JP4925763B2 - 半導体モジュール - Google Patents
半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP4925763B2 JP4925763B2 JP2006209724A JP2006209724A JP4925763B2 JP 4925763 B2 JP4925763 B2 JP 4925763B2 JP 2006209724 A JP2006209724 A JP 2006209724A JP 2006209724 A JP2006209724 A JP 2006209724A JP 4925763 B2 JP4925763 B2 JP 4925763B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- sense
- frequency component
- inductor
- configuration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 67
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Description
図1は、実施の形態1の半導体モジュールの構成例を示す図である。
U相アーム1は、端子T1と端子T2との間に直列に接続されるIGBT素子Q1,Q2と、IGBT素子Q1,Q2にそれぞれ逆並列に接続されるダイオードD1,D2と、監視部11,12と、IGBT素子Q1,Q2をそれぞれ駆動する駆動回路21,22とを含む。
図2を参照して、IGBT素子Q1は、主セル部31と、センスセル部32とを含む。主セル部31は主エミッタ端子に対応するパッドP1を有する。センスセル部32はセンスエミッタ端子に対応するパッドP2を有する。
図3は、実施の形態2の半導体モジュールの構成例を示す図である。
図4を参照して、監視部11Aは、電流センサSNSと、監視部11とを備える。電流センサSNSは、抵抗R1と、抵抗R1に対応して設けられる電圧検出部41Aとを含む。
実施の形態3の半導体モジュールの全体構成は図3に示すIPM100Aの構成と同様である。ただし実施の形態3では図3に示すIGBT素子Q1および監視部11Aの構成が実施の形態2と異なる。よって以下、IGBT素子Q1および監視部11Aの構成について説明する。
実施の形態4の半導体モジュールの全体構成は図1に示すIPM100の構成と同様である。ただし実施の形態4と実施の形態1とは図1に示す監視部11,12の内部構成が異なる。以下、代表的に監視部11の構成について説明する。監視部12の構成は監視部11の構成と同様であるので以後の説明は繰返さない。
実施の形態5の半導体モジュールの全体構成は図1に示すIPM100の構成と同様であるので以後の説明は繰返さない。実施の形態5は実施の形態4に対して、監視部11の内部に設けられるフィルタの種類が異なる。以下、実施の形態4と同様に、監視部11の構成について代表的に説明する。監視部12の構成は監視部11の構成と同様であるので以後の説明は繰返さない。
図8は、実施の形態6の半導体モジュールの構成例を示す図である。
図9および図2を参照して、監視部11Bは、電圧検出部41に代えて電圧検出部41Bを含む点で監視部11と異なる。監視部11Bの他の部分の構成については監視部11と同様であるので以後の説明は繰返さない。
図11および図8を参照して、IPM100B1はU相アーム1Bに代えてU相アーム1B1を含む。U相アーム1B1はLED(Light Emitting Diode)51A,52Aと、信号S11を受けるとLED51Aを点灯させる点灯回路51と、信号S12を受けるとLED52Aを点灯させる点灯回路52とを含む。この構成によれば、たとえば保守員がIPMを見た場合に、三相モータのメンテナンス(あるいは交換)が必要かどうかを容易に把握できる。
図12は、実施の形態7の半導体モジュールの構成例を示す図である。
Claims (2)
- 主電流を出力する主セル部と、前記主電流に比例するセンス電流を出力するセンスセル部とを有する半導体スイッチング素子と、
前記半導体スイッチング素子のスイッチング周波数よりも周波数が高い所定の周波数成分が前記センス電流に含まれているか否かを検出する検出器とを備え、
前記検出器は、一方端から他方端に向かって前記センス電流が流れ、前記所定の周波数成分に応じた起電圧を検出信号として前記一方端と前記他方端との間に生じさせるインダクタと、
前記インダクタに直列に接続され、前記センス電流の大きさを検出する電流センサとを含み、
前記主電流は、前記半導体モジュールに接続された負荷に流れ、
前記所定の周波数成分は、前記負荷の部分放電に伴って前記主電流に重畳する高周波ノイズの周波数成分に対応する周波数成分であり、
前記電流センサは、抵抗素子である、半導体モジュール。 - 前記インダクタの前記一方端および前記他方端にそれぞれ結合される第1および第2の出力端子をさらに備える、請求項1に記載の半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006209724A JP4925763B2 (ja) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006209724A JP4925763B2 (ja) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | 半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008042958A JP2008042958A (ja) | 2008-02-21 |
JP4925763B2 true JP4925763B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=39177381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006209724A Active JP4925763B2 (ja) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4925763B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5764122B2 (ja) | 2010-04-26 | 2015-08-12 | 株式会社日本触媒 | ポリアクリル酸(塩)、ポリアクリル酸(塩)系吸水性樹脂及びその製造方法 |
JP6837183B2 (ja) | 2017-09-11 | 2021-03-03 | 広東美的制冷設備有限公司Gd Midea Air−Conditioning Equipment Co.,Ltd. | インテリジェントパワーモジュール及びエアコンコントローラー |
CN107492874B (zh) * | 2017-09-11 | 2019-01-08 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及空调器控制器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3084982B2 (ja) * | 1992-11-25 | 2000-09-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3132648B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2001-02-05 | 富士電機株式会社 | 電力変換器におけるゲート駆動回路 |
JPH1155936A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲートトランジスタの駆動回路 |
JP2000323974A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の短絡保護回路 |
JP3454186B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2003-10-06 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP2002062330A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Hitachi Ltd | コイルターン間絶縁健全性評価装置及び方法 |
JP2003143862A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Hitachi Ltd | インバータ駆動回転電機システム |
JP2004226300A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Toshiba Corp | 回転電機の劣化診断装置及び劣化診断方法 |
JP2005006381A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Hitachi Ltd | スイッチング素子の駆動回路 |
-
2006
- 2006-08-01 JP JP2006209724A patent/JP4925763B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008042958A (ja) | 2008-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100979583B1 (ko) | 시험 대상물의 보호회로, 시험 대상물의 보호 방법, 시험장치, 및 시험 방법 | |
CN106324465B (zh) | 半导体装置和故障检测方法 | |
CN102222882B (zh) | 包含开关元件的电力电路的故障检测装置 | |
JP4942804B2 (ja) | 半導体電力変換装置 | |
US20120268079A1 (en) | Discharge control circuit | |
JP2015526932A (ja) | 電力スイッチ正常性モニタリングのための装置および方法 | |
CN104167374B (zh) | 半导体芯片的试验装置以及试验方法 | |
JP2013106464A (ja) | 半導体装置 | |
Luo et al. | Modern IGBT gate driving methods for enhancing reliability of high-power converters—An overview | |
JP5728161B2 (ja) | 地絡検知方法および地絡検知装置 | |
JP4838883B2 (ja) | エネルギー源の不足電圧を検出するための回路装置 | |
JP2015032984A (ja) | 半導体素子の駆動装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
JP4925763B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP4930866B2 (ja) | 電力用素子の故障検出装置 | |
CN102565657A (zh) | 测试装置 | |
JP2003009508A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JPWO2020017169A1 (ja) | 駆動回路内蔵型パワーモジュール | |
CN108684213B (zh) | 半导体模块、在半导体模块中使用的开关元件的选定方法以及开关元件的芯片设计方法 | |
US8901865B2 (en) | Current limiting device for vehicle | |
JPWO2017158867A1 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2010175509A (ja) | 逆バイアス安全動作領域測定装置 | |
CN110707665B (zh) | 基于瞬时功率损耗保护中高压igbt模块短路的方法 | |
Zoeller et al. | Influence of parasitic capacitances of IGBT inverter on insulation condition monitoring of traction machines based on current signal transients analysis | |
JP4765638B2 (ja) | インバータモジュールの検査方法及び検査装置 | |
CN100465655C (zh) | 监测功率输出级的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110805 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111226 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4925763 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |