JP4942333B2 - ニッケル粉およびその製造方法、ならびに該ニッケル粉を用いたポリマーptc素子 - Google Patents

ニッケル粉およびその製造方法、ならびに該ニッケル粉を用いたポリマーptc素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4942333B2
JP4942333B2 JP2005344631A JP2005344631A JP4942333B2 JP 4942333 B2 JP4942333 B2 JP 4942333B2 JP 2005344631 A JP2005344631 A JP 2005344631A JP 2005344631 A JP2005344631 A JP 2005344631A JP 4942333 B2 JP4942333 B2 JP 4942333B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nickel powder
nickel
aqueous solution
cobalt
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005344631A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007146251A (ja
Inventor
敏弘 加藤
研哉 伊藤
修二 岡田
新 田中
圭一郎 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP2005344631A priority Critical patent/JP4942333B2/ja
Priority to PCT/JP2006/323720 priority patent/WO2007063851A1/ja
Priority to TW095144043A priority patent/TWI402116B/zh
Priority to CN2006800446942A priority patent/CN101316673B/zh
Priority to EP06833524A priority patent/EP1974840A4/en
Priority to KR1020087015681A priority patent/KR101356377B1/ko
Publication of JP2007146251A publication Critical patent/JP2007146251A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4942333B2 publication Critical patent/JP4942333B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/027Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient consisting of conducting or semi-conducting material dispersed in a non-conductive organic material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/052Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06526Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

本発明は、ニッケル粉およびその製造方法、ならびに該ニッケル粉を用いたポリマーPTC素子に関する。該ニッケル粉は、導電ペーストおよび導電樹脂用の導電性粒子として好適に用いることができ、特にポリマーPTC素子用の導電性フィラーとして好適に用いることができる。
従来、電子機器の接続にはすず鉛(Sn−Pb)系はんだが用いられていたが、近年ではPbフリー化に対応して電子機器の接続に導電ペーストの使用が検討されている。また、近年においては、導電樹脂を利用したデバイスが広く用いられるようになってきている。
導電ペーストは、導電性粒子と各種の樹脂を混練したペーストであり、導電樹脂は、これを硬化させた成形体である。導電性粒子に求められる特性としては、粒子そのものの導電性が高く、樹脂と混練した状態でも電気抵抗が低いこと、耐マイグレーション性が高いこと、耐候性に優れること等が挙げられる。現在、導電性粒子としては、金属粉もしくはカーボン粉が用いられている。
金属粉のうち、貴金属粉は導電性が高く、電気抵抗が低いが、高価であるという問題がある。また、ニッケル(Ni)あるいは銅(Cu)などに代表される卑金属粉は、コスト的に安価であり、かつ、高い導電性を有しているが、耐候性に劣るため、樹脂と混練して導電ペーストや導電樹脂として長期にわたり使用すると、電気抵抗が上昇するという問題がある。
また、カーボン粉は、安価であり、かつ、耐候性も高いが、導電性が低く、樹脂と混練した時の電気抵抗が高くなるという問題がある。
これらの問題点を解決すべく、特許文献1(特開2002−025345号公報)および特許文献2(特開2002−075057号公報)において、Ni粒子やCu粒子の表面に銀(Ag)等の貴金属を被覆した粉末が提案されている。これらの粉末は、貴金属でNi粒子やCu粒子を被覆しているので、特性的な面は全般的に改善されているが、耐マイグレーション性については問題がある。特に、Agで被覆した粉末については耐マイグレーション性が求められる使用環境下では、使用には適さない。また、貴金属でNi粒子やCu粒子を被覆することはコスト的に高価となる。
また、特許文献3(特開2001−043734号公報)では、Ni粒子等の表面形状を変更すること、例えば表面に半球状の小瘤を形成することにより、樹脂と混練した時の電気抵抗を下げる試みもなされている。しかし、粒子の耐侯性が劣る点はそのままであるため、長期間の使用における安定性を改善しているとは言えない。
さらに、本発明者は、特定の形状を持ち、コバルト(Co)を添加することで導電性と耐候性を改善したNi粉を提案しているが(特許文献4参照。)、さらなる改善が期待されている。このような事情から、安価で、かつ、耐侯性に優れ、樹脂と混練した状態で低い電気抵抗を有し、長期間にわたり安定して使用できる導電性粒子の提供が望まれている。
特開2002−25345号公報 特開2002−75057号公報 特開2001−43734号公報 国際公開第2005/023461号パンフレット
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、安価であって、樹脂と混練した状態における電気抵抗が低く、かつ、耐侯性に優れ、長期間にわたり安定して、導電ペースト、導電樹脂、PTC素子用の導電性フィラー等に用いる導電性粒子として使用できるニッケル粉およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係るニッケル粉は、コバルトを1〜20質量%含有し、残部がニッケルおよび不可避不純物からなり、かつ、一次粒子が凝集した二次粒子で構成され、さらに、平均一次粒子径が1.0〜3.0μm、一次粒子径の標準偏差σと平均一次粒子径d1の比σ/d1の値が0.4以下、平均二次粒子径が5〜60μm、タップ密度が1.0〜3.5g/mL、比表面積が2.0m2/g以下であることを特徴とする。
前記平均一次粒子径d1と前記平均二次粒子径d2との比d2/d1の値が5〜60の範囲内であることが好ましい。
また、前記二次粒子の表層部に存在する一次粒子のコバルト含有量が、該表層部の全質量あたり1〜40質量%であることが好ましい。
本発明に係るニッケル粉の製造方法は、還元剤を含有する水溶液に2価のニッケル塩を添加してニッケルを析出させる第1の還元析出工程と、第1の還元析出工程後の水溶液に少なくとも2価のニッケル塩を添加して、さらにニッケルを析出させる第2の還元析出工程とからなり、前記第1および第2の還元析出工程のうち、少なくとも第1の還元析出工程においてHLB値が10以下の低親水性の界面活性剤を添加するとともに、少なくとも第2の還元析出工程において、ニッケルを析出させる水溶液に2価のコバルト塩を添加してニッケルを析出させてニッケル粉を得て、さらに得られたニッケル粉を不活性雰囲気または真空中で80〜230℃で乾燥させるか、または、大気中で80〜150℃で乾燥させた後に還元雰囲気中で200〜400℃の熱処理をすることを特徴とする。
前記第2の還元析出工程において2価のコバルト塩を添加した水溶液中のコバルトイオンの含有量が、該水溶液中のニッケルイオンとコバルトイオンの合計量に対し1〜40質量%であり、かつ、該水溶液中のコバルトイオン濃度が前記第1の還元析出工程における水溶液中のコバルトイオン濃度より高く、さらに、前記第1および第2の還元析出工程を経て得られるニッケル粉はコバルトを1〜20質量%含有していることが好ましい。
また、前記第1の還元析出工程における水溶液に、該水溶液中のコバルトイオン含有量が該水溶液中のニッケルイオンとコバルトイオンの合計量に対し1〜20質量%となるように2価のコバルト塩を添加するとともに、前記第2の還元析出工程における水溶液に、該水溶液中のコバルトイオン含有量が該水溶液中のニッケルイオンとコバルトイオンの合計量に対し1〜20質量%となるように2価のコバルト塩を添加してもよい。
前記ニッケル粉をポリマーPTC素子に用いる場合には、前記二次粒子の表層部におけるコバルトの含有量が、該表層部の全質量当たり8〜20質量%であることが好ましく、ニッケル粉全体としてのコバルトの含有量が4〜10質量%であることが好ましく、ニッケル粉の内部におけるコバルトの含有量が、該内部の全質量当たり3〜6質量%であることが好ましい。さらに、タップ密度が2.3〜3.0g/mLであることが好ましく、d2/d1が8〜16であることが好ましい。
本発明に係るポリマーPTC素子は、導電性フィラーおよびポリマー材料を含んで成るポリマーPTC要素、ならびにポリマーPTC要素の少なくとも1つの表面に配置された金属電極を有して成るポリマーPTC素子であって、前記ニッケル粉ならびに前記方法によって製造されるニッケル粉のいずれかを導電性フィラーとして使用することを特徴とする。
本発明に係るニッケル粉を樹脂と混練して樹脂成形体を作製すると、電気抵抗が著しく低い樹脂成形体を得ることができる。また、得られた樹脂成形体は優れた耐侯性を有しており、長期間安定して使用できる。したがって、本発明に係るニッケル粉は、導電ペーストおよび導電樹脂等に用いる導電性粒子として極めて好適に用いることができる。また、後述するように、本発明のニッケル粉は、ポリマーPTC素子の導電性フィラーとしても好適に使用できる。
さらに、本発明に係るニッケル粉は、高価な材料を使用しておらず、かつ、複雑な工程を要せずに得ることができるので、安価である。
なお、特許文献4に係るニッケル粉も耐候性に優れるが、特許文献4に係るニッケル粉の平均一次粒子径0.2〜2.0μmに対して、本発明に係るニッケル粉の平均一次粒子径は1.0〜3.0μmであり、また、特許文献4に係るニッケル粉のタップ密度が0.5〜2.0g/mLに対して、本発明に係るニッケル粉のタップ密度が1.0〜3.5g/mLである。さらに、本発明に係るニッケル粉は、一次粒子径の標準偏差σと平均一次粒子径d1の比σ/d1を0.4以下、比表面積を2.0m2/g以下に規定している。このため、本発明に係るニッケル粉は特許文献4に係るニッケル粉よりも耐候性がより良好となっている。
また、本発明に係るニッケル粉はポリマーPTC素子に好適に用いることができ、高温かつ乾燥条件(例えば夏の日の車中の環境)のような過酷な環境においても抵抗率の増加が小さいので、従来のPTC素子と比較して有用である。
本発明者らは、ニッケル粉が混練された樹脂の電気抵抗に関する研究を進めた結果、ニッケル粉の粒径およびタップ密度が、ニッケル粉が混練された樹脂を用いた成形体の電気抵抗に与える影響が大きく、ニッケル粉の粒径、タップ密度を特定の範囲に制御することで、前記成形体の電気抵抗を大きく下げることができることを見出した。
また、少量のコバルトをニッケル粉に含有させること、特にニッケル粉の表層部にコバルトを含有させることにより、ニッケル粉の耐候性が改善されることを見出した。さらに、一次粒子径の変動を抑制すること、および比表面積を特定の値とすることで耐候性がより改善されることも見出した。
本発明は、かかる知見に基づき完成されたものである。以下、本発明に係るニッケル粉について詳細に説明するとともに、本発明に係るニッケル粉の製造方法についても説明する。
本発明に係るニッケル粉は、コバルトを1〜20質量%含有し、残部がニッケルおよび不可避不純物からなり、かつ、一次粒子が凝集した二次粒子で構成され、さらに、平均一次粒子径が1.0〜3.0μm、一次粒子径の標準偏差σと平均一次粒子径d1の比σ/d1の値が0.4以下、平均二次粒子径が5〜60μm、タップ密度が1.0〜3.5g/mL、比表面積が2.0m2/g以下である。
「平均一次粒子径、一次粒子径の標準偏差」
一次粒子径は、凝集している個々の粒子の粒径のことであり、SEM観察によって測定する。具体的には、ニッケル粉をサンプルホルダーに導電性両面テープによって固定し、日本電子株式会社製JSM−6360LAにて加速電圧20kV、倍率2500倍で観察する。そして、得られたSEM像に、前記装置に付属している画像処理ソフト(SmileView)を適用し、粒子が重なり粒子径が判別できないものを除き、200個以上の一次粒子について粒子径を測定して、一次粒子の平均粒子径d1を求める。また、得られたデータから一次粒子径の標準偏差も算出する。
平均一次粒子径を1.0〜3.0μmの範囲とすることで、ニッケル粉は適度に凝集し、鎖状などの複雑な形状の二次粒子となる。このような二次粒子とすることにより、樹脂との混練によって得られる樹脂成形体において、ニッケル粉は互いに絡み合ってネットワークを構成し、該樹脂成形体は著しく低い電気抵抗を示すとともに、優れた耐候性を示すこととなる。
これに対し、特許文献4(国際公開第2005/023461号パンフレット)に係るニッケル粉の平均一次粒子径は0.2〜2.0μmである。ニッケル粉の平均一次粒子径が0.2μm以上1.0μm未満であっても、コバルトが全体として1〜20質量%含有されていればニッケル粉の耐候性は良好である。しかし、ニッケル粉の平均一次粒子径が0.2μm以上1.0μm未満の場合は、ニッケル粉の表面の酸化の影響がニッケル粉の平均一次粒子径が1.0〜3.0μmの場合よりも大きくなり、樹脂との混練によって得られる成形体の耐候性は、平均一次粒子径が1.0〜3.0μmの場合よりは悪くなる。したがって、ニッケル粉の平均一次粒子径は1.0μm以上であることが好ましい。
一方、ニッケル粉の平均一次粒子径が3.0μmを超えると、樹脂との混練によって得られる成形体において、ニッケル粉間の接点が減少し成形体の抵抗が上昇してしまう。平均一次粒子径がさらに大きくなると、ニッケル粉自体の凝集が少なくなり、単分散の状態に近くなり、ニッケル粉間の接点がさらに減少してしまい、成形体の抵抗はさらに上昇してしまう。
一次粒子径の標準偏差σと平均一次粒子径d1との比σ/d1は、一次粒子径の変動の程度を示す。σ/d1を0.4以下とすることで、一次粒子径が小さい粒子が大幅に減少し、一次粒子径が平均値程度以上である粒子の存在数が変わらなくても、平均一次粒子径が大きくなる。これにより、従来よりも大きな平均一次粒子径を有するニッケル粉であっても凝集が可能となる。また、平均一次粒子径が大きくなることで、従来より多量のニッケル粉を樹脂と混練することが可能となり、耐候性が向上する。さらに、酸化しやすい細かな一次粒子が減少することでも、ニッケル粉の酸化が抑制され、耐候性が大幅に向上する。
「平均二次粒子径」
ニッケル粉が凝集すると、二次粒子を形成する。二次粒子の粒径はレーザー粒度分布測定により測定する。具体的には、日機装株式会社製のMICROTRAC HRA MODEL 9320−X100を用い、ニッケル粉をヘキサメタリン酸ナトリウム0.2質量%水溶液中に投入し、300Wで10分間の超音波撹拌を行った後、FRAモードで平均粒子寸法(D50)を測定し、これを平均二次粒子径d2とする。
平均二次粒子径を5〜60μmの範囲とすることで、樹脂との混練後にニッケル粉同士が接触する箇所が多くなり、樹脂成形体の電気抵抗が著しく低下する。しかし、平均二次粒子径が5μm未満では、凝集が少ないため絡み合う箇所が減少し、樹脂との混練後の抵抗値が高くなる。また、平均二次粒子径が60μmを超えると、樹脂中でのニッケル粉の分散が不均一となるおそれがあるため、好ましくない。
「タップ密度」
ニッケル粉のタップ密度は、樹脂中でのニッケル粉の分散度に影響する。タップ密度の測定には、株式会社蔵持科学器械製作所製の振とう比重測定器KRS−409を用いる。ニッケル粉15gを秤量して20mLメスシリンダー内に入れ、タップ速度を120回/分とし、タップ高さ20mmで500回のタップを行う。その後、ニッケル粉の容積をメスシリンダーの目盛りから読み取り、ニッケル粉の質量(g)を読み取った容積で除して算出する。
タップ密度を1.0〜3.5g/mLの範囲とすることにより、樹脂中にニッケル粉が均一に分散し、樹脂成形体の電気抵抗は著しく低くなる。
これに対し、特許文献4に係るニッケル粉のタップ密度は0.5〜2.0g/mLである。ニッケル粉のタップ密度が0.5g/mL以上1.0g/mL未満であっても、コバルトが全体として1〜20質量%含有されていればニッケル粉の耐候性は良好である。しかし、樹脂成形体の耐候性を改善するには混練するニッケル粉を多くすることが有効である。タップ密度が0.5g/mL以上1.0g/mL未満の場合は、樹脂へ混練するニッケル粉を多くすることが困難となるので、耐候性がタップ密度1.0g/mLの場合より低下してしまう。したがって、ニッケル粉のタップ密度は1.0g/mL以上であることが好ましい。
一方、ニッケル粉のタップ密度が3.5g/mLを超えると、樹脂中でニッケル粉が偏在してしまい、相互の接触が減少し、樹脂成形体の電気抵抗が大きくなってしまう。
「比表面積」
比表面積はニッケル粉の耐候性に大きく影響する。比表面積の測定には、ユアサアイオニクス社製のマルチソーブ16を用いる。脱気温度200℃、脱気時間15分の窒素ガスによる脱気後、窒素30%−アルゴン混合ガス吸着によるBET1点法で測定する。
比表面積が2.0m2/g以下になると表面のマイクロポアが減少して表面の酸化が抑制され耐候性が大幅に向上する。比表面積が1.2m2/g以下であると、耐候性の向上効果はより大きくなり好ましい。
「コバルト含有量」
本発明に係るニッケル粉は、ニッケル粉の全体の合計質量を基準として、コバルトを1〜20質量%含有しており、このコバルトにより、ニッケル粉の耐候性は著しく向上する。コバルトはニッケルよりわずかに卑であり、コバルトが優先的に腐食することに加えて、腐食したコバルトが導電性を有するからである。しかしながら、コバルトの含有量がニッケル粉全体の1質量%未満では耐侯性向上の効果がなく、20質量%を超えて添加してもコスト的に高価となり好ましくない。
「二次粒子の表層部に存在する一次粒子のコバルト含有量」
コバルト含有量をなるべく少なくしつつ、十分な耐侯性を確保するためには、ニッケル粉の二次粒子の表層部に多くのコバルトを含有させることが好ましい。ここで、ニッケル粉の二次粒子の表層部とは、ニッケル粉を二段階の還元析出工程により作製する場合において、二段階目の還元析出工程により析出した部位のことである。
該表層部におけるコバルト含有量は、該表層部の全質量あたり1〜40質量%の範囲とすることが好ましい。必要な耐侯性を得るためには、該表層部に1質量%以上のコバルトを含有させることが必要である。しかし、該表層部に40質量%を超えて添加しても、耐候性をさらに向上させることは難しい。また、該表層部に40質量%を超えて添加すると、ニッケル粉が強磁性を帯びるようになり、電子部品等に使用する場合に好ましくない。なお、上述の説明から明らかなように、本発明は、ニッケル粉の内部にもコバルトが含まれている態様を排除するものではない。すなわち、ニッケル粉の表層部に加えて内部にもコバルトが含まれていてもよく、そのような場合が好ましいこともある。例えば、後述するポリマーPTC素子にニッケル粉を使用する場合がそうである。
「平均二次粒子径d2/平均一次粒子径d1の値」
さらに、本発明に係るニッケル粉においては、平均二次粒子径d2/平均一次粒子径d1の値が5〜60の範囲にあることが好ましい。平均二次粒子径d2/平均一次粒子径d1の値が5〜60の範囲にある時、樹脂と混練したニッケル粉同士の接触が起きやすくなり、得られる樹脂成形体の電気抵抗は小さくなる。しかし、この比が5未満の場合はニッケル粉同士の接触が起きにくくなり好ましくない。また、60を超えると凝集が大きくなるため、樹脂中での分散が不均一となり好ましくない。
「ニッケル粉の製造方法」
次に、本発明に係るニッケル粉の製造方法について説明する。本発明に係るニッケル粉は、2段階の還元析出工程および乾燥・加熱工程により製造する。
まず第1の還元析出工程において、還元剤を含有する水溶液(還元剤を過剰に含有させることが一般的である。)に、2価のニッケル塩を含有する水溶液を添加してニッケルをほぼ全て析出させる。そして、引き続き第2の還元析出工程において、第1の還元析出工程により析出したニッケル粉を含む水溶液に、必要に応じて還元剤を添加するとともに、2価のニッケル塩水溶液も添加してニッケルをさらに析出させる。
前記製造の際、少なくとも第1の還元析出工程においては、低親水性の界面活性剤を添加する。例えば、変性シリコンオイル系界面活性剤であれば、下記数式1で示されるHLB値が10以下のものを添加する。低親水性の界面活性剤を添加することで、反応中のニッケルイオン濃度を抑制して過剰な核生成を防ぎ、微細なニッケル一次粒子の発生を抑えて、適度な大きさの一次粒子に成長させることができる。
界面活性剤を添加しない場合は、過剰な核生成が生じ、微細なニッケル一次粒子が発生する。また、適度な大きさの一次粒子に成長しないため、一次粒子径のバラツキも大きくなる。
界面活性剤を添加しても、添加する界面活性剤のHLB値が10を上回る場合は、一次粒子径のバラツキは抑えられるものの、微細なニッケル一次粒子が発生し、平均一次粒子径が小さくなってしまう。
なお、還元剤を含有する水溶液には、酒石酸などの多価カルボン酸、エチレンジアミンなどの通常使用されている錯化剤、pH調整用の水酸化ナトリウム等を添加することができる。また、還元剤としては、ニッケルを還元析出し得るものであれば特に制限はないが、ヒドラジン系の還元剤が適する。
前記製造方法において、第1の還元析出工程により、析出したニッケル粒子は一次粒子が適度に凝集した二次粒子となり、ニッケル粉の内部を構成するが、その凝集力は弱く、反応済溶液との分離操作あるいは樹脂との混錬の際に、容易に分離して単独の粒子となってしまう。ところが、第2の還元析出工程を引続いて行なうことによって、さらに析出したニッケルにより凝集が強固となり、その後の操作でも分離することなく適度な凝集を維持できる。第2の還元析出工程で析出したニッケルは、第1の還元析出工程で析出したニッケル二次粒子の外側に凝集してニッケル粉の表層部を形成し、ネットワークを構造的につなぎ、強度の高いニッケル粉を形成するものと考えられる。こうして得たニッケル粉と樹脂との混錬による成形体の電気抵抗は著しく低い。
上記の2段階の還元析出工程を経させるとともに、ニッケル塩や還元剤の濃度、水溶液の温度その他の条件を調整して製造することにより、以上述べてきた粉体特性(一次粒子が凝集した二次粒子で構成され、平均一次粒子径が1.0〜3.0μm、一次粒子径の標準偏差σと平均一次粒子径d1の比σ/d1が0.4以下、平均二次粒子径が5〜60μm、タップ密度が1.0〜3.5g/mL、比表面積が2.0m2/g以下)を有するニッケル粉を得ることができる。
このニッケル粉にコバルトを含有させるには、上記した2段階の還元析出工程のうち、第2の還元析出工程のみ、または第1の還元析出工程および第2の還元析出工程の両方において、水溶液に2価のコバルト塩を添加した状態でニッケルを析出させればよい。内部も含めたニッケル粉全体にコバルトを含有させる場合には、第1および第2の還元析出工程のそれぞれにおいて、水溶液に2価のコバルト塩を添加した状態でニッケルを析出させればよく、水溶液中のコバルトイオンの含有量をいずれの工程においても水溶液中のニッケルイオンとコバルトイオンの合計量に対し1〜20質量%とすればよい。ニッケル粉の内部よりも表層部にコバルトを多く含有させる場合には、第1の還元析出工程よりも第2の還元析出工程において、水溶液中に2価のコバルト塩を多く添加し、最終的にニッケル粉全体のコバルト含有量が1〜20質量%となるように調整すればよい。
また、ニッケル粉の内部にはコバルトを含有させず、表層部にのみコバルトを含有させる場合には、第1の還元析出工程ではコバルト塩を水溶液に添加せず、第2の還元析出工程においてのみ、水溶液に2価のコバルト塩を添加すればよい。その際のコバルト塩の添加量は、水溶液中のコバルトイオンの含有量が、水溶液中のニッケルイオンとコバルトイオンの合計量に対し1〜40質量%となるようにすればよく、これによりニッケル粉の表層部におけるコバルト含有量を1〜40質量%にすることができる。
以上のようにして2段階の還元工程で得られたニッケル粉を、不活性雰囲気または真空中で80〜230℃で加熱し、乾燥させることにより、表面のニッケル原子が拡散してマイクロポアがさらに消滅し、比表面積が小さくなる。乾燥温度が80℃未満では、マイクロポアの消滅が十分ではなく、比表面積が2.0m2/gを超えてしまう。一方、230℃を超えると表面を不動態化している水酸化ニッケルが分解してしまい、乾燥後に酸化が進行し、樹脂混練時の抵抗が高くなってしまう。乾燥温度は、マイクロポアを十分に消滅させる点で、120〜230℃とすることがより好ましい。
また、前記2段階の還元工程で得られたニッケル粉を大気中で80〜150℃で乾燥した後、還元雰囲気中で200〜400℃で加熱することによっても、マイクロポアを十分に消滅させることができる。大気中で乾燥させると、表面に多量の水酸化物が生成して比表面積が大きくなるとともに、樹脂混練後の抵抗値が大幅に上昇してしまうが、乾燥後に還元雰囲気中で加熱することで、少量の水酸化ニッケルが残る以外は分解することができ、比表面積を小さくすることができる。還元雰囲気中での加熱が200℃未満では、水酸化ニッケルの分解が不十分で、比表面積が大きく、樹脂混練後の抵抗値も高くなってしまう。400℃を超えると水酸化ニッケルが分解しすぎるばかりかニッケル粉同士が焼結してしまう。
このように、本発明に係るニッケル粉の製造方法では、貴金属等の高価な材料は使用しておらず、かつ、複雑な工程は要しない。したがって、本発明に係るニッケル粉は安価に得ることができる。
「ポリマーPTC素子」
以上、本発明に係るニッケル粉およびその製造方法について説明したが、本発明は、さらに上述又は後述の本発明のニッケル粉を導電性フィラーとして用いたポリマーPTC素子をも提供する。以下、該ポリマーPTC素子について説明するが、ポリマーPTC素子自体は周知であり、ポリマーPTC素子自体についての説明は省略する。
本発明に係るPTC素子は、具体的には、(A)(a1)導電性フィラー、および(a2)ポリマー材料を含んで成るポリマーPTC要素、ならびに(B)ポリマーPTC要素の少なくとも1つの表面に配置された金属電極を有して成り、導電性フィラーとして本発明に係るニッケル粉を使用する。なお、上述の成形体におけるニッケル粉の物性についての考察、特に耐候性、導電性等に与える影響についての考察は、ポリマーPTC素子における導電性フィラーとしてのニッケル粉にも同様に当てはまる。
本発明に係るポリマーPTC素子において使用するポリマー材料は、PTC特性をもたらす、常套のポリマーPTC素子に使用されている既知のポリマー材料であってよい。そのようなポリマー材料は、熱可塑性の結晶性ポリマーであり、例えば、ポリエチレン、エチレン共重合体、フッ素含有ポリマー、ポリアミドおよびポリエステルを例示でき、これらを単独で、または組み合わせて使用してよい。
より具体的には、ポリエチレンとしては、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン等を使用でき;エチレン共重合体としては、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−ブチルアクリレート共重合体、エチレン−ビニルアセテート共重合体、エチレン−ポリオキシメチレン共重合体等を使用でき;フッ素含有ポリマーとしては、ポリフッ化ビニリデン、2フッ化エチレン−4フッ化エチレン−6フッ化プロピレン共重合体等を使用でき;ポリアミドとしては、6−ナイロン、6,6−ナイロン、12−ナイロン等を使用でき;また、ポリエステルとしてはポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等を使用できる。
本発明に係るポリマーPTC素子に用いる金属電極は、常套のポリマーPTC素子に使用されているいずれの既知の金属材料で構成してよい。金属電極は、例えばプレートまたは箔の形態であってよい。本発明が目的とするPTC素子を得ることができる限り、金属電極は特に制限されるものではない。具体的には粗面化金属プレート、粗面化金属箔等を例示できる。粗面化されている金属電極を使用する場合、粗面化面がPTC要素に接触する。例えば市販の電着銅箔、ニッケルメッキ電着銅箔を使用することができる。
このような「金属電極」は、PTC要素の主表面の少なくとも1つに配置され、好ましくはPTC要素の対向する2つの主表面に配置される。金属電極の配置は、PTC素子の常套の製造方法と同様に実施してよい。例えば、押出成形により得られたプレート状またはシート状のPTC要素に金属電極を熱圧着することによって配置してよい。別の態様では、ポリマー材料と導電性フィラーの混合物金属電極上に押出成形してよい。その後、必要に応じて切断することによってより小さい形態のPTC素子としてもよい。
加えて、本発明は、上述の本発明のPTC素子の少なくとも一方の金属電極に金属リードが電気的に接続されているPTCデバイスを提供し、更に、そのようなPTCデバイスが配線または電子部品に電気的に接続されている電気装置(例えば携帯電話)をも提供する。
本発明のPTC素子において使用するのが特に好ましい本発明のニッケル粉は、例えば次のようなものである:
(コバルトの含有量)
ニッケル粉の全体の合計質量を基準として、コバルトを2〜20質量%、好ましくは3〜18質量%、より好ましくは3〜15質量%、例えば4〜10質量%、特に5〜7質量%(例えば6質量%)含む。
また、ニッケル粉の表層部においては、該表層部の全質量を基準として、コバルトを3〜40質量%、好ましくは8〜30質量%、より好ましくは8〜20質量%、例えば9〜15質量%、特に10質量%含む。
さらに、PTC素子に用いるのが好ましいニッケル粉は、表層部に加えてその内側である内部にもコバルトを含んでもよく、それが好ましいが、内部にコバルトを含む必要は必ずしもない。内部にコバルトが含まれる場合、内部のコバルトの量は、内部の全質量を基準として、例えば2〜7質量%(特に3〜6質量%)であることが好ましい。
本発明に係るPTC素子において使用するために特に好ましい本発明に係るニッケル粉の具体例としては、上述の3種のコバルト含有量の範囲で構成される種々の組み合わせのいずれかであり、例えば次のようなものを例示できる:全体としてのコバルトの量は5〜7質量%、表層部のコバルトの量は9〜12質量%、内部のコバルトの量は4〜5質量%。
(タップ密度)
例えば2.0〜3.5g/mL、好ましくは2.3〜3.0g/mL。
(一次粒子径)
例えば1.5〜2.5μm、好ましくは1.7〜2.2μm。
(一次粒子径の標準偏差/一次粒子径)
例えば0.3以下、好ましくは0.25以下。
(二次粒子径)
例えば10〜40μm、好ましくは15〜30μm。
(二次粒子径/一次粒子径)
例えば5〜20、好ましくは8〜16、より好ましくは10〜15。
(比表面積)
例えば2以下、好ましくは1.7以下。
本発明のポリマーPTC素子のポリマーPTC要素において、ポリマー材料と導電性フィラーとの割合は、所定のPTC素子としての機能を発揮する限り、いずれの適当な割合であってもよい。例えば、質量基準で導電性フィラーが65〜90質量%、好ましくは70〜85質量%である。
上述のような本発明に係るニッケル粉を含む、本発明に係るPTC素子では、高温・乾燥状態にさらされ得る環境下で長期間にわたって使用する場合であっても、従来のPTC素子と比較した場合、抵抗値の増加が大幅に抑制される。
以下、実施例および比較例により本発明をさらに説明する。ニッケル粉に係る実施例および比較例は、実施例1〜12および比較例1〜6であり、ポリマーPTC素子に係る実施例および比較例は、実施例A〜Dおよび比較例AおよびBである。
「ニッケル粉に係る実施例および比較例(実施例1〜12および比較例1〜6)」
(実施例1)
