JP2009231583A - 化合物半導体スイッチ回路装置 - Google Patents
化合物半導体スイッチ回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009231583A JP2009231583A JP2008075920A JP2008075920A JP2009231583A JP 2009231583 A JP2009231583 A JP 2009231583A JP 2008075920 A JP2008075920 A JP 2008075920A JP 2008075920 A JP2008075920 A JP 2008075920A JP 2009231583 A JP2009231583 A JP 2009231583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- switching element
- compound semiconductor
- comb
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】櫛状パターンのゲート電極を有する第1FETと、曲折パターンのゲート電極を有する第2FETを組み合わせて多段接続し、スイッチング素子を構成する。またスイッチング素子の両端を櫛状パターンのゲート電極のFET(第1FET)とし、ゲート電極を対向させて配置する。ゲート電極の配線部によってパッドから伝播する高周波信号を遮断できる。これにより線形性と高調波歪み特性がいずれも良好なスイッチMMICを提供できる。
【選択図】 図2
Description
12 動作領域
12c チャネル領域
20 ゲート金属層
21 ゲート電極
21a ゲート電極(櫛状パターン)
211a ゲート櫛歯部
212a ゲート配線部
21b ゲート電極(曲折パターン)
30 パッド金属層
35 ソース電極
36 ドレイン電極
51 第1FET
52 第2FET
221 ゲート電極
235 ソース電極
236 ドレイン電極
IN1 第1入力端子
IN2 第2入力端子
CTL1 第1制御端子
CTL2 第2制御端子
OUT1 第1出力端子
OUT2 第2出力端子
I1 第1入力端子パッド
I2 第2入力端子パッド
C1 第1制御端子パッド
C2 第2制御端子パッド
O1 第1出力端子パッド
O2 第2出力端子パッド
CR1、CR2 コントロール抵抗
SW1 第1スイッチング素子
SW2 第2スイッチング素子
SW3 第3スイッチング素子
SW4 第4スイッチング素子
CP、CP’ 交差部
G ゲート
S ソース
D ドレイン
Claims (7)
- 化合物半導体基板と、
該化合物半導体基板に設けられ、それぞれを直列に3段以上接続した第1スイッチング素子、第2スイッチング素子、第3スイッチング素子および第4スイッチング素子と、
前記化合物半導体基板に設けられ、前記第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の一端のFETのソース電極またはドレイン電極が共通で接続する第1入力端子パッドと、
前記化合物半導体基板に設けられ、前記第3スイッチング素子および第4スイッチング素子の一端のFETのソース電極またはドレイン電極が共通で接続する第2入力端子パッドと、
前記化合物半導体基板に設けられ、前記第1スイッチング素子および前記第3スイッチング素子の他端のFETのドレイン電極またはソース電極が共通で接続する第1出力端子パッドと、
前記化合物半導体基板に設けられ、前記第2スイッチング素子および前記第4スイッチング素子の他端のFETのドレイン電極またはソース電極が共通で接続する第2出力端子パッドと、
前記化合物半導体基板に設けられ、いずれか2つの前記スイッチング素子のゲート電極と共通で接続する第1制御端子パッドおよび他の2つの前記スイッチング素子のゲート電極と共通で接続する第2制御端子パッドと、を有する化合物半導体スイッチ回路装置であって、
前記FETは、前記ゲート電極が前記ソース電極または前記ドレイン電極と交差する交差部を有するパターンに設けられた第1FETと、前記ゲート電極が前記ソース電極および前記ドレイン電極と交差しないパターンに設けられた第2FETを含み、
前記スイッチング素子の両端に、前記パッドのそれぞれと前記交差部とを近接させて前記第1FETを配置することを特徴とする化合物半導体スイッチ回路装置。 - 前記第1FETの前記ゲート電極は第1方向に延在する櫛歯部と該櫛歯部の一端を束ねて第2方向に延在する配線部とからなる櫛状パターンであり、該配線部の一部が前記ソース電極またはドレイン電極と交差することを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記スイッチング素子の両端の第1FETは、前記ゲート電極の櫛歯部が対向して配置されることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記第2FETの前記ゲート電極は第1方向及び第2方向に連続して延在する曲折パターンであることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極は、第1方向に延在する櫛歯部を有する櫛状パターンであり、前記第1方向に延在する前記ゲート電極に沿って配置されることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- それぞれの前記スイッチング素子の最上段および最下段に前記第1FETを配置し、他の段に前記第1FETまたは前記第2FETを配置することを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
- 前記入力端子パッドと前記出力端子パッド間に高周波アナログ信号が伝搬することを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体スイッチ回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075920A JP2009231583A (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075920A JP2009231583A (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009231583A true JP2009231583A (ja) | 2009-10-08 |
Family
ID=41246647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008075920A Ceased JP2009231583A (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009231583A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012174943A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Sony Corp | 電界効果トランジスタ、半導体スイッチ回路、および通信機器 |
JP2020150510A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 株式会社村田製作所 | スイッチ回路、高周波モジュール及び通信装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6367802A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-26 | Nec Corp | スイツチ回路 |
JPS63186480A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-02 | Nec Corp | マイクロ波スイツチ |
JPH09186501A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2002373986A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-12-26 | Tyco Electronics Corp | 電界効果トランジスタ構造体 |
JP2006310509A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
JP2006310511A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
JP2008034406A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-02-14 | Sony Corp | スイッチ半導体集積回路装置 |
-
2008
- 2008-03-24 JP JP2008075920A patent/JP2009231583A/ja not_active Ceased
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6367802A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-26 | Nec Corp | スイツチ回路 |
JPS63186480A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-02 | Nec Corp | マイクロ波スイツチ |
JPH09186501A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2002373986A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-12-26 | Tyco Electronics Corp | 電界効果トランジスタ構造体 |
JP2006310509A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
JP2006310511A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
JP2008034406A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-02-14 | Sony Corp | スイッチ半導体集積回路装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012174943A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Sony Corp | 電界効果トランジスタ、半導体スイッチ回路、および通信機器 |
JP2020150510A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 株式会社村田製作所 | スイッチ回路、高周波モジュール及び通信装置 |
JP7293757B2 (ja) | 2019-03-15 | 2023-06-20 | 株式会社村田製作所 | スイッチ回路、高周波モジュール及び通信装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10298222B2 (en) | High performance radio frequency switch | |
US8466494B2 (en) | Field effect transistor, semiconductor switch circuit, and communication apparatus | |
US7358788B2 (en) | Compound semiconductor switching circuit device | |
KR100725574B1 (ko) | 화합물 반도체 스위치 회로 장치 | |
JP3831575B2 (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
US20100096667A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2006310509A (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
JP2012104615A (ja) | 高周波スイッチおよび高周波モジュール | |
KR100701139B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US11973115B2 (en) | Methods related to switch body connections to achieve soft breakdown | |
US7339210B2 (en) | Compound semiconductor switching circuit device | |
KR100612185B1 (ko) | 화합물 반도체 스위치 회로 장치 | |
JP2008034406A (ja) | スイッチ半導体集積回路装置 | |
JP4939749B2 (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
JP2009231583A (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
JP2005353991A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009231582A (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
JP2006310511A (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
WO2015159668A1 (ja) | 半導体装置、アンテナスイッチ回路、および無線通信装置 | |
JP2007242751A (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
JP2006310510A (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 | |
JP2007149885A (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置およびその製造方法 | |
JP5147169B2 (ja) | スイッチ回路装置 | |
JP2014207332A (ja) | 電界効果トランジスタおよび高周波増幅回路 | |
JP2002368193A (ja) | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110428 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110609 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130215 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131029 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20140225 |