JP2001228625A

JP2001228625A - 薬液処理方法

Info

Publication number: JP2001228625A
Application number: JP2000039683A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Ito; 信一伊藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-02-17
Filing date: 2000-02-17
Publication date: 2001-08-24

Abstract

(57)【要約】【課題】薬液と直接接触することなく、被処理基板上
で薬液を移動させることで、薬液の加工の均一性を向上
させる薬液処理方法を提供する。【解決手段】被加工膜が形成された被処理基板上に、
その被加工膜を加工する薬液を供給し、被処理基板上に
薬液膜を形成する工程（ステップＳ１０２）と、薬液膜
形成工程（ステップＳ１０２）の後、薬液膜の表面と接
触するように気流を形成することで、被処理基板上に薬
液膜を保持しつつ、薬液膜の表面に薬液の流れを形成す
る工程（ステップＳ１０４）とを少なくとも含む薬液処
理方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薬液を用いて基板
を処理する薬液処理方法に関する。特に、本発明は、半
導体素子製造工程における半導体基板、半導体素子製造
工程の一つであるリソグラフィ工程におけるレチクル
（フォトマスク）、液晶ディスプレイ製造工程における
フラットパネルなど各種の基板を、薬液を用いて処理す
る薬液処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば半導体製造工程においては、被
加工膜が形成された被処理基板上に薬液をパドル形成
し、被加工膜を所望の形状に加工（エッチング）する作
業が、繰り返し行われる。具体的には、フォトリソグラ
フィ工程の現像処理や、フォトリソグラフィ工程に引き
続いて行われるウエットエッチング処理等、である。

【０００３】従来より、被加工膜が形成された被処理基
板上に薬液を塗布し、静止させて被加工膜をエッチング
する工程では、次のような問題が生じていた。すなわ
ち、エッチング領域周辺では、エッチング生成物の滞在
によって、新たなエッチャントの供給が促進されず、そ
の結果、エッチング速度が低下してしまうという問題で
ある。特に、広いエッチング領域の周辺においては、こ
の問題は顕著であった。

【０００４】この問題を解決するために、エッチング時
に薬液を被加工膜上で移動させる基板処理方法および基
板処置装置が提案されている（特開平１１−３２９９６
０号公報）。この基板処理方法および基板処理装置で
は、被加工膜上の薬液表面に所定の板材を接触させ、さ
らにその板材を動かすことで、薬液を被加工膜上で移動
させる。薬液の移動によって、薬液に流れが生じ、薬液
は攪拌される。それにより、エッチング領域周辺への新
たなエッチャントの供給が促され、エッチング領域周辺
のエッチング速度の低下を抑えることが可能となる。

【０００５】しかしながら、薬液の攪拌後に、板材の洗
浄が必要となり、さらにその洗浄によって板材に付着し
ていたゴミが落下し、被処理基板表面に付着してしまう
場合があった。そして、ゴミの付着によって、被処理基
板に欠陥が発生する場合があった。

【０００６】また、他の提案として、被処理基板を断続
的に回転させることで、薬液を被加工膜上で移動させる
現像装置および現像方法がある（特願平１１−３０７４
３３号公報）。この現像装置および現像方法では、被処
理基板を所定の基板保持部で保持し、被処理基板の回転
および被処理基板の静止状態を繰り返すことで、薬液の
移動を実現する。

【０００７】ところが、本発明者の検討によれば、被処
理基板の回転時には、薬液は、その粘性のため、被処理
基板と一体となって回転した。そして、被処理基板の回
転を停止させた際、慣性力によって若干のゆれが薬液に
生じるだけであった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
課題を解決し、薬液と直接接触することなく、被処理基
板上で薬液を移動させることで、薬液の加工の均一性を
向上させる薬液処理方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、被加工膜が形成された被処理基板上に、
その被加工膜を加工する薬液を供給し、被処理基板上に
薬液膜を形成する工程と、その薬液膜形成工程の後、薬
液膜の表面と接触するように気流を形成することで、前
記被処理基板上に前記薬液膜を保持しつつ、薬液膜の表
面に薬液の流れを形成する工程とを少なくとも含む薬液
処理方法であることを特徴とする。

【００１０】この発明においては、気流は、たとえば、
被処理基板の外周部周辺にガス供給部を配置し、そのガ
ス供給部から被処理基板の上方に向かって気流形成用ガ
スを供給することで形成できる。気流形成用ガスとして
は、不活性ガスが望ましい。被加工膜と化学的に反応す
ることがないからである。たとえば、窒素や、ヘリウ
ム、アルゴン等である。また、気流形成用ガスに、オゾ
ンや、酸素、水素等を混入すれば、被加工膜の表面を、
たとえば改質させたり、微量に酸化させたりすることが
できる。

【００１１】また、気流は、たとえば被処理基板の上方
に配置された回転体を高速に回転させることで、形成す
ることもできる。回転体の形状としては、たとえば円板
上や、リング状、羽状などがある。回転体の回転によっ
て気流を形成する場合、脱炭酸雰囲気中で行なえば良
い。二酸化炭素の混入を防ぐことができるからである。

【００１２】薬液膜を被処理基板上に形成した際、被処
理基板自体も回転させることが望ましい。薬液の動きを
より容易とするからである。この際、被処理基板の回転
は、連続的であっても断続的であっても構わない。ただ
し、気流の方向に対して醇方向となるように設定すべき
である。

【００１３】この発明によれば、薬液膜の上方に気流を
形成し、その気流を薬液の表面に接触させることで、薬
液の動きを生じさせる。このため、薬液は攪拌され、薬
液による被加工膜の加工の均一性が向上する。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。以下の図面の記載におい
て、同一または類似の部分には同一または類似の符号が
付してある。

【００１５】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る薬液処理方法の処理手順を示すフ
ローチャートである。また、図２乃至図４は、本発明の
第１の実施の形態に係る薬液処理方法を実現するための
薬液処理装置の要部断面図である。図１乃至図４を用い
て本発明の第１の実施の形態に係る薬液処理方法を説明
する。

【００１６】（１）図２（ａ）に示すように、前工程の
終了した被処理基板１０は、搬送ロボット（図示しな
い）によって基板保持部１２の上部に搬送される。そし
て、被処理基板１０は、搬送ロボットから離れ、基板保
持部１２に受け渡される。被処理基板１０は、吸引によ
って、基板保持部１２に固定される（ステップＳ１０
１）。

【００１７】（２）次に、図２（ｂ）に示すように、被
処理基板１０上の被加工膜を加工する薬液１６を被処理
基板１０上に形成する。たとえば薬液は、被処理基板１
０の上方に配置される薬液吐出ノズル１４から供給され
る。薬液吐出ノズル１４は薬液１６を供給しつつ、被処
理基板１０の一端から他端に向かって被処理基板１０上
を走査する。それにより、被処理基板１０上に薬液膜１
６を形成する（ステップＳ１０２）。

【００１８】（３）次に、図３（ａ）に示すように、被
処理基板１０の外周部周辺に配置されたガス供給部１８
からガスを供給し、被処理基板１０上の薬液１６の上方
に気流を形成する。ここで、気流形成時に基板保持部１
２の回転によって被処理基板１０を回転させても効果的
である。この際、被処理基板１０の回転方向は、気流の
方向に沿うようにするのが良い（ステップＳ１０３）。

【００１９】（４）次に、図３（ｂ）に示すように、被
処理基板１０の上方に配置されたリンス液供給口２０か
らリンス液（たとえば純水）２２を供給し、回転させな
がら被処理基板１０を洗浄する（ステップＳ１０４）。

【００２０】（５）最後に、図４に示すように、被処理
基板１０を高速回転させることで、純水２２を被処理基
板１０から振り払い、被処理基板１０を乾燥させる（ス
テップＳ１０５）。

【００２１】本発明の第１の実施の形態において、ガス
供給部１８は、たとえば次のように配置すれば良い。図
５に、ガス供給部１８の配置例を示す。図５（ａ）は、
被処理基板１０の外周部周辺に１つのガス供給部１８ａ
を配置した例である。気流の方向と基板回転方向は一致
している。図５（ｂ）は、被処理基板１０の外周部周辺
に２つのガス供給部１８ａおよび１８ｂを対向させて配
置した例である。ガス供給部１８ａおよび１８ｂのいず
れの気流の方向も、基板回転方向と一致している。図５
（ｃ）は、被処理基板１０の外周部周辺に２つのガス供
給部１８ｃおよび１８ｄを並べて配置した例である。さ
らに、被処理基板１０の中心部側（内周域）のガス供給
部１８ｄよりも外周部側（外周域）のガス供給部１８ｃ
の方がガスの流速が速くなるように設定されている。ガ
ス供給部１８ｃおよび１８ｄのいずれの気流の方向も、
基板回転方向と一致している。図５（ｄ）は、被処理基
板１０の外周部周辺に２つのガス供給部１８ｃおよび１
８ｄを並べて配置し、さらにガス供給部１８ｃおよび１
８ｄに対向するように、ガス供給部１８ｅおよび１８ｆ
を並べて配置した例である。さらに、被処理基板１０の
中心部側のガス供給部１８ｄ、１８ｅよりも外周部側の
ガス供給部１８ｃ、１８ｆの方がガスの流速が速くなる
ように設定されている。ガス供給部１８ｃ，１８ｄ，１
８ｅおよび１８ｆのいずれの気流の方向も、基板回転方
向と一致している。

【００２２】また、ガス供給部１８のガス供給口として
は、次のようなものが考えられる。図６に、ガス供給部
１８のガス供給口の断面図を示す。図６（ａ）は、平口
構造で、内周域、外周域共に流速が一定であるもの、図
６（ｂ）は、平口構造であるが、内周域では流速が小さ
く、外周域では流速が大きいもので、図６（ｃ）は、口
幅が、内周域では狭く、外周域では広くなっているも
の、である。

【００２３】本発明の第１の実施の形態において、薬液
１６の供給は、薬液吐出ノズル１４を一端から他端に向
けて走査することで行なうものに限られるものではな
い。たとえば、次のようなノズルを用いて行なっても良
い。図７は、棒状ノズルを示す図であり、（ａ）が薬液
１６の供給時の断面図、（ｂ）が薬液１６の供給時の平
面図である。また、図８は、ストレートノズルを示す図
であり、（ａ）が薬液１６の供給時の断面図、（ｂ）が
薬液１６の供給時の平面図である。

【００２４】次に、本発明の第１の実施の形態に係る薬
液処理方法について、本発明者が行なった実験結果を用
いて説明する。まず、被処理基板１０である半導体基板
上に、６ｎｍの反射防止膜、４００ｎｍのレジスト膜、
を順次成膜した。さらに、露光装置を用いて、レジスト
膜上に選択的に潜像を形成した後、１３０℃、６０秒の
ベーキングを行なった。

【００２５】次に、薬液１６である現像液を半導体基板
１０上に供給し、半導体基板１０上に現像液膜１６をパ
ドル形成した。さらに、ガス供給部１８から半導体基板
１０上に窒素ガスを供給し、現像液１６の表面に接触す
るように窒素ガスの気流を形成した。窒素ガスの流量
は、その流速が現像液膜１６の表面において、１５０〜
４００ｍｍ／ｓｅｃとなるようにし、かつ半導体基板１
０の外およびその裏面に現像液１６が回り込まないよう
に調節した。また、上記の図５（ｄ）に示したように、
ガス供給口１８を配置し、半導体基板１０の外周部の方
が内周部よりも窒素ガスの流速が速くなるように設定し
た。ガス供給時には半導体基板１０を回転させ、かつそ
の回転方向は気流の方向と一致させた。この時、半導体
基板１０の回転数は５ｒｐｍ、現像液１６の表面回転数
は３５ｒｐｍであった。すなわち、半導体基板１０の回
転数に対する現像液１６の表面回転数（相対回転数）は
３０ｒｐｍであった。

【００２６】ここで、別途用意された半導体基板上にＩ
線レジスト膜を形成し、まばらに露光を行なった。そし
て、上記の相対回転数を再現し、溶解物の流れを観察し
た。この観察により、溶解物は半導体基板表面を１００
μｍ／ｓｅｃで移動することが確認された。なお、従来
例のように、単純に半導体基板を２５ｒｐｍで間欠回転
させた場合では、溶解物の移動速度は５μｍ／ｓｅｃ程
度であり、半導体基板表面ではほとんど液流動は生じな
いことも確認された。

【００２７】次に、６０秒の現像の後、窒素ガスの供給
を停止し、半導体基板の回転数を５００ｒｐｍまで引き
上げ、半導体基板上空から純水を注ぎ、リンスを行なっ
た。リンス終了後、純水の供給を停止し、半導体基板を
高速回転させて、純水を半導体基板表面から振り払い、
乾燥させた。最後に、半導体基板の回転を停止させた
後、半導体基板を搬送ロボットを用いて移動させて、薬
液処理を終了した。

【００２８】薬液処理終了後における、１３０ｎｍ孤立
残しレジストパターンの半導体基板面内での分布（３σ
値）は４．５ｎｍであり、気流形成を行なわない場合の
１０ｎｍと比べて、加工均一性を飛躍的に改善できた。

【００２９】本発明の第１の実施の形態において、薬液
１６の相対回転数は、３０ｒｐｍに限るものではなく、
１０ｒｐｍ〜６０ｒｐｍの範囲で適用可能である。より
好ましくは、３０〜４０ｒｐｍの範囲である。また、被
処理基板１０の外に薬液１６が放出されなければ、相対
回転数は６０ｒｐｍ以上であっても構わない。さらに、
連続回転である必要はなく、たとえば１０数秒ごとに９
０度回転させる間欠回転であっても良い。

【００３０】ガス供給部１８から供給されるガスとして
は、化学的に反応の乏しい不活性ガスであることが望ま
しい。たとえば、窒素ガス以外に、ヘリウムや、アルゴ
ンなどである。

【００３１】本発明の第１の実施の形態は、現像処理だ
けでなく、薬液をパドル形成して加工（エッチング）す
るものであれば、適用可能である。

【００３２】また、本発明の第１の実施の形態は、円形
の被処理基板を用いて説明したが、たとえば露光用のマ
スク基板や、液晶基板等の矩形基板にも適用可能であ
る。

【００３３】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。図９乃至図１１は、本
発明の第２の実施の形態に係る薬液処理方法を実現する
ための薬液処理装置の要部断面図であり、図２乃至図４
と同一または類似の部分には同一または類似の符号が付
してある。本発明の第２の実施の形態は、上記の第１の
実施の形態においては、被処理基板１０の外周部周辺に
配置されたガス供給部１８からガスを供給することで、
薬液１６の上方に気流を形成したが、この第２の実施の
形態では、薬液１６の上方に配置された回転体の回転に
よって、気流を形成する例である。以下、図１、図９乃
至図１１を用いて本発明の第２の実施の形態を説明す
る。

【００３４】（１）図９（ａ）に示すように、前工程の
終了した被処理基板１０は、搬送ロボット（図示しな
い）によって基板保持部１２の上部に搬送される。そし
て、被処理基板１０は、搬送ロボットから離れ、基板保
持部１２に受け渡される。被処理基板１０は、吸引によ
って、基板保持部１２に固定される（ステップＳ１０
１）。

【００３５】（２）次に、図９（ｂ）に示すように、被
処理基板１０上の被加工膜を加工する薬液１６を被処理
基板１０上に形成する。たとえば薬液は、被処理基板１
０の上方に配置される薬液吐出ノズル１４から供給され
る。薬液吐出ノズル１４は薬液１６を供給しつつ、被処
理基板１０の一端から他端に向かって被処理基板１０上
を走査する。それにより、被処理基板１０上に薬液膜１
６を形成する（ステップＳ１０２）。

