JP4939748B2 - 化合物半導体スイッチ回路装置 - Google Patents
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Description
このようなレイアウトにすることにより共通入力端子パッドIから窒化膜60を介して第1接続手段CN1(第2接続手段CN2も同様)に高周波アナログ信号が漏れても、5KΩ程度以上の高抵抗体HR1(HR2)により漏れた信号が減衰する。そして漏出した高周波信号は実際には第1制御端子パッドC1(第2制御端子パッドC2)まで達することはない。共通入力端子パッドIからの高周波信号は、高周波的にGND電位である第1制御端子パッドC1(第2制御端子パッドC2)には漏れないため、共通入力端子IN−第1出力端子OUT1(または第2出力端子OUT2)間のインサーションロスの増加を抑制できる。
11 基板
12 チャネル層
13 第1ソース電極
15 第2ソース電極
14 第1ドレイン電極
16 第2ドレイン電極
17 ゲート電極
18 ソース領域
19 ドレイン領域
20 ゲート金属層
30 パッド金属層
31 GaAs基板
32 バッファ層
33 電子供給層
34 スペーサ層
35 チャネル層
36 障壁層
37 キャップ層
40 InGaP層
50 絶縁化層
60 窒化膜
100 動作領域
101 リセス部
102 コンタクト部
120 ゲート配線
130 パッド配線
150 周辺不純物領域
215 ソース電極
216 ドレイン電極
217 ゲート電極
220 ゲート金属層
230 パッド金属層
260 窒化膜
330 パッド配線
350 周辺不純物領域
M 配線
HR1、HR2 高抵抗体
LR1、LR2、LR3 低抵抗体
OR1、OR2、OR3 抵抗体
IN 共通入力端子
Ctl1 第1制御端子
Ctl2 第2制御端子
Ctl3 第3制御端子
OUT1 第1出力端子
OUT2 第2出力端子
OUT3 第3出力端子
I 共通入力端子パッド
C1 第1制御端子パッド
C2 第2御端子パッド
C3 第3御端子パッド
O1 第1出力端子パッド
O2 第2出力端子パッド
O3 第3出力端子パッド
CN1 第1接続手段
CN2 第2接続手段
CN3 第3接続手段
F1 第1スイッチング素子
F2 第2スイッチング素子
F3 第3スイッチング素子
CR 交差部
Claims (12)
- 化合物半導体基板にチャネル層、ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域を設けた複数のスイッチング素子と、
前記複数のスイッチング素子の前記ソース領域または前記ドレイン領域に共通で接続する共通入力端子パッドと、
前記複数のスイッチング素子の前記ドレイン領域または前記ソース領域にそれぞれ接続する複数の出力端子パッドと、
前記複数のスイッチング素子の前記ゲート電極にそれぞれ接続する複数の制御端子パッドと、
前記複数の制御端子パッドと該制御端子パッドに対応する前記複数のスイッチング素子とをそれぞれ接続する複数の接続手段と、
前記共通入力端子パッドと前記複数のスイッチング素子とを接続するパッド金属層とを有する化合物半導体スイッチ回路装置であって、
前記複数の接続手段のうち1つの接続手段は、前記共通入力端子パッドと前記複数のスイッチング素子との間に配置される前記パッド金属層と絶縁膜を介して交差する交差部を有し、
前記1つの接続手段は前記チャネル層と同等のシート抵抗の高抵抗体と前記ソース領域または前記ドレイン領域と同等のシート抵抗の低抵抗体を含み、
前記高抵抗体は、前記1つの接続手段が接続する制御端子パッドと前記交差部との間に直列に接続されることを特徴とする化合物半導体スイッチ回路装置。 - 前記複数の接続手段のうち他の接続手段は、前記共通入力端子パッドと前記複数のスイッチング素子との間に配置される前記パッド金属層と絶縁膜を介して交差する他の交差部を有し、
前記他の接続手段は前記チャネル層と同等のシート抵抗の他の高抵抗体と前記ソース領域または前記ドレイン領域と同等のシート抵抗の他の低抵抗体を含み、
前記他の高抵抗体は、前記他の接続手段が接続する制御端子パッドと前記他の交差部との間に直列に接続されることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。 - 前記交差部における前記1つの接続手段は前記共通入力端子パッドと前記ゲート電極に接続するゲート金属層の間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記他の該交差部における前記他の接続手段は前記共通入力端子パッドと前記ゲート電極に接続するゲート金属層の間に配置されることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記チャネル層は、前記基板に不純物をイオン注入して形成され、前記高抵抗体は前記不純物の注入領域で構成され、前記チャネル層と同じピーク濃度を有することを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記ソース領域およびドレイン領域は前記基板に他の不純物をイオン注入して形成され、前記低抵抗体は前記ソース領域またはドレイン領域と同じピーク濃度を有することを特徴とする請求項5に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記スイッチング素子は、前記基板上にバッファ層、電子供給層、前記チャネル層、障壁層およびキャップ層となる半導体層を積層したHEMTであり、前記高抵抗体は前記キャップ層を除去して該キャップ層より下の前記半導体層を露出した領域により構成されることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記キャップ層が配置された領域であることを特徴とする請求項7に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記高抵抗体を構成する半導体層の最上層は前記障壁層であることを特徴とする請求項7に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記障壁層上にInGaP層が配置され、前記高抵抗体を構成する半導体層の最上層は該InGaP層であることを特徴とする請求項9に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記パッド金属層下方には低抵抗体が配置されることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記パッド金属層下方には他の低抵抗体が配置されることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
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