JP4962279B2 - 半導体素子、半導体光集積素子及び光伝送装置 - Google Patents
半導体素子、半導体光集積素子及び光伝送装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4962279B2 JP4962279B2 JP2007296695A JP2007296695A JP4962279B2 JP 4962279 B2 JP4962279 B2 JP 4962279B2 JP 2007296695 A JP2007296695 A JP 2007296695A JP 2007296695 A JP2007296695 A JP 2007296695A JP 4962279 B2 JP4962279 B2 JP 4962279B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- refractive index
- output
- input
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
光通信システムでは、様々な光信号処理を行なうために、光信号を分岐(分波)したり、結合(合波)したりする光カプラ(光分岐結合器)が必要となる。
このような光通信システムで用いられる光カプラ(光分岐・合波素子)に求められる条件としては、動作波長の広帯域性(低波長依存性)、偏光無依存性、大きな作製トレランス、コンパクトさ、及び、モノリシック集積性などが挙げられる。
しかし、MMI結合器は、横方向の導波路構造によって、光分岐・結合特性に対する波長依存性、偏光依存性及び作製トレランスが大きく異なり、それぞれ、一長一短がある。
HIC構造は、曲げ導波路における曲率半径を大幅に減少させても過剰損失が生じないため、LIC構造と比較して、素子サイズを小さくする(素子の小型化)のに有利である。MMI結合器の横方向の導波路構造として、このようなHIC構造を用いたものは、例えば非特許文献1や特許文献1に開示されている。
さらに、HIC構造を用いたMMI結合器は、作製誤差の許容範囲を表す指標である作製トレランスが小さい。
一般に、入出力チャネルポート数が増大すればするほど、波長依存性及び偏光依存性は顕著になり、作製トレランスも小さくなる。これらは、応用上、望ましくない。
ここで、図16は、LIC構造を有する1×8MMI結合器(LIC型1×8MMI結合器)の概略を示す模式図であり、図17は、その透過特性を示す図(その光透過率を、波長および偏光状態に対してプロットしたもの)である。なお、ここでは、メサ構造の入力導波路100、出力導波路101及びMMI導波路102を、半導体材料103によって埋め込むことによってLIC構造を構成している。また、入力導波路100及び出力導波路101の幅は2.8μmとし、MMI導波路(MMI領域)102の幅(Wmmi)を50μmとしている。
このように、現状では、波長依存性及び偏光依存性が低く、作製トレランスが大きく、コンパクトで、多チャネル化への応用性に優れたMMI結合器は実現されていない。
しかしながら、屈折率差の異なる構造を有する導波路をそのまま接続すると、導波路間のモード不整合に起因して、MMI結合器の特性が劣化してしまうことになる。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、波長依存性及び偏光依存性が低く、十分な光出力が得られ、作製トレランスが大きく、コンパクトで、多チャネル化への応用性に優れた、半導体素子、半導体光集積素子及び光伝送装置を提供することを目的とする。
また、本発明の光伝送装置は、上記の半導体素子を備えることを特徴としている。
[第1実施形態]
まず、本発明の第1実施形態にかかる半導体素子について、図1〜図4を参照しながら説明する。
この場合、単に、多モード干渉導波路3をLIC導波路構造とし、入力導波路1及び出力導波路2をHIC導波路構造とすると、上述の「発明が解決しようとする課題」の欄で説明したように[図19参照]、モード不整合による特性劣化が起こることになる。
このため、本実施形態では、図1に示すように、入力導波路1及び出力導波路2の高屈折率差構造部1C,2Cの幅が、低屈折率差構造部1B,2Bとの境界で低屈折率差構造部1B,2Bよりも広くなるようにしている。
ここでは、入力導波路1及び出力導波路2の幅はいずれも2.8μmとしている。また、入力導波路1及び出力導波路2の高屈折率差構造部1C,2Cに形成されるテーパ構造1D,2Dの長さ(テーパ長)は100μmとし、テーパ構造1D,2Dの幅(テーパ幅;最も広い部分の幅)は4.2μmとしている。また、入力導波路1及び出力導波路2の低屈折率差構造部1B,2Bの長さ(モード整合領域長;LT)は100μmとしている。また、MMI導波路(MMI領域)3の幅(Wmmi)は50μmとしている。また、出力導波路2の数(出力ポート数;N)は8に設定している。
ところで、本MMIカプラ20では、入力導波路1及び出力導波路2の低屈折率差構造部1B,2Bの長さ(モード整合領域長)LTは40μm以上に設定するのが好ましい。
一方、図3(B)に示すように、モード整合領域長LTが30μmに増大すると、透過率のチャネル毎のばらつきが低減し、一部のチャネルにおける過剰損失も低減する。
なお、図3(D)に示すように、モード整合領域長LTが100μmのように長くなっても、透過特性はあまり変わらない。
このように構成されるMMIカプラ20は、以下のような半導体導波路作製プロセスによって作製される。
以下、具体的な作製手順について説明する。
次いで、エピタキシャル成長を行なったウェハに、例えばSiO2膜を蒸着装置などによって成膜し、光露光プロセスによって、入力導波路1及び出力導波路2の低屈折率差構造部1B,2Bを形成するためのハイメサ導波路パターン(導波路幅2.8μm;導波路長100μm)及びMMI導波路3を形成するためのハイメサ導波路パターン(導波路幅50μm)をパターニングする。
そして、例えばMOVPE法によって、半絶縁性InP層4によってハイメサ導波路構造1A,2A,3Aが埋め込まれるように埋込成長を行なって、高抵抗埋込導波路構造を形成する[図4(B),(C)参照]。これにより、入力導波路1及び出力導波路2の低屈折率差構造部1B,2B及びMMI導波路3がLIC導波路構造を有するものとして形成される[図4(A)参照]。
次に、このようにしてパターニングされたSiO2膜をマスクとして、例えばICP−RIEなどの方法でドライエッチングを行ない、例えば高さ3μm程度のハイメサ導波路ストライプ構造1A,2Aを形成する[図4(D)参照]。なお、ここでは、半絶縁性InP層による埋込成長は行なわない。これにより、入力導波路1及び出力導波路2の高屈折率差構造部1C,2C(テーパ構造1D,2Dを含む)がHIC導波路構造を有するものとして形成される。
したがって、本実施形態にかかる半導体素子(MMIカプラ)によれば、入力導波路1及び出力導波路2が、LIC導波路構造の低屈折率差構造部1B,2B、及び、テーパ構造1D,2Dを含むHIC導波路構造の高屈折率差構造部1C,2Cを有するため、波長依存性及び偏光依存性が低く、十分な光出力が得られ、作製トレランスが大きく、コンパクトで、多チャネル化への応用性に優れたものを実現できるという利点がある。
また、本実施形態では、1本の入力導波路1を設け、8本の出力導波路2を設けているが、これに限られるものではない。例えば、1本の入力導波路と、N本(Nは1以上の整数;複数本)の出力導波路とを設けても良いし、N本(Nは1以上の整数;複数本)の入力導波路と、1本の出力導波路とを設けても良いし、N本(Nは1以上の整数;複数本)の入力導波路と、N本(Nは1以上の整数;複数本)の出力導波路とを設けても良い。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態にかかる半導体素子について、図5,図6を参照しながら説明する。
ここで、入力導波路1及び出力導波路2の低屈折率差構造部1B,2Bに形成されるテーパ構造1E,2Eは、図5に示すように、MMI導波路(MMI領域)3との境界部分で幅が最も広くなるように形成される。つまり、入力導波路1及び出力導波路2の低屈折率差構造部1B,2Bを、MMI導波路3との境界部分に向かって幅が広くなるテーパ構造1E,2Eを有するものとしている。
ここでは、入力導波路1及び出力導波路2の幅はいずれも2.8μmとしている。また、入力導波路1及び出力導波路2の高屈折率差構造部1C,2Cに形成されるテーパ構造1D,2Dの長さ(テーパ長)は100μmとし、テーパ構造1D,2Dの幅(テーパ幅;最も広い部分の幅)は4.2μmとしている。また、入力導波路1及び出力導波路2の低屈折率差構造部1B,2Bに形成されるテーパ構造1E,2Eの長さ(テーパ長)は100μmとし、テーパ構造1E,2Eの幅(テーパ幅;最も広い部分の幅)は3.8μmとしている。また、MMI導波路(MMI領域)3の幅(Wmmi)は50μmとしている。また、出力導波路2の数(出力ポート数;N)は8に設定している。
したがって、本実施形態にかかる半導体素子(MMIカプラ)によれば、上述の第1実施形態のものと同様に、波長依存性及び偏光依存性が低く、十分な光出力が得られ、作製トレランスが大きく、コンパクトで、多チャネル化への応用性に優れたものを実現できるという利点がある。
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態にかかる半導体素子について、図7を参照しながら説明する。
ここで、入力導波路1及び出力導波路2の高屈折率差構造部1C,2Cは、図7に示すように、少なくとも低屈折率差構造部1B,2Bとの境界部分及びその近傍領域において、低屈折率差構造部1B,2Bの導波路幅(最も狭い部分の幅;ここでは2.8μm)よりも広くなっている。例えば、入力導波路1及び出力導波路2の高屈折率差構造部1C,2Cは、低屈折率差構造部1B,2Bとの境界部分から所望の長さまでが低屈折率差構造部1B,2Bの幅よりも広くなるようにすれば良い。
したがって、本実施形態にかかる半導体素子(MMIカプラ)によれば、上述の第1実施形態及び第2実施形態のものと同様に、波長依存性及び偏光依存性が低く、十分な光出力が得られ、作製トレランスが大きく、コンパクトで、多チャネル化への応用性に優れたものを実現できるという利点がある。
[第4実施形態]
次に、本発明の第4実施形態にかかる半導体素子について、図8を参照しながら説明する。
本実施形態では、図8に示すように、入力導波路1及び出力導波路2は、入力導波路1及び出力導波路2を構成するメサ構造1A,2Aの側面に接する領域(ここでは空気)に対する屈折率差が所定値よりも大きい高屈折率差構造[HIC(high index contrast)構造]になっている。
なお、入力導波路1及び出力導波路2を構成するメサ構造1A,2Aの側面に接する領域は、多モード干渉導波路3を構成するメサ構造3Aの側面に接する領域を構成する半導体材料よりも屈折率が一定値以上小さいものによって構成されていれば良く(例えば屈折率2以下の低屈折率材料によって構成されているのが好ましい)、例えばBCB(高分子材料),SiO2(ガラス系材料)などの空気以外のものによって構成されていても良い。
一方、本実施形態のように、多モード干渉導波路3をLIC導波路構造とし、入力導波路1及び出力導波路2をHIC導波路構造とすると、上述の「発明が解決しようとする課題」の欄で説明したように[図19参照]、モード不整合による特性劣化が起こることになる。
具体的には、入力導波路1及び出力導波路2を、MMI導波路(MMI領域)3との境界で幅が最も広くなるテーパ構造1D,2Dを有するものとして構成している。つまり、HIC導波路構造とLIC導波路構造との間のモード整合のために、HIC導波路構造を有する入力導波路1及び出力導波路2を、LIC導波路構造を有するMMI導波路3との境界部分に向かって幅が広くなるテーパ構造1D,2Dを有するものとしている。なお、入力導波路1及び出力導波路2のテーパ構造1D,2Dは、モード整合のために用いられるため、モード整合部(モード整合領域)ともいう。
したがって、本実施形態にかかる半導体素子(MMIカプラ)によれば、上述の第1実施形態のものと同様に、波長依存性及び偏光依存性が低く、十分な光出力が得られ、作製トレランスが大きく、コンパクトで、多チャネル化への応用性に優れたものを実現できるという利点がある。
[その他]
なお、上述の各実施形態では、半導体基板上にMMIカプラ20のみを備える半導体素子を例に挙げて説明しているが、例えば、このような半導体素子(MMIカプラ)20が形成されている半導体基板上に、半導体光増幅器、半導体レーザ(レーザ光源)、光変調器、位相変調器、光フィルタなどの他の光機能素子及び光導波路を集積させることによって高機能な半導体光集積素子を構成することもできる。このような半導体光集積素子によって高機能な光信号処理が可能となるため、このような高機能な半導体光集積素子を備えるものとして光伝送装置を構成することで、光伝送装置の高性能化を図ることができる。
また、例えば図11に示すように、単一の半導体基板(同一半導体基板)21上に、上述の各実施形態にかかる半導体素子(MMIカプラ)のいずれかの半導体素子(MMIカプラ)20と、半導体レーザ(LD;レーザダイオード)25と、半導体光増幅器(SOA)22と、光変調器(MOD)27と、光導波路23とをモノリシックに集積させて、半導体光集積素子としての外部変調器集積型波長可変レーザ(外部変調器集積型波長可変光源)28を構成することもできる。ここでは、MMIカプラ(多モード干渉導波路)20の入力側に複数の曲げ導波路(入力導波路)23Aを介して複数の半導体レーザ25を接続し、MMIカプラ20の出力側に1つの光導波路(出力導波路)23Bを介してSOA22及びMOD27を接続している。
以下、上述の各実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。
(付記1)
入力導波路と、
出力導波路と、
一端に前記入力導波路が接続され、他端に前記出力導波路が接続された多モード干渉導波路とを備え、
前記多モード干渉導波路は、前記多モード干渉導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域に対する屈折率差が所定値以下の低屈折率差構造になっており、
前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記多モード干渉導波路に連なり、前記入力導波路及び前記出力導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域に対する屈折率差が所定値以下の低屈折率差構造部と、前記低屈折率差構造部に連なり、前記入力導波路及び前記出力導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域に対する屈折率差が所定値よりも大きい高屈折率差構造部とを備え、
前記入力導波路及び前記出力導波路の前記高屈折率差構造部は、前記低屈折率差構造部との境界で前記低屈折率差構造部よりも幅が広くなっていることを特徴とする半導体素子。
前記入力導波路及び前記出力導波路の前記高屈折率差構造部は、前記低屈折率差構造部との境界で幅が最も広くなるテーパ構造を有することを特徴とする、付記1記載の半導体素子。
(付記3)
前記入力導波路及び前記出力導波路の前記低屈折率差構造部は、テーパ構造を有することを特徴とする、付記1又は2記載の半導体素子。
前記テーパ構造は、前記多モード干渉導波路との境界で幅が最も広くなるテーパ構造であることを特徴とする、付記3記載の半導体素子。
(付記5)
前記入力導波路及び前記出力導波路の前記高屈折率差構造部は、前記メサ構造の側面に接する領域が半導体材料よりも屈折率が一定値以上小さいものによって構成されており、
前記多モード干渉導波路、及び、前記入力導波路及び前記出力導波路の前記低屈折率差構造部は、前記メサ構造の側面に接する領域が半導体材料によって構成されていることを特徴とする、付記1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子。
入力導波路と、
出力導波路と、
一端に前記入力導波路が接続され、他端に前記出力導波路が接続された多モード干渉導波路とを備え、
前記多モード干渉導波路は、前記多モード干渉導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域に対する屈折率差が所定値以下の低屈折率差構造になっており、
前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記入力導波路及び前記出力導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域に対する屈折率差が所定値よりも大きい高屈折率差構造になっており、
前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記多モード干渉導波路との境界で、シングルモード条件を満たすように設定された所望の導波路幅よりも幅が広くなっていることを特徴とする半導体素子。
前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記多モード干渉導波路との境界で幅が最も広くなるテーパ構造を有することを特徴とする、付記6記載の半導体素子。
(付記8)
前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記メサ構造の側面に接する領域が半導体材料よりも屈折率が一定値以上小さいものによって構成されており、
前記多モード干渉導波路は、前記メサ構造の側面に接する領域が半導体材料によって構成されていることを特徴とする、付記6又は7記載の半導体素子。
前記メサ構造は、リブ構造、リッジ構造、ハイメサ構造のいずれかであることを特徴とする、付記1〜8のいずれか1項に記載の半導体素子。
(付記10)
前記入力導波路は、1つ設けられており、
前記出力導波路は、複数設けられていることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の半導体素子。
前記入力導波路は、複数設けられており、
前記出力導波路は、1つ設けられていることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の半導体素子。
(付記12)
前記入力導波路は、複数設けられており、
前記出力導波路は、複数設けられていることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の半導体素子。
付記1〜12のいずれか1項に記載の半導体素子と、
前記半導体素子が形成されている半導体基板上に集積された光機能素子とを備えることを特徴とする半導体光集積素子。
(付記14)
前記光機能素子として、前記半導体素子の前記入力導波路に接続された光増幅器と、前記半導体素子の前記出力導波路に接続された光増幅器とを備えることを特徴とする、付記13記載の半導体光集積素子。
前記光機能素子として、前記半導体素子の前記入力導波路に接続されたレーザと、前記半導体素子の前記出力導波路に接続された光増幅器とを備えることを特徴とする、付記13記載の半導体光集積素子。
(付記16)
前記光機能素子として、前記半導体素子の前記入力導波路に接続されたレーザと、前記半導体素子の前記出力導波路に接続された光増幅器及び光変調器とを備えることを特徴とする、付記13記載の半導体光集積素子。
前記光機能素子として、
前記半導体素子の前記入力導波路に接続されたレーザ及び位相変調器、又は、光増幅器及び位相変調器と、
前記半導体素子の前記出力導波路に接続された光増幅器及び光変調器とを備えることを特徴とする、付記13記載の半導体光集積素子。
前記光機能素子として、前記半導体素子の前記入力導波路に接続されたレーザ又は光増幅器と、前記半導体素子の前記出力導波路に接続された光増幅器及び光フィルタとを備えることを特徴とする、付記13記載の半導体光集積素子。
(付記19)
付記1〜12のいずれか1項に記載の半導体素子を備えることを特徴とする、光伝送装置。
付記13〜18のいずれか1項に記載の半導体光集積素子を備えることを特徴とする、光伝送装置。
1A,2A メサ構造
1B,2B 低屈折率差構造部(LIC構造部)
1C,2C 高屈折率差構造部(HIC構造部)
1D,2D テーパ構造
1E,2E テーパ構造
2 出力導波路(出力ポート)
3 多モード干渉導波路(MMI導波路)
3A メサ構造
4 半絶縁性InP層(半絶縁性半導体層)
10 n型InP基板
12 無ドープGaInAsPコア層
13 無ドープInP層
20 多モード干渉カプラ(MMIカプラ;半導体素子)
21 半導体基板
22,22A,22B 半導体光増幅器(SOA)
23,23B 光導波路
23A 曲げ導波路
24 光ゲートスイッチ(半導体光集積素子)
25 半導体レーザ
26 波長可変レーザ(波長可変光源;半導体光集積素子)
27 光変調器(MOD)
28 外部変調器集積型波長可変レーザ(外部変調器集積型波長可変光源;半導体光集積素子)
29 位相変調器(Ph−MOD)
30 半導体光集積素子
31 光フィルタ(OF)
32 半導体光集積素子
Claims (10)
- 入力導波路と、
出力導波路と、
一端に前記入力導波路が接続され、他端に前記出力導波路が接続された多モード干渉導波路とを備え、
前記多モード干渉導波路は、前記多モード干渉導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率が前記多モード干渉導波路の等価屈折率よりも小さく、前記多モード干渉導波路の等価屈折率と前記多モード干渉導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率との差が第1屈折率差である第1屈折率差構造になっており、
前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記多モード干渉導波路に連なり、前記入力導波路及び前記出力導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率が前記入力導波路及び前記出力導波路の等価屈折率よりも小さく、前記入力導波路及び前記出力導波路の等価屈折率と前記入力導波路及び前記出力導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率との差が前記第1屈折率差である第1屈折率差構造部と、前記第1屈折率差構造部に連なり、前記入力導波路及び前記出力導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率が前記入力導波路及び前記出力導波路の等価屈折率よりも小さく、前記入力導波路及び前記出力導波路の等価屈折率と前記入力導波路及び前記出力導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率との差が前記第1屈折率差よりも大きい第2屈折率差である第2屈折率差構造部とを備え、
前記入力導波路及び前記出力導波路の前記第2屈折率差構造部は、前記第1屈折率差構造部との境界で前記第1屈折率差構造部よりも幅が広くなっていることを特徴とする半導体素子。 - 前記入力導波路及び前記出力導波路の前記第2屈折率差構造部は、前記第1屈折率差構造部との境界で幅が最も広くなるテーパ構造を有することを特徴とする、請求項1記載の半導体素子。
- 前記入力導波路及び前記出力導波路の前記第1屈折率差構造部は、テーパ構造を有することを特徴とする、請求項1又は2記載の半導体素子。
- 前記多モード干渉導波路、及び、前記入力導波路及び前記出力導波路の前記第1屈折率差構造部は、前記メサ構造の側面に接する領域が半導体材料によって構成されており、
前記入力導波路及び前記出力導波路の前記第2屈折率差構造部は、前記メサ構造の側面に接する領域が前記半導体材料よりも屈折率が小さいものによって構成されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体素子。 - 入力導波路と、
出力導波路と、
一端に前記入力導波路が接続され、他端に前記出力導波路が接続された多モード干渉導波路とを備え、
前記多モード干渉導波路は、前記多モード干渉導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率が前記多モード干渉導波路の等価屈折率よりも小さく、前記多モード干渉導波路の等価屈折率と前記多モード干渉導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率との差が第1屈折率差である第1屈折率差構造になっており、
前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記入力導波路及び前記出力導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率が前記入力導波路及び前記出力導波路の等価屈折率よりも小さく、前記入力導波路及び前記出力導波路の等価屈折率と前記入力導波路及び前記出力導波路を構成するメサ構造の側面に接する領域の屈折率との差が前記第1屈折率差よりも大きい第2屈折率差である第2屈折率差構造になっており、
前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記多モード干渉導波路との境界で、シングルモード条件を満たすように設定された所望の導波路幅よりも幅が広くなっていることを特徴とする半導体素子。 - 前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記多モード干渉導波路との境界で幅が最も広くなるテーパ構造を有することを特徴とする、請求項5記載の半導体素子。
- 前記多モード干渉導波路は、前記メサ構造の側面に接する領域が半導体材料によって構成されており、
前記入力導波路及び前記出力導波路は、前記メサ構造の側面に接する領域が前記半導体材料よりも屈折率が小さいものによって構成されていることを特徴とする、請求項5又は6記載の半導体素子。 - 前記メサ構造は、リブ構造、リッジ構造、ハイメサ構造のいずれかであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体素子と、
前記半導体素子が形成されている半導体基板上に集積された光機能素子とを備えることを特徴とする半導体光集積素子。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体素子を備えることを特徴とする、光伝送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007296695A JP4962279B2 (ja) | 2007-11-15 | 2007-11-15 | 半導体素子、半導体光集積素子及び光伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007296695A JP4962279B2 (ja) | 2007-11-15 | 2007-11-15 | 半導体素子、半導体光集積素子及び光伝送装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009122433A JP2009122433A (ja) | 2009-06-04 |
JP4962279B2 true JP4962279B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=40814643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007296695A Active JP4962279B2 (ja) | 2007-11-15 | 2007-11-15 | 半導体素子、半導体光集積素子及び光伝送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4962279B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5545847B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-07-09 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体装置 |
JP5357214B2 (ja) * | 2011-06-23 | 2013-12-04 | 日本電信電話株式会社 | 光集積回路 |
JP6320192B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2018-05-09 | 三菱電機株式会社 | 波長可変光源および波長可変光源モジュール |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3251211B2 (ja) * | 1997-08-18 | 2002-01-28 | 日本電気株式会社 | 半導体受光器 |
JP2000162454A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-06-16 | Hitachi Cable Ltd | 光カプラ及びそれを用いたマッハツェンダ型光合分波器 |
JP4477260B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2010-06-09 | 古河電気工業株式会社 | 導波路型光カプラおよび該導波路型光カプラを用いた光合分波器 |
JP2004138785A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光合分波回路 |
JP2004279637A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光分岐結合器および光分岐結合器の作製方法 |
US7454111B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-11-18 | Nec Corporation | Optical device of waveguide type and its production method |
-
2007
- 2007-11-15 JP JP2007296695A patent/JP4962279B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009122433A (ja) | 2009-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7444055B2 (en) | Integrated optics arrangement for wavelength (De)multiplexing in a multi-grade vertical stack | |
US8358885B2 (en) | Optical semiconductor device, manufacturing method thereof and optical transmission device | |
US7561765B2 (en) | Optical integrated circuit and optical integrated circuit module | |
JP4942429B2 (ja) | 半導体波長可変レーザ | |
JP6327051B2 (ja) | 半導体光素子、半導体光素子を作製する方法 | |
EP1245971B1 (en) | Waveguide taper with lateral rib confinement waveguides | |
KR20050074290A (ko) | 광섬유 및 평면 광학 도파관을 치밀하게 결합하는 방법 및장치 | |
US10302861B2 (en) | Semiconductor optical apparatus | |
JP2003014963A (ja) | 半導体光集積素子とその製造方法並びに光通信用モジュール | |
US20090232445A1 (en) | Optical waveguide device, optical integrated device and optical transmission device | |
US9927676B2 (en) | Optical device with integrated reflector(s) comprising a loop reflector integrating a mach-zehnder interferometer | |
JP4962279B2 (ja) | 半導体素子、半導体光集積素子及び光伝送装置 | |
JP5713378B2 (ja) | 導波路型光フィルター及び半導体レーザー | |
JP2013137360A (ja) | 光合分波素子およびマッハツェンダ型光変調器 | |
JP2009021454A (ja) | 半導体光素子 | |
JP2965011B2 (ja) | 半導体光素子及びその製造方法 | |
JP2016018894A (ja) | 集積半導体光素子 | |
JP2015069205A (ja) | 多モード干渉デバイス及び光信号を操作する方法 | |
US10725241B2 (en) | Asymmetrical spot-size converter and method of manufacturing spot-size converter | |
JP2003207665A (ja) | 光導波路 | |
JPH04283704A (ja) | 半導体光導波路 | |
Kohtoku et al. | Spotsize converter with improved design for InP-based deep-ridge waveguide structure | |
KR100563490B1 (ko) | 결합 손실 온도 의존성을 억제한 실리카/폴리머하이브리드 광도파로를 이용한 광소자 | |
JP2002023205A (ja) | 方向性結合器、光変調器、及び波長選択器 | |
US6879740B2 (en) | Optical space switch |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120228 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4962279 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |