JP4930561B2 - 電気泳動表示パネル - Google Patents
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Description
また、前記目的を果たすため、本発明の電気泳動表示パネルの一態様は、第1の基板と、前記第1の基板との間に一定間隔の間隙を有して、該第1の基板と対峙する様に構成された第2の基板と、前記間隙に閉じた空間である複数の画素空間を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板と共に複数の該画素空間の境界を構成する、隔壁部と、前記各画素空間中に相当する前記第1の基板上に、1つの前記画素空間につき2つ形成された第1の電極と、前記各画素空間中に相当する前記第2の基板上に、形成された第2の電極と、前記各画素空間に封入された分散材と、前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、正の電荷を有する正帯電微粒子と、前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、負の電荷を有する負帯電微粒子と、前記正帯電微粒子及び前記負帯電微粒子よりも絶対値が小さい電荷を有し、前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、弱帯電微粒子と、当該第1のスイッチング用薄膜トランジスタのソース電極が、前記第1の電極の一方に接続された、第1のスイッチング用薄膜トランジスタと、当該第2のスイッチング用薄膜トランジスタのソース電極が、前記第1の電極の他方に接続された、第2のスイッチング用薄膜トランジスタと、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ及び前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタを、選択的にON状態にする走査信号を、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ及び前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタの、ゲート電極に共通に供給する、走査線と、前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるように構成された、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタのドレイン電極に接続して、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタにデータ信号を入力する、第1の信号線と、前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるように構成された、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタのドレイン電極に接続して、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタにデータ信号を入力する、第2の信号線と、を具備し、前記各画素空間中に形成された2つの前記第1の電極の、互いに近接して対向する辺は、櫛歯形状であり、前記櫛歯形状の前記第1の電極の互いに近接して対向する2つの辺は、前記画素空間中の前記第1の信号線若しくは前記第2の信号線、または前記走査線に対して平行な直線であり、間隙を挟んで咬合の位置にある、ことを特徴とする。
また、前記目的を果たすため、本発明の電気泳動表示パネルの一態様は、第1の基板と、前記第1の基板との間に一定間隔の間隙を有して、該第1の基板と対峙する様に構成された第2の基板と、前記間隙に閉じた空間である複数の画素空間を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板と共に複数の該画素空間の境界を構成する、隔壁部と、前記画素空間中に相当する前記第1の基板上に、1つの前記画素空間につき2つ形成された第1の電極と、前記画素空間中に相当する前記第2の基板上に、形成された第2の電極と、前記画素空間に封入された分散材と、前記分散材に懸濁されて前記画素空間に封入された、正の電荷を有する正帯電微粒子と、前記分散材に懸濁されて前記画素空間に封入された、負の電荷を有する負帯電微粒子と、前記正帯電微粒子及び前記負帯電微粒子よりも絶対値が小さい電荷を有し、前記分散材に懸濁されて前記画素空間に封入された、弱帯電微粒子と、前記第1の電極に、ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか一方が接続されている、スイッチング用薄膜トランジスタと、前記スイッチング用薄膜トランジスタを選択的にON状態にする走査信号を、前記スイッチング用薄膜トランジスタのゲート電極に供給する、走査線と、前記スイッチング用薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のうち前記第1の電極が接続していない方に接続し、前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるべく、前記ON状態のスイッチング用薄膜トランジスタのうち、前記第1の電極が接続している該スイッチング用薄膜トランジスタに、データ信号を入力する、信号線と、を具備し、前記画素空間中に形成された2つの前記第1の電極の互いに近接して対向する辺は、互いに平行なS字状の曲線形状である、ことを特徴とする。
また、前記目的を果たすため、本発明の電気泳動表示パネルの一態様は、第1の基板と、前記第1の基板との間に一定間隔の間隙を有して、該第1の基板と対峙する様に構成された第2の基板と、前記間隙に閉じた空間である複数の画素空間を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板と共に複数の該画素空間の境界を構成する、隔壁部と、前記各画素空間中に相当する前記第1の基板上に、1つの前記画素空間につき2つ形成された第1の電極と、前記各画素空間中に相当する前記第2の基板上に、形成された第2の電極と、前記各画素空間に封入された分散材と、前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、正の電荷を有する正帯電微粒子と、前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、負の電荷を有する負帯電微粒子と、前記正帯電微粒子及び前記負帯電微粒子よりも絶対値が小さい電荷を有し、前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、弱帯電微粒子と、当該第1のスイッチング用薄膜トランジスタのソース電極が、前記第1の電極の一方に接続された、第1のスイッチング用薄膜トランジスタと、当該第2のスイッチング用薄膜トランジスタのソース電極が、前記第1の電極の他方に接続された、第2のスイッチング用薄膜トランジスタと、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ及び前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタを、選択的にON状態にする走査信号を、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ及び前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタの、ゲート電極に共通に供給する、走査線と、前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるように構成された、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタのドレイン電極に接続して、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタにデータ信号を入力する、第1の信号線と、前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるように構成された、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタのドレイン電極に接続して、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタにデータ信号を入力する、第2の信号線と、を具備し、前記各画素空間中に形成された2つの前記第1の電極の互いに近接して対向する辺は、互いに平行なS字状の曲線形状である、ことを特徴とする。
まず、本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る電気泳動表示パネルを含む表示装置の構成を示す図である。図1に示すように、本電気泳動表示装置は、表示パネル100と、走査ドライバ420と、信号ドライバ440と、制御部460とを有している。表示パネル100は、電気泳動表示装置の外部から供給される画像データDに基づく画像を表示する部分である。この表示パネル100は、画素側基板110とCOM基板200との間に電気泳動層が狭持される構成の表示素子を含む。
次に、本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。ここでは第1の実施形態との相違点に限定して説明する。第1の実施形態においては、画素電極120は、図10に示す様に、その形状は長方形の一角が切り欠かれた形状をしており、画素毎に2枚ずつ線対称に配置されている。第1の実施形態の場合、白表示をするために1画素中の1枚の画素電極120をプラスに、もう1枚の画素電極120をマイナスにすると、黒色のプラス帯電微粒子320と赤色のマイナス帯電微粒子330はそれぞれマイナスの電極とプラスの電極に集まる。白色の非帯電微粒子340による遮蔽が十分であれば、黒色のプラス帯電微粒子320及び赤色のマイナス帯電微粒子330がそれぞれの電極に集まり2つに分離されている状態は、観察者からは見えず、該画素は白く見える。しかしながら白色の非帯電微粒子340による遮蔽が不十分な場合、黒色のプラス帯電微粒子320及び赤色のマイナス帯電微粒子330が薄らと乍ら2つに分離されている状態が観察者から見える。従って、この様な白色の非帯電微粒子340による遮蔽が不十分な場合、白表示の画素が並ぶ部分では、分離した2色が規則正しく並んで見える。このため、これらがノイズとして電気泳動表示パネルの表示画質を悪化させる虞がある。そこで本実施形態では、画素電極120を櫛歯形状にする。
次に、本発明の第3の実施形態について図面を参照して説明する。ここでも第1の実施形態及び第2の実施形態との相違点に限定して説明する。第1及び第2の実施形態では1画素中の2枚の画素電極120の互いに近接して対向する辺はいずれも直線形状である。白色の非帯電微粒子340による遮蔽が不十分な場合、走査線、信号線及び容量線の形状も直線形状であるため、1画素中の2枚の画素電極120の互いに近接して対向する辺と走査線、信号線及び容量線が干渉を起こして干渉縞を発生する懸念がある。このため、これらがノイズとして電気泳動表示パネルの表示画質を悪化させる虞がある。そこで本実施形態では、1画素中の2枚の画素電極120の互いに近接して対向する辺を曲線形状にする。
Claims (20)
- 第1の基板と、
前記第1の基板との間に一定間隔の間隙を有して、該第1の基板と対峙する様に構成された第2の基板と、
前記間隙に閉じた空間である複数の画素空間を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板と共に複数の該画素空間の境界を構成する、隔壁部と、
前記画素空間中に相当する前記第1の基板上に、1つの前記画素空間につき2つ形成された第1の電極と、
前記画素空間中に相当する前記第2の基板上に、形成された第2の電極と、
前記画素空間に封入された分散材と、
前記分散材に懸濁されて前記画素空間に封入された、正の電荷を有する正帯電微粒子と、
前記分散材に懸濁されて前記画素空間に封入された、負の電荷を有する負帯電微粒子と、
前記正帯電微粒子及び前記負帯電微粒子よりも絶対値が小さい電荷を有し、前記分散材に懸濁されて前記画素空間に封入された、弱帯電微粒子と、
前記第1の電極に、ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか一方が接続されている、スイッチング用薄膜トランジスタと、
前記スイッチング用薄膜トランジスタを選択的にON状態にする走査信号を、前記スイッチング用薄膜トランジスタのゲート電極に供給する、走査線と、
前記スイッチング用薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のうち前記第1の電極が接続していない方に接続し、前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるべく、前記ON状態のスイッチング用薄膜トランジスタのうち、前記第1の電極が接続している該スイッチング用薄膜トランジスタに、データ信号を入力する、信号線と、
を具備し、
前記画素空間中に形成された2つの前記第1の電極の、互いに近接して対向する辺は、櫛歯形状であり、前記櫛歯形状の前記第1の電極の互いに近接して対向する2つの辺は、前記画素空間中の前記信号線または前記走査線に対して平行な直線であり、間隙を挟んで咬合の位置にある、
ことを特徴とする電気泳動表示パネル。 - 前記スイッチング用薄膜トランジスタ、前記走査線、前記信号線及び容量線は、前記第1の基板と前記隔壁部とに挟まれる位置に配線されていることを特徴とする請求項1に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記隔壁部、前記スイッチング用薄膜トランジスタ、前記走査線、前記信号線及び前記容量線は、前記画素空間において対称に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記画素空間中に形成された2つの前記第1の電極は、面積が等しいことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記スイッチング用薄膜トランジスタは、スイッチング素子としてのTFTを2つ直列接続することで抵抗値を高めたデュアルゲート構造であることを特徴とする請求項1に記載の電気泳動表示パネル。
- 第1の基板と、
前記第1の基板との間に一定間隔の間隙を有して、該第1の基板と対峙する様に構成された第2の基板と、
前記間隙に閉じた空間である複数の画素空間を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板と共に複数の該画素空間の境界を構成する、隔壁部と、
前記各画素空間中に相当する前記第1の基板上に、1つの前記画素空間につき2つ形成された第1の電極と、
前記各画素空間中に相当する前記第2の基板上に、形成された第2の電極と、
前記各画素空間に封入された分散材と、
前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、正の電荷を有する正帯電微粒子と、
前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、負の電荷を有する負帯電微粒子と、
前記正帯電微粒子及び前記負帯電微粒子よりも絶対値が小さい電荷を有し、前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、弱帯電微粒子と、
当該第1のスイッチング用薄膜トランジスタのソース電極が、前記第1の電極の一方に接続された、第1のスイッチング用薄膜トランジスタと、
当該第2のスイッチング用薄膜トランジスタのソース電極が、前記第1の電極の他方に接続された、第2のスイッチング用薄膜トランジスタと、
前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ及び前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタを、選択的にON状態にする走査信号を、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ及び前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタの、ゲート電極に共通に供給する、走査線と、
前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるように構成された、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタのドレイン電極に接続して、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタにデータ信号を入力する、第1の信号線と、
前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるように構成された、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタのドレイン電極に接続して、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタにデータ信号を入力する、第2の信号線と、
を具備し、
前記各画素空間中に形成された2つの前記第1の電極の、互いに近接して対向する辺は、櫛歯形状であり、前記櫛歯形状の前記第1の電極の互いに近接して対向する2つの辺は、前記画素空間中の前記第1の信号線若しくは前記第2の信号線、または前記走査線に対して平行な直線であり、間隙を挟んで咬合の位置にある、
ことを特徴とする電気泳動表示パネル。 - 前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタ、前記走査線、前記第1の信号線、前記第2の信号線及び容量線は、前記第1の基板と前記隔壁部とに挟まれる位置に配線されていることを特徴とする請求項6に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記隔壁部、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタ、前記走査線、前記第1の信号線、前記第2の信号線及び前記容量線は、前記各画素空間において対称に配置されていることを特徴とする請求項7に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記各画素空間中に形成された2つの前記第1の電極は、面積が等しいことを特徴とする請求項6乃至8のうちいずれか1項に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記スイッチング用薄膜トランジスタは、スイッチング素子としてのTFTを2つ直列接続することで抵抗値を高めたデュアルゲート構造であることを特徴とする請求項6に記載の電気泳動表示パネル。
- 第1の基板と、
前記第1の基板との間に一定間隔の間隙を有して、該第1の基板と対峙する様に構成された第2の基板と、
前記間隙に閉じた空間である複数の画素空間を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板と共に複数の該画素空間の境界を構成する、隔壁部と、
前記画素空間中に相当する前記第1の基板上に、1つの前記画素空間につき2つ形成された第1の電極と、
前記画素空間中に相当する前記第2の基板上に、形成された第2の電極と、
前記画素空間に封入された分散材と、
前記分散材に懸濁されて前記画素空間に封入された、正の電荷を有する正帯電微粒子と、
前記分散材に懸濁されて前記画素空間に封入された、負の電荷を有する負帯電微粒子と、
前記正帯電微粒子及び前記負帯電微粒子よりも絶対値が小さい電荷を有し、前記分散材に懸濁されて前記画素空間に封入された、弱帯電微粒子と、
前記第1の電極に、ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか一方が接続されている、スイッチング用薄膜トランジスタと、
前記スイッチング用薄膜トランジスタを選択的にON状態にする走査信号を、前記スイッチング用薄膜トランジスタのゲート電極に供給する、走査線と、
前記スイッチング用薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のうち前記第1の電極が接続していない方に接続し、前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるべく、前記ON状態のスイッチング用薄膜トランジスタのうち、前記第1の電極が接続している該スイッチング用薄膜トランジスタに、データ信号を入力する、信号線と、
を具備し、
前記画素空間中に形成された2つの前記第1の電極の互いに近接して対向する辺は、互いに平行なS字状の曲線形状である、
ことを特徴とする電気泳動表示パネル。 - 前記スイッチング用薄膜トランジスタ、前記走査線、前記信号線及び容量線は、前記第1の基板と前記隔壁部とに挟まれる位置に配線されていることを特徴とする請求項11に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記隔壁部、前記スイッチング用薄膜トランジスタ、前記走査線、前記信号線及び前記容量線は、前記画素空間において対称に配置されていることを特徴とする請求項12に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記画素空間中に形成された2つの前記第1の電極は、面積が等しいことを特徴とする請求項11乃至13のうちいずれか1項に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記スイッチング用薄膜トランジスタは、スイッチング素子としてのTFTを2つ直列接続することで抵抗値を高めたデュアルゲート構造であることを特徴とする請求項11に記載の電気泳動表示パネル。
- 第1の基板と、
前記第1の基板との間に一定間隔の間隙を有して、該第1の基板と対峙する様に構成された第2の基板と、
前記間隙に閉じた空間である複数の画素空間を形成し、前記第1の基板と前記第2の基板と共に複数の該画素空間の境界を構成する、隔壁部と、
前記各画素空間中に相当する前記第1の基板上に、1つの前記画素空間につき2つ形成された第1の電極と、
前記各画素空間中に相当する前記第2の基板上に、形成された第2の電極と、
前記各画素空間に封入された分散材と、
前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、正の電荷を有する正帯電微粒子と、
前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、負の電荷を有する負帯電微粒子と、
前記正帯電微粒子及び前記負帯電微粒子よりも絶対値が小さい電荷を有し、前記分散材に懸濁されて前記各画素空間に封入された、弱帯電微粒子と、
当該第1のスイッチング用薄膜トランジスタのソース電極が、前記第1の電極の一方に接続された、第1のスイッチング用薄膜トランジスタと、
当該第2のスイッチング用薄膜トランジスタのソース電極が、前記第1の電極の他方に接続された、第2のスイッチング用薄膜トランジスタと、
前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ及び前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタを、選択的にON状態にする走査信号を、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ及び前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタの、ゲート電極に共通に供給する、走査線と、
前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるように構成された、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタのドレイン電極に接続して、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタにデータ信号を入力する、第1の信号線と、
前記正帯電微粒子、前記負帯電微粒子及び前記弱帯電微粒子を泳動させるように構成された、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタのドレイン電極に接続して、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタにデータ信号を入力する、第2の信号線と、
を具備し、
前記各画素空間中に形成された2つの前記第1の電極の互いに近接して対向する辺は、互いに平行なS字状の曲線形状である、
ことを特徴とする電気泳動表示パネル。 - 前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタ、前記走査線、前記第1の信号線、前記第2の信号線及び容量線は、前記第1の基板と前記隔壁部とに挟まれる位置に配線されていることを特徴とする請求項16に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記隔壁部、前記第1のスイッチング用薄膜トランジスタ、前記第2のスイッチング用薄膜トランジスタ、前記走査線、前記第1の信号線、前記第2の信号線及び前記容量線は、前記各画素空間において対称に配置されていることを特徴とする請求項17に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記各画素空間中に形成された2つの前記第1の電極は、面積が等しいことを特徴とする請求項16乃至18のうちいずれか1項に記載の電気泳動表示パネル。
- 前記スイッチング用薄膜トランジスタは、スイッチング素子としてのTFTを2つ直列接続することで抵抗値を高めたデュアルゲート構造であることを特徴とする請求項16に記載の電気泳動表示パネル。
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