JP4949526B2 - 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
このフラットポリシリコン膜の成膜に際しては、基板配列領域全体に均一に成膜ガスを供給するために、ロングノズルと呼ばれる成膜ガスノズルを使用している。ここでロングノズルとは、炉内の基板配列領域外からではなく、炉内の基板配列領域内から成膜ガスを供給することが可能な成膜ガスノズルをいう。縦型CVD装置の反応炉にあっては、このロングノズルは、通常、炉の下部から挿入されて炉の上部に向けて延在されているため、炉内の下部から挿入されてそこに止まる通常ノズルと比べて長さが長くなっている。上述したフラットポリシリコン膜の成膜には、基板配列領域に沿う、長さの異なる複数本の、例えば4本の石英製のロングノズル(以下、石英ロングノズルという)が使用されている。
ところで、反応炉内で成膜を繰り返していくと、反応炉内に副生成物である生成膜が堆積していく。この堆積膜厚が10μm以上になると、パーティクル発生の要因となるため、一旦、堆積膜の除去が必要となる。この反応炉内の膜除去には、クリーニングガスによるエッチングが採用される。例えばSiH4を反応炉内に供給してポリシリコン膜を成膜する場合、ClF3ガスによるエッチングが有効である。ここで、反応炉の内壁等のみならず、フラットポリシリコン膜を成膜するために使用する石英ロングノズルの内壁にも、当然ポリシリコン膜が成膜される。したがって、反応炉の内壁等と石英ロングノズルの内壁との両方の堆積膜をエッチングする必要がある。この場合、成膜ガスノズル内の堆積膜厚は、反応炉内の堆積膜厚に比べ一般に4倍以上厚く付着している。このため、成膜ガスノズル内のクリーニングを、反応炉内のクリーニングと別に行う必要がある。
そこで、従来、クリーニングガスノズルよりクリーニングガスを反応炉内に導入して、反応炉内をクリーニングするとともに、クリーニングガスを成膜ガスノズル内にも導入して成膜ガスノズル内をクリーニングすることが行われている。この場合、成膜ガスノズルの内壁のクリーニング処理と、反応管の内壁等のクリーニング処理を同時に行うようにする方法の他に、これらのクリーニング処理を別々に行うようにする方法も提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、成膜ガスノズルの内壁のクリーニング処理と、反応管の内壁等のクリーニング処理を別々に行うようにする特許文献1の他の方法でも、成膜ガスノズルの内壁のクリーニ
ングを、反応管の内壁等のクリーニングと同一条件(同一ガス流量等)で行っているので、成膜ガスノズルのダメージが大きく、再利用が不可能になる場合があった。特にロングノズルの場合には、その形状からダメージが大きく、再利用が不可能であった。そこで、メンテナンス毎に、成膜ガスノズルのクリーニングを実施する代りに、成膜ガスノズルは新品に交換し、反応炉内のみのクリーニングを実施しているのが現状であった。
すなわち、成膜ガスノズル内壁と反応管の内壁等のクリーニング条件を同一にすると、クリーニングガス流量が少ない場合には反応管内壁等のクリーニングが不十分となり、また、クリーニングガス流量が多すぎる場合には成膜ガスノズル内壁のクリーニングが過剰となるという問題があった。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、クリーニング時の成膜ガスノズルのダメージを低減して、メンテナンス時のコストと装置のダウンタイムを低減することが可能な半導装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置を提供することにある。
ーニングを先に実行することが好ましい。成膜ガスノズルのクリーニングを後にすると、パーティクルの発生の懸念があるからである。
クリーニングガス供給口としては、成膜ガスノズルと異なりノズルである必要はなく、また成膜ガスノズルとは別に設けた供給口が一つあればよい。基板上に薄膜を成膜するステップとしては、ポリシリコン膜の成膜ステップなどが挙げられる。クリーニングガスとしては、ClF3をはじめとして、NF3、F2、HF等が挙げられる。クリーニングガスを希釈化する不活性ガスはN2が好ましい。
第1のクリーニングステップで、クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給すると、成膜ガスノズルより反応炉内に供給されるクリーニングガスの濃度を調整できる。また、クリーニングガス供給口又はクリーニングガスノズル内に成膜ガスノズルからのクリーニングガスが侵入して、クリーニングガス供給口内が不要なダメージを受けないようにすることができる。
第1のクリーニングステップで、仮に、反応炉内に堆積した生成膜を優先的にエッチングすることが可能な第2の条件と同じ条件で、成膜ガスノズル内に堆積した生成膜をエッチングすると、第1のクリーニングステップで、成膜ガスノズルにダメージを与えることになる。この点で、第1の条件が成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を優先的にエッチングすることが可能な条件に設定されており、反応炉内に堆積した生成膜を優先的にエッチングすることが可能な条件とはなっていないので、第1のクリーニングステップでは、成膜ガスノズルへ与えるダメージを低減できる。また、第2のクリーニングステップでは、
反応炉内に堆積した生成膜を優先的にエッチングすることが可能な条件に設定されているので、反応炉内に堆積した生成膜を有効に除去できる。
