JP4933789B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
(COR処理)
SiO2+4HF → SiF4+2H2O↑
SiF4+2NH3+2HF → (NH4)2SiF6
(PHT処理)
(NH4)2SiF6 → SiF4↑+2NH3↑+2HF↑
尚、PHT処理においては、N2及びH2も若干量発生する。
10,137,160 基板処理装置
11 第1のプロセスシップ
12 第2のプロセスシップ
13 ローダーユニット
17 第1のIMS
18 第2のIMS
25 第1のプロセスユニット
34 第2のプロセスユニット
36 第3のプロセスユニット
37 第2の搬送アーム
38,50,70 チャンバ
39 ESC
40 シャワーヘッド
41 TMP
42,69 APCバルブ
45 第1のバッファ室
46 第2のバッファ室
47,48 ガス通気孔
49 第2のロード・ロック室
51 ステージヒータ
57 アンモニアガス供給管
58 弗化水素ガス供給管
59,66,72 圧力ゲージ
61 第2のプロセスユニット排気系
71,193 窒素ガス供給管
67 第3のプロセスユニット排気系
73 第2のロード・ロックユニット排気系
74 大気連通管
89 EC
90,91,92 MC
93 スイッチングハブ
95 GHOSTネットワーク
97,98,99 I/Oモジュール
100 I/O部
138,163 トランスファユニット
139,140,141,142,161,162 プロセスユニット
170 LAN
171 PC
180 トレンチ
181 デポジット膜
182,184 SiOBr層
183 CF系デポジット層
190 窒素ガス供給系
191 オゾンガス供給系
192 窒素ガス供給部
194 窒素ガス供給孔
195 オゾンガス供給部
196 オゾンガス供給管
197 オゾンガス供給孔
199 酸素ラジカル供給系
200 オゾンガス供給部
201 オゾンガス加熱部
202 酸素ラジカル供給管
203 酸素ラジカル供給孔
Claims (9)
- 酸化物層で覆われた有機物層が表面に形成された基板に処理を施す基板処理装置であって、前記酸化物層をガス分子と化学反応させて前記表面上に生成物を生成する化学反応処理装置と、前記生成物が前記表面に生成された前記基板を加熱して前記生成物を分解する熱処理装置とを備える基板処理装置において、
前記有機物層はCF系のデポジットからなる層であり、
前記熱処理装置は前記基板を収容する収容室と、該収容室内にオゾンガスを供給して前記生成物の分解によって露出した前記CF系のデポジットからなる層を分解するオゾンガス供給系とを備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記オゾンガス供給系はオゾンガス供給孔を有し、該オゾンガス供給孔は前記収容室に収容された前記基板と対向することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 酸化物層で覆われた有機物層が表面に形成された基板に処理を施す基板処理装置であって、前記酸化物層をガス分子と化学反応させて前記表面上に生成物を生成する化学反応処理装置と、前記生成物が前記表面に生成された前記基板を加熱して前記生成物を分解する熱処理装置とを備える基板処理装置において、
前記有機物層はCF系のデポジットからなる層であり、
前記熱処理装置は前記基板を収容する収容室と、該収容室内に酸素ラジカルを供給して前記生成物の分解によって露出した前記CF系のデポジットからなる層を分解する酸素ラジカル供給系とを備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記酸素ラジカル供給系は酸素ラジカル供給孔を有し、該酸素ラジカル供給孔は前記収容室に収容された前記基板と対向することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記酸素ラジカル供給系は、前記収容室にオゾンガスを供給するオゾンガス供給部と、該供給されるオゾンガスを熱分解するオゾンガス加熱部とを有することを特徴とする請求項3又は4記載の基板処理装置。
- 酸化物層で覆われた有機物層が表面に形成された基板に処理を施す基板処理方法であって、
前記有機物層はCF系のデポジットからなる層であり、
前記酸化物層をガス分子と化学反応させて前記表面上に生成物を生成する化学反応処理ステップと、
前記生成物が前記表面に生成された前記基板を加熱して前記生成物を分解する熱処理ステップと、
前記熱処理が施された基板の表面へオゾンガスを供給して前記生成物の分解によって露出した前記CF系のデポジットからなる層を分解するオゾンガス供給ステップとを有することを特徴とする基板処理方法。 - 酸化物層で覆われた有機物層が表面に形成された基板に処理を施す基板処理方法であって、
前記有機物層はCF系のデポジットからなる層であり、
前記酸化物層をガス分子と化学反応させて前記表面上に生成物を生成する化学反応処理ステップと、
前記生成物が前記表面に生成された前記基板を加熱して前記生成物を分解する熱処理ステップと、
前記熱処理が施された基板の表面へ酸素ラジカルを供給して前記生成物の分解によって露出した前記CF系のデポジットからなる層を分解する酸素ラジカル供給ステップとを有することを特徴とする基板処理方法。 - 酸化物層で覆われた有機物層が表面に形成された基板に処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、
前記有機物層はCF系のデポジットからなる層であり、
前記プログラムは、
前記酸化物層をガス分子と化学反応させて前記表面上に生成物を生成する化学反応処理モジュールと、
前記生成物が前記表面に生成された前記基板を加熱して前記生成物を分解する熱処理モジュールと、
前記熱処理が施された基板の表面へオゾンガスを供給して前記生成物の分解によって露出した前記CF系のデポジットからなる層を分解するオゾンガス供給モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。 - 酸化物層で覆われた有機物層が表面に形成された基板に処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、
前記有機物層はCF系のデポジットからなる層であり、
前記プログラムは、
前記酸化物層をガス分子と化学反応させて前記表面上に生成物を生成する化学反応処理モジュールと、
前記生成物が前記表面に生成された前記基板を加熱して前記生成物を分解する熱処理モジュールと、
前記熱処理が施された基板の表面へ酸素ラジカルを供給して前記生成物の分解によって露出した前記CF系のデポジットからなる層を分解する酸素ラジカル供給モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。
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