案内面38(図3参照)を有している。エッチング処理時には、第2案内プレート33はウエハWの上面の周縁部に対向して配置される。
エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル5からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル5が、ウエハWの回転半径に沿って、近接位置T1と基板周端位置T2との間を往復移動(スキャン)される。近接位置T1は、ウエハWの回転中心Cに近接し、着液したフッ硝酸がウエハW上で拡がって回転中心Cを通過することができるように定めた位置であり、回転中心Cから間隔L2だけ隔てられている。外径200mmのウエハWを用いる場合には、間隔L2としてたとえば22.5mm程度を例示することができる。このとき、フッ硝酸のウエハWの上面における着液点Pは、ウエハWの回転中心Cを通る円弧形状の軌道のうち、近接位置T1から基板周端位置T2に至る範囲を円弧(ほぼ直線状)の経路(スキャン経路T)を描きつつ移動する。
エッチング処理時には、第2案内プレート33の下端面は、スピンチャック4(吸着ベース10)に保持されたウエハW(エッチング処理前のウエハW)の上面と隙間Sを隔てて対向配置される。この隙間Sとして、たとえば、0.5mm程度を例示することができる。第3アーム昇降駆動機構35が駆動されて第3アーム32が昇降することにより、第2案内プレート33の下端面と吸着ベース10の上面との隙間Sが変化する。
第2案内プレート33は、そのウエハ回転方向上流側端部(またはその付近)を通過する鉛直軸線C2まわりに揺動可能とされている。具体的には、第3アーム揺動駆動機構34による第3アーム32の揺動と、第2回転駆動機構37による第2案内プレート33の回転とが併せて行われることにより、第2案内プレート33が鉛直軸線C2まわりに揺動する(図5に揺動後の状態を二点鎖線で図示)。
この基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置50を備えている。
この制御装置50には、スピンモータ11、第1アーム揺動駆動機構14、フッ硝酸バルブ18、DIWバルブ20、第2アーム昇降駆動機構25、第2アーム揺動駆動機構24、第1回転駆動機構27、第3アーム昇降駆動機構35、第3アーム揺動駆動機構34および第2回転駆動機構37などが、制御対象として接続されている。
未処理のウエハWが、図示しない搬送ロボットによって処理室2内に搬入されて、スピンチャック4に受け渡される(ステップS1)。このとき、フッ硝酸ノズル5、第1案内プレート23および第2案内プレート33は、スピンチャック4の側方の退避位置に退避させられている。また、フッ硝酸バルブ18およびDIWバルブ20は、いずれも閉状態に制御されている。
これにより、ウエハWの上面における着液点Pは、スキャン経路T(図3参照)に沿って往復スキャンする。フッ硝酸の着液点PがウエハW上を、近接位置T1から基板周端位置T2を経由して再び近接位置T1まで戻るのにたとえば約1.5秒間要する。その後、予め定める処理時間が経過するまで、フッ硝酸の着液点Pの往復スキャンが繰り返し行われる。なお、この往復スキャン中において、フッ硝酸ノズル5から吐出されるフッ硝酸の吐出流量は一定(たとえば0.85L/min)に保たれている。
制御装置50は、予め定められた時間が経過するごとに、第2アーム昇降駆動機構25および第3アーム昇降駆動機構35を制御して、第1および第2案内プレート23,33を予め定められた下降量だけ下降させる。この下降量は、予め定められた時間におけるウエハWのエッチング量に相当する量である。これにより、エッチング処理の進行にかかわらず、ウエハWの上面と第1および第2案内プレート23,33との隙間Sが一定に保たれる。
以上のように、この実施形態によれば、第1および第2案内プレート23,33が、ウエハWの上面の周縁部のうち、ウエハW上を流れるフッ硝酸が集まる領域に対向配置される。そして、第1および案内面28,38が、ウエハWの上面の周縁部上のフッ硝酸に接触して、そのフッ硝酸をウエハW外へと案内する。こうして、ウエハWの上面の周縁部のフッ硝酸を、ウエハW外にスムーズに排出させることができる。これにより、ウエハWの上面の周縁部におけるフッ硝酸の滞留を防止または抑制することができる。したがって、ウエハWの上面の周縁部でのエッチングレートの低下を抑制または防止でき、ウエハWの上面に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
図8Aは、本発明の他の実施形態(第2の実施形態)に係る基板処理装置の構成を図解的に示す平面図である。また、図8Bは、この基板処理装置に適用される第2案内プレートの構成を図解的に示す斜視図である。この第2の実施形態において、前述の実施形態(第1の実施形態)に示された各部に対応する部分には、第1の実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
案内面38AがウエハWの周端形状に沿う湾曲面により形成されているので、ウエハWの円周方向に沿って移動するフッ硝酸を、ウエハW外へとすり出すように案内することができる。これにより、ウエハWの上面からエッチング液としてのフッ硝酸が円滑にウエハW外に排出される。
この第3の実施形態に係る基板処理装置は、1つの案内プレート33しか備えていない。具体的には、第1の実施形態に係る基板処理装置1から第1案内プレート23が省略されており、ウエハWの上面の周縁部上には、第2案内プレート33だけが対向配置されている。
また、第2案内プレート23ではなく、第1案内プレート33だけを備える構成とすることもできる。
第3案内プレート43は、その長手方向がスキャン経路Tに沿い、かつ、その上流側端部が、ウエハWの上面のスキャン経路TからウエハWの回転方向上流側の90°の位置に配置されている。この配置状態で、第3案内プレート43の案内面48はウエハWの周縁部に面しており、案内面48のウエハ回転方向下流側端部はウエハWの外方へと張り出している。このとき、案内面48と、ウエハWの回転中心Cとの間隔はL3である。
次に、実施例および比較例について説明する。
回転状態にある外径200mmのシリコンウエハからなるウエハWの上面(裏面)に対し、図1に示すスキャンノズルの形態に構成されたフッ硝酸ノズル5からのフッ硝酸を供給して、シンニングのためのエッチング処理を施す試験を行った。
実施例2では、図9の基板処理装置(第3案内プレート43を採用)を用いてエッチング処理を行った。
実施例3では、図8Aの基板処理装置を用いて、エッチング処理を行った。
エッチング試験の結果、実施例1〜実施例3ではウエハWの周縁部でエッチングレートの悪化を抑制することができた。
また、下記(1)式で表されるエッチング均一性を評価した。実施例1ではエッチング均一性は16.4%であり、実施例2ではエッチング均一性は13.2%であり、実施例3ではエッチング均一性は14.3%であり、比較例ではエッチング均一性は19.4%であった。
第1〜第3の実施形態において、案内プレート23,33を鉛直軸線C1,C2まわりに揺動させて、案内面28,38がウエハWの上面上のフッ硝酸をウエハW外へと最も効率よく案内できる姿勢(角度)に保持させるようにすることもできる。
また、第1〜第3の実施形態では、フッ硝酸ノズル5を往復スキャンさせる場合を例にとって説明したが、フッ硝酸ノズル5を一方向スキャンさせるものであってもよい。一方向スキャンとは、この場合、一方向へのノズル移動時にのみフッ硝酸をノズル5から吐出し、他方向へのノズル移動時にはノズル5からのフッ硝酸の吐出を停止することをいう。
4 スピンチャック(基板回転手段)
5 フッ硝酸ノズル(エッチング液供給手段)
23 第1案内プレート(案内部材)
28,38,38A,48 案内面
33,33A 第2案内プレート(案内部材)
43 第3案内プレート(案内部材)
50 制御装置(制御手段)
C1,C2 鉛直軸線
S 隙間
T スキャン経路
W ウエハ(基板)
Claims (7)
- 基板を保持しつつ、所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面上にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面に交差する面に沿う案内面を有し、前記主面の所定の周縁部に当該主面と隙間を隔てて対向配置されて、前記案内面に前記主面上のエッチング液の液膜を接触させて、このエッチング液を基板の外方に向けて案内する案内部材とを含み、
前記案内部材は、前記案内面における基板の回転方向下流側の端部が前記主面の外方に張り出した状態で配置されている、基板処理装置。 - 基板を保持しつつ、所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面上にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面に交差する面に沿う案内面を有し、前記主面の所定の周縁部に当該主面と隙間を隔てて対向配置されて、前記案内面に前記主面上のエッチング液の液膜を接触させて、このエッチング液を基板の外方に向けて案内する案内部材とを含み、
前記案内面が、平坦面により形成されており、
前記案内部材が、前記案内面が基板の回転半径方向と直交する方向に沿うように配置されている、基板処理装置。 - 基板を保持しつつ、所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面上にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面に交差する面に沿う案内面を有し、前記主面の所定の周縁部に当該主面と隙間を隔てて対向配置されて、前記案内面に前記主面上のエッチング液の液膜を接触させて、このエッチング液を基板の外方に向けて案内する案内部材とを含み、
前記基板回転手段に保持される基板が円形であり、
前記案内面が、基板の周端形状に沿う湾曲面により形成されている、基板処理装置。 - 基板を保持しつつ、所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面上にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面に交差する面に沿う案内面を有し、前記主面の所定の周縁部に当該主面と隙間を隔てて対向配置されて、前記案内面に前記主面上のエッチング液の液膜を接触させて、このエッチング液を基板の外方に向けて案内する案内部材とを含み、
前記案内部材が、前記回転軸線と平行に延びる所定の軸線まわりに揺動可能に設けられている、基板処理装置。 - 基板を保持しつつ、所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面上にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面に交差する面に沿う案内面を有し、前記主面の所定の周縁部に当該主面と隙間を隔てて対向配置されて、前記案内面に前記主面上のエッチング液の液膜を接触させて、このエッチング液を基板の外方に向けて案内する案内部材と、
前記基板回転手段に保持された基板の前記主面と前記案内部材との間の距離を制御する制御手段とを含む、基板処理装置。 - 前記案内部材を複数含み、
前記複数の案内部材が、基板の周方向の異なる位置に配置されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記エッチング液供給手段が、前記基板回転手段によって回転される基板の回転半径方向に沿う直線状のスキャン経路に沿って当該基板の主面上にエッチング液を走査させるものであり、
前記案内部材が、基板回転方向上流側端部が前記スキャン経路の延長線上に位置するように配置されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008021777A JP4988615B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008021777A JP4988615B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009182257A JP2009182257A (ja) | 2009-08-13 |
JP4988615B2 true JP4988615B2 (ja) | 2012-08-01 |
Family
ID=41035961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008021777A Expired - Fee Related JP4988615B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4988615B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6102081B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2017-03-29 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法、及び、液体噴射装置の製造方法 |
JP6226297B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2017-11-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN108198748B (zh) | 2014-02-27 | 2022-04-29 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06349725A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 現像装置 |
JPH09213610A (ja) * | 1996-02-05 | 1997-08-15 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 基板処理装置及び処理方法 |
JP3490315B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2004-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法および現像処理装置 |
JP2001228625A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Toshiba Corp | 薬液処理方法 |
JP4364744B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2009-11-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | エッチング装置及びエッチング方法 |
-
2008
- 2008-01-31 JP JP2008021777A patent/JP4988615B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009182257A (ja) | 2009-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5312923B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5615650B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5276420B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6770886B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6256828B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6080291B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4976949B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6674679B2 (ja) | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 | |
KR102341916B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR102369452B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
TWI636158B (zh) | Substrate processing method and substrate processing device | |
JP5954776B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4988621B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4988615B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2024051067A (ja) | 処理液除去方法、処理液除去装置、基板処理装置、基板処理方法 | |
JP4988616B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2019208265A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009194090A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI756850B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP2014150136A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7357693B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2009194089A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006351805A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2020088120A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120419 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4988615 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |