JP4987220B2 - エッチング装置 - Google Patents
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Description
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記第1の処理ガス導入部の第1のノズル部が、前記第1の処理ガスを前記処理対象物の回転中心軸を通過させるように構成され、前記第2の処理ガス導入部の第2のノズル部が、前記第2の処理ガスを前記処理対象物の回転中心軸を通過させるように構成されているものである。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2のいずれか1項記載の発明において、前記第1のノズル部の導入口と前記第2のノズル部の導入口の少なくともいずれか一方は、その口径が複数の前記処理対象物間の間隔より小さいものである。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項記載の発明において、前記第1の処理ガス導入部が、前記第1のノズル部に設けられた前記導入口から前記第1の処理ガスを分散させて均一に噴出させるように設けられた分散部材を更に有するものである。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至4のいずれか1項記載の発明において、前記第1及び第2のノズル部が、前記処理対象物の中央部分から等しい距離の位置に設けられた導入口を有するものである。
さらにまた、第1及び第2のノズル部の少なくとも一方が、複数の導入口を有し、当該導入口の少なくともいずれか一方は、その口径が複数の処理対象物間の間隔より小さい場合には、処理後の面内均一性をより向上させることが可能になる。
加えて、第1の処理ガス導入部が、第1のノズル部に設けられた導入口から前第1の処理ガスを分散させて噴出させるための分散部材を更に有する場合には、第1のノズル部の導入口から第1の処理ガスを均一に噴出させることが可能になる。
図1は、本実施の形態をエッチング装置を示す斜視図、図2は、同エッチング装置の真空処理槽の内部構成を示す横断面図、図3は、図2のA−A線断面図である。
また、図4は、本発明の原理を示す説明図である。
シャワーノズル41の各導入口43は、例えば円形に形成されている。
H*+NF3→NHXFY(NH4FH、NH4FHF等)
NHXFY+SiO2→(NH4F)SiF6+H2O↑
すなわち、NHXFYと半導体ウェーハ10の表面の自然酸化膜(SiO2)が反応して反応生成物((NH4F)SiF6)が形成される。
(NH4F)2SiF6→NH3↑+HF↑+SiF4↑
以上述べたように本実施の形態によれば、基板10の中央部分、特に回転中心軸100を通過させるようにHラジカルとNF3をそれぞれ導く導入管31とシャワーノズル41を有していることから、HラジカルとNF3が基板10の中央部分において反応し、基板10の表面の周縁部に向って均一な状態で反応性中間生成物が生成されるようになるため、処理後の面内均一性を向上させることができる。
図5に示すエッチング装置を用い、半導体ウェーハの間において、各半導体ウェーハの回転中心軸を通過するように、HラジカルとNF3を導入して半導体ウェーハの表面をエッチング処理した。
Hラジカルの導入口の口径は3mm、NF3の導入口の口径は0.5mmとした。
第2のガス導入部のシャワーノズルのNF3の導入方向を対向させるようにした以外は実施例と同一の条件でエッチング処理を行った。
第2のガス導入部のシャワーノズルのNF3の導入方向を半導体ウェーハの外周(真空処理槽内壁)方向に向けるようにした以外は実施例と同一の条件でエッチング処理を行った。
Claims (5)
- 真空処理槽内に複数配置された処理対象物である半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をエッチングするエッチング装置であって、
前記真空処理槽に接続され、水素ラジカルを含有する第1の処理ガスを前記真空処理槽内に導入する第1の処理ガス導入部と、
第2の処理ガスとしてNF 3 ガスを前記真空処理槽内に導入する第2の処理ガス導入部とを備え、
前記第1の処理ガス導入部が、前記第1の処理ガスを前記真空処理槽内に導入する導入口を複数有する第1のノズル部を備え、当該第1のノズル部の複数の導入口から導入された前記第1の処理ガスを前記所定間隔で複数配置された処理対象物の間で且つ当該処理対象物の中央部分にそれぞれ導くように構成され、
前記第2の処理ガス導入部が、前記第2の処理ガスを前記真空処理槽内に導入する導入口を複数有する第2のノズル部を備え、当該第2のノズル部の複数の導入口から導入された当該第2の処理ガスを前記所定間隔で複数配置された処理対象物の間で且つ当該処理対象物の中央部分にそれぞれ導くように構成され、
前記第1及び第2のノズル部の導入口は、前記所定間隔で複数配置された処理対象物の間全てに位置するように設けられ、
前記処理対象物は、前記真空処理槽内において回転するように構成されているエッチング装置。 - 前記第1の処理ガス導入部の第1のノズル部が、前記第1の処理ガスを前記処理対象物の回転中心軸を通過させるように構成され、
前記第2の処理ガス導入部の第2のノズル部が、前記第2の処理ガスを前記処理対象物の回転中心軸を通過させるように構成されている請求項1記載のエッチング装置。 - 前記第1のノズル部の導入口と前記第2のノズル部の導入口の少なくともいずれか一方は、その口径が複数の前記処理対象物間の間隔より小さい請求項1又は2のいずれか1項記載のエッチング装置。
- 前記第1の処理ガス導入部が、前記第1のノズル部に設けられた前記導入口から前記第1の処理ガスを分散させて均一に噴出させるように設けられた分散部材を更に有する請求項1乃至3のいずれか1項記載のエッチング装置。
- 前記第1及び第2のノズル部が、前記処理対象物の中央部分から等しい距離の位置に設けられた導入口を有する請求項1乃至4のいずれか1項記載のエッチング装置。
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