JP6315272B2 - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
基板上に反応ガスを導入して基板を処理する反応チャンバーと、
反応チャンバーに基板を搬入し、基板を処理した処理基板を反応チャンバーから搬出する搬送チャンバーと、
反応チャンバーと搬送チャンバーの間を基板及び処理基板が往来可能に連通する連通部と、
連通部に位置して、連通部にパージガスを導入するパージガス導入孔と、
搬送チャンバーと連通部の連通を開閉可能な開閉部と、
を備える半導体製造装置により半導体基板を製造する製造方法において、
搬送チャンバーから反応チャンバーに基板を搬入するために、開閉部が搬送チャンバーと連通部の連通を開放している間に、連通部が閉鎖している間のパージガスの流量である第1流量より大きい第2流量のパージガスを導入することを特徴とする。
先ず比較例として、図2に示す気相成長装置1の搬送チャンバー3と反応チャンバー4のガス排出管16(ガス排気系)にそれぞれ酸素濃度計を取り付けた気相成長装置を用意した。外部からロードロックチャンバー2に基板を搬入する前の搬送チャンバー3内及び反応チャンバー4内の酸素濃度の測定下限値を測定したところ、いずれも0.1ppm以下であった。その後、反応チャンバー4内の汚染を評価する汚染評価用の半導体ウェーハの基板となるシリコンウェーハを準備した。準備した基板は、ロードロックチャンバー2に搬入された後、図4Aに示すようにロードロックチャンバー2から搬送チャンバー3に搬送される(ステップS101)。基板が搬送チャンバー3に搬送された後、搬送チャンバー3と反応チャンバー4の間の第2隔離弁11aを開放する(ステップS102)。そして、基板を搬送チャンバー3から反応チャンバー4に搬送した(ステップS103)。第2隔離弁11aが搬送口G5を開放して、搬送口G5を再び閉鎖するまでの搬入作業期間中は第3流路18aに導入するパージガスの流量を変更せず、操業待機状態のパージガスの流量(5L/min)を維持した。また、基板を搬送チャンバー3から反応チャンバー4へ搬送している間における搬送チャンバー3と反応チャンバー4の最大酸素濃度を酸素濃度計により測定した。
次に実施例について説明する。比較例と同じ装置を用い、比較例と同様に外部から基板を搬入する前の搬送チャンバー3内及び反応チャンバー4内の酸素濃度の測定下限値が0.1ppm以下であることを確認した。そして、比較例と同様のサンプルを作製した後、比較例と同様に基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャルウェーハ表面のMo濃度を測定した。実施例では、第2隔離弁11aが搬送口G5を開放して搬送口G5を再び閉鎖するまでの搬送期間中にパージガス導入孔19aから導入されるパージガスの流量を変更した(図4BのステップS2a、S4a)。具体的には、搬送期間中は、操業待機中に導入するパージガスの流量(5L/min)より大きい流量(15L/min、30L/min、40L/min)になるように基板毎に流量を変更した(ステップS2a)。基板が反応チャンバー4に搬入された後、第2隔離弁11aが閉鎖され(ステップS4)、その後、パージガスの流量を操業待機中に導入するパージガスの流量(5L/min)に戻した(ステップS4a)。そして、それぞれの基板について比較例と同様の手順によりエピタキシャルウェーハを作製した。
3 搬送チャンバー 4 反応チャンバー
6 搬送ロボット 7 可動弁
11 第2可動弁(開閉部) 18a 第3流路(連通部)
18 バルブゲート 19a パージガス導入孔
20 ガス制御部
Claims (3)
- 基板上に反応ガスを導入して前記基板を処理する反応チャンバーと、
前記反応チャンバーに前記基板を搬入し、前記基板を処理した処理基板を前記反応チャンバーから搬出する搬送チャンバーと、
前記反応チャンバーと前記搬送チャンバーの間を前記基板及び前記処理基板が往来可能に連通する連通部と、
前記連通部に位置して、前記連通部にパージガスを導入するパージガス導入孔と、
前記搬送チャンバーと前記連通部の連通を開閉可能な開閉部と、
を備える半導体製造装置により半導体基板を製造する製造方法において、
前記搬送チャンバーから前記反応チャンバーに前記基板を搬入するために、前記開閉部が前記搬送チャンバーと前記連通部の連通を開放している間に、前記連通部が閉鎖している間の前記パージガスの流量である第1流量より大きい第2流量の前記パージガスを導入することを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記反応チャンバーから前記搬送チャンバーに前記処理基板を搬出するために、前記開閉部が前記搬送チャンバーと前記連通部の連通を開放している間に前記第2流量の前記パージガスを導入する請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第2流量は10L/min以上40L/min以下である請求項1又は2に記載の半導体基板の製造方法。
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