【００３６】（３）次に、図１０（ａ）に示すように、
被処理基板１０の上方に配置された円板状回転体２８を
回転させて、被処理基板２０上の薬液膜１６の上方に気
流を形成する。円板状回転体２８は、被処理基板１０よ
り大きい円板であり、薬液膜１６の表面に接しないよう
に、被処理基板１０に近づけて配置される。円板状回転
体２８の中央部は中空となっており、開閉弁（図示しな
い）によって開閉可能である。ここで、気流形成時に基
盤保持部１２の回転によって被処理基板１０を回転させ
ても効果的である。この際、被処理基板１０の回転方向
は、気流の方向に沿うようにするのが良い（ステップＳ
１０３）。

【００３７】（４）次に、図１０（ｂ）に示すように、
被処理基板１０の上方に配置されたリンス液供給口２０
からリンス液（たとえば純水）２２を供給し、回転させ
ながら被処理基板１０を洗浄する（ステップＳ１０
４）。

【００３８】（５）最後に、図１１に示すように、被処
理基板１０を高速回転させることで、純水２２を被処理
基板１０から振り払い、被処理基板１０を乾燥させる
（ステップＳ１０５）。

【００３９】次に、本発明の第２の実施の形態に係る薬
液処理方法について、本発明者が行なった実験結果を用
いて説明する。まず、被処理基板１０である半導体基板
上に、６ｎｍの反射防止膜、４００ｎｍのレジスト膜、
を順次成膜した。さらに、露光装置を用いて、レジスト
膜上に選択的に潜像を形成した後、１３０℃、６０秒の
ベーキングを行なった。

【００４０】次に、薬液１６である現像液を半導体基板
１０上に供給し、半導体基板１０上に現像液膜１６をパ
ドル形成した。さらに、円板状回転体２８を半導体基板
１０上の現像液膜１６の表面に接しないように、具体的
には現像液膜１６の表面との距離を１５ｍｍとなるよう
に、半導体基板１０に近づけて回転させた。そして、半
導体基板１０上の現像液膜１６の表面回転数を４０ｒｐ
ｍとなるように、円板状回転体２８の回転数を調整し
た。この調整の際、回転体２８の開閉弁を開状態とし
た。また、１０ｒｐｍで半導体基板１０を随時回転させ
た。この時、円板状回転体２８の回転数は、４０００ｒ
ｐｍであった。

【００４１】次に、６０秒の現像の後、窒素ガスの供給
を停止し、半導体基板の回転数を５００ｒｐｍまで引き
上げ、半導体基板上空から純水を注ぎ、リンスを行なっ
た。リンス終了後、純水の供給を停止し、半導体基板を
高速回転させて、純水を半導体基板表面から振り払い、
乾燥させた。最後に、半導体基板の回転を停止させた
後、半導体基板を搬送ロボットを用いて移動させて、薬
液処理を終了した。

【００４２】薬液処理終了後における、１３０ｎｍ孤立
残しレジストパターンの半導体基板面内での分布（３σ
値）は４．５ｎｍであり、気流形成を行なわない場合の
１０ｎｍと比べて、加工均一性を飛躍的に改善できた。

【００４３】本発明の第２の実施の形態において、薬液
膜１６の上方に気流を形成する円板状回転体２８を、た
とえば図１２に示す、リング状回転体３０であっても良
い。また、図１３に示す、羽状回転体３２であっても構
わない。

【００４４】上記の実験では、現像液膜１６の表面回転
数を４０ｒｐｍとしたが、本発明は、その回転数はこの
値に限られるものではない。本発明者の実験によれば、
１０〜６０ｒｐｍの範囲で適用可能であった。また、円
板状回転体２８と半導体基板１０との距離も１５ｍｍに
限定されるものではない。さらに、各回転体２８，３
０，３２と薬液膜１６の表面との距離、回転体２８，３
０，３２の回転数は、所定の薬液膜１６の表面回転数が
得られ、薬液が１６が被処理基板１０の外に放出された
り、被処理基板１０の裏面に回り込まない限りにおい
て、如何なる条件に設定しても構わない。より望ましく
は、各回転体２８，３０，３２と薬液膜１６の表面との
距離は１０〜３０ｍｍ、各回転体２８，３０，３２の回
転数は、２０００〜６０００ｒｐｍ程度が良い。

【００４５】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施の形態を説明する。上記の第１の実施の形態で
は、ガス供給部１８によって薬液膜１６の上方に供給さ
れるガスは、窒素ガス等の不活性ガスのみであったが、
この第３の実施の形態では、さらにオゾン等のガスを添
加する例である。以下、本発明の第３の実施の形態につ
いて、本発明者が行なった実験結果を用いて説明する。

【００４６】まず、被処理基板１０である半導体基板上
に、６ｎｍの反射防止膜、４００ｎｍのレジスト膜、を
順次成膜した。さらに、露光装置を用いて、レジスト膜
上に選択的に潜像を形成した後、１３０℃、６０秒のベ
ーキングを行なった。

【００４７】次に、薬液１６である現像液を半導体基板
１０上に供給し、半導体基板１０上に現像液膜１６をパ
ドル形成した。さらに、ガス供給部１８から半導体基板
１０上に窒素ガスを供給し、現像液１６の表面に接触す
るように窒素ガスの気流を形成した。窒素ガスの流量
は、その流速が現像液膜１６の表面において、１５０〜
４００ｍｍ／ｓｅｃとなるようにし、かつ半導体基板１
０の外およびその裏面に現像液１６が回り込まないよう
に調節した。また、上記の図５（ｄ）に示したように、
ガス供給口１８を配置し、半導体基板１０の外周部の方
が内周部よりも窒素ガスの流速が速くなるように設定し
た。ガス供給時には半導体基板１０を回転させ、かつそ
の回転方向は気流の方向と一致させた。この時、半導体
基板１０の回転数は５ｒｐｍ、現像液１６の表面回転数
は３５ｒｐｍであった。すなわち、半導体基板１０の回
転数に対する現像液１６の表面回転数（相対回転数）は
３０ｒｐｍであった。

【００４８】ここで、別途用意された半導体基板上にＩ
線レジスト膜を形成し、まばらに露光を行なった。そし
て、上記の相対回転数を再現し、溶解物の流れを観察し
た。この観察により、溶解物は半導体基板表面を１００
μｍ／ｓｅｃで移動することが確認された。なお、従来
例のように、単純に半導体基板を２５ｒｐｍで間欠回転
させた場合では、溶解物の移動速度は５μｍ／ｓｅｃ程
度であり、半導体基板表面ではほとんど液流動は生じな
いことも確認された。

【００４９】次に、現像開始から４０秒経過後、ガス供
給部１８から供給される窒素ガス中にオゾンを２０ｐｐ
ｍ添加した。このオゾンの添加によって現像によって生
成される溶解生成物の細分化が図られる。そして、オゾ
ン添加から２０秒経過後、オゾンが添加された窒素ガス
の供給を停止し、半導体基板の回転数を５００ｒｐｍま
で引き上げ、半導体基板上空から純水を注ぎ、リンスを
行なった。リンス終了後、純水の供給を停止し、半導体
基板を高速回転させて、純水を半導体基板表面から振り
払い、乾燥させた。最後に、半導体基板の回転を停止さ
せた後、半導体基板を搬送ロボットを用いて移動させ
て、薬液処理を終了した。

【００５０】薬液処理終了後における、１３０ｎｍ孤立
残しレジストパターンの半導体基板面内での分布（３σ
値）は４．５ｎｍであり、気流形成を行なわない場合の
１０ｎｍと比べて、加工均一性を飛躍的に改善できた。
さらに、欠陥数も従来と比べて１０分の１まで低減する
ことができた。

【００５１】上記の実験では、窒素ガスに添加するオゾ
ンの濃度を２０ｐｐｍとしたが、本発明はこれに限るも
のではない。被加工膜（レジスト膜）に大きな寸法変動
や、形状異常を生じさせない濃度であれば、如何なる値
であっても構わない。また、添加するガスは、オゾン以
外にも酸素や、水素などを用いることが可能である。

【００５２】（その他の実施の形態）以上、本発明者ら
によってなされた発明を上記実施形態によって記載した
が、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を
限定するものであると理解すべきではない。この開示か
ら当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用
技術が明らかとなろう。

【００５３】たとえば、上記の第１乃至第３の実施の形
態において、現像液１６を半導体基板１０上にパドル形
成する前に、純水または希薄な現像液を半導体基板１０
上に滴下し、半導体基板１０の表面を改質処理しておけ
ば良い。半導体基板１０の表面（レジスト表面）が現像
液１６になじむようになり、パドル形成が容易となるか
らである。

【００５４】また、上記の第２の実施の形態の気流の形
成を、脱炭酸雰囲気中で実行すれば良い。気流中にＣＯ
_２が混入することを防止できるからである。

【００５５】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を包含するということを理解す
べきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な
特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定さ
れるものである。

【００５６】

【発明の効果】本発明によれば、薬液と直接接触するこ
となく、被処理基板上で薬液を移動させることで、薬液
の加工の均一性を向上させる薬液処理方法を実現でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薬液処理方法
の処理手順を示すフローチャートである。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る薬液処理方法
を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る薬液処理方法
を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態に係る薬液処理方法
を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【図５】図３（ａ）のガス供給部の配置例を示す図であ
る。

【図６】図３（ａ）のガス供給部のガス供給口の断面図
である。

【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薬液処理方法
を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薬液処理方法
を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薬液処理方法
を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薬液処理方
法を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る薬液処理方
法を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る薬液処理方
法を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る薬液処理方
法を実現するための薬液処理装置の要部断面図である。

【符号の説明】

１０被処理基板（半導体基板）１２基板保持部１４薬液吐出ノズル１６薬液１８ガス供給部２０リンス液供給口２２リンス液２４棒状ノズル２６ストレートノズル２８円板状回転体３０リング状回転体３２羽状回転体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工膜が形成された被処理基板上に、
該被加工膜を加工する薬液を供給し、前記被処理基板上
に薬液膜を形成する工程と、該薬液膜形成工程の後、前記薬液膜の表面と接触するよ
うに気流を形成することで、前記被処理基板上に前記薬
液膜を保持しつつ、前記薬液膜の表面に薬液の流れを形
成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする薬液処
理方法。
【請求項２】前記気流は、前記被処理基板の外周部周
辺に配置されたガス供給部から気流形成用ガスを、前記
被処理基板の上方に供給することで形成されることを特
徴とする請求項１に記載の薬液処理方法。
【請求項３】前記気流形成用ガスは、不活性ガスであ
ることを特徴とする請求項２に記載の薬液処理方法。
【請求項４】前記気流形成用ガスは、オゾン、酸素ま
たは水素のうちいずれかを含むことを特徴とする請求項
３に記載の薬液処理方法。
【請求項５】前記気流は、前記被処理基板の上方に配
置された回転体を回転させることで形成されることを特
徴とする請求項１に記載の薬液処理方法。
【請求項６】前記回転体の形状は、円板状、リング状
または羽状のうちいずれかであることを特徴とする請求
項５に記載の薬液処理方法。
【請求項７】前記薬液の流れを形成する工程は、脱炭
酸雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１に記載
の薬液処理方法。
【請求項８】前記薬液の流れを形成する工程では、前
記被処理基板を回転させることを特徴とする請求項１に
記載の薬液処理方法。
【請求項９】前記被処理基板の回転は、連続的または
断続的であることを特徴とする請求項８に記載の薬液処
理方法。
【請求項１０】前記被処理基板の回転方向は、前記気
流の方向に対して順方向であることを特徴とする請求項
９に記載の薬液処理方法。