JP4950743B2 - 積層配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
に示す工程では、例えばポリイミド樹脂フィルムからなるフレキシブルな第1絶縁基板1aの一方の面(上面)に銅箔製の配線材料層1Bが設けられた片面銅張板(CCL)を用意する。前記第1絶縁基板1a及び配線材料層1Bにはそれぞれ厚さ25μm及び9μmのものを使用した。
1a、1d、2a、4a 絶縁基板
1b、1f、2b、4b、4c、 配線層
1c、1g、2c、 貫通電極
2、2x 第2基板材
3 半導体素子
3a 半導体基板
3b 電極パツト
3c 無機絶縁膜
3d 再配線層
3f 有機絶縁膜
4、4x 第3基板材
5 接着層材5
1e、5a、5b、 接着層
Claims (10)
- (A)半導体基板の一部表面に形成された電極パッド、前記電極パッドに対するコンタクト孔を有して前記半導体基板表面に形成された無機絶縁膜、及び前記無機絶縁膜表面に形成され前記電極パッドに接続された再配線層を備えた半導体素子を提供する工程と、
(B)第1基板材を作成するために、絶縁基板の一方の面に配線層をパターンニング形成して配線基板を形成する工程と、
(C)前記絶縁基板の他方の面に接着層を形成する工程と、
(D)前記半導体素子の再配線層及び前記配線層の一部に対応する位置関係にあって前記絶縁基板及び接着層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
(E)前記貫通孔に導電性ペーストを充填することによって、一端面が前記配線層に接続され他端面が前記絶縁基板の他方の面から突出した状態で露出された貫通電極を形成する工程と、
(F)前記貫通電極の前記他端面を前記半導体素子の再配線層に位置合わせして押し付け接続すると共に、前記貫通電極と前記再配線層の低抵抗接続及び前記半導体素子の損傷回避が得られるように前記貫通電極の突出高さを調整して押圧力を調整し、前記半導体素子を前記接着層に仮止め接着して前記第1基板材と一体化する工程と、
(G)前記第1基板材に対面させる第2基板材を提供する工程と、
(H)前記第1基板材と一体化された前記半導体素子を前記第2基板材上に位置合わせして重ね合わせる工程と、
(I)前記第1基板材と前記第2基板材とを重ね合わせ方向に一括加熱プレスし、前記接着層により前記半導体素子を囲み前記第1及び第2基板材を相互接着する工程と、
を備えることを特徴とする積層配線基板の製造方法。 - 前記(A)の半導体素子の製造工程は、
(A−1)複数の半導体素子に対応する複数の素子領域を半導体ウエハ表面に設けて前記各素子領域毎に電極パッドを形成し、前記電極パッドに対する第1コンタクト孔を有する無機絶縁膜を前記ウエハ表面に形成する工程と、
(A−2)前記第1コンタクト孔を通じて前記電極パッドに接続された再配線層を前記無機絶縁膜上に形成する工程と、
(A−3)前記無機絶縁膜及び前記再配線層を覆って、前記ウエハ上に感光性有機材料膜を形成する工程と、
(A−4)前記感光性有機材料膜にフォトリソグラフィを施して前記再配線層に対する第2コンタクト孔を開けて焼成処理することによって、第2コンタクト孔を有する有機絶縁膜を前記ウエハ表面に形成する工程と、
(A−5)各素子領域に対するウエハ検査後、ダイシングを行って各素子領域に対応して個片化された各半導体素子を取り出す工程と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の積層配線基板の製造方法。 - 前記(F)の一体化する工程は、
前記半導体素子の有機絶縁膜を前記接着層に圧着して仮止め接着することを特徴とする請求項2に記載の積層配線基板の製造方法。 - 前記(A−4)の前記有機絶縁膜を前記ウエハ表面に形成する工程は、
前記感光性有機材料膜に前記フォトリソグラフィを施して前記再配線層の一部表面に前記第2コンタクト孔を開けることを特徴とする請求項2または3に記載の積層配線基板の製造方法。 - 前記(E)の貫通電極を形成する工程は、
前記貫通電極と前記再配線層との押し付け接続の際、前記貫通電極と前記再配線層との接続抵抗を低くし、前記半導体素子の損傷を軽減するために、前記導電性ペーストに含まれるバインダ樹脂の粘度を調整することを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の積層配線基板の製造方法。 - 半導体基板の一部表面に形成された電極パッド、前記電極パッドに対するコンタクト孔を有して前記半導体基板表面に形成された無機絶縁膜、及び前記無機絶縁膜表面に形成され前記電極パッドに接続された再配線層を備えた半導体素子が形成され、
第1基板材を作成するために、絶縁基板の一方の面に配線層をパターンニング形成して配線基板が形成され、
前記絶縁基板の他方の面に接着層が形成され、
前記半導体素子の再配線層及び前記配線層の一部に対応する位置関係にあって前記絶縁基板及び接着層を貫通する貫通孔が形成され、
前記貫通孔に導電性ペーストを充填することによって、一端面が前記配線層に接続され他端面が前記絶縁基板の他方の面から突出した状態で露出された貫通電極が形成され、
前記貫通電極の前記他端面を前記半導体素子の再配線層に位置合わせして押し付け接続すると共に、前記貫通電極と前記再配線層の低抵抗接続及び半導体素子の損傷回避が得られるように前記貫通電極の突出高さを調整して押圧力を調整し、前記半導体素子が前記接着層に仮止め接着して前記第1基板材と一体化され、
前記第1基板材に対面させる第2基板材が形成され、
前記第1基板材と一体化された前記半導体素子が前記第2基板材上に位置合わせして重ね合わされ、
前記第1基板材と前記第2基板材とを重ね合わせ方向に一括加熱プレスし、前記接着層により前記半導体素子を囲み前記第1及び第2基板材が相互接着されていることを特徴とする積層配線基板。 - 前記半導体素子は、
複数の半導体素子に対応する複数の素子領域を半導体ウエハ表面に設けて前記各素子領域毎に電極パッドが形成され、前記電極パッドに対する第1コンタクト孔を有する無機絶縁膜が前記ウエハ表面に形成され、
前記第1コンタクト孔を通じて前記電極パッドに接続された再配線層が前記無機絶縁膜上に形成され、
前記無機絶縁膜及び前記再配線層を覆って、前記ウエハ上に感光性有機材料膜を形成し、
前記感光性有機材料膜にフォトリソグラフィを施して前記再配線層に対する第2コンタクト孔を開けて焼成処理することによって、第2コンタクト孔を有する有機絶縁膜が前記ウエハ表面に形成され、
各素子領域に対するウエハ検査後、ダイシングを行って各素子領域に対応して個片化された各半導体素子が取り出されたことを特徴とする請求項6に記載の積層配線基板。 - 前記半導体素子の有機絶縁膜が前記接着層に圧着されて仮止め接着されたことを特徴とする請求項7に記載の積層配線基板。
- 前記第2コンタクト孔は、前記再配線層の一部表面に開けられることを特徴とする請求項7または8に記載の積層配線基板。
- 前記貫通電極は、前記貫通電極と前記再配線層との押し付け接続の際、前記貫通電極と前記再配線層との接続抵抗を低くし、前記半導体素子への損傷を軽減するために、前記導電性ペーストに含まれるバインダ樹脂の粘度を調整して形成されていることを特徴とする請求項6から9のいずれか1つに記載の積層配線基板。
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