JP4968849B2 - レーザ加工方法 - Google Patents
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Description
[1]ワーク(半導体ウェーハ)
図1は、本実施形態での加工対象である薄板状のワークを示している。このワークはシリコン等を材料とする円盤状の半導体ウェーハ(以下、ウェーハと略称)である。このウェーハ1は、例えば、厚さが200μm程度、直径が200mm程度のものである。ウェーハ1の外周部の一部には、結晶方位を示すマークとしてオリエンテーションフラット2が形成されている。
レーザ加工装置10は基台11を有しており、この基台11上には、XY移動テーブル12が、水平なX軸方向およびY軸方向に移動自在に設けられている。このXY移動テーブル12の上に上記チャックテーブル41が設置されており、XY移動テーブル12がX軸方向やY軸方向に移動することにより、レーザヘッド52からウェーハ1の分割予定ラインA,Bに沿ってレーザ光線が照射されるようになっている。
次に、上記構成のレーザ加工装置の動作を説明する。
図2に示したようにダイシングテープ4を介してダイシングフレーム5に保持されたウェーハ1は、カセット90に複数収容され、カセット90は、紫外線照射ユニット80の上に装着される。そして、ボールネジ82の回転によって紫外線照射ユニット80が移動し、カセット90内の例えば最下段のウェーハ1がチャック73と対向する位置で静止する。すると、アーム72が当該ウェーハ1側へ移動し、ウェーハ1を支持しているダイシングフレーム5を把持する。そして、チャック73はY軸方向へ移動し、ダイシングフレーム5をウェーハ1ごとカセット90から抜き出してワーク台71の段部71aに載置する。
光源:LD励起QスイッチNd:YV04
波長:355nm
平均出力:1W
繰返し周波数:100kHz
加工送り速度:600mm/s
1の切断予定ラインに対して2パス
<フルカット加工条件>
光源:LD励起QスイッチNd:YV04
波長:355nm
平均出力:10W
繰り返し周波数:10kHz
加工送り速度:200mm/s
1の切断予定ラインに対して2パス
4…ダイシングテープ(紫外線硬化テープ)
5…ダイシングフレーム(フレーム)
41…チャックテーブル(保持手段)
50…レーザ加工手段
70…紫外線照射手段
80…紫外線照射ユニット
Claims (1)
- フレームに配設された粘着性を有する紫外線硬化テープに裏面側が貼着されたワークを保持した状態で前記ワークにレーザにより加工を施すレーザ加工方法において、
前記ワークにレーザ加工を施す前に、前記紫外線硬化テープに紫外線を照射して粘着性を低下させ、前記レーザ加工を、355nmの波長を有するレーザ光線を前記ワークの表面側から照射して行うことを特徴とするレーザ加工方法。
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