JP4972503B2 - 半導体パワーモジュール - Google Patents
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Description
パワーモジュールのチップを接続する高温系はんだの場合、はんだ付け温度は400℃近くまで可能である利点を生かして、意図的にはんだ付け温度を高めて、ぬれ性を確保することを考えた。更に、パワーモジュールのPbフリーはんだにおいては、部品の耐熱性の問題はないので、チップ下はんだ接続時に、はんだ付け温度を少しでも上げられることが、ボイド対策,ぬれ性確保等の接続の歩留まり向上に繋がる。使える可能性のあるはんだの中で融点が最も高いものは、Sn−Sb系であり、これまではSb;5〜10%の組成の範囲で検討されてきたので、階層接続用としては固相線温度の235℃で制約される。
1−1)Sn−Sb組成の選定
Sn−(5〜10)SbはCuパイプの接続等に使われてきた組成であり、伸び、強度はSn−3.5Ag並みである。Sb;10%を過ぎると、徐々に伸びは低下してくるが、急激に低下するものではない。150℃での引張試験では、Sbが10%過ぎると、引張強さは上昇するが飽和気味になる。また、伸びは10%過ぎて低下するが、Sb;15%における伸びはSn並みであることから、特性として問題はないと思われる。これらの事実から、機械特性として、Sb;10%過ぎると徐々に硬くなる傾向になるが、20%までは使える範囲と考えた。従って、Sbの適正範囲は、11%以上,20%以下とした。
Sn系はんだの高温でのはんだ付け、及び高温での長時間の使用になるので、電極,基板へのアタック作用は強い。Cuベース基板,Cu電極を用いる場合、Cuをはんだ中に1〜5%入れることにより基板,電極に対するSnによるくわれ防止及び高温長時間放置に対しても化合物層を安定化させる役割を果たす。表面にNiめっき,Ni/Auフラッシュ等の場合、同様にはんだ中にCu,Niを添加することはCu電極の場合と同様な効果がある。Ni添加の場合は、はんだ中に固溶され難いので0.1〜0.5%程度で良い。また、Sn−Sb結晶粒の粗大化防止のため、Ge:0.01〜0.1%添加は微細化による改質及び酸化防止によるボイド低減化に効果が期待できる。この他、0.1%以上,1%以下のZn,Al,Ag,P,Bi添加もはんだ及び反応層改質の可能性がある。
2−1)Sn−Ag−Cu−In系におけるIn量の選定
セラミック絶縁基板と大型Cuベース基板との接続用Pbフリー低温系はんだ組成選定のため、可能性のある有望な組成についてのモデル試験片を用いた温度サイクル試験(−55〜125℃)によるはんだ寿命評価を行った。ある程度、予備実験ではんだ組成は絞った。ボイドの多いZn添加のはんだ(Sn−Zn系、及びSn−Ag−Cu系にZnの微量添加)は、現状プロセスではボイド率の目標をクリアできず、評価しても悪い結果になり、除外せざるを得なかった。Sn系はんだへの添加元素についての基本的な見方は、Sn中に固溶すると内部歪が増し更に硬くなるので、基板接続用はんだとして期待される変形性がなくなるので、Snより柔らかいIn以外の元素では難しいと考えている。
1.In;5%入れることで、Sn系はんだのクラック進展率が低下する。
2.Sn系はんだでも3%Ag入り((i))が、0%((ii)),1.5%入り((iii))より優れる。
3.Sn系のはんだは、従来のSn−37Pb共晶はんだに比べ、クラック進展率が大幅に増加する。
Inが添加されることで寿命が向上する理由は、クラック進展の断面観察によると、感覚的ではあるが、InなしのSn系においてはクラックが一平面上を直線的に進む傾向が強い(直感的にシャープな進展に見える)。引張試験において、一箇所に集中するネッキング現象が起き易いこと、また、ねじり試験においてはねじった方向(試験片に直角方向に)に直線的な破壊が起きる傾向があることからも、クラックが一箇所に集中する間接的証明である。一平面上をクラックが直線的に進む傾向、即ち、クラックパス部以外のはんだは応力緩和が少ないことを意味する。Inを入れることで、Snマトリクス全域はInがくまなく固溶しているので、周辺の応力状態はこのマトリクスを介して隣接のマトリクスに伝えられる。また、応力集中部でもミクロ的な応力分散効果が期待される。その結果、本来のSn系はんだの強さ,粘っこさが欠け,クラック進行方向以外にも応力を分散・開放することで、クラックの直線的進展を緩和することで、遅延効果が生まれるものと思われる(鋭さが欠けた進展に見える)。
Agが多い系はAg3Snの針状のネットワークを形成するので、高温でも強く、安定している針状のAg3Snが複合材の補強効果として存在している。この影響がクラック進展を阻止しているものと考える。この結果、(v)Sn−0.5Cu−5In,(vi)Sn−1.5Ag−0.5Cu−5Inは、Ag添加量の多い(iv)Sn−3Ag−0.5Cu−5Inより、クラック進展が速くなったと推定する。クラック進展防止にはAg量の効果より、In量の効果が顕著に優れるので、Ag添加の下限は0.1%とした。Ag添加の上限はコスト等を考慮し、実用的な範囲の4.5%とした。
Sn−Ag系にCuの適正値選定と同様である。即ち、Cuは1%以上入ると伸びが大きく低下することが知られている。ベース基板とセラミック絶縁基板接続用はんだの場合、チップ下はんだと異なり、通常、150℃以上での使用は少ないことが予想される。このため、Cuとの反応を抑える手段として、Cuの上限として2%とし、下限値として0.1%とした。下限が少なくて良い理由は、Cu板の溶け込みは必然的に起こるためである。合金層反応阻止より、大変形に対応できるためにはんだの機械特性を劣化させないことで選定した。
高信頼性が要求されるパワーモジュールとしては、添加すると急激に脆くなることが知られているBiは入れないことが基本である。しかし、約5%Inの中にBiを僅かに入れることで、作業性が改善(流動性が良くなり、ボイド低減化に繋がり、信頼性向上にも繋がる)される場合がある。その場合のBiの適正添加量は0.5〜1%程度である。Bi:1%以上では信頼性に影響を及ぼす脆さが現れるので、大変形に対応できなくなる。特にマイナス側の低温での衝撃吸収エネルギーの低下が顕著になる。
民生品,家電品を対象にした場合、低サイクル疲労試験ではSn−3Ag−0.5CuがSn−37Pb共晶より優れることは公知〔例えば、苅谷;はんだ材料の非線形特性と熱疲労信頼性,エレクトロニクス実装学会,Vol.8 No.2(2005)〕とされている。そこで、パワーモジュールの絶縁基板とベース基板とのはんだの温度サイクル試験で、Sn系はんだの寿命が大幅に低下する理由を考察した。パワーモジュールのはんだを挟むセラミック絶縁基板及びCuベース基板表面に歪ゲージを貼り付け、温度サイクル中における歪速度の測定を行った。
Sn−15Sbは硬めのはんだであることから、接続後の信頼性に課題がある。解決策として、はんだの熱膨張係数を下げることができれば、実装後、はんだに作用する応力,歪を下げることができる。そこで、低熱膨張係数で、熱伝導性に優れたカーボン繊維との複合構造にすることで高信頼化を図った。
1)間隙制御用金属ボール分散はんだ箔(基板側はんだ)
低温系Pbフリーはんだ箔を用いて、セラミック絶縁基板をCuベース大型基板にはんだ付けする場合、被接合体の重さも影響し、高温時につぶれ気味に傾いて接続される恐れがある。傾いて接続されないように、最小はんだ厚の確保のため、できる限り均一に分散されるように熱伝導性に優れた硬めのCuボール(微量元素添加)、はんだに食われにくく、かつ、ぬれ易くしたNi/Auフラッシュめっきを施した硬めのCuボール(例えば、径;50〜80μm)を、10mm□当たり約20個程度分散させる。
次に、セラミック絶縁基板とCuベース基板の接続部の温度サイクル寿命を、更に向上させる手段として、適正物性を有するエポキシ系樹脂で接合外周部を部分補強する方法を提案するものである。これにより、破壊メカニズムを変えさせ、はんだクラックの発生を阻止,遅延させることで、温度サイクルの寿命を大幅に向上させることができる。
図2はAlN絶縁基板8−Cuベース基板11構成において、Siチップ1とリード電極5間の接続は従来通り、Al線6のワイヤボンド方式で、チップのはんだ付けはSn−15Sbの第1のはんだ4である高温系はんだを、AlN基板のCu電極とCuベース基板との接続にはSn−3Ag−0.5Cu−5Inはんだを用いた構造である。ここでは実施例4で示したAlN基板周囲だけでなく、チップ下高温系Sn−15Sbはんだの変形を物性を特定化したエポキシ系樹脂19で抑え、はんだに作用する歪を小さくすることで、寿命向上が期待できる高信頼化構造とした。樹脂物性としては、AlN保護がSiチップ保護に換わっただけで、樹脂の機能は実施例4に示したものと同じである。Siチップの場合はSiチップ表面の素子部部の保護が重要なので、Siチップ周囲を塗布することになる。また、チップごとの個別実装とすることで、モジュール全体封止に比べ、樹脂,モジュールへの応力的負担を軽減する構造でもある。モジュールが小型であれば、ポッテイング,モールド方式でモジュール全体を樹脂封止することが、コストの面でも望ましい。しかし、チップが離れている場合、または大型構造の場合、個別チップ樹脂補強実装もしくはチップ周辺の部品を含む樹脂補強実装で高信頼性を確保することも必要になる。
図3(a)(b)は更に高出力パワー半導体素子が使用される場合の例である。Alのワイヤボンドの代わりに、Siチップ1の裏面(上側)とCu冷却板17とをはんだ15で接続する。図3(a)は該Cu冷却板がベローズ状の応力緩和機能を有したリード構造で、図3(b)はリードを2段にして曲げ変形による応力緩和機能を有するリード構造である。リード構造は端子の関係で、分割される場合がある。リード他端はAlN基板上の他のCu電極上に第2のはんだ16ではんだ付けされる。チップ上の熱は一部、このバイパス回路を経てチップ下から離れたAlN基板の他のCu電極7上に伝わるので、全体として熱効率は優れる。はんだ組成はチップ下をSn−15Sbはんだ、基板側をSn−3Ag−0.5Cu−5Inはんだとし、Cuリード部とCu電極との接続はSn−3Ag−0.5Cuはんだのペーストを用いた後付けも可能である。Cuリード部が後付けの場合は、基板側のSn−3Ag−0.5Cu−5Inはんだは再溶融するが、はんだ中の金属ボールで再溶融後のはんだ厚さは確保される。Cuリード部は低温の基板側はんだと同時に接続することも可能である。チップ上はんだ15は、Sn−15Sbはんだで同時に接続することも可能である。また、低温の基板側はんだと同時に、Sn−3Ag−0.5CuもしくはSn−3Ag−0.5Cu−5In、もしくはSn−Cu系(融点;228℃)等での接続も可能である。素子の温度上昇が高く厳しい場合は、Sn−15Sbはんだを用い、チップ下はんだと同時に接続するのが望ましい。
図4は高出力パワー半導体素子を両面から水冷却する構造の断面構造を示す。パワー半導体素子の高い発熱密度に対応したパワーモジュールをPbフリー階層はんだを用い、高信頼で実装するための具体例を示す。第1のSiチップ1a及び第2のSiチップ2aの両面にSn−15Sbはんだ箔を搭載もしくは敷いて、AlN絶縁基板8のCu電極7に位置決めし、治具で固定し、水素炉を用いてリフローさせる。その際、Cuのリード電極5とCu電極7のはんだ付けも同時に接続しても良い。Sn−15Sbはんだで同時に接続できれば、Cuベース基板11とAlN絶縁基板8間を低温系はんだでの温度階層接続が可能になる。後付けするなら、低温系はんだで、Cuベース基板11とAlN絶縁基板8のCu電極7とのリフロー時に、同時に同一低温系はんだで接続しても良い。なお、低温系はんだのピーク温度を235〜240℃にすることは可能なので、Cuのリード電極5とCu電極7のはんだ付け用の組成は汎用的に用いられているSn−3Ag−0.5Cuでも可能である。この場合、Cuベース基板11とAlN絶縁基板8のCu電極7間はSn−3Ag−0.5Cu−5Inで、Cuのリード電極5とCu電極7とはSn−3Ag−0.5Cuを用いて、同時に後付けすることになる。なお、図4では2本のCuのリード電極7間が狭く見えるが、実際は奥行き方向にずらせるので、間隙の問題はない。Cuのリード電極5とCu電極7とはペースト(洗浄レスのペースト接続法も可能な状況にある)での接続が可能である。
1a 第1のSiチップ
2a 第2のSiチップ
3 端部補強樹脂
4 第1のはんだ
5 リード電極
6 Al線
7 Cu電極
8 AlN絶縁基板
9 樹脂
10 第3のはんだ
11 Cuベース基板
12 冷媒(水)
13 ヒートシンク
14 デインプル穴
15 チップ上はんだ
16 第2のはんだ
17,18 Cu冷却板
19 エポキシ系樹脂
20 シリコーンゲル
21 樹脂接着
22 樹脂ケース
23 アルミナ基板
Claims (11)
- ベース基板とAlN絶縁基板及び半導体チップがはんだで接続されてなる半導体パワーモジュールにおいて、
前記半導体チップとAlN絶縁基板とのはんだ付けに、Sb:11〜20mass%、残りSnからなる高温系鉛フリーはんだを用い、前記AlN絶縁基板とベース基板とのはんだ付けに、Ag:0.1〜4.5mass%,Cu:0.1〜5.0mass%,In:3〜7mass%、残りSnからなる低温系鉛フリーはんだを用いたことを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 前記高温系Sn−Sb系はんだにCuが0.1〜5mass%含まれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記高温系Sn−Sb系はんだにBi,Zn,Ge,Ni,Al,Ag,P,Inが少なくとも1種類以上、0.01〜1mass%含まれていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体パワーモジュール。
- 前記低温系はんだにBi,Zn,Ge,Ni,Al,Sb,Pが少なくとも1種類以上、0.01〜1mass%含まれていることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の半導体パワーモジュール。
- 請求項1乃至4の何れかに記載の鉛フリーはんだで、シリコーンゲルで充填されてなる半導体パワーモジュールにおいて、
前記AlN絶縁基板とベース基板とのはんだ付け端部周囲、及びその周囲の前記AlN絶縁基板の周囲とその周囲の前記ベース基板表面の一部を包むようにエポキシ系樹脂を部分被覆したことを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項1乃至4の何れかに記載の鉛フリーはんだで、シリコーンゲルで充填されてなる半導体パワーモジュールにおいて、
前記AlN絶縁基板とベース基板とのはんだ付け端部周囲、及びその周囲の該AlN絶縁基板の周囲とその周囲のデインプル溝加工が施された前記ベース基板表面の一部を包むようにエポキシ系樹脂を部分被覆したことを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 前記半導体チップ及びチップ周辺は、エポキシ系樹脂で被覆されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の半導体パワーモジュール。
- 請求項7において、
前記半導体チップ及びチップ周辺は、エポキシ系樹脂で塗布前にポリイミドを予め薄く塗布されていることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項1乃至8の何れかにおいて、
前記半導体チップ上面に冷却板リードをはんだ付けし、前記半導体チップと一体化して樹脂補強、もしくはチップ周辺部を予めポリイミドを塗布後に樹脂補強することを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 前記請求項1乃至9の何れかにおいて、
前記高温系Sn−Sb系はんだの中に、低熱膨張繊維を5〜20vol%含ませたことを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 前記請求項1乃至10の何れかにおいて、
前記低温系はんだ中に50〜100μmのCu粒子、もしくは表面にNi,Ni/Auフラッシュめっきを施したCu粒子、もしくはNi粒子を分散させたことを特徴とする半導体パワーモジュール。
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