JP4225998B2 - 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 - Google Patents
成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4225998B2 JP4225998B2 JP2005321167A JP2005321167A JP4225998B2 JP 4225998 B2 JP4225998 B2 JP 4225998B2 JP 2005321167 A JP2005321167 A JP 2005321167A JP 2005321167 A JP2005321167 A JP 2005321167A JP 4225998 B2 JP4225998 B2 JP 4225998B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- purge
- film forming
- recipe
- film
- reaction vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 288
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 417
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 375
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 220
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 82
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 18
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 100
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 9
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
製の反応容器が劣化したり、クリーニングガスが反応容器から完全に除去されるまでにかなり長い時間を要するので、成膜処理を終了する毎にパージ処理を行っている。
反応容器内に載置された基板に対して、選択された成膜レシピに基づいて成膜処理を行う工程と、
次いで前記基板を前記反応容器から搬出する工程と、
前記選択された成膜レシピにより成膜された薄膜の累積膜厚に基づいて、予め用意された複数のパージレシピの中から自動でパージレシピを選択する工程と、
基板が反応容器から搬出された後、選択されたパージレシピに基づいて、反応容器内にパージガスを供給してパージ処理を行う工程と、を含み、
前記複数のパージレシピは、次に行われる成膜処理の処理温度よりも反応容器を高い温度に加熱してパージ処理を行うパージレシピを含むことを特徴とする。
互いに異なるパージ処理を行うための複数のパージレシピを格納する記憶部と、
各成膜レシピにより成膜された薄膜の累積膜厚を成膜レシピ毎に管理する手段と、
前記選択された成膜レシピにより成膜された薄膜の累積膜厚に基づいて、前記複数のパージレシピの中からパージレシピを選択する選択手段と、を備え、
前記複数のパージレシピは、次に行われる成膜処理の処理温度よりも反応容器を高い温度に加熱してパージ処理を行うパージレシピを含むことを特徴とする。
2 反応容器
20 ボートエレベータ
23 第1の蓋体
25 ウエハボート
29 第2の蓋体
3 ガス供給部
32 第1のガス供給管
33 第1の成膜ガス供給源
34 第2の成膜ガス供給源
35,36,37 パージガス供給源
41 真空ポンプ
51 ヒータ
52 加熱炉
53 送気ポート
61,62 パーティクル検出部
7 制御部
Claims (15)
- 複数の成膜レシピを備えた熱処理装置を用いて基板に対して成膜ガスにより成膜処理を行う方法において、
反応容器内に載置された基板に対して、選択された成膜レシピに基づいて成膜処理を行う工程と、
次いで前記基板を前記反応容器から搬出する工程と、
前記選択された成膜レシピにより成膜された薄膜の累積膜厚に基づいて、予め用意された複数のパージレシピの中から自動でパージレシピを選択する工程と、
基板が反応容器から搬出された後、選択されたパージレシピに基づいて、反応容器内にパージガスを供給してパージ処理を行う工程と、を含み、
前記複数のパージレシピは、次に行われる成膜処理の処理温度よりも反応容器を高い温度に加熱してパージ処理を行うパージレシピを含むことを特徴とする成膜方法。 - 複数の成膜レシピは、成膜する薄膜の種類が同じで成膜ガスが互いに異なる成膜レシピを含むことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 複数の成膜レシピは、成膜ガスが同じで処理温度の範囲が互いに異なる成膜レシピを含むことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 複数のパージレシピは、パージ処理を行う時間の長さ及び反応容器内の温度の少なくとも一方が互いに異なるパージレシピを含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載の成膜方法。
- 前記成膜処理は、基板が基板保持具に保持された状態で行われ、
複数のパージレシピは、前記基板保持具を前記反応容器の外に配置し、この反応容器を密閉した状態でパージ処理を行うパージレシピを含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の成膜方法。 - 前記成膜処理は、基板が基板保持具に保持された状態で行われ、
複数のパージレシピは、前記基板保持具を処理対象の基板を載せずに前記反応容器内に配置し、この反応容器を密閉した状態でパージ処理を行うパージレシピを含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の成膜方法。 - 前記反応容器内のパーティクル数の測定値及び基板表面のパーティクル数の測定値の少なくとも一つに基づいてパージレシピを変更する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一に記載の成膜方法。
- 前記パージ処理は、反応容器を強制的に冷却する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一に記載の成膜方法。
- 互いに異なる複数の成膜レシピから選択された成膜レシピに基づいて、反応容器内に載置された基板に対して成膜処理を行い、前記基板を反応容器から搬出した後、パージガスを反応容器内に供給してパージ処理を行う成膜装置において、
互いに異なるパージ処理を行うための複数のパージレシピを格納する記憶部と、
各成膜レシピにより成膜された薄膜の累積膜厚を成膜レシピ毎に管理する手段と、
前記選択された成膜レシピにより成膜された薄膜の累積膜厚に基づいて、前記複数のパージレシピの中からパージレシピを選択する選択手段と、を備え、
前記複数のパージレシピは、次に行われる成膜処理の処理温度よりも反応容器を高い温度に加熱してパージ処理を行うパージレシピを含むことを特徴とする成膜装置。 - 複数の成膜レシピは、成膜する薄膜の種類が同じで成膜ガスが互いに異なる成膜レシピを含むことを特徴とする請求項9記載の成膜装置。
- 複数の成膜レシピは、成膜ガスが同じで処理温度の範囲が互いに異なる成膜レシピを含むことを特徴とする請求項9記載の成膜装置。
- 複数のパージレシピは、パージ処理を行う時間の長さ及び反応容器内の温度の少なくとも一方が互いに異なるパージレシピを含むことを特徴とする請求項9ないし11のいずれか一に記載の成膜装置。
- 前記成膜処理は、基板が基板保持具に保持された状態で行われ、
複数のパージレシピは、前記基板保持具を前記反応容器の外に配置し、この反応容器を密閉した状態でパージ処理を行うパージレシピを含むことを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一に記載の成膜装置。 - 前記成膜処理は、基板が基板保持具に保持された状態で行われ、
複数のパージレシピは、前記基板保持具を処理対象の基板を載せずに前記反応容器内に配置し、この反応容器を密閉した状態でパージ処理を行うパージレシピを含むことを特徴とする請求項9ないし13のいずれか一に記載の成膜装置。 - 請求項9に記載した成膜装置を用いて、請求項1ないし8のいずれか一つに記載した成膜方法を実施するために用いられるコンピュータプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005321167A JP4225998B2 (ja) | 2004-12-09 | 2005-11-04 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
KR1020050119270A KR100921259B1 (ko) | 2004-12-09 | 2005-12-08 | 성막 방법 및 성막 장치 및 기억 매체 |
US11/296,852 US7416978B2 (en) | 2004-12-09 | 2005-12-08 | Film forming method, film forming system and recording medium |
TW094143762A TWI352389B (en) | 2004-12-09 | 2005-12-09 | Film forming method, film forming system and recor |
US12/213,574 US7713354B2 (en) | 2004-12-09 | 2008-06-20 | Film forming method, film forming system and recording medium |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004356529 | 2004-12-09 | ||
JP2005321167A JP4225998B2 (ja) | 2004-12-09 | 2005-11-04 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006190977A JP2006190977A (ja) | 2006-07-20 |
JP4225998B2 true JP4225998B2 (ja) | 2009-02-18 |
Family
ID=36612294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005321167A Active JP4225998B2 (ja) | 2004-12-09 | 2005-11-04 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7416978B2 (ja) |
JP (1) | JP4225998B2 (ja) |
KR (1) | KR100921259B1 (ja) |
TW (1) | TWI352389B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1823404B (zh) * | 2003-09-19 | 2012-08-29 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 |
JP2005333090A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Sumco Corp | P型シリコンウェーハおよびその熱処理方法 |
JP5028957B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
JP4844261B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
US8041440B2 (en) * | 2006-07-13 | 2011-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for providing a selection of golden tools for better defect density and product yield |
JP4974815B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP5246843B2 (ja) * | 2007-11-07 | 2013-07-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ベーキング方法及び半導体装置の製造方法 |
JP4531833B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2010-08-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法 |
JP2009272367A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP5746744B2 (ja) * | 2009-01-07 | 2015-07-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5609014B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2014-10-22 | 三菱電機株式会社 | 成膜装置 |
JP2011066106A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5876248B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2016-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクルモニタ方法、パーティクルモニタ装置 |
JP6084202B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2017-02-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
CN103372559B (zh) * | 2012-04-24 | 2015-07-29 | 无锡华润上华科技有限公司 | 炉管清洗方法 |
JP5546654B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-07-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法 |
JP2014199856A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置の運転方法及び記憶媒体並びに縦型熱処理装置 |
JP5848788B2 (ja) * | 2014-02-12 | 2016-01-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 |
DE102014105294A1 (de) * | 2014-04-14 | 2015-10-15 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zur Abgasreinigung an einem CVD-Reaktor |
KR101720620B1 (ko) * | 2015-04-21 | 2017-03-28 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 챔버 세정방법 |
KR102453149B1 (ko) * | 2015-07-09 | 2022-10-12 | 삼성전자주식회사 | 퍼니스형 반도체 장치, 이의 세정 방법 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
CN110352474B (zh) * | 2017-02-14 | 2023-03-17 | 东芝三菱电机产业***株式会社 | 氮化膜成膜方法 |
CN109585267B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-12-01 | 住友电气工业株式会社 | 氮化硅膜的形成方法 |
JP6586443B2 (ja) * | 2017-10-10 | 2019-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP6946989B2 (ja) | 2017-12-06 | 2021-10-13 | 住友電気工業株式会社 | 窒化珪素パッシベーション膜の成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
US11955331B2 (en) * | 2018-02-20 | 2024-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method of forming silicon nitride films using microwave plasma |
JP7090568B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
JP7258826B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2023-04-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5275976A (en) * | 1990-12-27 | 1994-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Process chamber purge module for semiconductor processing equipment |
JP2745896B2 (ja) | 1991-10-07 | 1998-04-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
JP3248987B2 (ja) | 1993-05-31 | 2002-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP3209510B2 (ja) | 1997-05-19 | 2001-09-17 | ハムリー株式会社 | 自動給餌装置 |
JP3818480B2 (ja) | 1999-04-21 | 2006-09-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体素子の製造方法及びその装置 |
TW440952B (en) * | 1999-07-12 | 2001-06-16 | Lam Res Co Ltd | Waferless clean process of dry etcher |
US6579361B2 (en) * | 1999-12-02 | 2003-06-17 | Lpe Spa | Chemical vapor deposition epitaxial reactor having two reaction chambers alternatively actuated and actuating method thereof |
JP3854157B2 (ja) | 2002-01-15 | 2006-12-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
JP4086146B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2008-05-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
JP2004104029A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-11-04 JP JP2005321167A patent/JP4225998B2/ja active Active
- 2005-12-08 US US11/296,852 patent/US7416978B2/en active Active
- 2005-12-08 KR KR1020050119270A patent/KR100921259B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-09 TW TW094143762A patent/TWI352389B/zh active
-
2008
- 2008-06-20 US US12/213,574 patent/US7713354B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI352389B (en) | 2011-11-11 |
US20080264339A1 (en) | 2008-10-30 |
US7416978B2 (en) | 2008-08-26 |
TW200633058A (en) | 2006-09-16 |
JP2006190977A (ja) | 2006-07-20 |
US20060141782A1 (en) | 2006-06-29 |
KR100921259B1 (ko) | 2009-10-09 |
KR20060065513A (ko) | 2006-06-14 |
US7713354B2 (en) | 2010-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4225998B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 | |
JP6538582B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP5028957B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 | |
JP5158068B2 (ja) | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 | |
JP6647260B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
CN107731656B (zh) | 清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质 | |
JP2010059522A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2012216696A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP7429747B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP2008303452A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2020057769A (ja) | 半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置 | |
US20240055259A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus | |
JP7064577B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
EP4209612A1 (en) | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus | |
JPWO2017212728A1 (ja) | 処理方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP5690219B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP7204889B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム | |
US20200095678A1 (en) | Method of cleaning, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP7430677B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP2019125805A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
TWI792478B (zh) | 半導體裝置的製造方法,程式,基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP6625256B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP7179962B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム | |
WO2023042386A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及びコーティング方法 | |
US20220216061A1 (en) | Substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081125 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4225998 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141205 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |