JP4967502B2

JP4967502B2 - 電気接続用バンプ形成方法、電気接続用バンプ及び電子部品の接続方法

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Publication number: JP4967502B2
Application number: JP2006205278A
Authority: JP
Inventors: 正浩杉浦
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 2006-07-27
Filing date: 2006-07-27
Publication date: 2012-07-04
Anticipated expiration: 2026-07-27
Also published as: JP2008034562A

Description

本発明は電気接続用バンプに関し、特に電気接続用バンプとその形成方法とそれを用いた電子部品の接続方法に関する。

従来、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）に電子部品の電気接続用バンプ（以下、単にバンプともいう。）の平坦な頂面を接触させ、異方性導電フィルム内に混入している金属粒子を接続対象の部品の配線に突き刺すことにより２つの部品を電気的に接続する方法が知られている。この方法では、接続抵抗がバンプ頂面の平坦度に依存するために接続抵抗が不安定になり、また、高い荷重や熱を加えて接合する必要があるために部品を損傷するおそれがある。

特許文献１には、バンプに鋭利な端部を形成し、接続対象の部品の配線にバンプを直接突き刺すことにより、接続抵抗を安定化する技術が開示されている。しかし、特許文献１に開示されたバンプの形成方法によると、塑性加工や引きちぎり加工によってバンプを形成するため、１００μｍ×１００μｍ未満の微細なバンプを高精度に歩留まり良く加工することが困難である。また、部品毎にこのような機械加工を施すことは部品の製造コストを増大させる。

特許文献２に開示されているバンプの形成方法も塑性加工によるものであるため、同様の問題を含んでいる。

特許文献３には、リソグラフィを用いて突部を多数のバンプに一度に形成する方法が開示されている。しかし、突部を形成するためのレジストの開口部の微細化には限界があるため、この方法で先端が非常に鋭利なバンプを形成することは難しい。

また特許文献３には、等方性エッチングによりバンプの角を除去する方法も開示されている。しかし、等方性エッチングでは、ウェハ上で生ずる侵蝕速度の偏りのため、バンプの高さを均等にそろえることが困難である。また、バンプ間の間隔がバンプの高さの２倍未満に狭くなるとバンプを完全に先鋭化できない。さらにウェットエッチングでは侵蝕できる材料が限定される。

また特許文献３には、インクジェット印刷技術を用いたバンプの形成方法も開示されている。しかし、噴射可能な流動性のある金属スラリーや金属ペーストの液滴は、着弾後に流動するため、この方法で鋭利なバンプを形成することは困難である。またこの方法でバンプに高い硬度を持たせることは困難である。また、この方法によると、バンプの微細化への適用限界はインクジェットヘッドの位置制御精度に依存する。
特開２００１−２６７３５９号公報特許３３７０８４２号公報特開２００４−３６３１７６号公報

第一の発明は、微細な電気接続用バンプの接続を安定化し、その製造コストを低減することを目的とする。
第二の発明及び第三の発明は、微細な電気接合を安定化することを目的とする。

（１）上記第一の発明に係る電気接続用バンプ形成方法は、基板上に複数のバンプ原形を形成し、前記バンプ原形の上部が露出する保護膜を前記基板上に堆積し、前記保護膜から露出している複数の前記バンプ原形の前記上部の角をイオンミリングにより集中侵蝕して前記バンプ原形を先鋭化する、ことを含む。
この電気接続用バンプ形成方法は次の効果を奏する。イオンミリングされる角部では一般にイオンの突入方向に対して傾いた方向で最もミリング速度が高くなる。したがって、イオンミリングにより、バンプ原形の上部角を集中侵蝕し、先鋭で微細なバンプを形成することができ、また、バンプ原形の間隔が狭くてもバンプ原形を先鋭化することができる。イオンミリングではウェハ上に形成されている多数のバンプ原形の上部の角を一度に侵蝕できるため、先鋭で微細なバンプの製造コストを低減できる。またイオンミリングは、対象面における侵蝕速度の偏りが小さく、侵蝕可能な材料も幅広く存在する。このように形成された先鋭なバンプを接続対象部品の配線や電極に直接突き刺すことにより部品間の電気接合を安定化することができるし、接合に必要な加重を低減することができるし、接合時に加熱する必要がなくなる。またこのように形成された先鋭なバンプを接続対象部品に突き刺すことにより接続対象部品の中間層に形成されている配線や表裏両面に形成されている配線や電極とバンプとを電気的に接続することもできる。尚、イオンミリングとは、対象面での化学反応を必要とせず、イオンボンバードメントによって侵蝕が進行する表面処理をいうものとする。

（２）上記第一の発明に係る電気接続用バンプ形成方法は、複数の前記上部の近傍においてターゲット膜を前記保護膜上に堆積し、前記イオンミリングにより、前記ターゲット膜から脱離する粒子を前記上部の側面に堆積させ、前記保護膜を選択的に除去する、ことを含んでもよい。
この電気接続用バンプ形成方法によると、イオンミリングによりバンプ原形の上部の角部が侵蝕されるのと平行してターゲット膜から脱離する粒子がバンプ原形の上部側面に堆積するため、バンプ原形の上部側面には先端から基端に向かって突出高さが増大する突部が形成される。イオンミリング工程においてバンプ原形の下方を被覆していた保護膜が選択的に除去されると、先鋭化した先端と側方に突出した突部と保護膜で被覆されていた部分とで構成される矢の形状が形成される。このように形成される矢の形状を有するバンプを接続対象部品に突き刺し突部を接続対象部品に完全に埋没させるか接続対象部品を貫通すると接合強度が高くなる。

（３）上記第一の発明に係る電気接合用バンプ接合方法は、前記基板上に前記バンプ原形の基部を形成し、前記基部の頂面の一部上に前記バンプ原形の前記上部を形成し、前記頂面の残部の前記上部に対する近接部を被覆し前記残部の前記上部に対する非近接部を露出させる前記保護膜を前記基板上に堆積し、前記イオンミリングにより、前記保護膜から露出している前記非近接部から脱離する粒子を前記上部の側面に堆積させ、前記保護膜を選択的に除去する、ことを含んでもよい。
この電気接続用バンプ形成方法によると、バンプ原形の上部と基部の頂面の一部とが露出した状態でイオンミリングが実施される。バンプ原形の基部の頂面の一部からはイオンミリングにより粒子が脱離し、脱離した粒子がバンプ原形の上部側面に堆積する。その結果、先鋭化したバンプ原形の側面に突部が形成される。このように形成される先鋭な先端と突部とを有するバンプを接続対象部品に突き刺し、突部を接続対象部品に完全に埋没させるか接続対象部品を貫通すると接合強度が高くなる。

（４）上記第二の発明に係る電気接続用バンプは、先鋭な軸部と、前記軸部から前記軸部の側方に突出し前記軸部の先端から基端に向かって突出高さが高くなる突部とを備える。
この電気接続用バンプによると、その軸部を接続対象部品に突き刺し、接続対象部品の表面にその突部を接続対象部品に完全に埋没させるか接続対象部品を貫通すると、接合強度が高くなり、微細な電気接合を安定化することができる。また、軸部を接続対象部品に突き刺すことにより接続対象部品の中間層に形成されている配線や表裏両面に形成されている配線とバンプとを電気的に接続することもできる。また突部は軸部の先端から基端に向かって突出高さが高くなるため、この電気接続用バンプは、接合対象部品に突き刺すために必要な加重は小さく、接合対象部品から抜くために必要な加重は大きい。したがってこの電気接続用バンプによると、部品に大きな負荷をかけることなく強固な接合が得られる。

