JP4839101B2 - 基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 473
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 378
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 282
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 416
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 79
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 46
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 44
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 9
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 180
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 64
- 230000006870 function Effects 0.000 description 59
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 25
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 238000012552 review Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
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Description
また、基板処理ユニットへの基板の搬入が禁止されるので、基板処理装置が他の基板処理ユニットを備える場合、処理条件が変更される基板処理ユニットへ誤って基板が搬入されるのを防止するために基板処理装置全体を停止する必要がなく、他の基板処理ユニットにおいて基板の処理を継続することができ、生産性の低下を防止することができる。
さらに、処理条件の修正のための外部装置からの操作に応じて、基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かが判別され、基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、基板処理ユニットへの基板の搬入が禁止されているか否かが判別されるので、基板処理ユニットへ基板が搬入されるまでに2回の判別が実行される。したがって、外部装置からの操作があった場合であっても、処理条件が変更される基板処理ユニットへ誤って基板が搬入されるのを防止することができる。
さらにまた、基板処理ユニットへの基板の搬入が禁止されたときに、処理条件が修正されるので、基板に無駄な処理を施すことがなく、基板の処理条件の検討を効率よく行うことができる。
「R&D」ボタン174はオンオフ表示部175を有する。オンオフ表示部175はレシピバッファリング機能が有効であるか無効であるかを表示する表示部である。また、「R&D」ボタン174が押下されると、レシピバッファリング設定ダイアログ176が表示される。レシピバッファリング設定ダイアログ176は「ON」ボタン177と「OFF」ボタン178とを有する。EC89(解除部)は「ON」ボタン177が押下されるとレシピバッファリング機能を無効にし、「OFF」ボタン178が押下されるとレシピバッファリング機能を有効にする。これにより、操作者は、ロードポート20に接続するフープ14に収容された1ロットに相当するウエハWの処理においてレシピの修正を禁止し、若しくはレシピの修正の禁止を解除することができる。すなわち、1ロット毎(引いてはロードポート20毎)にレシピバッファリング機能の有効又は無効を切り替えることができる。
10,137,160 基板処理装置
11 第1のプロセスシップ
12 第2のプロセスシップ
13 ローダーユニット
14 フープ
20 ロードポート
25 第1のプロセスユニット
34 第2のプロセスユニット
36 第3のプロセスユニット
38,50,70 チャンバ
49 第2のロード・ロック室
88 オペレーションパネル
89 EC
90,91,92 MC
93 スイッチングハブ
138,163 トランスファユニット
139,140,141,142,161,162 プロセスユニット
170 LAN
171 PC
Claims (11)
- 基板に処理を施す基板処理ユニットと、1ロットに相当する複数の基板に前記処理を施す間において前記処理の処理条件の変更を禁止する禁止部とを備える基板処理装置であって、
前記基板を搬送する基板搬送ユニットと、
前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入を禁止する搬入禁止部と、
前記1ロットに相当する複数の基板の処理の間において前記処理条件の変更の禁止を解除する解除部と、
前記処理条件を修正する修正部と、
前記処理条件を修正するための操作指示が外部装置から送信された場合、該操作指示に応じて、前記基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かを判別し、前記基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、前記搬入禁止部によって前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているか否かを判別する判別部と、を備え、
前記判別部による判別の結果、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているときに、前記修正部は、前記処理条件を修正することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記外部装置からの操作を受け付けないことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記処理条件の外部への転送を禁止することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記1ロットに相当する複数の基板に施す処理の処理条件を設定する設定部と、
前記設定された処理条件と内容が異なる処理条件が入力されたときに、該内容が異なる処理条件と前記設定部が設定した処理条件との内容の差異に応じて前記基板処理ユニットが前記基板に施す処理の処理条件を決定する条件決定部とを備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 複数の工程からなる前記基板の処理手順を修正する処理手順修正部と、
前記処理手順の各工程における前記基板の処理内容を示す工程識別子を少なくとも含む工程関連情報を記録する工程関連情報記録部と、
前記処理手順の各工程の順序を含む前記処理条件を記録する処理条件記録部と、
前記工程識別子及び前記処理条件の識別子を有する前記処理条件において前記各工程の順序を認めるか否か、又は、前記各工程の順序が存在しているか否かを判別する工程順序判別部とを備え、
前記処理手順修正部は、前記各工程の順序が認められないか、又は前記各工程の順序が存在していない場合には、警告、前記各工程の順序の変更又は前記工程の存在の変更によって前記処理手順を修正することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 基板に処理を施す基板処理ユニットと、1ロットに相当する複数の基板に前記処理を施す間において前記処理の処理条件の変更を禁止する禁止部とを備える基板処理装置を用いた基板処理条件検討方法であって、
前記基板を搬送する基板搬送ステップと、
前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入を禁止する搬入禁止ステップと、
前記1ロットに相当する複数の基板の処理の間において前記処理条件の変更の禁止を解除する解除ステップと、
前記処理条件を修正する修正ステップと、
前記処理条件を修正するための操作指示が外部装置から送信された場合、該操作指示に応じて、前記基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かを判別する第1の判別ステップと、
前記基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、前記搬入禁止ステップによって前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているか否かを判別する第2の判別ステップとを有し、
前記第2の判別ステップによる判別の結果、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているときに、前記修正ステップによって、前記処理条件を修正することを特徴とする基板処理条件検討方法。 - 前記修正ステップでは、前記基板処理ユニットで異常が発生したときに、前記処理条件を修正することを特徴とする請求項6記載の基板処理条件検討方法。
- 前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記外部装置からの操作を受け付けないことを特徴とする請求項6又は7記載の基板処理条件検討方法。
- 前記基板搬送条件の変更が禁止されている場合には、前記処理条件の外部への転送を禁止することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の基板処理条件検討方法。
- 複数の工程からなる前記基板の処理手順を修正する処理手順修正ステップと、
前記処理手順の各工程における前記基板の処理内容を示す工程識別子を少なくとも含む工程関連情報を記録する工程関連情報記録ステップと、
前記処理手順の各工程の順序を含む前記処理条件を記録する処理条件記録ステップと、
前記工程識別子及び前記処理条件の識別子を有する前記処理条件において前記各工程の順序を認めるか否か、又は、前記各工程の順序が存在しているか否かを判別する工程存在判別ステップとを備え、
前記処理手順修正ステップでは、前記各工程の順序が認められないか、又は前記各工程の順序が存在していない場合には、警告、前記各工程の順序の変更又は前記工程の存在の変更によって前記処理手順を修正することを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の基板処理条件検討方法。 - 基板に処理を施す基板処理ユニットと、1ロットに相当する複数の基板に前記処理を施す間において前記処理の処理条件の変更を禁止する禁止部とを備える基板処理装置を用いた基板処理条件検討方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板処理条件検討方法は、
前記基板を搬送する基板搬送ステップと、
前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入を禁止する搬入禁止ステップと、
前記1ロットに相当する複数の基板の処理の間において前記処理条件の変更の禁止を解除する解除ステップと、
前記処理条件を修正する修正ステップと、
前記処理条件を修正するための操作指示が外部装置から送信された場合、該操作指示に応じて、前記基板を搬送する際の基板搬送条件の変更が禁止されているか否かを判別する第1の判別ステップと、
前記基板搬送条件の変更が禁止されていない場合には、さらに、前記搬入禁止ステップによって前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているか否かを判別する第2の判別ステップとを有し、
前記第2の判別ステップによる判別の結果、前記基板処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されているときに、前記修正ステップによって、前記処理条件を修正することを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006062882A JP4839101B2 (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | 基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体 |
US11/682,490 US8190281B2 (en) | 2006-03-08 | 2007-03-06 | Substrate processing apparatus, method for examining substrate processing conditions, and storage medium |
EP07004662A EP1833077A3 (en) | 2006-03-08 | 2007-03-07 | Substrate processing apparatus, method for examining substrate processing conditions, and storage medium |
TW096107857A TWI453787B (zh) | 2006-03-08 | 2007-03-07 | Substrate processing device, substrate processing condition review method |
KR1020070022262A KR100826690B1 (ko) | 2006-03-08 | 2007-03-07 | 기판 처리 장치, 기판 처리 조건 검토 방법 및 기억 매체 |
CN2007100860671A CN101034661B (zh) | 2006-03-08 | 2007-03-08 | 基板处理装置和基板处理条件研究方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006062882A JP4839101B2 (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | 基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007242868A JP2007242868A (ja) | 2007-09-20 |
JP4839101B2 true JP4839101B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=38171585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006062882A Active JP4839101B2 (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | 基板処理装置、基板処理条件検討方法及び記憶媒体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8190281B2 (ja) |
EP (1) | EP1833077A3 (ja) |
JP (1) | JP4839101B2 (ja) |
KR (1) | KR100826690B1 (ja) |
CN (1) | CN101034661B (ja) |
TW (1) | TWI453787B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7695231B2 (en) * | 2004-03-08 | 2010-04-13 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Vacuum pumping system, driving method thereof, apparatus having the same, and method of transferring substrate using the same |
JP5224744B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2013-07-03 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
JP5089306B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
US8369975B2 (en) | 2007-09-21 | 2013-02-05 | Fisher-Rosemount Systems, Inc. | Online recipe synchronization in a real-time batch executive environment |
CN101403913B (zh) * | 2007-09-21 | 2013-07-24 | 费舍-柔斯芒特***股份有限公司 | 实时批执行程序环境中的联机配方同步 |
US8612886B2 (en) * | 2007-09-28 | 2013-12-17 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Sequential function chart (SFC) online editing without reset |
US8150541B2 (en) * | 2007-11-13 | 2012-04-03 | Fisher-Rosemount Systems, Inc. | Methods and apparatus to modify a recipe process flow associated with a process control system during recipe execution |
US8825189B2 (en) * | 2007-11-13 | 2014-09-02 | Fisher Rosemount Systems, Inc. | Methods and apparatus to execute an auxiliary recipe and a batch recipe associated with a process control system |
JP5374039B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
KR100986805B1 (ko) * | 2008-11-21 | 2010-10-11 | 에코피아 주식회사 | 온도 가변형 프로브 스테이션 |
JP5484981B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及び基板処理装置 |
WO2013071303A1 (en) * | 2011-11-11 | 2013-05-16 | Ecs Solutions Inc. | System and method for batch control processing |
KR102106969B1 (ko) * | 2013-02-26 | 2020-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 열처리 장치 및 그 방법 |
JP6216530B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-10-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置の運転方法 |
KR102222005B1 (ko) * | 2014-01-09 | 2021-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법 |
JP6259698B2 (ja) | 2014-03-28 | 2018-01-10 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法 |
CN104269368A (zh) * | 2014-08-29 | 2015-01-07 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种利用前端模块为晶圆加热的装置及方法 |
JP6133832B2 (ja) * | 2014-11-19 | 2017-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | レシピid管理サーバ、レシピid管理システム、および端末装置 |
JP6698446B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
JP6738485B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2020-08-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 低圧リフトピンキャビティハードウェア |
JP6697984B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
CN109841548B (zh) * | 2017-11-27 | 2021-09-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 中转腔室及半导体加工设备 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3668653A (en) * | 1968-10-22 | 1972-06-06 | Sundstrad Corp | Control system |
JP2000260674A (ja) | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 製造装置の動作分析方法並びにその方法を実施するための製造装置 |
KR100649387B1 (ko) * | 1999-06-22 | 2006-11-27 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 초소형전자 제조에 사용하기 위한 공정수행 간 제어기 |
US6607926B1 (en) * | 1999-08-10 | 2003-08-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for performing run-to-run control in a batch manufacturing environment |
JP2002151374A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイス製造フロー管理システムおよび方法 |
US20020192966A1 (en) * | 2001-06-19 | 2002-12-19 | Shanmugasundram Arulkumar P. | In situ sensor based control of semiconductor processing procedure |
US7337019B2 (en) * | 2001-07-16 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Integration of fault detection with run-to-run control |
JP2003077782A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3708919B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2005-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 生産ラインの管理システム |
US6732006B2 (en) * | 2002-02-06 | 2004-05-04 | Asm International Nv | Method and system to process semiconductor wafers |
US7047101B1 (en) * | 2002-07-29 | 2006-05-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Reuse in semiconductor measurement recipes |
JP2004319961A (ja) | 2003-03-31 | 2004-11-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、及び該方法を実行するプログラム |
JP2005294460A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
US7292906B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Formula-based run-to-run control |
US7571019B2 (en) * | 2005-12-30 | 2009-08-04 | Intel Corporation | Integrated configuration, flow and execution system for semiconductor device experimental flows and production flows |
-
2006
- 2006-03-08 JP JP2006062882A patent/JP4839101B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-06 US US11/682,490 patent/US8190281B2/en active Active
- 2007-03-07 EP EP07004662A patent/EP1833077A3/en not_active Withdrawn
- 2007-03-07 TW TW096107857A patent/TWI453787B/zh active
- 2007-03-07 KR KR1020070022262A patent/KR100826690B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-08 CN CN2007100860671A patent/CN101034661B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8190281B2 (en) | 2012-05-29 |
CN101034661A (zh) | 2007-09-12 |
TW200741803A (en) | 2007-11-01 |
EP1833077A2 (en) | 2007-09-12 |
JP2007242868A (ja) | 2007-09-20 |
CN101034661B (zh) | 2010-09-01 |
EP1833077A3 (en) | 2007-11-28 |
KR20070092137A (ko) | 2007-09-12 |
KR100826690B1 (ko) | 2008-04-30 |
US20070212846A1 (en) | 2007-09-13 |
TWI453787B (zh) | 2014-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111003 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |