JP4959712B2 - 質量分析計 - Google Patents
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Description
第1の試料からの親または前駆体イオンを電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第1の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第2の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を第2の親または前駆体イオンの強度と比較するステップと
を含む方法が提供される。
第1の試料からの親または前駆体イオンを電子移動解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
電子移動解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第1の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを電子移動解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
電子移動解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第2の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を第2の親または前駆体イオンの強度と比較するステップと
を含む方法が提供される。
第1の試料からの親または前駆体イオンを表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第1の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが表面またはターゲットプレートに当たる際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第2の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが表面またはターゲットプレートに当たる際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を第2の親または前駆体イオンの強度と比較するステップと
を含む方法が提供される。
第1の試料からの親または前駆体イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第1の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかがフラグメンテーションまたは反応されてフラグメント、娘、生成物または付加物イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応される、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第2の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかがフラグメンテーションまたは反応されてフラグメント、娘、生成物または付加物イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応される、ステップと、
第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を第2の親または前駆体イオンの強度と比較するステップと
を含み、
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、(i)電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、(ii)光誘起解離(「PID」)フラグメンテーションデバイス、(iii)レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、(iv)赤外放射誘起解離デバイス、(v)紫外放射誘起解離デバイス、(vi)ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、(vii)インソースフラグメンテーションデバイス、(viii)イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、(ix)熱または温度源フラグメンテーションデバイス、(x)電界誘起フラグメンテーションデバイス、(xi)磁場誘起フラグメンテーションデバイス、(xii)酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、(xiii)イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、(xiv)イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、(xv)イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、(xvi)イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、(xvii)イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、(xviii)イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、(xix)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、(xx)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、(xxi)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、(xxii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、(xxiii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および(xxiv)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される、
方法が提供される。
第1の試料からの親または前駆体イオンを電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第1の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされて、フラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第2の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定するステップと、
第2の親または前駆体イオンの強度の、第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定するステップと、
第1の比を第2の比と比較するステップと
を含む方法が提供される。
第1の試料からの親または前駆体イオンを電子移動解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
電子移動解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第1の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを電子移動解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
電子移動解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第2の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定するステップと、
第2の親または前駆体イオンの強度の、第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定するステップと、
第1の比を第2の比と比較するステップと
を含む方法が提供される。
第1の試料からの親または前駆体イオンを表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第1の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが表面またはターゲットプレートに当たる際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第2の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが表面またはターゲットプレートに当たる際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定するステップと、
第2の親または前駆体イオンの強度の、第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定するステップと、
第1の比を第2の比と比較するステップと
を含む方法が提供される。
第1の試料からの親または前駆体イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第1の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかがフラグメンテーションまたは反応されてフラグメント、娘、生成物または付加物イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応される、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、第1のモードにおいては、第2の試料からの親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかがフラグメンテーションまたは反応されてフラグメント、娘、生成物または付加物イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応される、ステップと、
第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定するステップと、
第2の親または前駆体イオンの強度の、第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定するステップと、
第1の比を第2の比と比較するステップと
を含み、
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、(i)電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、(ii)光誘起解離(「PID」)フラグメンテーションデバイス、(iii)レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、(iv)赤外放射誘起解離デバイス、(v)紫外放射誘起解離デバイス、(vi)ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、(vii)インソースフラグメンテーションデバイス、(viii)イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、(ix)熱または温度源フラグメンテーションデバイス、(x)電界誘起フラグメンテーションデバイス、(xi)磁場誘起フラグメンテーションデバイス、(xii)酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、(xiii)イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、(xiv)イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、(xv)イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、(xvi)イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、(xvii)イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、(xviii)イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、(xix)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、(xx)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、(xxi)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、(xxii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、(xxiii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および(xxiv)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される、
方法が提供される。
使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスあって、第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を第2の親または前駆体イオンの強度と比較する
制御システムと
を含む質量分析計が提供される。
使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている電子移動解離フラグメンテーションデバイスあって、第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、電子移動解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を第2の親または前駆体イオンの強度と比較する
制御システムと
を含む質量分析計が提供される。
使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている表面誘起解離フラグメンテーションデバイスあって、第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが表面またはターゲットプレートに当たる際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、表面誘起解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を第2の親または前駆体イオンの強度と比較する
制御システムと
を含む質量分析計が提供される。
使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスあって、第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応されてフラグメント、生成物、娘または付加物イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応される、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を第2の親または前駆体イオンの強度と比較する
制御システムと
を含み、
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、(i)電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、(ii)光誘起解離(「PID」)フラグメンテーションデバイス、(iii)レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、(iv)赤外放射誘起解離デバイス、(v)紫外放射誘起解離デバイス、(vi)ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、(vii)インソースフラグメンテーションデバイス、(viii)イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、(ix)熱または温度源フラグメンテーションデバイス、(x)電界誘起フラグメンテーションデバイス、(xi)磁場誘起フラグメンテーションデバイス、(xii)酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、(xiii)イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、(xiv)イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、(xv)イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、(xvi)イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、(xvii)イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、(xviii)イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、(xix)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、(xx)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、(xxi)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、(xxii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、(xxiii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および(xxiv)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される、
質量分析計が提供される。
使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスあって、第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定し、
(v)第2の親または前駆体イオンの強度の、第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定し、
(vi)第1の比を第2の比と比較する
制御システムと
を含む質量分析計が提供される。
使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている電子移動解離フラグメンテーションデバイスあって、第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、電子移動解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定し、
(v)第2の親または前駆体イオンの強度の、第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定し、
(vi)第1の比を第2の比と比較する
制御システムと
を含む質量分析計が提供される。
使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている表面誘起解離フラグメンテーションデバイスあって、第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが表面またはターゲットプレートに当たる際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、表面誘起解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定し、
(v)第2の親または前駆体イオンの強度の、第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定し、
(vi)第1の比を第2の比と比較する
制御システムと
を含む質量分析計が提供される。
使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスあって、第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応されてフラグメント、生成物、娘または付加物イオンを生成し、第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応される、衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定し、
(v)第2の親または前駆体イオンの強度の、第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定し、
(vi)第1の比を第2の比と比較する
制御システムと
を含み、
衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、(i)電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、(ii)光誘起解離(「PID」)フラグメンテーションデバイス、(iii)レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、(iv)赤外放射誘起解離デバイス、(v)紫外放射誘起解離デバイス、(vi)ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、(vii)インソースフラグメンテーションデバイス、(viii)イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、(ix)熱または温度源フラグメンテーションデバイス、(x)電界誘起フラグメンテーションデバイス、(xi)磁場誘起フラグメンテーションデバイス、(xii)酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、(xiii)イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、(xiv)イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、(xv)イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、(xvi)イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、(xvii)イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、(xviii)イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、(xix)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、(xx)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、(xxi)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、(xxii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、(xxiii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および(xxiv)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される、
質量分析計が提供される。
(i)四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットまたは8個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多重極ロッドセットまたはセグメント化多重極ロッドセットイオントラップまたはイオンガイド、
(ii)開口を有する複数の電極または少なくとも2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90もしくは100個の電極を含むイオントンネルまたはイオンファネルイオントラップまたはイオンガイドであって、使用時にイオンは、開口を通って移送され、電極のうちの少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%は、実質的に同じサイズまたは面積の開口を有するか、またはサイズまたは面積が順次より大きくおよび/またはより小さくなる開口を有する、イオントンネルまたはイオンファネルイオントラップまたはイオンガイド、
(iii)1スタックまたはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極であって、1スタックまたはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極は、複数のまたは少なくとも2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19もしくは20個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含み、平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%は、使用時に概してイオンが走行する平面内に配置される、1スタックまたはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極、および
(iv)イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含むイオントラップまたはイオンガイドであって、各グループの電極は、(a)第1および第2の電極ならびにイオンをイオンガイド内に第1の半径方向に閉じ込めるためにDC電圧またはポテンシャルを第1および第2の電極に印加するための手段、および(b)第3および第4の電極ならびにイオンをイオンガイド内に第2の半径方向に閉じ込めるためにACまたはRF電圧を第3および第4の電極に印加するための手段を含む、イオントラップまたはイオンガイド
からなる群から選択される。
Claims (15)
- 質量分析の方法であって、
第1の試料からの親または前駆体イオンを電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第1の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第2の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
前記第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、前記対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、前記第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を前記第2の親または前駆体イオンの強度と比較するステップと
を含む方法。 - 質量分析の方法であって、
第1の試料からの親または前駆体イオンを電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第1の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第2の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
前記第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、前記対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、前記第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、前記第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定するステップと、
前記第2の親または前駆体イオンの強度の、前記第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定するステップと、
前記第1の比を前記第2の比と比較するステップと
を含む方法。 - 前記第1の動作モードにおいて、
(I)前記電子は、(i)<1eV、(ii)1〜2eV、(iii)2〜3eV、(iv)3〜4eV、及び(v)4〜5eVからなる群から選択されるエネルギーを有し、
及び/若しくは
(II)前記電子は、磁場によって閉じ込められ;
並びに/又は
前記方法は電子源を準備するステップをさらに含み、前記第1の動作モードにおいて、前記電子源は、前記親または前駆体イオンと相互作用するように構成される複数の電子を生成し;及び/又は前記第2の動作モードにおいて前記電子源はOFFに切り換えられる、請求項1又は2に記載の方法。 - 質量分析の方法であって、
第1の試料からの親または前駆体イオンを電子移動解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記電子移動解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第1の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを電子移動解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記電子移動解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第2の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
前記第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、前記対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、前記第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を前記第2の親または前駆体イオンの強度と比較するステップと
を含む方法。 - 質量分析の方法であって、
第1の試料からの親または前駆体イオンを電子移動解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記電子移動解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第1の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを電子移動解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記電子移動解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第2の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
前記第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、前記対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、前記第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、前記第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定するステップと、
前記第2の親または前駆体イオンの強度の、前記第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定するステップと、
前記第1の比を前記第2の比と比較するステップと
を含む方法。 - 前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを少なくとも前記第1のモードおよび前記第2のモードの間で、少なくとも0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、2、3、4、5、6、7、8、9または10秒毎に1回、自動的に切り換え、改変、または変更するステップを含む、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
- 使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスであって、前記第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、前記対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を前記第2の親または前駆体イオンの強度と比較する
制御システムと
を含む質量分析計。 - 使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている電子移動解離フラグメンテーションデバイスであって、前記第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、電子移動解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、前記対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を前記第2の親または前駆体イオンの強度と比較する
制御システムと
を含む質量分析計。 - 使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスであって、前記第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが電子と相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、電子捕獲解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、前記対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、前記第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定し、
(v)前記第2の親または前駆体イオンの強度の、前記第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定し、
(vi)前記第1の比を前記第2の比と比較する
制御システムと
を含む質量分析計。 - 使用時に第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更されるように構成および適合されている電子移動解離フラグメンテーションデバイスであって、前記第1のモードにおいては、少なくともいくつかの親または前駆体イオンが試薬イオンと相互作用する際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、電子移動解離フラグメンテーションデバイスと、
質量分析器と、
制御システムであって、使用時に
(i)第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識し、前記対象の第1の親または前駆体イオンは、第1の質量電荷比を有し、
(ii)前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iii)同じ第1の質量電荷比を有する、第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を決定し、
(iv)前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度の、前記第1の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第1の比を決定し、
(v)前記第2の親または前駆体イオンの強度の、前記第2の試料における他の親または前駆体イオンの強度に対する第2の比を決定し、
(vi)前記第1の比を前記第2の比と比較する
制御システムと
を含む質量分析計。 - (A)イオン源をさらに含み、前記イオン源は、(i)エレクトロスプレーイオン化(「ESI」)イオン源、(ii)大気圧光イオン化(「APPI」)イオン源、(iii)大気圧化学イオン化(「APCI」)イオン源、(iv)マトリックス支援レーザ脱離イオン化(「MALDI」)イオン源、(v)レーザ脱離イオン化(「LDI」)イオン源、(vi)大気圧イオン化(「API」)イオン源、(vii)シリコンを用いた脱離イオン化(「DIOS」)イオン源、(viii)電子衝突(「EI」)イオン源、(ix)化学イオン化(「CI」)イオン源、(x)電界イオン化(「FI」)イオン源、(xi)電界脱離(「FD」)イオン源、(xii)誘導結合プラズマ(「ICP」)イオン源、(xiii)高速原子衝撃(「FAB」)イオン源、(xiv)液体二次イオン質量分析(「LSIMS」)イオン源、(xv)脱離エレクトロスプレーイオン化(「DESI」)イオン源、(xvi)ニッケル−63放射性イオン源、(xvii)大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、および(xviii)熱スプレーイオン源からなる群から選択され;及び/又は、
(B)前記フラグメンテーションデバイスの上流および/または下流に配置されるイオントラップまたはイオンガイドをさらに含み、前記イオントラップまたはイオンガイドは、
(i)四重極ロッドセット、六重極ロッドセット、八重極ロッドセットまたは8個より多くのロッドを含むロッドセットを含む多重極ロッドセットまたはセグメント化多重極ロッドセットイオントラップまたはイオンガイド、
(ii)開口を有する複数の電極または少なくとも2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90もしくは100個の電極を含むイオントンネルまたはイオンファネルイオントラップまたはイオンガイドであって、使用時にイオンは、前記開口を通って移送され、前記電極のうちの少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%は、実質的に同じサイズまたは面積の開口を有するか、またはサイズまたは面積が順次より大きくおよび/またはより小さくなる開口を有する、イオントンネルまたはイオンファネルイオントラップまたはイオンガイド、
(iii)1スタックまたはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極であって、前記1スタックまたはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極は、複数のまたは少なくとも2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19もしくは20個の平面、プレートまたはメッシュ電極を含み、前記平面、プレートまたはメッシュ電極のうちの少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%または100%は、使用時に概してイオンが走行する平面内に配置される、1スタックまたはアレイの平面、プレートまたはメッシュ電極、および
(iv)イオントラップまたはイオンガイドの長さに沿って軸方向に配置される複数のグループの電極を含むイオントラップまたはイオンガイドであって、各グループの電極は、(a)第1および第2の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第1の半径方向に閉じ込めるためにDC電圧またはポテンシャルを前記第1および第2の電極に印加するための手段、および(b)第3および第4の電極ならびにイオンを前記イオンガイド内に第2の半径方向に閉じ込めるためにACまたはRF電圧を前記第3および第4の電極に印加するための手段を含む、イオントラップまたはイオンガイド、
からなる群から選択され;及び/又は、
(C)前記フラグメンテーションデバイスの上流および/または下流に配置される質量フィルタをさらに含む、
請求項7から10のいずれかに記載の質量分析計。 - 前記質量分析器は、(i)四重極質量分析器、(ii)2Dまたは直線四重極質量分析器、(iii)ポールまたは3D四重極質量分析器、(iv)ペニングトラップ質量分析器、(v)イオントラップ質量分析器、(vi)扇形磁場質量分析器、(vii)イオンサイクロトロン共鳴(「ICR」)質量分析器、(viii)フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴(「FTICR」)質量分析器、(ix)静電またはオービトラップ質量分析器、(x)フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析器、(xi)フーリエ変換質量分析器、(xii)飛行時間質量分析器、(xiii)直交加速飛行時間質量分析器、(xiv)軸方向加速飛行時間質量分析器、および(xv)四重極ロッドセット質量フィルタまたは分析器からなる群から選択される、請求項7から11のいずれかに記載の質量分析計。
- 前記フラグメンテーションデバイスは、(i)四重極ロッドセット、(ii)六重極ロッドセット、(iii)八重極ロッドセットまたはより高次のロッドセット、(iv)開口を有する複数の電極を含むイオントンネルであって、イオンが前記開口を通って移送される、イオントンネル、または(v)イオンを前記フラグメンテーションデバイス内に半径方向に閉じ込めるためのACまたはRF電圧源に接続される複数の電極を含む、請求項7から12のいずれかに記載の質量分析計。
- 質量分析の方法であって、
第1の試料からの親または前駆体イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第1の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかがフラグメンテーションまたは反応されてフラグメント、娘、生成物または付加物イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応される、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第2の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかがフラグメンテーションまたは反応されてフラグメント、娘、生成物または付加物イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションまたは反応される、ステップと、
前記第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、前記対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、前記第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を前記第2の親または前駆体イオンの強度と比較するステップと
を含み、
前記衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスは、(i)電子衝突または衝撃解離フラグメンテーションデバイス、(ii)光誘起解離(「PID」)フラグメンテーションデバイス、(iii)レーザ誘起解離フラグメンテーションデバイス、(iv)赤外放射誘起解離デバイス、(v)紫外放射誘起解離デバイス、(vi)ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーションデバイス、(vii)インソースフラグメンテーションデバイス、(viii)イオン源衝突誘起解離フラグメンテーションデバイス、(ix)熱または温度源フラグメンテーションデバイス、(x)電界誘起フラグメンテーションデバイス、(xi)磁場誘起フラグメンテーションデバイス、(xii)酵素消化または酵素分解フラグメンテーションデバイス、(xiii)イオン−イオン反応フラグメンテーションデバイス、(xiv)イオン−分子反応フラグメンテーションデバイス、(xv)イオン−原子反応フラグメンテーションデバイス、(xvi)イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーションデバイス、(xvii)イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーションデバイス、(xviii)イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーションデバイス、(xix)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−イオン反応デバイス、(xx)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−分子反応デバイス、(xxi)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−原子反応デバイス、(xxii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブルイオン反応デバイス、(xxiii)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル分子反応デバイス、および(xxiv)イオンを反応させて付加物または生成物イオンを形成するためのイオン−メタステーブル原子反応デバイスからなる群から選択される、
方法。 - 質量分析の方法であって、
第1の試料からの親または前駆体イオンを表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第1の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが表面またはターゲットプレートに当たる際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
第2の試料からの親または前駆体イオンを表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを含む衝突、フラグメンテーションまたは反応デバイスへ渡すステップと、
前記表面誘起解離フラグメンテーションデバイスを第1のモードと第2のモードとの間で繰り返し切り換え、改変または変更するステップであって、前記第1のモードにおいては、前記第2の試料からの前記親または前駆体イオンのうちの少なくともいくつかが表面またはターゲットプレートに当たる際にフラグメンテーションされてフラグメントまたは娘イオンを生成し、前記第2のモードにおいては、実質的により少ない親または前駆体イオンがフラグメンテーションされる、ステップと、
前記第1の試料からの対象の第1の親または前駆体イオンを認識するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップであって、前記対象の第1の親または前駆体イオンは第1の質量電荷比を有する、ステップと、
同じ第1の質量電荷比を有する、前記第2の試料からの第2の親または前駆体イオンの強度を自動的に決定するステップと、
前記対象の第1の親または前駆体イオンの強度を前記第2の親または前駆体イオンの強度と比較するステップと
を含む方法。
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