純水138Lに25%水酸化ナトリウム水溶液37.8Lおよび酒石酸1209gを添加し、撹拌しながら70℃まで加温した。この水溶液に、60%水加ヒドラジン28.8LおよびHLB値が9の変性シリコンオイル系界面活性剤を加え、さらに塩化コバルト水溶液および塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し5質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で3.7kg加え、第1の還元析出工程によりニッケル粉を析出させた。次に、この第1の還元析出工程によるニッケル粉の析出終了後の水溶液に、60%水加ヒドラジン4.8L、および塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し10質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量(水溶液中に含有される塩を金属に換算したNiとCoの合計の質量)で3.7kg加えて、第2の還元析出工程によりさらにニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて80℃で乾燥させてニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉のCo含有量は6.6質量%であった。その粉体特性を下記表1に示す。ただし、ニッケル粉全体におけるCo含有量は分析値であるが、表層部のCo含有量は、第2の還元析出工程における水溶液中の塩をNi換算およびCo換算した値から算出したものである。具体的には、前記Ni換算した値と前記Co換算した値との合計値に対する、前記Co換算した値の割合として算出した。
表1中のd1は平均一次粒子径を意味し、SEM観察により測定した。具体的には、ニッケル粉をサンプルホルダーに導電性両面テープによって固定し、日本電子株式会社製JSM−6360LAにて加速電圧20kV、倍率2500倍で観察した。そして、得られたSEM像に、前記装置に付属している画像処理ソフト(SmileView)を適用し、粒子が重なり粒子径が判別できないものを除き、200個以上の一次粒子について粒子径を測定して、一次粒子の平均粒子径d1を求めた。また、得られたデータから一次粒子径の標準偏差も算出した。
表1中のd2は平均二次粒子径を意味し、二次粒子の粒径はレーザー粒度分布測定により測定した。具体的には、日機装株式会社製のMICROTRAC HRA MODEL 9320−X100を用い、ニッケル粉をヘキサメタリン酸ナトリウム0.2質量%水溶液中に投入し、300Wで10分間の超音波撹拌を行った後、FRAモードで平均粒子寸法(D50)を測定し、これを平均二次粒子径d2とした。
表1中のσは平均一次粒子径d1の標準偏差を表し、σ/d1は一次粒子径の標準偏差σと平均一次粒子径d1との比を表す。
表1中のタップ密度の測定には株式会社蔵持科学器械製作所製の振とう比重測定器KRS−409を用いた。ニッケル粉15gを秤量して20mLメスシリンダー内に入れ、タップ速度を120回/分とし、タップ高さ20mmで500回のタップを行った。その後、ニッケル粉の容積をメスシリンダーの目盛りから読み取り、ニッケル粉の質量(g)を読み取った容積で除して算出した。
表1中の比表面積の測定にはユアサアイオニクス社製のマルチソーブ16を用いた。脱気温度200℃、脱気時間15分の窒素ガスによる脱気後、窒素30%−アルゴン混合ガス吸着によるBET1点法で測定した。
次に、上記のニッケル粉とポリエチレン樹脂を、ニッケル粉含有量がニッケル粉+ポリエチレン樹脂に対して35容量%および43容量%となるように混合し、ポリエチレン樹脂の融点以上の温度で混練して、シート状に成形した。
成形したシート状試料を25W×60Lに切り出して、表面抵抗率をJIS K 7194にしたがって測定したところ、35容量%混練品の初期の表面抵抗率は0.209Ω/□であり、43容量%混練品では0.036Ω/□であった。なお、この測定には、低抵抗率計(ロレスタ-GP、株式会社ダイアインスツルメンツ製)を用いた。
さらに、耐侯性を評価するため、シート状試料を、85℃−85%RHに設定した恒温恒湿槽中に168時間保持する耐湿試験を行なった後、上記と同様に表面抵抗率を測定した。35容量%混練品では0.217Ω/□を示し、43容量%混練品では0.033Ω/□を示した。これらの結果を表2に示す。
(実施例2)
実施例1と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行った。純水138Lに25%水酸化ナトリウム水溶液25.2Lおよび酒石酸806gを添加し、撹拌しながら70℃まで加温した。この水溶液に、60%水加ヒドラジン19.2LおよびHLB値が9の変性シリコンオイル系界面活性剤を加えた。この水溶液には塩化コバルト水溶液を添加せず、塩化ニッケル水溶液のみをNi換算質量で2.5kg添加して、第1の還元析出工程を行わせた。次に、この第1の還元析出工程によるニッケル粉の析出終了後の水溶液に、塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し10質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で2.5kg添加して、第2の還元析出工程によりさらにニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて80℃で乾燥させてニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉は表層部にのみCoを含有しており、全体としてのCo含有量は5.0質量%であった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、35容量%混練品の初期の表面抵抗率は0.711Ω/□であり、43容量%混練品では0.194Ω/□であった。さらに、耐湿試験後の表面抵抗率を測定したところ、35容量%混練品では0.706Ω/□を示し、43容量%混練品では0.160Ω/□を示した。これらの結果を表2に示す。
(実施例3)
純水2280mLに水酸化ナトリウム94.8gおよび酒石酸12.6gを添加し、撹拌しながら65℃まで加温した。この水溶液にヒドラジン180mLおよびHLB値が9の変性シリコンオイル系界面活性剤を加え、さらに塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し1質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で39gを加えて、第1の還元析出工程によりニッケル粉を析出させた。次に、この第1の還元析出工程終了後の水溶液に、ヒドラジン45mLおよび塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し1.5質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で39g加えて、第2の還元析出工程により、さらにニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて80℃で乾燥させてニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉の全体としてのCo含有量は1.2質量%であった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、35容量%混練品の初期の表面抵抗率は0.725Ω/□であり、43容量%混練品では0.203Ω/□であった。さらに、耐湿試験後の表面抵抗率を測定したところ、35容量%混練品では0.720Ω/□を示し、43容量%混練品では0.173Ω/□を示した。これらの結果を表2に示す。
(実施例4)
実施例3と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行った。実施例3では65℃までの加温であるが、実施例4では60℃までの加温とし、第1の還元析出工程と第2の還元析出工程の両方において、塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し20質量%となるように混合した水溶液(実施例3では、第1の還元析出工程ではCo含有量がNi+Co量に対し1質量%、第2の還元析出工程ではCo含有量がNi+Co量に対し1.5質量%。))をNi+Co換算質量で39g添加して、ニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて80℃で乾燥してニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉の全体としてのCo含有量は19.4質量%であった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、35容量%混練品の初期の表面抵抗率は0.097Ω/□であり、43容量%混練品では0.033Ω/□であった。さらに、耐湿試験後の表面抵抗率を測定したところ、35容量%混練品では0.115Ω/□を示し、43容量%混練品では0.035Ω/□を示した。これらの結果を表2に示す。
(実施例5)
実施例3と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行った。第1の還元析出工程において添加する水溶液には塩化コバルト水溶液を添加せず、塩化ニッケル水溶液のみをNi換算質量で39g添加して、第1の還元析出工程を行わせた。第2の還元析出工程においては、塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し40質量%となるように混合した水溶液(実施例3では、Co含有量がNi+Co量に対し1.5質量%。))をNi+Co換算質量で39g添加して、ニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて80℃で乾燥してニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉は表層部にのみCoを含有しており、得られたニッケル粉の全体としてのCo含有量は18.7質量%であった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、35容量%混練品の初期の表面抵抗率は0.539Ω/□であり、43容量%混練品では0.178Ω/□であった。さらに、耐湿試験後の表面抵抗率を測定したところ、35容量%混練品では0.609Ω/□を示し、43容量%混練品では0.176Ω/□を示した。これらの結果を表2に示す。
(実施例6)
実施例1と同様にして、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行い、ニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて150℃で乾燥させてニッケル粉を得た。本実施例6は、真空中の乾燥温度が150℃(実施例1は80℃)である点のみが実施例1と異なる。
得られたニッケル粉の全体としてのCo含有量は6.5質量%であり、比表面積は0.94m2/gであった。その粉体特性を表1に示す。
次に、実施例1と同様に表面抵抗率を測定したところ、初期の表面抵抗率は0.147Ω/□であり、耐湿試験後の表面抵抗率は0.112Ω/□を示した。これらの結果を表2に示す。
(実施例7)
実施例1と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行った。第1の還元析出工程においては塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し4質量%となるように混合した水溶液(実施例1では、Co含有量がNi+Co量に対し5質量%。))をNi+Co換算質量で3.7kg添加してニッケル粉を析出させた。次に、第2の還元析出工程においては、第1の還元析出工程において60%水加ヒドラジンの添加を開始してから35分経過後に、さらに60%水加ヒドラジンおよび塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し10質量%となるように混合した水溶液。)を添加して、ニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて200℃で乾燥させてニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉の全体としてのCo含有量は6.2質量%であり、比表面積は0.65m2/gであった。その粉体特性を下記表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、初期の表面抵抗率は0.151Ω/□であり、耐湿試験後の表面抵抗率は、0.122Ω/□であった。これらの結果を表2に示す。
(実施例8)
実施例1と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行った。純水138Lに25%水酸化ナトリウム水溶液25.2Lおよび酒石酸806gを添加し、撹拌しながら75℃まで加温した。この水溶液に、60%水加ヒドラジン19.2Lを加え、さらに第1の還元析出工程においては塩化コバルト水溶液は添加せず、塩化ニッケル水溶液のみをNi換算質量で2.5kg添加してニッケル粉を析出させた。次に、第2の還元析出工程においては、第1の還元析出工程において60%水加ヒドラジンの添加を開始してから50分経過後に、さらに60%水加ヒドラジンおよび塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し10質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で2.5kg添加して、ニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて220℃で乾燥させてニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉は表層部にのみCoを含有し、全体としてのCo含有量は4.6質量%であり、比表面積は0.97m2/gであった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、初期の表面抵抗率は0.209Ω/□であり、耐湿試験後の表面抵抗率は、0.190Ω/□であった。これらの結果を表2に示す。
(実施例9)
実施例1と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行った。第1の還元析出工程においては、純水138Lに25%水酸化ナトリウム水溶液25.2Lおよび酒石酸806gを添加し、撹拌しながら70℃まで加温した。この水溶液に、60%水加ヒドラジン19.2Lを加え、さらに第1の還元析出工程においては塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し1.5質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で2.5kg添加してニッケル粉を析出させた。次に、第2の還元析出工程においては、第1の還元析出工程において60%水加ヒドラジンの添加を開始してから40分経過後に、さらに60%水加ヒドラジンおよび塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し1.5質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で2.5kg添加して、ニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて120℃で乾燥させてニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉の全体としてのCo含有量は1.3質量%であり、比表面積は0.85m2/gであった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、初期の表面抵抗率は0.361Ω/□であり、耐湿試験後の表面抵抗率は、0.318Ω/□であった。これらの結果を表2に示す。
(実施例10)
純水2280mLに水酸化ナトリウム94.8gおよび酒石酸12.6gを添加し、撹拌しながら55℃まで加温した。この水溶液にヒドラジン180mLおよびHLB値が9の変性シリコンオイル系界面活性剤を加え、さらに塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し20質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で39gの塩化ニッケル水溶液を加えて、第1の還元析出工程によりニッケル粉を析出させた。次に、第2の還元析出工程においては、第1の還元析出工程においてヒドラジンの添加を開始してから30分経過後に、さらにヒドラジン45mLおよび塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し20質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で39g加えて、さらにニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて200℃で乾燥させてニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉の全体としてのCo含有量は18.8質量%であり、比表面積は1.09m2/gであった。その粉体特性を下記表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、初期の表面抵抗率は0.085Ω/□であり、耐湿試験後の表面抵抗率は0.081Ω/□を示した。これらの結果を表2に示す。
(実施例11)
実施例10と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行ったが、加温を70℃まで行った。第1の還元析出工程においては、塩化コバルト水溶液は添加せず、塩化ニッケル水溶液のみをNi換算質量で39g添加してニッケル粉を析出させた。次に、第2の還元析出工程においては、第1の還元析出工程においてヒドラジンの添加を開始してから45分経過後に、さらにヒドラジン45mLおよび塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し40質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で39g加えて、さらにニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて220℃で乾燥してニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉は表層部にのみCoを含有し、全体としてのCo含有量は19.1質量%であり、比表面積は1.15m2/gであった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、初期の表面抵抗率は0.406Ω/□であり、耐湿試験後の表面抵抗率は0.369Ω/□を示した。これらの結果を下記表2に示す。
(実施例12)
実施例7と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行った。その後、ろ過および水洗した後、大気中で110℃で乾燥し、さらに窒素−10%水素中350℃の温度で2時間加熱した。得られたニッケル粉の全体としてのCo含有量は5.9質量%であり、比表面積は0.35m2/gと小さかった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、初期の表面抵抗率は0.205Ω/□であり、耐湿試験後の表面抵抗率は0.196Ω/□であった。これらの結果を表2に示す。
(比較例1)
実施例2と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行ったが、第1の還元析出工程においては、HLB値が11の変性シリコンオイル系界面活性剤を添加してニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉は表層部にのみCoを含有しており、Co含有量は4.8質量%であった。その粉体特性を下記表1に示す。HLB値が11の変性シリコンオイル系界面活性剤を使用したため、平均一次粒子径d1が小さくなった。また、このニッケル粉について、実施例1と同様の評価をしたところ、35容量%混練品の初期の表面抵抗率は0.043Ω/□であったが、ニッケル粉を43容量%混練した場合には、ニッケル粉間に樹脂が吸収されてしまい混練は不可能であった。さらに、耐湿試験後の表面抵抗率を測定したところ、35容量%混練品は0.059Ω/□を示した。これらの結果を、表2に示す。
(比較例2)
真空乾燥後に粉砕処理を行なってニッケル粉を得た以外は、実施例2と同様にして、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行ってニッケル粉を得た。粉砕処理を行なったため、タップ密度が3.61g/mLと大きくなった。
得られたニッケル粉は表層部にのみCoを含有しており、Co含有量は4.6質量%であった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様の評価をしたところ、35容量%混練品の初期の表面抵抗率は356Ω/□であり、43容量%混練品では129Ω/□であった。初期の表面抵抗率が高かったため、これらの試料については耐湿試験を行なわなかった。これらの結果を、表2に示す。
(比較例3)
純水3800mLに水酸化ナトリウム164gおよびエチレンジアミン21gを添加し、撹拌しながら85℃まで加温した。この水溶液にヒドラジン300mLとNi換算質量で130gの塩化ニッケル水溶液を加え(塩化コバルト水溶液は加えていない。)、1段階のみの還元析出工程によりニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて80℃で乾燥してニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉はCoを含有していない。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にしてポリエチレン樹脂と混練したところ、ニッケル粉を35容量%混練した場合においても、ニッケル粉間に樹脂が吸収されてしまい不可能であった。
(比較例4)
導電ペーストおよび導電樹脂用の導電性粒子として市販されている代表的なフィラー状ニッケル粉(INCO社製)について、その粉体特性を表1に示す。このニッケル粉はCoを含有していない。
このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、35容量%混練品の初期の表面抵抗率は0.124Ω/□であり、43容量%混練品では0.043Ω/□であった。更に、耐湿試験後の表面抵抗率を測定したところ、35容量%混練品では0.406Ω/□であり、43容量%混練品では0.068Ω/□であった。これらの結果を、表2に示す。
(比較例5)
実施例2と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行ったが、加温を70℃まで行った。第1の還元析出工程においては、HLB値が11の変性シリコンオイル系界面活性剤を添加してニッケル粉を得た。次に、第2の還元析出工程においては、第1の還元析出工程において60%水加ヒドラジンの添加を開始してから25分経過後に、さらに60%水加ヒドラジンおよび塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し10質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で2.5kg添加して、ニッケル粉を析出させた。その後、ろ過および水洗した後、真空中にて80℃で乾燥させてニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉は表層部にのみCoを含有し、Co含有量は5.0質量%であり、比表面積は2.26m2/gであった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、初期の表面抵抗率は0.039Ω/□であり、耐湿試験後の表面抵抗率は0.051Ω/□であった。これらの結果を、表2に示す。
(比較例6)
実施例2と同様に、2段階の還元析出工程により2段階のニッケルの還元析出を行った。純水160Lに25%水酸化ナトリウム水溶液32.9Lおよび酒石酸1617gを添加し、撹拌しながら60℃まで加温した。この水溶液に、60%水加ヒドラジン38.5Lを加え、さらに第1の還元析出工程においては塩化コバルト水溶液は添加せず、塩化ニッケル水溶液のみをNi換算質量で4.8kg添加してニッケル粉を析出させた。次に、第2の還元析出工程においては、第1の還元析出工程において60%水加ヒドラジンの添加を開始してから30分経過後に、さらに塩化コバルト水溶液と塩化ニッケル水溶液を混合した水溶液(Co含有量がNi+Co量に対し10質量%となるように混合した水溶液)をNi+Co換算質量で4.8kg添加して、さらにニッケルを析出させた。その後、ろ過および水洗した後、大気中にて100℃で乾燥させ、さらに、窒素−10%水素中350℃で2時間の熱処理を行い、ニッケル粉を得た。
得られたニッケル粉は表層部にのみCoを含有し、Co含有量は5.0質量%であり、比表面積は1.13m2/gであった。その粉体特性を表1に示す。また、このニッケル粉について、実施例1と同様にして評価したところ、初期の表面抵抗率は0.046Ω/□であり、耐湿試験後の表面抵抗率は0.066Ω/□を示した。これらの結果を、表2に示す。
本発明の範囲内の実施例1〜5は、Ni粉の混練比率が35容量%であっても43容量%であっても、ポリエチレン樹脂との混練が可能で、実施例6〜12はNi粉の混練比率が35容量%でポリエチレン樹脂との混練が可能であった。また、本発明の範囲内の実施例1〜12では、樹脂混練後に成形したシート状試料の表面抵抗率は、耐湿試験の前後のいずれにおいても0.8Ω/□以下と小さかった。さらに、耐湿試験の前後での該表面抵抗率の上昇率(耐湿試験後の表面抵抗率/耐湿試験前の表面抵抗率)は最大でも1.19であり、本発明の範囲内の実施例1〜12は、耐候性にも優れ、長期間にわたり安定して使用できると考えられる。
これに対し、比較例1では、HLB値が11の変性シリコンオイル系界面活性剤を添加したため、平均一次粒子径が0.9μmと本発明の下限値である1.0μmを下回っているため、Ni粉の混練比率が43容量%の場合にポリエチレン樹脂との混練が不可能であった。Ni粉の混練比率が35容量%の場合はポリエチレン樹脂との混練を行うことができたが、Ni粉の比表面積が2.03m2/gであり、本発明の上限値である2.0m2/gを上回っているため、耐湿試験の前後での表面抵抗率の上昇率(耐湿試験後の表面抵抗率/耐湿試験前の表面抵抗率)が、1.36(Ni粉の混練比率が35容量%)と大きく、耐候性が劣っている。
比較例2はタップ密度が3.61g/mLと本発明の上限値である3.5g/mLを上回っているため、樹脂中でニッケル粉が偏在して相互の接触が減少していると考えられ、Ni粉の混練比率が35容量%の場合は表面抵抗率の初期値が356Ω/□となり、Ni粉の混練比率が43容量%の場合は表面抵抗率の初期値が129Ω/□となり、いずれの場合も樹脂混練後に成形したシート状試料の表面抵抗率が極めて大きくなった。
比較例3はタップ密度が0.61g/mLと本発明の下限値である1.0g/mLを下回っているため、樹脂へ混練するニッケル粉を多くすることが困難となり、Ni粉の混練比率が35容量%であってもポリエチレン樹脂との混練が不可能であった。
比較例4は、Coを含まないNi粉であるため、耐湿試験の前後での表面抵抗率の上昇率(耐湿試験後の表面抵抗率/耐湿試験前の表面抵抗率)が、3.28(Ni粉の混練比率が35容量%)および1.59(Ni粉の混練比率が43容量%)と大きく、耐候性が劣っている。
比較例5は、平均一次粒子径が本発明を下回り、一次粒子径の標準偏差も大きく、かつ比表面積が大きいため、表面抵抗率の上昇率が1.31と大きく、耐候性に劣っている。
比較例6は、比表面積は本発明の範囲であるが、平均一次粒子径が本発明を下回り、一次粒子径の標準偏差も大きいため、表面抵抗率の上昇率が1.43と大きく、耐候性に劣っている。
また、図1(a)、(b)に実施例1で得られたニッケル粉の走査型電子顕微鏡(SEM)による写真を示し、図2(a)、(b)に比較例2で得られたニッケル粉の走査型電子顕微鏡(SEM)による写真を示す。
図1(a)、(b)からわかるように、実施例1で得られたニッケル粉は1.8μm前後に一次粒子径が揃っている。これに対し、図2(a)、(b)からわかるように、比較例2で得られたニッケル粉には、一次粒径の大きさが不揃いの粒子が混在しており、耐候性を悪化させる原因と考えられる細かな一次粒子が多く存在している。
「ポリマーPTC素子に係る実施例および比較例(実施例A〜Dおよび比較例AおよびB)」
次に、本発明に係るニッケル粉を用いて本発明に係るPTC素子を製造した実施例を説明する。また、比較のための比較例も説明する。
(1)導電性フィラー
導電性フィラーとしてはニッケル−コバルト合金フィラー(即ち、本発明のニッケル粉または比較のためのニッケル粉)を、ポリマー材料としては高密度ポリエチレンを、また、金属電極としては粗面化ニッケル箔(福田金属箔工業株式会社製、厚さ:約25μm)を用いてPTC素子を製造した。
使用したニッケル粉は、前記実施例1、実施例6、実施例7および実施例12において製造したものであり、これらを使用してPTC素子を製造した。これらのPTC素子をそれぞれ実施例A、実施例B、実施例Cおよび実施例DのPTC素子と呼ぶ。また、比較のため前記比較例6および比較例5のニッケル粉を導電性フィラーとして用いた。これらのPTC素子をそれぞれ比較例Aおよび比較例BのPTC素子と呼ぶ。
使用したニッケル粉の内部のCo含有量は以下の表3の通りである。
なお、Co含有量は、製造に用いた水溶液のニッケル塩およびコバルト塩が実質的に全部析出したものとして算出した。
(2)ポリマー材料
ポリマー材料としては、市販の高密度ポリエチレン(EQUISTAR社製、PETROTHENE LB832、密度:0.957−0.964g/ml、メルトインデックス:0.23−0.30g/10分、融点135±3℃)を使用した。
(3)金属電極
金属電極としては、ニッケル金属箔(福田金属箔粉工業製、電解ニッケル箔、厚さ:約25μm)を使用した。
(4)PTC素子の製造
(4−1)PTC組成物の製造
粉末状のポリマー材料にカップリング剤(KENRICH PETROCHEMICALS社製、NZ−33)をポリエチレン質量に対して2質量%添加し、それらをキッチンブレンダー(サン株式会社製、MILL MIXER MODEL FM−50)にて30秒間混合してポリマーブレンドを得た。これに、ニッケル粉とMg(OH)2(アルベマール社製、H10)を以下の表4に示す量で加え、キッチンブレンダーで30秒間混合して導電性ポリマー組成物を得た。
得られた導電性ポリマー組成物45mLを、ミル(東洋精機製作所製、ラボプラストミル 型式50C150、ブレードR60B)に投入し、設定温度160℃およびブレード回転数60RPMで15分間混練してPTC組成物を得た。
(4−2)PTC要素原板の調製
(4−1)にて得られたPTC組成物を、鉄板/テフロン(登録商標)シート/厚み調整スペーサー(厚さ0.5mmのSUS製)+PTC組成物/テフロン(登録商標)シート/鉄板というサンドイッチ構造にしてこれらを重ね、熱圧力プレス機(東邦プレス製作所製、油圧成形機:型式T−1)にて、温度180〜200℃、圧力0.5MPaで3分間予備プレスした後、圧力5MPaにて4分間本プレスを行った。その後、チラーにて設定温度22℃の水を循環させた冷却プレス機(東邦プレス製作所製、油圧成形機:型式T−1)を使用して0.5MPaにて4分間プレスを行い、シート状のポリマーPTC要素(PTC要素原板)を作製した。
(4−3)ポリマーPTC素子プラック原板の製造
次に、(4−2)にて作製したPTC要素原板と金属電極を用いて、鉄板/テフロン(登録商標)シート/シリコンラバー/テフロン(登録商標)シート/金属電極/厚み調整スペーサー(厚さ0.5mmのSUS製)+PTC要素原板/金属電極/テフロン(登録商標)シート/シリコンラバー/テフロン(登録商標)シート/鉄板というサンドイッチ構造にしてこれらを重ね、上記熱圧力プレス機にて温度220〜230℃、プレス圧力9MPaで4分間本プレスした。その後、チラーにて設定温度22℃の水を循環させた上記冷却プレス機を使用して9MPaにて4分間冷却プレスを行い、ポリマーPTC要素(PTC要素原板)の両側の主表面に金属電極を熱圧着したポリマーPTC素子プラック原板(切断前のPCT素子の集合体)を作製した。
(4−4)PTC素子の製造
(4−3)にて作製したポリマーPTC素子プラック原板に対して、1000kGyの電子線を照射し、その後、3×4mmに手動パンチ器により打抜いてポリマーPTC素子の試験片を得た。
(4−5)PTCデバイスの製造
(4−4)にて打ち抜いた3×4mmの試験片の両面に、厚さ0.125mm、硬度1/4H、4mm×5.2mmの純Niリード片をハンダ付けして、全体としてストラップ形状のPTCデバイスを試験サンプルとして得た。ハンダ付けには、ペースト半田(千住金属工業株式会社製、M705−728C)を片面に対して約2.0mg使用し、窒素雰囲気下でリフロー炉(日本アビオニクス社製、型式TCW−118N、補助ヒーター温調360℃、プリヒート温調250℃、リフロー温調(1)240℃、リフロー温調(2)370℃、ベルトスピード370mm/分)を用いた。
(5)初期抵抗値の測定
得られた試験サンプルについて、製造の2日後、抵抗値(2つのリード間の抵抗値)を測定した。この抵抗値は、リードの抵抗値がPTC素子の抵抗値と比べてはるかに小さいので、PTC素子の初期抵抗値と呼ぶことができる。なお、初期抵抗値および後述するように種々の条件下におけるPTC素子の抵抗値の測定には、ミリオームメーター(HEWLETT PACKARD社製、4263A)を用いた。初期抵抗値の測定結果(単位:Ω)を表5に示す。
この結果から、実施例の試験サンプルの方が抵抗値が若干低いが、比較例のサンプルも含め、いずれの試験サンプルも、通常のように低い抵抗値を有することがわかる。
(6)PTC特性の確認
次に、実施例および比較例の試験サンプル各5個について、抵抗−温度特性を測定することによってR(抵抗)−T(温度)試験を実施した。試験温度範囲は20℃〜150℃とし、試験サンプルの周囲湿度は、60%以下であった。試験サンプルの周囲温度を5℃ずつ上昇させ、その温度雰囲気で10分間保持した後、PTC素子抵抗値を測定した。各温度にて測定された抵抗値の初期温度(21℃)における抵抗値に対する比(即ち、抵抗変化の割合)を、図3に示す。
図3の結果から、実施例および比較例の素子については約120℃〜130℃の範囲に閾温度(PTC素子の温度が室温から上昇してトリップ温度(trip temperature)とも呼ばれるPTC素子の抵抗が急激に増加する温度)を有し、いずれの素子についても、そのような範囲の後の抵抗値は、前の抵抗値の少なくとも約1015倍以上となっており、従って、いずれの試験サンプルもPTC素子としてのスイッチング機能を有することが明らかである。なお、一般的には抵抗値が少なくとも約103倍以上大きくなると、PTC素子としての機能を有すると考えてよい。
(7)高温・乾燥条件下での抵抗値の経時変化の測定
実施例および比較例の試験サンプルを85℃±3℃、相対湿度10%以下の高温・乾燥条件下に管理された恒温オーブン(ヤマト製 恒温オーブンDK600)に入れて保存し、24時間、165時間、502時間および1336時間の保存時間の経過後に、各実施例および比較例の試験サンプルを5個ずつ恒温オーブンより取り出して室温にて1時間放置後、ミリオームメーターにて抵抗値(トリップ前抵抗値)を測定した。抵抗値測定後、直流安定化電源(菊水電子工業製、PAD35−60L)を使用し、6V/50Aの設定にて5分間の電圧印加を行い、素子をトリップさせた。その後、同じく室温にて1時間放置した後、ミリオームメーターにて素子の抵抗値(トリップ後抵抗値)を測定した。測定結果を以下の表6および表7に示す。また、この結果を保存時間に対して図4(85℃保存抵抗値)および図5(85℃保存トリップジャンプ)に示す。なお、表6中の数値はトリップ前の抵抗値であり、単位はmΩである。表7は、85℃での保存時間が0時間でトリップ前における抵抗値に対する各時間経過後のトリップ後の抵抗値の割合、すなわち抵抗変化率を示す。
高温・乾燥条件下では、トリップ前の抵抗値について、実施例および比較例のサンプルのいずれについても経時変化はそれほど大きくないが、トリップ後の抵抗値については、比較例のサンプルの方が明らかに抵抗値の増加率が大きくなっている。
(8)常温・通常湿度条件下での抵抗値の経時変化の測定
実施例および比較例の試験サンプルを、23±5℃、相対湿度20〜60%(湿度を制御しない場合の一般的な湿度に相当)に管理された室温内にて保存されたPTC素子に対して上記(7)と同様の試験を実施した。但し、使用したサンプル数は各20個であり、1002時間後、1863時間の保存時間の経過後に各5個ずつ抜き取って抵抗値(トリップ前抵抗値)を測定した。また、トリップ後の抵抗値も同様に測定した。測定結果を以下の表8および表9に示す。また、この結果を保存時間に対して図6(常温保存抵抗値)および図7(常温保存トリップジャンプ)に示す。なお、表8中の数値はトリップ前の抵抗値であり、単位はmΩである。表9は、常温での保存時間が0時間でトリップ前における抵抗値に対する、各時間経過後のトリップ後の抵抗値の割合、すなわち抵抗変化率を示す。
常温・通常湿度条件下では、トリップ前の抵抗値についても、また、トリップ後の抵抗値についても、実施例および比較例のサンプルのいずれについても経時的な影響はそれほど大きくないが、比較例のサンプルの方が比較的トリップ後の抵抗値の増加率が大きい。
(9)加圧下での酸化加速試験
圧力容器内に試験サンプルを投入し、そこに圧縮空気を供給して40気圧の加圧雰囲気とし、PTC素子の導電性フィラーの酸化を加速し得る条件を設定した。この加圧雰囲気内で14日間および28日間試験サンプルを保存した後、大気・室温雰囲気にて1時間保持した後、先と同様に抵抗値を測定した(これらの測定値は、図8に、それぞれ「2week」および「4week」として図示している。なお、保存前については[initial」として図示している。)。また、その後、先と同様に、PTC素子をトリップさせ、その後、同じく室温にて1時間放置して抵抗値を測定した。測定結果を以下の表10および表11に示す。また、この結果を保存時間に対して図8(40気圧加圧試験後抵抗値)および図9(40気圧加圧試験後トリップジャンプ)に示す。なお、表10中の数値はトリップ前の抵抗値であり、単位はmΩである。表11は、40気圧での保存時間が0時間でトリップ前における抵抗値に対する、各時間経過後のトリップ後の抵抗値の割合、即ち、抵抗変化率で示している。
これらの結果から、加圧条件下では、トリップ前の抵抗値については、実施例および比較例のサンプルのいずれについても経時的な影響はそれほど大きくない。しかしながら、トリップ後の抵抗値については、比較例のサンプルの方が、時間が経過すると、抵抗値の増加が顕著になることが分かる。特に実施例Aおよび実施例Bのサンプルについては、トリップ後の抵抗値の増加に関して特に良好な結果が得られている。
(10)トリップ・サイクル試験
実施例および比較例のサンプルについて、室温にてミリオームメーターを使用して試験前抵抗値を測定した。その後、これらのサンプルをトリップサイクル試験機にセットした。この試験機では、供給電源として菊水電子製MODEL PAD 35−60Lを使用し、電圧6Vdc、試験電流50A制限に設定した。
各サンプルには50Aの電流を6秒間印加した。この印加時間内にサンプルがトリップし、その残りの時間はサンプルに6Vの電圧を印加した。
6秒間の印加時間が終了すると電流・電圧印加を解除し、54秒間の無印加状態とした。この電流・電圧印加のOn/OFFはシーケンサーにて制御されており、これを1サイクルと定義し、各サンプルについてトリップを200サイクル実施した。
なお、所定数のサイクルが終了した後、試験機からサンプルをいったん外して、その所定数のサイクル終了後、1時間経過した後に、サンプルの抵抗値を測定し、その後、サンプルを再び試験機にセットしてトリップサイクル試験を継続した。なお、サイクルの所定数は、50サイクル、100サイクルおよび200サイクルとした。この抵抗値の測定結果を、表12および図10に示す。なお、表および図の数値は、初期値(0サイクル)における抵抗値に対する各サイクル終了後の抵抗値の割合、すなわち抵抗変化率で示している。
比較例Aのサンプルについては200サイクル終了後には、抵抗値が相当増加していた反面、実施例のサンプルについては抵抗値の増加がそれほどでもなかった。
上述のPTC素子に関する実施例および比較例の結果から、実施例のサンプル、特に実施例Aおよび実施例Bのサンプルは、比較例のサンプルと比べ、高温・乾燥保存条件、常温・通常湿度保存条件、加速雰囲気下での保存条件およびトリップサイクル試験のいずれにおいても良好な性能を保持することが確認された。従って、そのようなサンプルを製造するために用いた本発明のニッケル粉を導電性フィラーとして用いると、好ましいPTC素子を製造することができる。このことは、本発明のニッケル粉が、コバルトを含むニッケル粉の中から特定の特徴を有するものとして選択されているからであると推定される。即ち、Coを含むニッケル粉そのものの特性に加え、よりコントロールされた1次粒子径分布および2次粒子径のモルフォロジー(形態)的な観点から特定の範囲のものを選択することに起因しているものと考えられる。
特に着目すべき点は、PTC素子が高温・乾燥条件に長時間さらされると、トリップ後の抵抗値が増加するが、本発明のPTC素子の場合、その増加する割合が比較的小さい。従来、PTC素子の評価は、常温・通常湿度条件で実施されていた。このような評価では、図6および図7の結果からもわかるように素子の抵抗値の増加は顕著ではない。しかしながら、高温・乾燥条件での評価では、PTC素子の抵抗値の増加の差異が明らかとなる。PTC素子が使用される環境は種々異なり、高温かつ乾燥条件(例えば夏の日の車中の環境)で使用される場合がある。本発明のPTC素子は、そのような過酷な環境においても抵抗率の増加が小さいので、従来のPTC素子と比較して有用である。
本発明に係るニッケル粉は、導電ペーストおよび導電樹脂用の導電性粒子として、また、ポリマーPTC素子の導電性フィラーとして好適に用いることができる。
また、本発明に係るPTC素子は、ニッケルのみを含むニッケル粉を導電性フィラーとして用いるPTC素子と同等のスイッチング性能を有し、さらに、長期の経時変化に対してはより向上した性能を示すので、従来のPTC素子と同様に電気装置等において幅広く、より長い期間にわたって使用できる。
実施例1で得られたニッケル粉の走査型電子顕微鏡(SEM)による写真である。(b)の拡大率は(a)の拡大率よりも大きくなっている。 比較例2で得られたニッケル粉の走査型電子顕微鏡(SEM)による写真である。(b)の拡大率は(a)の拡大率よりも大きくなっている。 実施例および比較例のPTC素子の抵抗−温度曲線を示すグラフである。 実施例および比較例のPTC素子の高温・乾燥条件下での抵抗値の経時変化を示すグラフである。 実施例および比較例のPTC素子の高温・乾燥条件下でのトリップ後の抵抗値の変化率の経時変化を示すグラフである。 実施例および比較例のPTC素子の室温・通常湿度条件下での抵抗値の経時変化を示すグラフである。 実施例および比較例のPTC素子の室温・通常湿度条件下でのトリップ後の抵抗値の変化率の経時変化を示すグラフである。 実施例および比較例のPTC素子の酸化加速条件下での抵抗値の経時変化を示すグラフである。 実施例および比較例のPTC素子の酸化加速条件下でのトリップ後の抵抗値の変化率の経時変化を示すグラフである。 トリップサイクル試験による抵抗値の変化率を示すグラフである。

Claims (12)

  1. コバルトを1〜20質量%含有し、残部がニッケルおよび不可避不純物からなり、かつ、一次粒子が凝集した二次粒子で構成され、さらに、平均一次粒子径が1.0〜3.0μm、一次粒子径の標準偏差σと平均一次粒子径d1の比σ/d1の値が0.4以下、平均二次粒子径が5〜60μm、タップ密度が1.0〜3.5g/mL、比表面積が2.0m2/g以下であることを特徴とするニッケル粉。
  2. 前記平均一次粒子径d1と前記平均二次粒子径d2との比d2/d1の値が5〜60の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のニッケル粉。
  3. 前記二次粒子の表層部に存在する一次粒子のコバルト含有量が、該表層部の全質量あたり1〜40質量%であることを特徴とする請求項1または2に記載のニッケル粉。
  4. 還元剤を含有する水溶液に2価のニッケル塩を添加してニッケルを析出させる第1の還元析出工程と、第1の還元析出工程後の水溶液に少なくとも2価のニッケル塩を添加して、さらにニッケルを析出させる第2の還元析出工程とからなり、前記第1および第2の還元析出工程のうち、少なくとも第1の還元析出工程においてHLB値が10以下の低親水性の界面活性剤を添加するとともに、少なくとも第2の還元析出工程において、ニッケルを析出させる水溶液に2価のコバルト塩を添加してニッケルを析出させてニッケル粉を得て、さらに得られたニッケル粉を不活性雰囲気または真空中で80〜230℃で乾燥させるか、または、大気中で80〜150℃で乾燥させた後に還元雰囲気中で200〜400℃の熱処理をすることを特徴とするニッケル粉の製造方法。
  5. 前記第2の還元析出工程において2価のコバルト塩を添加した水溶液中のコバルトイオンの含有量が、該水溶液中のニッケルイオンとコバルトイオンの合計量に対し1〜40質量%であり、かつ、該水溶液中のコバルトイオン濃度が前記第1の還元析出工程における水溶液中のコバルトイオン濃度より高く、さらに、前記第1および第2の還元析出工程を経て得られるニッケル粉はコバルトを1〜20質量%含有していることを特徴とする請求項4に記載のニッケル粉の製造方法。
  6. 前記第1の還元析出工程における水溶液に、該水溶液中のコバルトイオン含有量が該水溶液中のニッケルイオンとコバルトイオンの合計量に対し1〜20質量%となるように2価のコバルト塩を添加するとともに、前記第2の還元析出工程における水溶液に、該水溶液中のコバルトイオン含有量が該水溶液中のニッケルイオンとコバルトイオンの合計量に対し1〜20質量%となるように2価のコバルト塩を添加することを特徴とする請求項4に記載のニッケル粉の製造方法。
  7. 前記二次粒子の表層部におけるコバルトの含有量が、該表層部の全質量当たり8〜20質量%であることを特徴とする請求項3に記載のニッケル粉。
  8. ニッケル粉全体としてのコバルトの含有量が4〜10質量%であることを特徴とする請求項1〜3および請求項7のいずれかに記載のニッケル粉。
  9. ニッケル粉の内部におけるコバルトの含有量が、該内部の全質量当たり3〜6質量%であることを特徴とする請求項1〜3ならびに請求項7および8のいずれかに記載のニッケル粉。
  10. タップ密度が2.3〜3.0g/mLであることを特徴とする請求項1〜3および請求項7〜9のいずれかに記載のニッケル粉。
  11. 前記比d2/d1の値が8〜16の範囲内であることを特徴とする請求項1〜3および請求項7〜10のいずれかに記載のニッケル粉。
  12. (A)(a1)導電性フィラー、および
    (a2)ポリマー材料
    を含んで成るポリマーPTC要素、ならびに
    (B)ポリマーPTC要素の少なくとも1つの表面に配置された金属電極
    を有して成るポリマーPTC素子であって、請求項1〜3および請求項7〜11に記載のニッケル粉ならびに請求項4〜6に記載の方法によって製造されるニッケル粉のいずれかを導電性フィラーとして使用することを特徴とするポリマーPTC素子。
JP2005344631A 2005-11-29 2005-11-29 ニッケル粉およびその製造方法、ならびに該ニッケル粉を用いたポリマーptc素子 Expired - Fee Related JP4942333B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005344631A JP4942333B2 (ja) 2005-11-29 2005-11-29 ニッケル粉およびその製造方法、ならびに該ニッケル粉を用いたポリマーptc素子
PCT/JP2006/323720 WO2007063851A1 (ja) 2005-11-29 2006-11-28 ニッケル粉およびその製造方法、ならびに該ニッケル粉を用いたポリマーptc素子
TW095144043A TWI402116B (zh) 2005-11-29 2006-11-28 鎳粉及其製造方法以及使用該鎳粉之聚合物正溫度係數(ptc)裝置
CN2006800446942A CN101316673B (zh) 2005-11-29 2006-11-28 镍粉及其制造方法、以及使用该镍粉的聚合物ptc元件
EP06833524A EP1974840A4 (en) 2005-11-29 2006-11-28 NICKEL POWDER, METHOD FOR ITS PRODUCTION AND SUCH A NICKEL POWDER USING POLYMER PTC DEVICE
KR1020087015681A KR101356377B1 (ko) 2005-11-29 2006-11-28 니켈분 및 그 제조 방법 및 상기 니켈분을 이용한 폴리머ptc 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005344631A JP4942333B2 (ja) 2005-11-29 2005-11-29 ニッケル粉およびその製造方法、ならびに該ニッケル粉を用いたポリマーptc素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007146251A JP2007146251A (ja) 2007-06-14
JP4942333B2 true JP4942333B2 (ja) 2012-05-30

Family

ID=38092184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005344631A Expired - Fee Related JP4942333B2 (ja) 2005-11-29 2005-11-29 ニッケル粉およびその製造方法、ならびに該ニッケル粉を用いたポリマーptc素子

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1974840A4 (ja)
JP (1) JP4942333B2 (ja)
KR (1) KR101356377B1 (ja)
CN (1) CN101316673B (ja)
TW (1) TWI402116B (ja)
WO (1) WO2007063851A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009013482A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Ist Corp ニッケ粉又はニッケル合金粉及びその製造方法
WO2011043265A1 (ja) * 2009-10-05 2011-04-14 株式会社村田製作所 扁平形状のNi粒子、それを用いた積層セラミック電子部品、および扁平形状のNi粒子の製造方法
CN101728039B (zh) * 2009-12-31 2016-02-24 上海长园维安电子线路保护有限公司 过电流保护元件
CN102489718A (zh) * 2011-12-14 2012-06-13 丹阳市博高新材料技术有限公司 一种亚微米级片状超细镍粉的制备方法
JP6357347B2 (ja) * 2013-05-14 2018-07-11 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2015138915A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 住友金属鉱山株式会社 積層コンデンサ用ニッケル系合金微粒子およびその製造方法
JP6270035B2 (ja) * 2014-02-25 2018-01-31 住友金属鉱山株式会社 ニッケル粉末の製造方法
KR102290573B1 (ko) * 2014-03-31 2021-08-19 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Fe-Co 합금 분말 및 이의 제조 방법 및 안테나, 인덕터 및 EMI 필터
JP6843370B2 (ja) * 2017-03-16 2021-03-17 住友金属鉱山株式会社 ニッケル粉末の製造方法
JP6553313B2 (ja) * 2017-07-05 2019-07-31 東邦チタニウム株式会社 金属粉末、及びその製造方法
WO2019075685A1 (en) * 2017-10-19 2019-04-25 Littelfuse, Inc. SURFACE MOUNT FUSE DEVICE COMPRISING A POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT BODY
JP7374932B2 (ja) * 2019-01-28 2023-11-07 三井金属鉱業株式会社 金属粒子、それを用いた磁性体ペースト、圧粉磁心及びインダクタ、並びに金属粒子の製造方法
CN112630110B (zh) * 2020-12-14 2023-04-25 百尔罗赫塑料添加剂(江苏)有限公司 一种氧化锌粉末粒径测试方法及应用

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5378407A (en) * 1992-06-05 1995-01-03 Raychem Corporation Conductive polymer composition
SE502754C2 (sv) * 1994-03-31 1995-12-18 Sandvik Ab Sätt att framställa belagt hårdämnespulver
SE502931C2 (sv) * 1994-06-10 1996-02-26 Sandvik Ab Metod för tillverkning av pulver för WC-hårdmaterial
CN1060982C (zh) * 1997-11-17 2001-01-24 北京有色金属研究总院 超细金属粉的制备方法
JP4301646B2 (ja) 1999-07-28 2009-07-22 Dowaホールディングス株式会社 ニッケル粉の製造法
KR100330919B1 (ko) * 2000-04-08 2002-04-03 권문구 피티씨 전도성 폴리머를 포함하는 전기장치
JP2002025345A (ja) 2000-07-05 2002-01-25 Nisshin Steel Co Ltd 耐マイグレーション性に優れた導電性粒子
JP2002043734A (ja) 2000-07-24 2002-02-08 Senju Metal Ind Co Ltd プリント基板のはんだ付け方法およびその装置
JP4864195B2 (ja) 2000-08-30 2012-02-01 三井金属鉱業株式会社 被覆銅粉
AU2003304458A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-29 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Nickel powder and process for producing the same
CN1272128C (zh) * 2003-09-24 2006-08-30 中南大学 纤维状镍钴合金粉与镍钴复合氧化物粉的制备方法
JP2005240164A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ニッケル粉およびその製造方法
JP4734593B2 (ja) * 2004-06-08 2011-07-27 タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 ポリマーptc素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR101356377B1 (ko) 2014-01-27
JP2007146251A (ja) 2007-06-14
TW200734086A (en) 2007-09-16
TWI402116B (zh) 2013-07-21
CN101316673B (zh) 2011-11-09
CN101316673A (zh) 2008-12-03
EP1974840A1 (en) 2008-10-01
KR20080072081A (ko) 2008-08-05
EP1974840A4 (en) 2011-11-09
WO2007063851A1 (ja) 2007-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4942333B2 (ja) ニッケル粉およびその製造方法、ならびに該ニッケル粉を用いたポリマーptc素子
JP4734593B2 (ja) ポリマーptc素子
JP4954885B2 (ja) 導電粉およびその製造方法、導電粉ペースト、導電粉ペーストの製造方法
JP5156328B2 (ja) 導電材ペースト用銅合金粉
JP5407495B2 (ja) 金属粉末および金属粉末製造方法、導電性ペースト、並びに積層セラミックコンデンサ
US10280279B2 (en) Conductive polymer composition, conductive polymer sheet, electrical device, and their preparation methods
US6686045B2 (en) Composite fine particles, conductive paste, and conductive film
TW200940213A (en) Copper powder for conductive paste and conductive paste
WO2008059789A1 (fr) Fine poudre de cuivre plaquée argent, pâte conductrice produite à partir d'une fine poudre de cuivre plaquée argent, et procédé pour produire une fine poudre de cuivre plaquée argent
US9646746B2 (en) Electrical device
JP2004332047A (ja) 連鎖状金属粉末とその製造方法、及びそれを用いた導電性付与材
JP4490305B2 (ja) 銅粉
US7186289B2 (en) Nickel powder and production method therefor
JP2005240164A (ja) ニッケル粉およびその製造方法
JP5942791B2 (ja) ニッケル粉末の製造方法
JP2015004079A (ja) ニッケル粉及びその製造方法
JPS6387703A (ja) Ptc素子
JP2014210970A (ja) ニッケル粉とその製造方法
JP2015017314A (ja) ニッケル粉及びその製造方法
Alejandrino et al. Development of low-cost adhesive conductive carbon ink for electronic printed circuit board
JP2005298927A (ja) ニッケル粉及びその製造方法
JP2002367810A (ja) 高分子ptc素子及びその製造方法
JP2022180322A (ja) 銅粉末及びこれを含む導電性組成物、並びに、これを用いた配線構造及び導電性部材の製造方法
JP2015081377A (ja) ニッケル粒子表面へのコバルト含有ニッケル層の被覆方法を含むニッケル粉の製造方法及びそれを用いたニッケル粉
JPS6387704A (ja) Ptc素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120207

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309

Year of fee payment: 3

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120313

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120314

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

A072 Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20120724

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees