JP4937724B2 - 基板載置台、基板載置台の製造方法、基板処理装置、流体供給機構 - Google Patents
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Description
本発明は、基板載置台、基板載置台の製造方法、基板処理装置、流体供給機構に関し、特に半導体基板等のプラズマ処理に好適な基板載置台、基板載置台の製造方法、基板処理装置、流体供給機構に関する。
従来から、例えば半導体基板等にプラズマエッチング等のプラズマ処理を施す基板処理装置等においては、基板を載置する基板載置台に、ヘリウムガス等の冷却ガスを基板裏面側に供給するための流体供給機構を具備したものが知られている。又、上記のような基板載置台においては、静電チャックを構成する絶縁層等として、基板載置面にＡｌ2Ｏ3等のセラミック溶射層を設けることが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−４７６５３号公報
上記のような基板載置台を製造する方法としては、例えば、複数のガス供給孔を形成した第１の板状部材と、これらのガス供給孔にガスを供給するためのガス供給路となる溝が表面に形成された第２の板状部材とを別体に構成し、これらをろう付け等によって溶接接合して一体化し、この後、載置面にセラミックを溶射することによってセラミック溶射層を形成する方法が考えられる。
上記の方法では、セラミック溶射の際に、ガス供給孔内に溶射セラミックが侵入する。このため、ガス供給孔から空気等を噴出させつつ、セラミック溶射を行い、ガス供給孔内に溶射セラミックが侵入し難いようにさせる。しかし、このような空気等の噴出では、ガス供給孔の内部に溶射セラミックが侵入することを完全に防止することはできない。このため、ガス供給孔の内部に侵入してその底部に付着した溶射セラミックを、洗浄して洗い流す工程を行う必要がある。
しかし、本発明者等が精査したところ、ガス供給孔の底部等に強固に付着した溶射セラミック等は、洗浄で完全に除去することが困難となる場合があり、溶射セラミックが溶射残渣として残る場合がある。そして、製品として使用している最中にこの溶射残渣が剥がれて半導体ウエハや処理チャンバー内を汚染したり、ガス供給孔の孔詰まりを発生させて冷却ガスの圧力低下による温度制御上の不具合の発生を招くことがあるという問題があった。
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、流体流路内に溶射残渣が残ることを防止することができ、溶射残渣による汚染の発生や、流体流路の孔詰まりの発生を防止することのできる基板載置台、基板載置台の製造方法、基板処理装置、流体供給機構を提供することを目的とする。
請求項１の基板載置台は、基板が載置される載置面と、前記載置面に開口し当該載置面と前記基板との間にガスを供給する複数のガス吐出孔と、前記ガス吐出孔へガスを供給するためのガス供給路とを有する板状部材を具備し、前記載置面を覆うセラミック溶射層が設けられた基板載置台であって、少なくとも前記ガス吐出孔と対向する部位の前記ガス供給路の内壁が、当該ガス供給路の幅方向に沿った縦断面形状が下部に向けて凸形状となるＲ面となるように、曲面状に形成されていることを特徴とする。
請求項２の基板載置台は、請求項１記載の基板載置台であって、前記ガス供給路は、複数の前記ガス吐出孔により共有されていることを特徴とする。
請求項３の基板載置台は、請求項２記載の基板載置台であって、前記板状部材は、前記ガス吐出孔を有する第１の板状部材と、底部が曲面状とされた溝を有する第２の板状部材とを接合して構成されていることを特徴とする。
請求項４の基板載置台は、請求項３記載の基板載置台であって、前記第２の板状部材に、前記ガス供給路内にガスを供給するためのガス供給穴と、前記ガス供給路内を洗浄するための流体を供給又は排出するための洗浄用穴が設けられていることを特徴とする。
請求項５の基板載置台は、請求項１〜４いずれか１項記載の基板載置台であって、前記板状部材がアルミニウムからなり、前記ガス供給路内に陽極酸化皮膜が形成されていることを特徴とする。
請求項６の基板載置台の製造方法は、基板が載置される載置面と、前記載置面に開口し当該載置面と前記基板との間にガスを供給する複数のガス吐出孔と、前記ガス吐出孔へガスを供給するためのガス供給路とを有する板状部材を具備し、前記載置面を覆うセラミック溶射層が設けられた基板載置台の製造方法であって、少なくとも前記ガス吐出孔と対向する部位の前記ガス供給路の内壁を曲面状とした前記板状部材を形成する工程と、前記ガス吐出孔からガスを吐出させながら、前記板状部材の前記載置面にセラミック溶射層を形成する工程と、前記ガス供給路の内部を洗浄する工程とを具備したことを特徴とする。
請求項７の基板載置台の製造方法は、請求項６記載の基板載置台の製造方法であって、前記ガス供給路は、複数の前記ガス吐出孔により共有されていることを特徴とする。
請求項８の基板載置台の製造方法は、請求項７記載の基板載置台の製造方法であって、前記板状部材は、前記ガス吐出孔を有する第１の板状部材と、底部が曲面状とされた溝を有する第２の板状部材とを接合して形成することを特徴とする。
請求項９の基板載置台の製造方法は、請求項８記載の基板載置台の製造方法であって、前記第２の板状部材に設けられたガス供給穴と、前記第２の板状部材に設けられた洗浄用穴とを用いて、前記ガス供給路の内部に洗浄用流体を供給及び排出して洗浄を行うことを特徴とする。
請求項１０の基板載置台の製造方法は、請求項６〜９いずれか１項記載の基板載置台の製造方法であって、前記板状部材がアルミニウムからなり、セラミック溶射層を形成する工程の前に前記ガス供給路内に陽極酸化皮膜を形成する工程を具備したことを特徴とする。
請求項１１の基板処理装置は、基板を収容して処理する処理チャンバーを具備した基板処理装置であって、前記処理チャンバー内に、請求項１〜５いずれか１項記載の基板載置台が配設されていることを特徴とする。
請求項１２の流体供給機構は、複数の流体吐出孔を具備した第１の板状部材と、複数の前記流体吐出孔に共有され当該流体吐出孔に流体を供給するための流体供給路を形成する溝を具備した第２の板状部材とを、前記第１の板状部材の下側に前記第２の板状部材が位置するように接合して構成された板状部材を有し、前記第１の板状部材の表面にセラミック溶射膜層が形成された流体供給機構であって、少なくとも前記流体吐出孔と対向する部位の前記流体供給路を形成する前記溝の底部が、当該溝の幅方向に沿った縦断面形状が下部に向けて凸形状となるＲ面となるように、曲面状に形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、流体流路内に溶射残渣が残ることを防止することができ、溶射残渣による汚染の発生や、流体流路の孔詰まりの発生を防止することのできる基板載置台、基板載置台の製造方法、基板処理装置、流体供給機構を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置としてのプラズマエッチング装置の断面構成を示すものである。まず、図１を参照してプラズマエッチング装置の構成について説明する。
プラズマエッチング装置１は、電極板が上下平行に対向し、プラズマ形成用電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。
プラズマエッチング装置１は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に成形された処理チャンバー（処理容器）２を有しており、この処理チャンバー２は接地されている。処理チャンバー２内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、被処理物、例えば半導体ウエハＷを載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が設けられている。さらに、このサセプタ支持台４の上には、下部電極を構成する基板載置台（サセプタ）５が設けられており、基板載置台５には、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）６が接続されている。この基板載置台５の詳細な構成については、後述する。
サセプタ支持台４の内部には、冷媒室７が設けられており、この冷媒室７には、冷媒が冷媒導入管８を介して導入されて循環し、その冷熱が基板載置台５を介して半導体ウエハＷに対して伝熱され、これにより半導体ウエハＷが所望の温度に制御される。
基板載置台５は、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上に半導体ウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁材（セラミック溶射膜からなる）１０の間に電極１２を配置して構成されている。そして、電極１２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によって半導体ウエハＷを静電吸着する。
絶縁板３、サセプタ支持台４、基板載置台５、静電チャック１１には、半導体ウエハＷの裏面に、伝熱媒体（例えばＨｅガス等）を供給するためのガス通路１４が形成されており、この伝熱媒体を介して基板載置台５の冷熱が半導体ウエハＷに伝達され半導体ウエハＷが所定の温度に維持されるようになっている。
基板載置台５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置された半導体ウエハＷを囲むように、環状のフォーカスリング１５が配置されている。このフォーカスリング１５は、例えば、シリコンなどの導電性材料から構成されており、エッチングの均一性を向上させる作用を有する。
基板載置台５の上方には、この基板載置台５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。この上部電極２１は、絶縁材２２を介して、処理チャンバー２の上部に支持されている。上部電極２１は、電極板２４と、この電極板２４を支持する導電性材料からなる電極支持体２５とによって構成されている。電極板２４は、基板載置台５との対向面を構成し、多数の吐出孔２３を有する。この電極板２４は、例えば、シリコンから構成されるか、又は表面に陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムに石英カバーを設けて構成されている。基板載置台５と上部電極２１とは、その間隔を変更可能とされている。
上部電極２１における電極支持体２５の中央にはガス導入口２６が設けられ、このガス導入口２６には、ガス供給管２７が接続されている。さらにこのガス供給管２７には、バルブ２８、並びにマスフローコントローラ２９を介して、処理ガスとしてのエッチングガスを供給するための処理ガス供給源３０が接続されている。
処理チャンバー２の底部には排気管３１が接続されており、この排気管３１には排気装置３５が接続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理チャンバー２内を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられており、このゲートバルブ３２を開にした状態で半導体ウエハＷが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。
上部電極２１には、第１の高周波電源４０が接続されており、その給電線には整合器４１が介挿されている。また、上部電極２１にはローパスフィルター（ＬＰＦ）４２が接続されている。この第１の高周波電源４０は、５０〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有している。このように高い周波数を印加することにより処理チャンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができる。
下部電極としての基板載置台５には、第２の高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合器５１が介挿されている。この第２の高周波電源５０は、第１の高周波電源４０より低い周波数の範囲を有しており、このような範囲の周波数を印加することにより、被処理体である半導体ウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第２の高周波電源５０の周波数は１〜２０ＭＨｚの範囲が好ましい。
上記構成のプラズマエッチング装置１は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０には、ＣＰＵを備えプラズマエッチング装置１の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインタフェース部６２と、記憶部６３とが設けられている。
ユーザインタフェース部６２は、工程管理者がプラズマエッチング装置１を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
記憶部６３には、プラズマエッチング装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインタフェース部６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマエッチング装置１での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
上記構成のプラズマエッチング装置１によって、半導体ウエハＷをプラズマエッチングする場合、まず、半導体ウエハＷは、ゲートバルブ３２が開放された後、図示しないロードロック室から処理チャンバー２内へと搬入され、静電チャック１１上に載置される。そして、直流電源１３から直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハＷが静電チャック１１上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ３２が閉じられ、排気装置３５によって、処理チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
その後、バルブ２８が開放されて、処理ガス供給源３０から所定の処理ガス（エッチングガス）が、マスフローコントローラ２９によってその流量を調整されつつ、ガス供給管２７、ガス導入口２６を通って上部電極２１の中空部へと導入され、さらに電極板２４の吐出孔２３を通って、図１の矢印に示すように、半導体ウエハＷに対して均一に吐出される。
そして、処理チャンバー２内の圧力が、所定の圧力に維持される。その後、第１の高周波電源４０から所定の周波数の高周波電力が上部電極２１に印加される。これにより、上部電極２１と下部電極としての基板載置台５との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化する。
他方、第２の高周波電源５０から、上記の第１の高周波電源４０より低い周波数の高周波電力が下部電極である基板載置台５に印加される。これにより、プラズマ中のイオンが基板載置台５側へ引き込まれ、イオンアシストによりエッチングの異方性が高められる。
そして、プラズマエッチングが終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー２内から搬出される。
次に、図２〜４を参照して、本実施形態に係る基板載置台（サセプタ）５について説明する。図２〜４に示すように、基板載置台５は、円板状に形成された第１の板状部材５１０と、円板状に形成された第２の板状部材５２０とを接合して構成され、全体として円板状に形成されている。本実施形態では、これらの第１の板状部材５１０及び第２の板状部材５２０は、アルミニウムから構成されている。
第１の板状部材５１０には、図２，３に示すように、多数のガス吐出孔５１１が設けられている。また、第２の板状部材５２０には、図２，４に示すように、上記の各ガス吐出孔５１１にガスを供給するガス供給路を形成するための溝５２１が同心円状に形成されている。この溝５２１のうち、最外周部に設けられた溝５２１は、第１の板状部材５１０最外周部に設けられた複数のガス吐出孔５１１によって共有されるようになっている。また、最外周部以外に設けられた複数の同心円状及びこれらを接続する径方向の溝５２１は、第１の板状部材５１０最外周部以外に設けられた複数のガス吐出孔５１１によって共有されるようになっている。これによって、冷却ガスのガス圧を、最外周部（エッヂ部）とその他の部位とで変更することができるようになっている。
また、図３に示すように、第１の板状部材５１０には、半導体ウエハＷの載置時に半導体ウエハＷを昇降させるためのピンが夫々配置される３つのピン穴５１２が設けられており、図４に示すように、これらのピン穴５１２に対応する位置に第２の板状部材５２０にもピン穴５２２が設けられている。また、図４に示すように、第２の板状部材５２０には、最外周及びその他の溝５２１に夫々冷却ガスを供給するための２つのガス供給穴５２３、及び、最外周及びその他の溝５２１の洗浄時に使用するための複数（図４に示す例では合計８つ）の洗浄用穴５２４が設けられている。なお、これらの洗浄用穴５２４は、後述する洗浄工程等の製造工程で使用されるものであり、基板載置台５の使用時には、閉塞部材によって閉塞される。
図２に示されるガス吐出孔５１１の径は、例えば１ｍｍ程度とされている。一方、図２に示される溝５２１の幅は例えば３ｍｍ程度、深さは例えば２ｍｍ程度とされている。また、溝５２１の底部５２１ａは曲面状とされており、本実施形態では、その断面形状が下部に向けて凸形状となる半径が１．５ｍｍのＲ面とされている。このように、溝５２１の底部５２１ａの形状を曲面状とするのは、ここに溶射セラミックが強固に付着し難くするためのものである。したがって、溝５２１のうち、少なくともガス吐出孔５１１と対向する部位（ガス吐出孔５１１の底部）のみが曲面状とされていれば良いが、溝５２１全体の切削工程を同一の工程で行えるように、本実施形態では、溝５２１全体に亘りその底部５２１ａを曲面状としている。これらの溝５２１等からガス吐出孔５１１へ冷却ガスをガス供給路が構成されており、溝５２１内等のガス供給路の内壁は、陽極酸化皮膜（アルマイト皮膜）（図示せず。）によって覆われている。
また、第１の板状部材５１０の上側の載置面には、静電チャック１１が設けられている。この静電チャック１１は、Ａｌ2Ｏ3等のセラミック溶射膜からなる絶縁材１０の間に、金属（本実施形態では、タングステンの金属溶射膜）からなる電極１２を配置して構成されている。
次に、上記基板載置台５の製造方法について説明する。まず、アルミニウム製の円板に多数のガス吐出孔５１１を形成して第１の板状部材５１０を形成するとともに、アルミニウム製の円板に、ガス吐出孔５１１へのガス供給路となる溝５２１を形成した第２の板状部材５２０を形成する。なお、第１の板状部材５１０には、前記したピン穴５１２、第２の板状部材５２０には、前記したピン穴５２２、ガス供給穴５２３、及び、洗浄用穴５２４等も形成する
次に、上記第１の板状部材５１０と、第２の板状部材５２０とを、ろう付け等によって溶接接合する。このろう付け工程では、接合面の近傍の部材表面が荒れる傾向があるが、このように部材表面が荒れた状態となると、後述するセラミック溶射工程において、表面が荒れた部分に溶射セラミックが強固に付着してしまう場合がある。このため、例えば、図５に示すように、溝６２１の底部６２１ａにおいて、第１の板状部材６１０と、第２の板状部材６２０とを溶接接合すると、溝６２１の底部６２１ａが荒れた状態ととなり、塊状の溶射セラミック６３０が強固に付着する可能性が高くなる。そこで、本実施形態では、図２に示すように、溝５２１の底部ではなく溝５２１の上部において、第１の板状部材５１０と、第２の板状部材５２０とを、ろう付けする構造となっている。このような構造を採用することによって、塊状の溶射セラミック５３０が付着し易い溝５２１の底部５２１ａが荒れた状態となることを抑制することができる。
次に、ガス吐出孔５１１の内側面及び溝５２１の内側面等のガス供給路となる部分に陽極酸化処理（アルマイト処理）により、陽極酸化皮膜（アルマイト皮膜）を形成する。この陽極酸化皮膜は、溶射セラミックが強固に付着し難くする効果を有する。このような陽極酸化皮膜の形成においても、上記したとおり、溝５２１の底部５２１ａが荒れた状態となっていないので、表面が滑らかな良好な陽極酸化皮膜を形成することができる。そして、このような表面が滑らかな良好な陽極酸化皮膜が、溶射セラミックが強固に付着し難くする効果を増大させる。
次に、ガス供給穴５２３、及び、洗浄用穴５２４等から、圧縮空気等の気体を供給して各ガス吐出孔５１１から圧縮空気等の気体を噴出しつつ、載置面にＡｌ2Ｏ3等のセラミック溶射膜１０、金属溶射膜（電極）１２、セラミック溶射膜１０を順次積層させて３層の静電チャック１１を形成する。この時、気体の噴出により、ガス吐出孔５１１内には溶射セラミック等が入り難くはなっているが、その一部はガス吐出孔５１１内に入り込み、図２に点線で示すように、塊状の溶射セラミック５３０となってその底部５２１ａに付着する。ところが、本実施形態では、図２に示されるように、溝５２１の底部５２１ａが曲面状とされているため、図５に示したように、溝６２１の底部６２１ａが平面の場合に比べて、ガス吐出孔５１１内に入り込んだ溶射セラミック等が強固に付着することを防止することができる。
最後に、溝５２１内に流体、例えば、圧縮空気や水を導入して洗浄を行い、セラミック溶射工程で溝５２１内に付着した塊状の溶射セラミック５３０を除去する。この洗浄工程は、図４に示した洗浄用穴５２４及びガス供給穴５２３を使用して行い、圧縮空気によるエアパージ工程、圧縮空気によるエアパージと通水を同時に行う工程、アセトン等の溶媒に浸漬する工程等を適宜組み合わせて行うことができる。この時、上述したとおり、ガス吐出孔５１１内に入り込んだ溶射セラミック等が強固に付着することがないため、溝５２１内に付着した塊状の溶射セラミック５３０を容易に剥離することができ、溶射残渣が残る確率を従来に比べて大幅に低減することができる。
実際に、上記した図２に示すような構造の実施例について、セラミック溶射後に、洗浄工程を実施したところ、エアパージ工程のみによって塊状の溶射セラミック５３０を全て除去することができ、溝５２１内の塊状の溶射セラミック５３０の残渣の個数をゼロとすることができた。一方、比較例として、図５に示したように溝６２１の底部６２１ａが平面状の基板載置台について調べたところ、エアパージ工程、エアパージと通水を同時に行う工程、アセトンに浸漬する工程、エアパージ工程、エアパージと通水を同時に行う工程、を順次実施して洗浄を行ったにもかかわらず、溝６２１内の塊状の溶射セラミック６３０の残渣の個数が６個あり、ゼロとすることができなかった。
以上説明したとおり、本実施形態によれば、冷却ガス供給路内に溶射残渣が残ることを防止することができ、溶射残渣による汚染の発生や、流体流路の孔詰まりの発生を防止することができる。なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、上記の実施形態では、本発明をプラズマエッチング装置に適用した場合について説明したが、プラズマエッチング装置に限らず、例えばＣＶＤ装置等あらゆる基板処理装置についても同様にして適用することができる。また、上記実施形態では、本発明を冷却ガスを供給する基板載置台に適用した実施形態について説明したが、本発明は基板載置台に限らず、処理ガス等の他の流体を供給するための流体供給機構についても同様にして適用することができる。
５……基盤載置台、１０……絶縁材（セラミック溶射層）、１１……静電チャック、１２……電極、５１０……第１の板状部材、５１１……吐出孔、５２０……第２の板状部材、５２１……溝、５２１ａ……底部。
Claims (12)
- 基板が載置される載置面と、前記載置面に開口し当該載置面と前記基板との間にガスを供給する複数のガス吐出孔と、前記ガス吐出孔へガスを供給するためのガス供給路とを有する板状部材を具備し、前記載置面を覆うセラミック溶射層が設けられた基板載置台であって、
少なくとも前記ガス吐出孔と対向する部位の前記ガス供給路の内壁が、当該ガス供給路の幅方向に沿った縦断面形状が下部に向けて凸形状となるＲ面となるように、曲面状に形成されていることを特徴とする基板載置台。 - 請求項１記載の基板載置台であって、
前記ガス供給路は、複数の前記ガス吐出孔により共有されていることを特徴とする基板載置台。 - 請求項２記載の基板載置台であって、
前記板状部材は、前記ガス吐出孔を有する第１の板状部材と、底部が曲面状とされた溝を有する第２の板状部材とを接合して構成されていることを特徴とする基板載置台。 - 請求項３記載の基板載置台であって、
前記第２の板状部材に、前記ガス供給路内にガスを供給するためのガス供給穴と、前記ガス供給路内を洗浄するための流体を供給又は排出するための洗浄用穴が設けられていることを特徴とする基板載置台。 - 請求項１〜４いずれか１項記載の基板載置台であって、
前記板状部材がアルミニウムからなり、前記ガス供給路内に陽極酸化皮膜が形成されていることを特徴とする基板載置台。 - 基板が載置される載置面と、前記載置面に開口し当該載置面と前記基板との間にガスを供給する複数のガス吐出孔と、前記ガス吐出孔へガスを供給するためのガス供給路とを有する板状部材を具備し、前記載置面を覆うセラミック溶射層が設けられた基板載置台の製造方法であって、
少なくとも前記ガス吐出孔と対向する部位の前記ガス供給路の内壁を曲面状とした前記板状部材を形成する工程と、
前記ガス吐出孔からガスを吐出させながら、前記板状部材の前記載置面にセラミック溶射層を形成する工程と、
前記ガス供給路の内部を洗浄する工程と
を具備したことを特徴とする基板載置台の製造方法。 - 請求項６記載の基板載置台の製造方法であって、
前記ガス供給路は、複数の前記ガス吐出孔により共有されていることを特徴とする基板載置台の製造方法。 - 請求項７記載の基板載置台の製造方法であって、
前記板状部材は、前記ガス吐出孔を有する第１の板状部材と、底部が曲面状とされた溝を有する第２の板状部材とを接合して形成することを特徴とする基板載置台の製造方法。 - 請求項８記載の基板載置台の製造方法であって、
前記第２の板状部材に設けられたガス供給穴と、前記第２の板状部材に設けられた洗浄用穴とを用いて、前記ガス供給路の内部に洗浄用流体を供給及び排出して洗浄を行うことを特徴とする基板載置台の製造方法。 - 請求項６〜９いずれか１項記載の基板載置台の製造方法であって、
前記板状部材がアルミニウムからなり、セラミック溶射層を形成する工程の前に前記ガス供給路内に陽極酸化皮膜を形成する工程を具備したことを特徴とする基板載置台の製造方法。 - 基板を収容して処理する処理チャンバーを具備した基板処理装置であって、
前記処理チャンバー内に、請求項１〜５いずれか１項記載の基板載置台が配設されていることを特徴とする基板処理装置。 - 複数の流体吐出孔を具備した第１の板状部材と、複数の前記流体吐出孔に共有され当該流体吐出孔に流体を供給するための流体供給路を形成する溝を具備した第２の板状部材とを、前記第１の板状部材の下側に前記第２の板状部材が位置するように接合して構成された板状部材を有し、前記第１の板状部材の表面にセラミック溶射膜層が形成された流体供給機構であって、
少なくとも前記流体吐出孔と対向する部位の前記流体供給路を形成する前記溝の底部が、当該溝の幅方向に沿った縦断面形状が下部に向けて凸形状となるＲ面となるように、曲面状に形成されていることを特徴とする流体供給機構。
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