第1のクリーニングステップの方が第2のクリーニングステップよりも、クリーニングガス流量が小さくなるようにすることによって、第1のクリーニングステップにおいて、成膜ガスノズルへダメージを与えることなく、成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を有効に除去できる。また、第2のクリーニングステップにおいて、反応炉内に堆積した生成膜を有効に除去できる。
成膜ステップで、SiH4を用いてシリコン膜を形成すると、成膜ガスノズル内及び反応炉内に成膜ステップに伴って発生するシリコン膜が堆積していく。
このようにSiH4を用いてシリコン膜を成膜するステップを有する場合であっても、成膜ガスノズル内をクリーニングする第1の条件と、反応炉内をクリーニングする第2の条件とを異ならせているので、第1のクリーニングステップにおいて、成膜ガスノズル内に堆積したシリコン膜を、成膜ガスノズルにダメージを与えることなく、除去できる。また、第2のクリーニングステップにおいて、反応炉内に堆積した生成膜を有効に除去できる。なお、シリコン膜としては、ポリシリコン膜やアモルファスシリコン膜等が挙げられる。
長さの異なる複数の成膜ガスノズルより反応炉内に成膜ガスを供給して基板上に薄膜を成膜するステップを有する場合であっても、複数の成膜ガスノズル内をクリーニングする第1の条件と、反応炉内をクリーニングする第2の条件とを異ならせているので、第1のクリーニングステップにおいて、長さの異なる複数の成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を、複数の成膜ガスノズルにダメージを与えることなく、除去できる。この場合、複数の成膜ガスノズルの長さに応じて、反応炉内に成膜ガスノズルよりクリーニングガスを供給する時間を変えてやることが好ましい。また、第2のクリーニングステップにおいて、反応炉内に堆積した生成膜を有効に除去できる。
上述した長さの異なる複数の成膜ガスノズルは、特に、複数の基板を一括処理する縦型のCVD装置において、複数の基板が配列される反応炉内の基板配列領域の異なる位置にそれぞれ配設され、複数の基板に均一に成膜ガスを供給するために設けられる。
成膜ステップで、反応炉内の温度勾配をフラットにして、長さの異なる複数の成膜ガス
ノズルより反応炉内に成膜ガスを供給するようなステップを有する場合であっても、複数の成膜ガスノズル内をクリーニングする第1の条件と、反応炉内をクリーニングする第2の条件とを異ならせているので、第1のクリーニングステップにおいて、長さの異なる複数の成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を、複数の成膜ガスノズルにダメージを与えることなく、有効に除去できる。また、第2のクリーニングステップにおいて、反応炉内に堆積した生成膜を有効に除去できる。
上述したように、反応炉内の温度勾配をフラットにするのは、特に、複数の基板を一括処理する縦型のCVD装置において、複数の基板間で成膜温度を同じとするためである。また、長さの異なる複数の成膜ガスノズルは、特に、複数の基板を一括処理する縦型のCVD装置において、複数の基板が配列される反応炉内の基板配列領域の異なる位置にそれぞれ配設され、複数の基板に均一に成膜ガスを供給するに設けられる。
複数の成膜ガスノズル内をクリーニングする第1の条件と、反応炉内をクリーニングする第2の条件とを異ならせたうえ、第1及び第2のクリーニングステップにおいて、クリーニングガスとしてClF3ガスを供給するので、成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を、成膜ガスノズルにダメージを与えることなく、有効に除去できる。また、反応炉内に堆積した生成膜を有効に除去できる。
図1は、実施の形態の半導体製造装置を示す縦型CVD装置の概略断面図を示す。縦型
CVD装置は、主に基板を処理する反応空間を有する反応炉と、反応炉に対して基板保持部材に保持された基板を搬送する搬送手段とを備え、基板保持部材を反応炉に収容して基板を処理するように構成される。
石英ロングノズルA〜Dの先端部は、反応空間34内のウェハ配列領域22に位置決めされている。この場合、石英ロングノズルA〜Dの出口となる先端部は、ウェハ配列領域22に沿って、上下方向にずれるように位置決めされ、ウェハ配列領域22の途中箇所から複数のウェハ200に成膜ガスを均等に供給するようになっている。これらの石英ロングノズルA〜Dの入口となる基端部は、マニホールド117の一側に形成されたノズル通
し穴を介して反応管37の外部に取り出されている。
A〜Dに連通するように、成膜ガスノズル40側の配管に介設された2方向バルブ51〜54を石英ロングノズルA〜D側に切替えて、MFC91〜94で流量に制御された成膜ガスを、石英ロングノズルA〜Dから反応空間34に供給するようになっている。
(1)成膜ステップ及び成膜ステップに関連する動作
まず、ボートエレベータ35によりボート21を下降させる。ボート21に複数枚のウェハ200を保持する。次いで、ヒータ39により加熱しながら、反応空間34内の温度を所定の処理温度にする。
MFC97により流量制御された不活性ガスを石英ロングノズルA〜Dより反応空間34内に供給して、予め反応空間34内を不活性ガスで充填しておく。ボートエレベータ35により、ボート21を上昇させて反応空間34内に移し、シールキャップ38により炉口を気密に閉塞する。反応空間34の内部温度を所定の処理温度に維持する。このときヒータ39の制御手段103による加熱制御によって形成される反応空間34内の温度勾配は、フラットすなわちゼロとする。温度勾配をゼロとするのは、温度に対して影響のあるウェハの膜質や膜厚を均一にするためである。
200を反応空間34から取り出す。反応空間34から取り出されたボート21上の処理済のウェハ200は、未処理のウェハ200と交換され、再度前述同様にして反応空間34内に上昇され、減圧CVD処理が成される。
石英ロングノズルA〜Dの内壁をクリーニングする場合の動作を説明する。本実施の形態では、この第1のクリーニングステップは、石英ロングノズルA〜Dが失透するのを防止するために、反応管37の内壁等の第2のクリーニングステップに先立って行われる。この場合、反応炉31内を第1の条件に保持する。この第1の条件とは、第1のクリーニングステップで石英ロングノズルA〜Dに流すClF3ガスの総流量が、第2のクリーニングステップでClF3ノズル46から流す総流量よりも小さい条件のことである。
すなわち、クリーニング処理が終了した石英ロングノズルA〜Dの内部には、通常、ClF3ガスが残存する。したがって、これをそのまま放置すると、石英ロングノズルA〜D内壁全体がオーバーエッチングされる。しかしながら、本実施の形態では、クリーニング処理の終了した石英ロングノズルA〜Dに不活性ガスN2が引続き供給される(白抜き部)。これにより、この石英ロングノズルA〜Dの内部に残存するClF3ガスが追い出される。また、クリーニングが終了していない石英ロングノズルA〜Dから反応空間34内に排出されるClF3ガスが、クリーニング終了後の石英ロングノズルA〜Dに流入するのを阻止する。その結果、石英ロングノズルA〜D内のClF3ガスの残存及び流入によるオーバーエッチングが防止される。
成膜ガスノズル40から反応空間34内に供給されるClF3ガスが、ClF3ノズル46内に侵入しないので、ClF3ノズルの余分な失透を防ぐことができる。
次に、反応管37の内壁等をクリーニングする場合の動作を説明する。本実施の形態では、反応管37の内壁等のクリーニングを行う第2のクリーニングステップは、図2に示すように、石英ロングノズルA〜Dのうち、最長の石英ロングノズルAのエッチングが終了した後、連続してClF3ノズルに大流量のClF3とN2の混合ガスを流すことにより行われる(黒塗り部分)。ここでは、第2のクリーニングステップにより、石英ロングノズルA〜Dの外壁も、反応炉用のClF3ガスにさらされて、反応管37の内壁と同様にクリーニングされることになる。ここでは、反応炉31内を第2の条件に保持する。この第2の条件とは、第2のクリーニングステップでClF3ノズル46から流す総流量が、第1のクリーニングステップで石英ロングノズルA〜Dに流すClF3ガスの総流量よりも大きい条件のことである。
[成膜ステップ条件]
反応炉容量:300〜500L
成膜温度:600〜700℃
反応炉内圧力:10〜100Pa
ウェハ径:30cm
反応炉に挿入するウェハ枚数:100枚
ウェハ配列領域の高さ:1〜1.2m
全石英ロングノズルA〜Dに流す(SiH4)総流量:0.04〜1.2SLM
各石英ロングノズルA〜Dに流す(SiH4)流量:0.01〜0.3SLM
全石英ロングノズルA〜Dに流す(ClF3+N2)総流量:0.02〜6SLM
全石英ロングノズルA〜Dに流すClF3総流量:0.01〜2SLM
全石英ロングノズルA〜Dに流すN2総流量:0.01〜4SLM
各石英ロングノズルA〜Dに流す(ClF3+N2)流量:0.005〜1.5SLM
各石英ロングノズルA〜Dに流すClF3流量:0.0025〜0.5SLM
各石英ロングノズルA〜Dに流すN2総流量:0.0025〜1SLM
ClF3ノズルに流すN2流量:0.1〜1SLM
クリーニング終了後の各石英ロングノズルA〜Dに流すN2流量:0.01〜1SLM
クリーニング時間:5min〜30min
ClF3ノズルに流す(ClF3+N2)総流量:1.1〜11SLM
ClF3ノズルに流す(ClF3+N2)総流量のうちのClF3流量:0.1〜1SLM
ClF3ノズルに流す(ClF3+N2)総流量のうちのN2流量:1〜10SLM
クリーニング時間:1〜3Hr(時間)
各石英ロングノズルA〜Dに流すN2流量:0.01〜0.1SLM
(第1の条件と第2の条件の共通条件)
温度:300〜500℃
反応炉内圧力:10〜200Pa
ClF3濃度:10〜50%
特に、実施の形態では、反応炉内の温度勾配をゼロにして長さの異なる複数の石英ロングノズルA〜Dより反応炉内に成膜ガスを供給することによって、フラットポリシリコン膜を成膜するようにしているが、本発明は、このようなフラットポリシリコン膜を成膜す
るときに使用される長さの異なる石英ロングノズルA〜Dの内壁に堆積する生成膜をエッチングする場合に、その形状から石英ロングノズルA〜Dがダメージを受けやすいので、特に有用である。
、ClF3ノズルより、第1の条件とは異なる第2の条件に設定したクリーニングガスを供給することとなる。なお、第1の条件、第2の条件、クリーニング終了後の成膜ガスノズルへのN2の供給などは実施の形態と同様である。
このように、第1クリーニングステップと第2クリーニングステップとを同時に行うようにすると、トータルでクリーニング時間を短縮することができる。
なお、この条件、すなわち、ClF3濃度28.6%、混合ガス総流量0.7SLM(ClF3:0.2SLM、N2:0.5SLM)でのエッチングレートは、同濃度で混合ガス総流量0.07SLM(ClF3:0.02SLM、N2:0.05SLM)とした場合のエッチングレートの4.7倍となることが確認されている。
31 反応炉
40 成膜ガスノズル
41〜44 石英ロングノズル(成膜ガスノズル)
46 ClF3ノズル(クリーニングガスノズル)
200 ウェハ(基板)
Claims (16)
- 基板を反応炉内に搬入するステップと、
複数の成膜ガスノズルより前記反応炉内に成膜ガスを供給して基板上に薄膜を成膜するステップと、
成膜後の基板を前記反応炉内から搬出するステップと、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングステップと、
前記反応炉内に前記各成膜ガスノズルとは異なるクリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングステップと、を有し、
前記第1のクリーニングステップでは、前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングステップでは、前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給し、
前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの流量よりも小さくなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を反応炉内に搬入するステップと、
複数の成膜ガスノズルより前記反応炉内に成膜ガスを供給して基板上に薄膜を成膜するステップと、
成膜後の基板を前記反応炉内から搬出するステップと、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングステップと、
前記反応炉内に前記各成膜ガスノズルとは異なるクリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングステップと、を有し、
前記第1のクリーニングステップでは、前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングステップでは、前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給し、
前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの濃度が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの濃度よりも小さくなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を反応炉内に搬入するステップと、
複数の成膜ガスノズルより前記反応炉内に成膜ガスを供給して基板上に薄膜を成膜するステップと、
成膜後の基板を前記反応炉内から搬出するステップと、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングステップと、
前記反応炉内に前記各成膜ガスノズルとは異なるクリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングステップと、を有し、
前記第1のクリーニングステップでは、前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングステップでは、前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給し、
前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量および濃度が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの流量および濃度よりも小さくなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を反応炉内に搬入するステップと、
複数の成膜ガスノズルより前記反応炉内に成膜ガスを供給して基板上に薄膜を成膜するステップと、
成膜後の基板を前記反応炉内から搬出するステップと、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングステップと、
前記反応炉内に前記各成膜ガスノズルとは異なるクリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングステップと、を有し、
前記第1のクリーニングステップでは、前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングステップでは、前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給し、
前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの濃度が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの濃度と同濃度となるようにすると共に、前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの流量よりも小さくなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1のクリーニングステップでは、前記各成膜ガスノズルよりクリーニングガスと不活性ガスとの混合ガスを供給しつつ前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングステップでは、前記クリーニングガス供給口よりクリーニングガスと不活性ガスとの混合ガスを供給しつつ前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記各成膜ガスノズルは、前記反応炉内において基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導
体装置の製造方法。 - 前記各成膜ガスノズルは長さがそれぞれ同じであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記各成膜ガスノズルは長さがそれぞれ異なることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の成膜ガスノズルより反応炉内に成膜ガスを供給して基板上に薄膜を成膜した後の前記各成膜ガスノズル内と前記反応炉内とをクリーニングするクリーニング方法であって、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングステップと、
前記反応炉内に前記各成膜ガスノズルとは異なるクリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングステップと、を有し、
前記第1のクリーニングステップでは、前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングステップでは、前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給し、
前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの流量よりも小さくなるようにすることを特徴とするクリーニング方法。 - 複数の成膜ガスノズルより反応炉内に成膜ガスを供給して基板上に薄膜を成膜した後の前記各成膜ガスノズル内と前記反応炉内とをクリーニングするクリーニング方法であって、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングステップと、
前記反応炉内に前記各成膜ガスノズルとは異なるクリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングステップと、を有し、
前記第1のクリーニングステップでは、前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングステップでは、前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給し、
前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの濃度が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの濃度よりも小さくなるようにすることを特徴とするクリーニング方法。 - 複数の成膜ガスノズルより反応炉内に成膜ガスを供給して基板上に薄膜を成膜した後の前記各成膜ガスノズル内と前記反応炉内とをクリーニングするクリーニング方法であって、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングステップと、
前記反応炉内に前記各成膜ガスノズルとは異なるクリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングステップと、を有し、
前記第1のクリーニングステップでは、前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングステップでは、前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを
供給し、
前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量および濃度が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの流量および濃度よりも小さくなるようにすることを特徴とするクリーニング方法。 - 複数の成膜ガスノズルより反応炉内に成膜ガスを供給して基板上に薄膜を成膜した後の前記各成膜ガスノズル内と前記反応炉内とをクリーニングするクリーニング方法であって、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングステップと、
前記反応炉内に前記各成膜ガスノズルとは異なるクリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングステップと、を有し、
前記第1のクリーニングステップでは、前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングステップでは、前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給し、
前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの濃度が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの濃度と同濃度となるようにすると共に、前記第1のクリーニングステップで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量が、前記第2のクリーニングステップで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの流量よりも小さくなるようにすることを特徴とするクリーニング方法。 - 基板を収容する反応炉と、
前記反応炉内に成膜ガスを供給する複数の成膜ガスノズルと、
前記各成膜ガスノズルとは別に設けられ、前記反応炉内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給口と、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングと、前記反応炉内に前記クリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングと、を行うようにクリーニングガスの導入を制御すると共に、前記第1のクリーニングでは前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングでは前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給するように不活性ガスの導入を制御し、更に、前記第1のクリーニングで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量が、前記第2のクリーニングで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの流量よりも小さくなるようにクリーニングガスの流量を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を収容する反応炉と、
前記反応炉内に成膜ガスを供給する複数の成膜ガスノズルと、
前記各成膜ガスノズルとは別に設けられ、前記反応炉内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給口と、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングと、前記反応炉内に前記クリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングと、を行うようにクリーニングガスの導入を制御すると共に、前記第1のクリーニングでは前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニン
グでは前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給するように不活性ガスの導入を制御し、更に、前記第1のクリーニングで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの濃度が、前記第2のクリーニングで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの濃度よりも小さくなるようにクリーニングガスの濃度を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を収容する反応炉と、
前記反応炉内に成膜ガスを供給する複数の成膜ガスノズルと、
前記各成膜ガスノズルとは別に設けられ、前記反応炉内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給口と、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングと、前記反応炉内に前記クリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングと、を行うようにクリーニングガスの導入を制御すると共に、前記第1のクリーニングでは前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングでは前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給するように不活性ガスの導入を制御し、更に、前記第1のクリーニングで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量および濃度が、前記第2のクリーニングで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの流量および濃度よりも小さくなるようにクリーニングガスの流量および濃度を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を収容する反応炉と、
前記反応炉内に成膜ガスを供給する複数の成膜ガスノズルと、
前記各成膜ガスノズルとは別に設けられ、前記反応炉内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給口と、
前記各成膜ガスノズル内にクリーニングガスを供給して前記各成膜ガスノズル内に堆積した生成膜を除去する第1のクリーニングと、前記反応炉内に前記クリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給して前記反応炉内に堆積した生成膜を除去する第2のクリーニングと、を行うようにクリーニングガスの導入を制御すると共に、前記第1のクリーニングでは前記クリーニングガス供給口より不活性ガスを供給し、前記第2のクリーニングでは前記各成膜ガスノズルより不活性ガスを供給するように不活性ガスの導入を制御し、更に、前記第1のクリーニングで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの濃度が、前記第2のクリーニングで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの濃度と同濃度となるようにすると共に、前記第1のクリーニングで前記各成膜ガスノズル内に供給するクリーニングガスの流量が、前記第2のクリーニングで前記クリーニングガス供給口より前記反応炉内に供給するクリーニングガスの流量よりも小さくなるようにクリーニングガスの流量および濃度を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
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