JP4940610B2 - サファイア単結晶の育成方法 - Google Patents
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Description
加えて、凸度の大きい結晶から切り出した基板は歪みが大きいという問題もある。
(1)このような装置は特殊な装置とならざるを得ないため、高価なものとなり、コストア ップにつながる。
(2)このような装置を用いても、成長中の結晶内部の温度勾配はきわめて不安定であるた めに、成長後に得られた結晶を焼鈍す工程が必要となる。そして、この焼き鈍し行程は 複雑なものとなり易い。従って、このような装置を用いて凸度の小さなサファイア単結 晶を安価、かつ簡便に得るには問題がある。
即ち、前記課題を解決する本発明の方法は、CZ法によるサファイア単結晶育成に際して、種結晶部から直胴までの肩部の長さ、すなわち肩部と直胴部との交線で構成される面と種結晶中心を通り引き上げ方向に引いた直線との交点と、前記種結晶中心との距離Aと、直胴部の平均直径Bとの比(B/A)を制御することにより得られるサファイア単結晶固液界面の凸形状の高さを制御するものであり、前記B/Aを2.29以上に制御するものである。
そして、本発明の別の態様は前記B/Aを2.29〜4.5とするものである。
2―――耐火ルツボ支持筒
3―――ルツボ台
4―――断熱材
5―――結晶原料融液
6―――単結晶
7―――種結晶
8―――ワークコイル
9―――ルツボ
Claims (2)
- 引き上げ法によりサファイア単結晶を育成するに際して、種結晶部から直胴までの肩部の長さ、すなわち肩部と直胴部との交線で構成される面と種結晶中心を通り引き上げ方向に引いた直線との交点と、前記種結晶中心との距離Aと、直胴部の平均直径Bとの比(B/A)を制御することにより得られるサファイア単結晶固液界面の凸形状の高さを制御するものであり、前記B/Aを2.29以上に制御することを特徴とするサファイア単結晶の育成方法。
- 請求項1記載の発明において前記B/Aを2.29〜4.5に制御することを特徴とするサファイア単結晶の育成方法。
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