JP4974452B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
前記第1の基板から前記被剥離層を剥離する工程と、第3の基板上に素子を形成する工程と、前記被剥離層と前記素子とを第2の接着材料で接着する工程と、前記第1の接着材料を除去して前記第2の基板を前記被剥離層から剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
ここでは、特開2003−174153に記載の金属膜と酸化珪素膜を用いた剥離方法を用いる。特開2003−174153に記載の剥離および転写技術は、基板に金属層を形成し、その上に酸化物層を積層形成する際、該金属層の酸化金属層を金属層と酸化物層との界面に形成し、この酸化金属層を利用して後の工程で剥離を行う剥離方法である。
上記実施の形態1は、単層の保護膜を主として説明を行った例であるが、ここでは応力緩和層を間に挟んで積層した保護積層膜を剥離、および転写を行う例を図2に示す。なお、保護膜を保護積層膜とした部分以外は全て上記実施の形態1と同じであるため、詳細な説明は省略する。また、図2において、図1と同一の部分は同じ符号を用いる。
上記実施の形態1は、保護膜をフィルム基板に転写してそのフィルム基板で封止する例であるが、ここでは保護膜のみを剥離、および転写を行う。なお、保護膜を形成する工程までは全て上記実施の形態1と同じであるため、詳細な説明は省略する。また、図3において、図1と同一の部分は同じ符号を用いる。
また、本発明は部分的に剥離、転写を行うことができる。その一例を図4に示す。図4では端子電極を露出させたまま、その他の領域には保護膜を転写する工程断面図を示している。
Claims (16)
- 第1の基板上に保護膜を形成し、
第2の基板を前記保護膜上に貼り合わせた後、前記第1の基板を除去し、
前記保護膜が第3の基板上に設けられた素子を覆うように、前記第2の基板と前記第3の基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上に保護膜を形成し、
第2の基板を前記保護膜上に貼り合わせた後、前記第1の基板を除去し、
前記保護膜を挟んで前記第2の基板と対峙するように、第3の基板を前記保護膜上に貼り合わせた後、前記第2の基板を除去し、
前記保護膜が第4の基板上に設けられた素子を覆うように、前記第3の基板と前記第4の基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上に保護膜を形成し、
第2の基板を前記保護膜上に貼り合わせた後、前記第1の基板を除去し、
前記保護膜が第3の基板上に設けられた素子を覆うように、且つ前記第3の基板上に設けられた端子部を覆わないように、前記第2の基板と前記第3の基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上に保護膜を形成し、
第2の基板を前記保護膜上に貼り合わせた後、前記第1の基板を除去し、
前記保護膜を挟んで前記第2の基板と対峙するように、第3の基板を前記保護膜上に貼り合わせた後、前記第2の基板を除去し、
前記保護膜が第4の基板上に設けられた素子を覆うように、且つ前記第4の基板上に設けられた端子部を覆わないように、前記第3の基板と前記第4の基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項3において、
前記第2の基板はプラスチック基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2または請求項4において、
前記第3の基板はプラスチック基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記保護膜は、溶液を塗布し焼成して得られるSOG膜であり、
前記第1の基板は、前記焼成の温度に耐えられる耐熱性基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記保護膜は、ポリシラザンを含む溶液を塗布し、焼成して得られるシリカ膜であり、
前記第1の基板は、前記焼成の温度に耐えられる耐熱性基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記保護膜は、ポリシラザンを含む溶液を塗布し、焼成して得られる窒化珪素膜であり、
前記第1の基板は、前記焼成の温度に耐えられる耐熱性基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記保護膜は、ポリシラザンまたはシロキサンポリマーを含む溶液を塗布し、焼成して得られる膜、光硬化性有機樹脂膜、または熱硬化性有機樹脂膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記保護膜は、PCVD法によって形成された無機絶縁膜、スパッタ法によって形成された無機絶縁膜、炭素を主成分とする薄膜、または金属酸化物膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記保護膜は、無機絶縁膜、有機樹脂膜、または無機絶縁膜と有機樹脂膜との積層膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一において、
前記素子はEL素子であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一において、
前記素子は、発光素子、または半導体素子を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一において、
前記素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一において、
前記素子は、セミアモルファス半導体を活性層とする逆スタガ型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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