（５）上記第二の発明に係る電気接続用バンプは、基部をさらに備え、前記軸部は、前記基部の頂面の一部上に形成され前記基部より硬い導電性材料からなってもよい。
この電気接続用バンプによると、接合対象部品に突き刺さる軸部が基部より硬い導電性材料からなるため、接合部の貫通力が高い。

（６）上記第三の発明に係る電子部品の接続方法には、上記第二の発明が用いられる。すなわち上記第三の発明に係る電子部品の接続方法は、第一の部品に備わる前記軸部によって第二の部品を貫き通すことにより、前記電気接続用バンプと前記第二の部品に設けられている配線とを電気的に接続するとともに前記突部を前記第二の部品の表面に掛け止める、ことを含む。
この電子部品の接続方法によると、微細な電気接合を安定化することができる。また、接続対象部品の中間層に形成されている配線や表裏両面に形成されている配線とバンプとを電気的に接続することもできる。

尚、請求項において「〜上に」というときは、技術的な阻害要因がない限りにおいて「上に中間物を介在させずに」と「〜上に中間物を介在させて」の両方を意味する。また、請求項に記載された動作の順序は、技術的な阻害要因がない限りにおいて記載順に限定されず、同時に実行されても良いし、記載順の逆順に実行されても良いし、連続した順序で実行されなくても良い。

以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。
・バンプの製造方法
・・第一実施形態
図１は電気接続用バンプの製造方法の第一実施形態を示す断面図である。
はじめに図１（Ａ）に示すようにバンプ原形の基部１０が基板１６上に形成される。詳細には、基板１６の表面全体にシード層１４が形成され、シード層１４の上に第一ホトレジスト１２を用いてバンプ原形の基部１０がメッキにより複数形成される。具体的には例えば、スパッタや蒸着により１μｍ以下のＮｉやＣｕなどの金属膜を基板１６上に堆積させる。次に第一ホトレジスト１２が塗布され、露光・現像工程により基部１０のパターンに対応する複数の開口部が第一ホトレジスト１２に形成される。次に第一ホトレジスト１２に形成された開口部内に例えば電気メッキにより金属膜を堆積させることにより複数の基部１０が形成される。基部１０の膜厚は例えば１〜５０μｍとする。

次に図１（Ｂ）に示すように基部１０の頂面の一部（例えば中央部）上にバンプ原形の上部１８が形成される。詳細には前工程で用いた第一ホトレジスト１２が除去された後、第二ホトレジスト１３を用いてバンプ原形の上部１８が例えばメッキにより複数形成される。具体的には例えば、第一ホトレジスト１２はＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、アセトン、１規定の水酸化ナトリウムなどを用いて除去される。次に第二ホトレジスト１３が塗布され、露光・現像工程により上部１８に対応する開口部がホトレジスト１３に形成される。第二ホトレジスト１３の膜厚は基部１０と上部１８の合計膜厚よりも厚い膜厚（例えば１０〜１００μｍ）とする。次に第二ホトレジスト１３の開口部内に例えば電気メッキにより金属膜を堆積させることにより上部１８が形成される。バンプ原形の上部１８の材料は、基部１０の材料と同一でも良いし異なっても良い。例えば剛性や硬度が要求される上部１８の材料としてＰｄやＲｈやＲｕやＩｒを選択し、電気抵抗を低減するために基部１０の材料としてＣｕを選択しても良い。

一般にバンプ材料としてはＡｕが多用される。しかし本実施形態では先端が接続対象に突き刺さるバンプを形成するため、バンプの表面に形成される酸化被膜や汚れが接続時に除去される。したがって、本実施形態ではＡｕよりも化学的安定性の低い導電性材料を選択したり、膜応力や電気抵抗や硬度や密着性や形成効率などを考慮して最適な導電性材料を選択することができる。具体的には例えばＣｕやＮｉやＮｉＦｅやＮｉＣｏや他の合金や、硬質なＰｄやＲｈやＲｕやＩｒをバンプ原形の材料として選択することもできる。さらに、バンプ表面が導電性を有していればよいため、絶縁材料や半導体材料を用いてバンプ原形の基部１０や上部１８を形成しても良い。この場合、バンプ原形の上部１８を先鋭化した後にバンプ原形の表面に導電膜を形成する工程が別途必要になる。
また、上述したように２つのパターンのホトレジストを用いて段付きのバンプ原形を形成する必要は必ずしもなく、バンプ原形は単純な柱形状であってもよい。

次に図１（Ｃ）に示すように、イオンミリングによる侵蝕対象領域以外を保護する保護膜２０が形成される。詳細には、第一のホトレジスト１０と同様に第二ホトレジスト１３が除去された後に第三のホトレジストが塗布され、露光・現像工程によりバンプ原形の上部１８の先端部のみが露出する第三のホトレジストのパターンが形成され、第三のホトレジストをベークしてイオンミリングに対する耐久性を向上させることにより保護膜２０が形成される。保護膜２０が厚い場合には後続のイオンミリングの進行が阻害されるため、保護膜２０はバンプ原形の基部１０を保護可能な最小の膜厚とする。厚い保護膜２０によってイオンミリングの進行が阻害される理由はイオンミリングされることによりホトレジストから脱離した粒子が侵蝕対象であるバンプ原形の上部１８に再付着することによるものと考えられる。具体的には例えば、バンプ原形の基部１０の膜厚が１０μｍ、上部１８の膜厚が１５μｍの場合、保護膜２０の膜厚は１０μｍ程度が最適である。ホトレジストのベーク条件は例えば１５０℃／６０分とする。

次に図１（Ｄ）に示すように、イオンミリングによりバンプ原形の上部１８の角が集中侵蝕され、複数のバンプ原形の上部１８の先端が同時に先鋭化される。イオンミリングされる角では、ガスやバンプ原形の材料の組み合わせにもよるが、一般にイオンの突入方向に対して４５度傾いた方向で最も侵蝕速度が高くなる。具体的には例えばＡｒガスを用い、基板１６の表面に対して垂直な方向に電界を形成すると、Ｎｉ合金からなるバンプ原形の上部１８の角は４５度の傾斜面に成形される。

バンプ原形の上部１８の先鋭度は、イオンミリングの終点制御によって正確に管理することができる。すなわち、上部１８の先端が点になるまで先鋭化しても良いし、上部１８の先端に微少な面が残存する状態で先鋭化を終了させても良い。具体的には例えば、バンプ原形の上部１８が円柱形であって基板１６の表面に対して垂直な方向にイオンが突入し角において突入方向に対して４５度方向に侵蝕が進行する場合、バンプ原形の上部１８の半径以上の深さ（基板１６の表面に対して垂直な方向を深さとする。）に侵蝕する終点制御により、上部１８の先端を点形状にすることができる。

最後に第一のホトレジスト１０と同様に保護膜２０を除去し、シード層１４の不要部を除去すると、図１（Ｅ）に示すバンプ１９が完成する。尚、シード層１４は、基部やバンプの電気メッキの通電を目的とするものなので、保護膜２０の形成前に除去しても良い。この場合、保護膜２０に完成後の配線保護機能等を担わせることもできるため、保護膜２０は必ずしも除去しなければならないものではない。

本実施形態によると、イオンミリングによりバンプ原形を先鋭化するため、微細なバンプであっても先鋭化することができ、多数のバンプ原形を一度に先鋭化することができ、バンプ形状の再現性に優れ、バンプ原形の材料の選択幅が広い。従って、本実施形態によると、用途に応じた機械的特性や電気的特性を持ち接続抵抗の安定した微細な電気接続用バンプを歩留まり良く低コストで製造することができる。

・・第二実施形態
図２は電気接続用バンプの製造方法の第二実施形態を示す断面図である。第二実施形態は第一実施形態で説明した図１（Ｃ）に示すように保護膜２０を形成した後、イオンミリングを実施する前に図２（Ａ）に示す工程を実施する。

すなわち、図２（Ｃ）に示す突部３０を形成するために、イオンミリングの実施前に保護膜２０上にターゲット膜２２を形成する。ターゲット膜２２は突部３０をイオンミリングによる脱離後の再付着で堆積する粒子２４を供給するための膜である。したがって、ターゲット膜２２はバンプ原形の上部１８の近傍領域（望ましくは近接領域）上に形成されればよく、必ずしも保護膜２０の全面を被覆する必要はない。
突部３０自体には必ずしも導電性は必要でない。したがって、ターゲット膜２２の材料は金属に限定されるものではなく、要求される電気的特性、硬度、柔軟性、弾性などに応じて金属、樹脂、半導体、ガラスなどを採用すればよい。

ターゲット膜２２の形成方法としては例えばスパッタを用いるが、ＣＶＤ法でも他のＰＶＤ法でもよい。ステップカバレッジ特性によって突部３０の形状が異なるため、突部３０に要求される機械特性に応じて成膜法を選択すればよい。ターゲット膜２２の膜厚は先鋭化のためのイオンミリング工程で除去できるように設定することが望ましい（例えば１０μｍ以下）。

次に第一実施形態と同様にイオンミリングを実施すると、バンプ原形の上部１８に堆積しているターゲット膜２２が侵蝕された後にバンプ原形の上部１８も侵蝕される。このとき、バンプ原形の上部１８からターゲット膜２２が完全に除去されるように終点制御しても良いし、バンプ原形の上部１８にターゲット膜２２が残存するように終点制御しても良い。すなわち、完成状態においてバンプ３１の先端はバンプ原形の上部１８によって構成されていても良いし、ターゲット膜２２によって構成されていても良い。後者の場合、請求項に記載のバンプ原形の上部は本実施形態でいうところのバンプ原形の上部１８とターゲット膜２２に相当することになり、請求項に記載された発明の範囲から後者の形態が除外されるわけではない。

図２（Ｃ）に示すように、イオンミリングによりバンプ原形の上部１８（若しくはその上に堆積しているターゲット膜２２）の先鋭化が進行しているとき、保護膜２０上に堆積しているターゲット膜２２から脱離した粒子２４がバンプ原形の上部１８の側面（若しくは上部１８の側面に堆積しているターゲット膜２２の表面）に再付着しバンプ原形の上部１８側面に突部３０が形成される。粒子２４の脱離面に近いほど粒子２４の再付着が起こりやすいため、バンプ原形の上部１８の側面（若しくは上部１８の側面に堆積しているターゲット膜２２の表面）に堆積する膜の厚さは保護膜２０に近いほど厚くなる。その結果、バンプ原形の上部１８の側面には図２（Ｃ）に示すように接続対象に突き刺しやすく抜けにくい形状の環状の突部３０が形成される。
イオンミリングの終点制御は保護膜２０上にターゲット膜２２が残存しないように行う必要があるため、突部３０の突出量とバンプ先端の先鋭度の関係はターゲット膜２２の膜厚によって制約される。

次に保護膜２０を第一実施形態と同様に図２（Ｄ）に示すように除去すると先端が先鋭になったバンプ原形の上部１８で構成される軸部と軸部の側面に突部３０が形成されたバンプ３１が完成する。

本実施形態によると、バンプ３１の軸部１８の側面に軸部１８から突出する方向に突部３０が形成されるため、接続対象の部品に突部３０が埋没するまで軸部１８を接続対象の部品に突き刺すことにより強固な接合が得られるバンプ３１を形成することができる。また、突部３０は軸部１８の先端から基端に向かって突出高さが高くなるため、本実施形態によって形成されるバンプ３１は、接続対象部品に突き刺すときに必要な加重が小さく、抜くために必要な加重が大きい特性を持つものになる。したがって本実施形態によると、部品に大きな負荷をかけることなく強固な接合を得られるバンプ３１を形成することができる。

・・第三実施形態
第二実施形態で説明したターゲット膜２２を用いずに軸部１８の側面に突部３０を形成する方法を第三実施形態として説明する。図３及び図４は第三実施形態を示す断面図である。

まず図３（Ａ）に示すように第一実施形態と同様にバンプ原形の基部１０及び上部１８を形成する。

次に図３（Ｂ）に示すように、バンプ原形の基部１０及び上部１８の上にイオンミリング工程の保護膜として機能する第一保護膜３２を形成する。第一保護膜３２の材料はその除去工程においてバンプ原形等の非除去対象に対する選択性があり、対称面の凹部角の上で断面Ｌ字型の膜が形成され、バンプ原形の上部１８の側面上の膜厚がバンプ原形の基部１０の頂面上の膜厚よりも薄くなるものが望ましい。具体的には例えばそのような特性を持つ材料としてＣｕが選択される。膜の形成方法についても、同様の断面形状の第一保護膜３２が得られるスパッタや蒸着が望ましい。

次に図３（Ｃ）に示すように、バンプ原形の基部１０の上部１８に対する近接部のみを残して第一保護膜３２を除去するためのホトレジスト３４を第一保護膜３２上に形成する。

次に図３（Ｄ）に示すように第一保護膜３２のホトレジスト３４に被覆されていない部分を選択的に除去した後に第一実施形態と同様にホトレジスト３４を除去する。

次に図３（Ｅ）に示すようにバンプ原形の基部１０の頂面より下方にホトレジストを用いて第二保護膜３６を形成する。

次に図４（Ａ）に示すように、第一実施形態と同様にイオンミリングによりバンプ原形の上部１８を先鋭化する。このとき図４（Ｂ）に示すように露出しているバンプ原形の基部１０の頂面の上部１８に対する非近接部からイオンミリングによって粒子４０が脱離する。このように脱離した粒子４０はバンプ原形の上部１８の側面の第一保護膜３２に被覆されていない部分に再付着し堆積する。第二実施形態と同様に、粒子４０の堆積により形成される突部３０の膜厚は上部１８の先端から基端に向かって厚くなる。また、第一保護膜３２の表面でもイオンミリングによって粒子４１の脱離が発生する。しかし、バンプ原形の上部１８の側面上にある第一保護膜３２の膜厚が基部１０の頂面上にある第一保護膜３２の面積に比べて十分薄い場合、脱離する粒子４１の大部分がバンプ原形の基部１０の頂面上に堆積している第一保護膜３２の部分から脱離するものである。そのようにして脱離する粒子４１はバンプ原形の上部１８の側面にほとんど再付着することなく、上部１８の側面に堆積している第一保護膜３２の部分に再付着する。このため、バンプ原形の基部１０の頂面から脱離する粒子４０の上部１８への再付着が第一保護膜３２から脱離する粒子４１によって妨げられることはない。

次に図４（Ｃ）に示すように、第一保護膜３２を選択的に除去し、第一実施形態と同様に第二保護膜３６を除去すると第二実施形態と同様の形状のバンプ１９が完成する。

・接合方法
図５及び図６は上述した方法で形成された電気接続用バンプを用いた電子部品の接続方法を示す断面図である。
図５（Ａ）に示すように、先端が先鋭なバンプ１９を接続対象のインターポーザや半導体チップの配線４８や電極に突き刺すことにより、バンプ１９、配線４８又は電極の表面に形成されている酸化膜や汚れが削ぎ取られ新生面同士の接合が得られる。このときバンプ１９の先端が先鋭であるため、接合のために部品４２及び部品４４に加える必要のある荷重は、先端が扁平なバンプに比べて小さい。またＡＣＦ接合のように加熱せずに電気的に接続できる。したがって部品４２又は部品４４に接合によるダメージが生ずることを防止できる。また、バンプ１９が配線４８や電極に突き刺さった状態では接合面に静的な圧力が加わっているため、接続抵抗が安定する。

尚、図５（Ｂ）、図６（Ａ）、図６（Ｂ）に示すように、バンプ１９、３１で配線４８、５４を貫通しても良いし、バンプ１９、３１で接合対象部品４４、５２を貫通しても良い。バンプ１９、３１を接合対象部品４４、５２に深く突き刺すことにより、部品内部に形成されている配線５６や表裏両面にそれぞれ形成されている配線５４、６０や電極とバンプ１９、３１とを電気的に接続することもできる。

図５（Ｂ）に示すようにバンプ３１の突部３０を接合対象の部品４４に完全に埋没させたり、図６（Ｂ）に示すようにバンプ３１の突部３０を接合対象部品５２の表面に掛け止めることにより、ある程度の接合強度が得られるため、部品同士を接合するための接着剤の使用量を低減することができ、分解も容易になる。

尚、本願に係る発明の技術的範囲は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

第一の発明の第一実施形態にかかる断面図。第一の発明の第二実施形態にかかる断面図。第一の発明の第三実施形態にかかる断面図。第一の発明の第三実施形態にかかる断面図。第三の発明の実施形態にかかる断面図。第三の発明の実施形態にかかる断面図。

符号の説明

１０：バンプ原形の基部、１３：第二ホトレジスト、１４：シード層、１６：基板、１８：バンプ原形の上部（軸部）、１９：バンプ、２０：保護膜、２２：ターゲット膜、２４：粒子、３０：突部、３１：バンプ、３２：第一保護膜、３２：ホトレジスト、３２：第一保護膜、３４：ホトレジスト、３６：第二保護膜、４０：粒子、４２：部品、４４：部品、４８：配線、５２：接合対象部品、５４：配線、５６：配線

Claims

基板上に複数のバンプ原形を形成し、
前記バンプ原形の上部が露出する保護膜を前記基板上に堆積し、
複数の前記上部の近傍においてターゲット膜を前記保護膜上に堆積し、
前記保護膜から露出している複数の前記バンプ原形の前記上部の角をイオンミリングにより集中侵蝕して前記バンプ原形を先鋭化するとともに前記ターゲット膜から脱離する粒子を前記上部の側面に堆積させ、
前記保護膜を選択的に除去する、
ことを含む電気接続用バンプ形成方法。
前記基板上に前記バンプ原形の基部を形成し、
前記基部の頂面の一部上に前記バンプ原形の前記上部を形成し、
前記頂面の残部の前記上部に対する近接部を被覆し前記残部の前記上部に対する非近接部を露出させる前記保護膜を前記基板上に堆積し、
前記イオンミリングにより、前記保護膜から露出している前記非近接部から脱離する粒子を前記上部の側面に堆積させ、
前記保護膜を選択的に除去する、
ことを含む請求項１に記載の電気接続用バンプ形成方法。
基部と、
先鋭な軸部と、
前記軸部から前記軸部の側方に突出し前記軸部の先端から基端に向かって突出高さが高くなる突部と、
を備え、
前記軸部は、前記基部の頂面の一部上に形成され前記基部より硬い導電性材料からなる、
電気接続用バンプ。
先鋭な軸部と、前記軸部から前記軸部の側方に突出し前記軸部の先端から基端に向かって突出高さが高くなる突部と、を備え、第一の部品に備わる電気接続用バンプの前記軸部を第二の部品の表面に突き刺すことにより、前記電気接続用バンプと前記第二の部品に設けられている配線とを電気的に接続するとともに前記突部を前記第二の部品の内部又は裏面に掛け止める、
ことを含む電子部品の接続方法。