JP4929973B2 - 樹脂基板内蔵用キャパシタ材料の製造方法 - Google Patents
樹脂基板内蔵用キャパシタ材料の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4929973B2 JP4929973B2 JP2006286572A JP2006286572A JP4929973B2 JP 4929973 B2 JP4929973 B2 JP 4929973B2 JP 2006286572 A JP2006286572 A JP 2006286572A JP 2006286572 A JP2006286572 A JP 2006286572A JP 4929973 B2 JP4929973 B2 JP 4929973B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- metal oxide
- electrodeposition
- thin film
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
図1および図2は、本発明に係る誘電体薄膜キャパシタ材料の断面を模式的に示したものである。誘電体薄膜キャパシタ材料1は、上部電極10、誘電体20および下部電極30で構成されており、誘電体20が対向する2つの電極で挟まれた構造である。誘電体20は、下部電極30をカソードとして下部電極30上に電着により形成されている。なお、「上部」あるいは「下部」とは、電着させる側の電極を区別するため便宜的に用いた語であり、例えばキャパシタ内蔵基板として用いる場合の実際の上下を表すものでないことは無論である。
(実施例1)
金属バリウム3.373gとチタニウムテトラエトキシド2.281gをモル比1:1の割合で2-メトキシエタノール46.0gに溶解し、窒素雰囲気中120℃で3時間加熱した。さらに、常温で12時間熟成させて、金属アルコキシドオリゴマー溶液を合成した。
実施例1で合成した電着液中に、カソードとして5cm角の銅箔、アノードとしてPtワイヤを浸漬し、50Vで3分間電圧を印加して、銅箔上にチタン酸バリウム粒子分散チタン酸バリウムゲル膜を作製した。使用した銅箔は予め表面粗化した銅箔であり、膜厚が50μm、表面粗さ(Ra1)が300nmであった。次いで、ホットプレート上で350℃、30分間熱処理し、チタン酸バリウム粒子分散チタン酸バリウムアモルファス膜を得た。得られた膜にはクラックやボイドは見られず、平均膜厚300nm、表面粗さ(Ra2)は280nmであった。
実施例1と同様の方法でチタン酸バリウム粒子の合成と洗浄を行い、この粒子0.4gを2-メトキシエタノール7.2gおよびアセトン136.8gを含む混合溶媒中に分散し、粒子を0.27重量部、2-メトキシエタノールを5重量部、アセトンを95重量部含む粒子電着液を調製した。この電着液中に、カソードとして5cm角の銅箔、アノードとしてPtワイヤを漬し、50Vで3分間電圧を印加して銅箔上にチタン酸バリウム粒子を堆積させ、ホットプレート上で350℃、30分間熱処理した。使用した銅箔は圧延銅箔であり、膜厚が50μm、表面粗さ(Ra1)が85nmであった。
実施例1と同様の方法でチタン酸バリウム粒子の合成と洗浄を行い、この粒子0.4gをアセトン144gに分散して、粒子を0.27重量部、アセトンを99.73重量部含む粒子電着液を調製した。この電着液中に、カソードとして5cm角の銅箔、アノードとしてPtワイヤを浸漬し、50Vで3分間電圧を印加して銅箔上にチタン酸バリウム粒子を堆積させ、ホットプレート上で350℃、30分間熱処理した。使用した銅箔は圧延銅箔であり、膜厚が50μm、表面粗さ(Ra1)が85nmであった。
実施例1のチタン酸バリウム粒子0.4gと、実施例1の金属アルコキシドオリゴマー溶液56g、アセトン76.8gを混合し、金属アルコキシドオリゴマーを3.3重量部、チタン酸バリウム粒子を0.28重量部、2-メトキシエタノールを41.8重量部、アセトンを54.6重量部含む電着液を作製した。
本発明で作製した誘電体薄膜キャパシタ材料を用いてキャパシタ内蔵基板を作製した。そのプロセス工程の概略を図5に示す。実施例1の方法で厚さ50μmの銅箔上に誘電体膜を形成し、誘電体膜表面にめっき法により厚さ30μmの銅電極を形成し誘電体薄膜キャパシタ材料を作製した。この誘電体薄膜キャパシタ材料1を、表面に導体51が形成された2層基板50の両面に接着層60を介して張り合わせ、6層基板を作製した。表面の電極上にレジスト70を形成してエッチングすることにより、1mm2サイズから100mm2サイズのキャパシタを作製して容量を評価した結果、1〜100nFで漏れ電流密度が0.1〜0.4nA/mm2の特性を有するキャパシタを基板に内蔵することができた。
実施例1で合成した電着液を5cm角の銅箔上に滴下し、2000rpmで30秒間スピンコートした。次いで、ホットプレート上で350℃、30分間熱処理し、スピンコートと熱処理を10回繰り返して、チタン酸バリウム粒子分散チタン酸バリウムアモルファス膜を得た。使用した銅箔は圧延銅箔であり、膜厚50μm、表面粗さ(Ra1)は80nmであった。作製した膜にはクラックやボイドは見られず、平均膜厚600nm、表面粗さ(Ra2)は20nmであった。
実施例1で合成した電着液を5cm角の銅箔上に滴下し、2000rpmで30秒間スピンコートした。次いで、ホットプレート上で350℃、30分間熱処理し、スピンコートと熱処理を5回繰り返してチタン酸バリウム粒子分散チタン酸バリウムアモルファス膜を得た。使用した銅箔は予め表面粗化した銅箔であり、平均膜厚が50μm、表面粗さ(Ra1)が280nmであった。得られたチタン酸バリウム粒子分散チタン酸バリウムアモルファス膜にはクラックやボイドは見られず、平均膜厚は300nm、表面粗さ(Ra2)は50nmであった。
実施例1と同様の方法でチタン酸バリウム粒子の合成と洗浄を行い、この粒子0.4gを2-メトキシエタノール7.2gおよびアセトン136.8gを含む混合溶媒中に分散し、粒子を0.27重量部、2-メトキシエタノールを5重量部、アセトンを95重量部含む粒子電着液を調製した。この電着液中に、カソードとして5cm角の銅箔、アノードとしてPtワイヤを浸漬し、100Vで1分間電圧を印加して銅箔上にチタン酸バリウム粒子を堆積させ、ホットプレート上で350℃、30分間熱処理した。使用した銅箔は圧延銅箔であり、膜厚が50μm、表面粗さ(Ra1)が80nmであった。
10 上部電極
20、20A 誘電体
21 金属酸化物アモルファス
22 金属酸化物粒子
23 電着液
24 粒子分散金属酸化物ゲル膜
25 カチオン性樹脂
30 下部電極
31 突起物
40 Ptワイヤ
50 2層基板
51 導体
60 接着層
70 レジスト
Claims (21)
- 上部電極、誘電体および下部電極から構成される誘電体薄膜キャパシタ材料において、前記下部電極をカソードとして前記誘電体が前記下部電極上に電着により形成され、前記誘電体が、金属酸化物アモルファスと金属酸化物粒子との混合物で構成され、前記下部電極の表面粗さ(Ra1)が0.1〜2μmであり、前記誘電体の表面粗さ(Ra2)がRa1の±50%の範囲内であり、前記誘電体が、金属アルコキシドオリゴマー、金属酸化物粒子、エーテル基を有するアルコールおよび低級ケトンを含む電着液Aを用いて、電着により下部電極上に形成されることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 上部電極、誘電体および下部電極から構成される誘電体薄膜キャパシタ材料において、前記下部電極をカソードとして前記誘電体が前記下部電極上に電着により形成され、前記誘電体が、金属酸化物アモルファスと金属酸化物粒子との混合物で構成され、前記誘電体が、金属アルコキシドオリゴマー、金属酸化物粒子、エーテル基を有するアルコールおよび低級ケトンを含む電着液Aを用いて、電着により下部電極上に形成されることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 金属酸化物アモルファスが、Ba、Sr、Ti、Si、Ca、Mg、Ta、Nb、Pb、Zr、Bi、Alから選ばれる少なくとも1種以上の金属元素を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 上部電極、誘電体および下部電極から構成される誘電体薄膜キャパシタ材料において、前記下部電極をカソードとして前記誘電体が前記下部電極上に電着により形成され、前記誘電体が、金属酸化物アモルファスと金属酸化物粒子との混合物で構成され、前記誘電体が、金属酸化物粒子および低級ケトンを含む電着液B、ならびに金属アルコキシドオリゴマー、エーテル基を有するアルコールおよび低級ケトンを含む電着液Cを用いて、電着により下部電極上に形成されることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 金属アルコキシドオリゴマーが、Ba、Sr、Ti、Si、Ca、Mg、Ta、Nb、Pb、Zr、Bi、Alから選ばれる少なくとも1種以上の金属元素を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 誘電体の膜厚が、0.01μm〜20μmであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 上部電極および下部電極がPt、Au、Ag、Ni、Cu、Al、Pd、Coから選ばれる少なくとも1種以上で構成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 金属酸化物粒子が、Ba、Sr、Ti、Si、Ca、Mg、Ta、Nb、Pb、Zr、Bi、Alから選ばれる少なくとも1種以上の金属元素を含み、かつ、前記金属酸化物粒子の粒径が0.001〜1μmであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 電着液Aが、金属アルコキシドオリゴマーを0.1〜2.0重量部、金属酸化物粒子を0.01〜1.0重量部、エーテル基を有するアルコールを5〜40重量部、低級ケトンを60〜95重量部含むことを特徴とする請求項1または2に記載の誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 電着液Bが、金属酸化物粒子を0.01〜1.0重量部、低級ケトンを60〜100重量部含むことを特徴とする請求項4に記載の誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 電着液Bが、さらにエーテル基を有するアルコールを5〜40重量部含むことを特徴とする請求項10に記載の誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 電着液Cが、金属アルコキシドオリゴマーを0.01〜2.0重量部、エーテル基を有するアルコールを5〜40重量部、低級ケトンを60〜95重量部含むことを特徴とする請求項4に記載の誘電体薄膜キャパシタ材料。
- 金属アルコキシドオリゴマー、金属酸化物粒子、エーテル基を有するアルコールおよび低級ケトンを含む電着液中に、アノードとしてPt、カソードとして下部電極を浸漬し、直流電圧を印加して前記下部電極上へ粒子分散金属酸化物ゲル膜を形成し、次いで、焼成して粒子分散金属酸化物アモルファス膜を形成し、前記粒子分散金属酸化物アモルファス膜上に上部電極を形成することを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ材料の製造方法。
- 金属酸化物粒子および低級ケトンを含む電着液中に、アノードとしてPt、カソードとして下部電極を浸漬し、直流電圧を印加して前記下部電極上へ金属酸化物粒子堆積膜を形成し、金属アルコキシドオリゴマー、エーテル基を有するアルコールおよび低級ケトンを含む電着液中に、アノードとしてPt、カソードとして前記金属酸化物粒子堆積膜を浸漬し、直流電圧を印加して粒子分散金属酸化物ゲル膜を形成し、次いで、焼成して粒子分散金属酸化物アモルファス膜を形成し、前記粒子分散金属酸化物アモルファス膜上に上部電極を形成することを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ材料の製造方法。
- 金属酸化物粒子および低級ケトンを含む電着液が、さらにエーテル基を有するアルコールを含むことを特徴とする請求項14に記載の誘電体薄膜キャパシタ材料の製造方法。
- 焼成する温度が600℃以下であることを特徴とする請求項13または14に記載の誘電体薄膜キャパシタ材料の製造方法。
- 上部電極、誘電体および下部電極から構成され、前記下部電極をカソードとして前記誘電体が前記下部電極上に電着により形成される誘電体薄膜キャパシタ材料において用いられる誘電体電着用の電着液であって、金属アルコキシドオリゴマーを0.1〜2.0重量部、金属酸化物粒子を0.01〜1.0重量部、エーテル基を有するアルコールを5〜40重量部、低級ケトンを60〜95重量部含むことを特徴とする誘電体電着用の電着液。
- 金属アルコキシドオリゴマーが、Ba、Sr、Ti、Si、Ca、Mg、Ta、Nb、Pb、Zr、Bi、Alから選ばれる少なくとも1種以上の金属元素を含むことを特徴とする請求項17に記載の電着液。
- 金属酸化物粒子が、Ba、Sr、Ti、Si、Ca、Mg、Ta、Nb、Pb、Zr、Bi、Alから選ばれる少なくとも1種以上の金属元素を含み、かつ、前記金属酸化物粒子の粒径が0.001〜1μmであることを特徴とする請求項17または18に記載の電着液。
- 樹脂基板に、請求項1〜12のいずれかに記載の誘電体薄膜キャパシタ材料を組み合わせたことを特徴とするキャパシタ内蔵基板。
- 請求項20に記載のキャパシタ内蔵基板を搭載したことを特徴とする情報端末機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006286572A JP4929973B2 (ja) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | 樹脂基板内蔵用キャパシタ材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006286572A JP4929973B2 (ja) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | 樹脂基板内蔵用キャパシタ材料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008103630A JP2008103630A (ja) | 2008-05-01 |
JP4929973B2 true JP4929973B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=39437715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006286572A Expired - Fee Related JP4929973B2 (ja) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | 樹脂基板内蔵用キャパシタ材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4929973B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8441775B2 (en) * | 2009-12-15 | 2013-05-14 | Empire Technology Development, Llc | Conformal deposition of dielectric composites by eletrophoresis |
JP6441583B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2018-12-19 | 京セラ株式会社 | 誘電体フィルムおよびフィルムコンデンサ |
JP6965670B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-11-10 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
EP3644333A4 (en) * | 2017-10-04 | 2021-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FILM CAPACITOR, FILM FOR FILM CAPACITOR, METHOD FOR MANUFACTURING FILM FOR FILM CAPACITOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING FILM CAPACITOR |
EP3913645A4 (en) * | 2019-02-07 | 2023-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Film capacitor |
WO2022044739A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 京セラ株式会社 | 誘電体フィルム、金属化フィルム、これを用いたフィルムコンデンサおよび連結型コンデンサ、インバータならびに電動車輌 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05163005A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | 酸化物超電導限流導体の製造方法 |
JPH0878274A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法 |
JP2001015883A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Dainippon Printing Co Ltd | コンデンサの形成方法とコンデンサを有する配線基板の作製方法、および配線基板 |
JP2001267751A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ内蔵基板およびその製造方法 |
JP2002231052A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-16 | Jsr Corp | 誘電体用複合粒子、誘電体形成用組成物および電子部品 |
JP2002367856A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサおよびその製造方法 |
JP2002367858A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ内蔵回路基板およびその製造方法 |
JP2003011270A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Jsr Corp | 導電性箔付き誘電体層およびこれを用いたコンデンサ、ならびにその形成方法 |
JP4423835B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2010-03-03 | 株式会社村田製作所 | 誘電体酸化物膜の製造方法 |
WO2004040604A1 (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | キャパシタ層形成用の誘電体層付銅箔並びにその誘電体層付銅箔を用いたキャパシタ層形成用の銅張積層板及びそのキャパシタ層形成用の誘電体層付銅箔の製造方法 |
JP2004335764A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Jsr Corp | 誘電体膜およびその製造方法 |
JP4269864B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2009-05-27 | 株式会社村田製作所 | セラミック薄膜の製造方法および積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP4127207B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2008-07-30 | Jsr株式会社 | 回路基板の製造方法 |
JP2005268508A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Nitto Denko Corp | セラミック薄膜コンデンサおよびその製造方法 |
-
2006
- 2006-10-20 JP JP2006286572A patent/JP4929973B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008103630A (ja) | 2008-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4929973B2 (ja) | 樹脂基板内蔵用キャパシタ材料の製造方法 | |
US7190016B2 (en) | Capacitor structure | |
KR100525176B1 (ko) | 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
JP5181807B2 (ja) | セラミック電子部品、およびセラミック電子部品の製造方法 | |
JP2006093663A (ja) | 誘電体構造 | |
JP5217659B2 (ja) | セラミック電子部品、およびセラミック電子部品の製造方法 | |
TWI223289B (en) | Dielectric structure, and capacitor and printed circuit board having the same and manufacturing method thereof | |
TW200300947A (en) | Capacitance material, printed circuit board having the same and manufacturing method thereof, and capacitor structure | |
WO1999018588A1 (fr) | Dispositif electronique et son procede de production | |
JP4375395B2 (ja) | 薄膜複合材料およびその製造方法、ならびに当該薄膜複合材料を用いた多層配線板および電子部品 | |
JP5882960B2 (ja) | 表面処理された金属粉、及びその製造方法 | |
EP1804558A1 (en) | Capacitor layer-forming material and printed circuit board having internal capacitor circuit obtained by using capacitor layer-forming material | |
TW200811891A (en) | Thin film dielectrics with co-fired electrodes for capacitors and methods of making thereof | |
WO2006118236A1 (ja) | 酸化物誘電層の形成方法及びその形成方法で得られた酸化物誘電層を備えたキャパシタ層形成材 | |
JP2008258555A (ja) | 薄膜複合材料、薄膜複合材料の製造法及びこの薄膜複合材料を用いた電子部品用材料、電子部品用材料の製造法、電子部品、電子部品の製造法 | |
JP4952332B2 (ja) | キャパシタ層形成材およびその製造方法ならびにプリント配線板 | |
WO2021256410A1 (ja) | 電子部品及び電子部品の製造方法 | |
CN100380540C (zh) | 介电结构 | |
JPH08167768A (ja) | 回路パターンの形成方法及びそのペースト | |
JP2007305847A (ja) | 基板内蔵用キャパシタ、その製造方法及び受動部品内蔵基板 | |
JP2008172182A (ja) | 薄膜コンデンサ搭載基板、および該基板の製造方法と該基板を用いてなる半導体装置 | |
JP4200639B2 (ja) | Pzt系結晶膜素子の実装方法 | |
JP4148293B2 (ja) | 薄膜複合材料、およびこれを用いた配線板用材料、配線板、電子部品用材料、電子部品、ならびにこれらの製造方法 | |
JP2006179745A (ja) | 埋め込み用コンデンサ素子の構成部品及びその製造方法、埋め込み用コンデンサ素子、配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110829 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110830 |
|
AA91 | Notification of revocation by ex officio |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971091 Effective date: 20110913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111011 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120130 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4929973 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |